CN216774352U - 电源路径管理电路 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及一种电源路径管理电路。包括：适配子电路、与所述适配子电路连接的管理子电路，所述适配子电路信号输出端与所述管理子电路的信号输入端连接，管理子电路的信号输出端被配置为所述电源路径管理电路的电源管理信号输出端；所述适配子电路的开关信号输入端用于根据接收的开关量信号，输出用于表征目标适配模式的电平信号；所述管理子电路用于根据所述电平信号输出电源管理信号。该电路具有隔离特性，电池自供电时可以不串电到电源适配器上；插上电源适配器并充电或者断开充电时，能自动识别并在适配器供电、电池充电模式中切换；并在拔掉适配器时要能自动切换到电池BOOST升压模式，无电池或电池拔掉时，电路均可以正常使用。
Description
技术领域
本公开涉及电源管理技术领域，特别是涉及一种电源路径管理电路。
背景技术
移动终端的电池及适配器的电源路径管理对设置非常重要，电源管理模块包括开关信号输入端、电池模块、电源管理芯片和斩波器模块，具有电池管理、电压调节和充电等功能。其中，在充电过程中，根据开关信号输入端输入的开关量将电能经过充电开关输送至电池模块，以对电池模块进行充电。由于电源路径管理装置芯片短缺，导致电源路径管理模块的成本较高，因此，亟需对现有技术的电源管理电路进行进一步改进，以解决上述问题。
实用新型内容
基于此，有必要针对电源路径管理装置芯片短缺，导致电源路径管理模块的成本较高的问题，提供一种电源路径管理电路。
本公开提供一种电源路径管理电路，包括：
适配子电路、与所述适配子电路连接的管理子电路；
所述适配子电路信号输出端与所述管理子电路的信号输入端连接，管理子电路的信号输出端被配置为所述电源路径管理电路的电源管理信号输出端；
其中，所述适配子电路的开关信号输入端用于根据接收的开关量信号，输出用于表征目标适配模式的电平信号；
所述管理子电路用于根据所述电平信号输出电源管理信号。
在其中一种实施方式中，所述适配子电路包括：第一适配子电路和第二适配子电路；
其中，所述第一适配子电路包括第一电容C1、第一二极管D1、第二二极管D2，第一电阻R1、第二电阻R2、第二电容C2；
所述第二适配子电路包括第三电阻R3、第三电容C3、第一三极管Q1、第四电阻R4、第二三极管Q2；
所述第一电容C1的第一端被配置为所述适配子电路的开关信号输入端，所述第一电容C1的第二端与所述第一二极管D1的阳极以及所述第二二极管D2的阴极连接，所述第二二极管D2的阳极接地；
所述第一二极管D1的阴极与所述第一电阻R1的第一端以及所述第二电阻R2的第一端连接，所述第一电阻R1的第二端通过所述第二电容C2与所述第二电阻R2的第二端连接，所述第二电阻R2的第二端接地，第一电阻R1的第二端被配置为所述第一适配子电路的信号输出端；
所述第三电阻R3的第一端与所述第一适配子电路的信号输出端连接，所述第三电阻R3的第二端与所述第三电容C3的第一端以及所述第一三极管Q1的基极连接，所述第三电容C3的第二端与所述第一三极管Q1的发射极连接，第一三极管Q1的集电极与所述第四电阻R4的第一端连接，所述第四电阻R4的第二端与电源以及所述第二三极管Q2的基极连接；
所述第二三极管Q2的发射极与所述第一三极管Q1的发射极连接，并接地，所述第二三极管Q2的集电极被配置为所述适配子电路的信号输出端。
在其中一种实施方式中，所述第一电容C1为1uF/16V，所述第一二极管D1以及所述第二二极管D2为BAV99，所述第一电阻R1为100R，第二电阻R2为10K，第二电容C2为0.1uF/16V。
在其中一种实施方式中，所述第三电阻R3为10K，所述第三电容C3为NC/0.1uF/16V，第一三极管Q1以及所述第二三极管Q2为MMBT3904，所述第四电阻R4为10K。
在其中一种实施方式中，所述管理子电路包括第四电容C4、第五电阻R5、第三三极管Q3、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第五电容C5、MOS管Q；
其中，所述第四电容C4的第一端与所述第六电阻R6的第一端、所述MOS管Q4的栅极连接，并被配置为所述管理子电路的信号输入端；
所述第四电容C4的第二端与所述MOS管Q4的源极连接，并与所述第五电阻R5的第一端连接，所述第五电阻R5的第二端与所述第六电阻R6的第二端连接，并与所述第三三极管Q3的集电极连接；
所述第三三极管Q3的发射极接地，所述第三三极管Q3的基极与所述第七电阻R7、所述第八电阻R8的第一端连接，所述第八电阻R8的第二端接地，所述第七电阻R7的第二端与所述第五电容C5的第一端连接，所述第五电容C5的第二端与所述MOS管Q4的漏极连接；
所述第五电容C5的第二端被配置为所述电源路径管理电路的信号输出端。
在其中一种实施方式中，所述第四电容C4为0.1uF/16V，所述第五电阻R5、所述第六电阻R6、所述第七电阻R7、所述第八电阻R8均为10K，所述第三三极管Q3为MMBT3904，所述第五电容C5为10uF/6.3V、所述MOS管Q4为AO3401A。
在其中一种实施方式中，所述管理子电路还包括第九电阻R9、第十电阻R10；
所述第五电容C5的第二端与所述第九电阻R9的第一端连接，所述第九电阻R9的第二端与所述第十电阻R10的第一端连接，所述第十电阻R10的第二端接地，所述第九电阻R9的第二端、所述第十电阻R10的第一端与DC_DET连接。
在其中一种实施方式中，所述第九电阻R9以及所述第十电阻R10均为10K。
上述电源路径管理电路通过所述适配子电路信号输出端与所述管理子电路的信号输入端连接，管理子电路的信号输出端被配置为所述电源路径管理电路的电源管理信号输出端；其中，所述适配子电路的开关信号输入端用于根据接收的开关量信号，输出用于表征目标适配模式的电平信号；所述管理子电路用于根据所述电平信号输出电源管理信号。该电路具有隔离特性，电池自供电时可以不串电到电源适配器上；插上电源适配器并充电或者断开充电时，能自动识别并在适配器供电、电池充电模式中切换；并在拔掉适配器时要能自动切换到电池BOOST升压模式，无电池或电池拔掉时，电路均可以正常使用。
附图说明
图1为其中一个实施例的电源路径管理电路的电路图。
具体实施方式
为使本公开的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本公开的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开。但是本公开能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本公开内涵的情况下做类似改进，因此本公开不受下面公开的具体实施例的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
图1为其中一个实施例的电源路径管理电路的电路图，如图1所示，包括：
适配子电路101、与所述适配子电路101连接的管理子电路102；
所述适配子电路101信号输出端与所述管理子电路102的信号输入端连接，管理子电路102的信号输出端被配置为所述电源路径管理电路的电源管理信号输出端；
其中，所述适配子电路101的开关信号输入端用于根据接收的开关量信号，输出用于表征目标适配模式的电平信号；
所述管理子电路102用于根据所述电平信号输出电源管理信号。
上述电源路径管理电路通过所述适配子电路信号输出端与所述管理子电路的信号输入端连接，管理子电路的信号输出端被配置为所述电源路径管理电路的电源管理信号输出端；其中，所述适配子电路的开关信号输入端用于根据接收的开关量信号，输出用于表征目标适配模式的电平信号；所述管理子电路用于根据所述电平信号输出电源管理信号。该电路具有隔离特性，电池自供电时可以不串电到电源适配器上；插上电源适配器并充电或者断开充电时，能自动识别并在适配器供电、电池充电模式中切换；并在拔掉适配器时要能自动切换到电池BOOST升压模式，无电池或电池拔掉时，电路均可以正常使用。
在上述实施例的基础上，所述适配子电路101包括：第一适配子电路1011和第二适配子电路1012；
其中，所述第一适配子电路1011包括第一电容C1、第一二极管D1、第二二极管D2，第一电阻R1、第二电阻R2、第二电容C2；
所述第二适配子电路1012包括第三电阻R3、第三电容C3、第一三极管Q1、第四电阻R4、第二三极管Q2；
所述第一电容C1的第一端被配置为所述适配子电路101的开关信号输入端，所述第一电容C1的第二端与所述第一二极管D1的阳极以及所述第二二极管D2的阴极连接，所述第二二极管D2的阳极接地；
所述第一二极管D1的阴极与所述第一电阻R1的第一端以及所述第二电阻R2的第一端连接，所述第一电阻R1的第二端通过所述第二电容C2与所述第二电阻R2的第二端连接，所述第二电阻R2的第二端接地，第一电阻R1的第二端被配置为所述第一适配子电路的信号输出端；
所述第三电阻R3的第一端与所述第一适配子电路1011的信号输出端连接，所述第三电阻R3的第二端与所述第三电容C3的第一端以及所述第一三极管Q1的基极连接，所述第三电容C3的第二端与所述第一三极管Q1的发射极连接，第一三极管Q1的集电极与所述第四电阻R4的第一端连接，所述第四电阻R4的第二端与电源以及所述第二三极管Q2的基极连接；
所述第二三极管Q2的发射极与所述第一三极管Q1的发射极连接，并接地，所述第二三极管Q2的集电极被配置为所述适配子电路101的信号输出端。
在上述实施例的基础上，所述第一电容C1为1uF/16V，所述第一二极管D1以及所述第二二极管D2为BAV99，所述第一电阻R1为100R，第二电阻R2为10K，第二电容C2为0.1uF/16V。
在上述实施例的基础上，所述第三电阻R3为10K，所述第三电容C3为NC/0.1uF/16V，第一三极管Q1以及所述第二三极管Q2为MMBT3904，所述第四电阻R4为10K。
在上述实施例的基础上，所述管理子电路102包括第四电容C4、第五电阻R5、第三三极管Q3、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第五电容C5、MOS管Q；
其中，所述第四电容C4的第一端与所述第六电阻R6的第一端、所述MOS管Q4的栅极连接，并被配置为所述管理子电路102的信号输入端；
所述第四电容C4的第二端与所述MOS管Q4的源极连接，并与所述第五电阻R5的第一端连接，所述第五电阻R5的第二端与所述第六电阻R6的第二端连接，并与所述第三三极管Q3的集电极连接；
所述第三三极管Q3的发射极接地，所述第三三极管Q3的基极与所述第七电阻R7、所述第八电阻R8的第一端连接，所述第八电阻R8的第二端接地，所述第七电阻R7的第二端与所述第五电容C5的第一端连接，所述第五电容C5的第二端与所述MOS管Q4的漏极连接；
所述第五电容C5的第二端被配置为所述电源路径管理电路的信号输出端。
其中，在BOOST升压IC的电感输出端输出SW开关量信号时，第一适配子电路1011根据接收到的SW开关量信号，生成SW_VSP电压信号，第二适配子电路1012根据接收到的成SW_VSP电压信号，驱动双三极管(第一二极管D1、第二二极管D2)形成高电平MOS_EN，高电平MOS_EN说明是电池为BOOST模式，低电平MOS_EN则说明是适配器模式。
进一步地，管理子电路102根据接收到的MOS_EN电平信号确定适配器MOS管Q4的通断状态，进而输出电源管理信号。其中，在接收到高电平MOS_EN时，执行BOOST模式，MOS管Q4截止，输出表征BOOST模式的管理信号，在接收到低电平MOS_EN时，执行适配器模式，MOS管Q4导通，输出表征适配器模式的管理信号。
本公开的电源路径管理电路可以在有无适配器时，根据导通或者截止MOS管的互斥逻辑，其中适配器输入端的电容可以让MOS短暂导通，可以将供电放入系统和BOOST比较是否进入BOOST模式，来决定MOS是继续导通还是继续关闭，从而完成插入检测的需求，进而完成一整套电源路径管理逻辑。
在上述实施例的基础上，所述第四电容C4为0.1uF/16V，所述第五电阻R5、所述第六电阻R6、所述第七电阻R7、所述第八电阻R8均为10K，所述第三三极管Q3为MMBT3904，所述第五电容C5为10uF/6.3V、所述MOS管Q4为AO3401A。
在上述实施例的基础上，所述管理子电路102还包括第九电阻R9、第十电阻R10；
所述第五电容C5的第二端与所述第九电阻R9的第一端连接，所述第九电阻R9的第二端与所述第十电阻R10的第一端连接，所述第十电阻R10的第二端接地，所述第九电阻R9的第二端、所述第十电阻R10的第一端与DC_DET连接。
在上述实施例的基础上，所述第九电阻R9以及所述第十电阻R10均为10K。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本公开的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对公开专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本公开构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本公开的保护范围。因此，本公开专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (8)
1.一种电源路径管理电路，其特征在于，所述电源路径管理电路包括：
适配子电路(101)、与所述适配子电路(101)连接的管理子电路(102)；
所述适配子电路(101)信号输出端与所述管理子电路(102)的信号输入端连接，管理子电路(102)的信号输出端被配置为所述电源路径管理电路的电源管理信号输出端；
其中，所述适配子电路(101)的开关信号输入端用于根据接收的开关量信号，输出用于表征目标适配模式的电平信号；
所述管理子电路(102)用于根据所述电平信号输出电源管理信号。
2.根据权利要求1所述的电源路径管理电路，其特征在于，所述适配子电路(101)包括：第一适配子电路(1011)和第二适配子电路(1012)；
其中，所述第一适配子电路(1011)包括第一电容C1、第一二极管D1、第二二极管D2，第一电阻R1、第二电阻R2、第二电容C2；
所述第二适配子电路(1012)包括第三电阻R3、第三电容C3、第一三极管Q1、第四电阻R4、第二三极管Q2；
所述第一电容C1的第一端被配置为所述适配子电路(101)的开关信号输入端，所述第一电容C1的第二端与所述第一二极管D1的阳极以及所述第二二极管D2的阴极连接，所述第二二极管D2的阳极接地；
所述第一二极管D1的阴极与所述第一电阻R1的第一端以及所述第二电阻R2的第一端连接，所述第一电阻R1的第二端通过所述第二电容C2与所述第二电阻R2的第二端连接，所述第二电阻R2的第二端接地，第一电阻R1的第二端被配置为所述第一适配子电路的信号输出端；
所述第三电阻R3的第一端与所述第一适配子电路(1011)的信号输出端连接，所述第三电阻R3的第二端与所述第三电容C3的第一端以及所述第一三极管Q1的基极连接，所述第三电容C3的第二端与所述第一三极管Q1的发射极连接，第一三极管Q1的集电极与所述第四电阻R4的第一端连接，所述第四电阻R4的第二端与电源以及所述第二三极管Q2的基极连接；
所述第二三极管Q2的发射极与所述第一三极管Q1的发射极连接，并接地，所述第二三极管Q2的集电极被配置为所述适配子电路(101)的信号输出端。
3.根据权利要求2所述的电源路径管理电路，其特征在于，所述第一电容C1为1uF/16V，所述第一二极管D1以及所述第二二极管D2为BAV99，所述第一电阻R1为100R，第二电阻R2为10K，第二电容C2为0.1uF/16V。
4.根据权利要求2所述的电源路径管理电路，其特征在于，所述第三电阻R3为10K，所述第三电容C3为NC/0.1uF/16V，第一三极管Q1以及所述第二三极管Q2为MMBT3904，所述第四电阻R4为10K。
5.根据权利要求1所述的电源路径管理电路，其特征在于，所述管理子电路(102)包括第四电容C4、第五电阻R5、第三三极管Q3、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第五电容C5、MOS管Q4；
其中，所述第四电容C4的第一端与所述第六电阻R6的第一端、所述MOS管Q4的栅极连接，并被配置为所述管理子电路(102)的信号输入端；
所述第四电容C4的第二端与所述MOS管Q4的源极连接，并与所述第五电阻R5的第一端连接，所述第五电阻R5的第二端与所述第六电阻R6的第二端连接，并与所述第三三极管Q3的集电极连接；
所述第三三极管Q3的发射极接地，所述第三三极管Q3的基极与所述第七电阻R7、所述第八电阻R8的第一端连接，所述第八电阻R8的第二端接地，所述第七电阻R7的第二端与所述第五电容C5的第一端连接，所述第五电容C5的第二端与所述MOS管Q4的漏极连接；
所述第五电容C5的第二端被配置为所述电源路径管理电路的信号输出端。
6.根据权利要求5所述的电源路径管理电路，其特征在于，所述第四电容C4为0.1uF/16V，所述第五电阻R5、所述第六电阻R6、所述第七电阻R7、所述第八电阻R8均为10K，所述第三三极管Q3为MMBT3904，所述第五电容C5为10uF/6.3V、所述MOS管Q4为AO3401A。
7.根据权利要求5或6所述的电源路径管理电路，其特征在于，所述管理子电路(102)还包括第九电阻R9、第十电阻R10；
所述第五电容C5的第二端与所述第九电阻R9的第一端连接，所述第九电阻R9的第二端与所述第十电阻R10的第一端连接，所述第十电阻R10的第二端接地，所述第九电阻R9的第二端、所述第十电阻R10的第一端与DC_DET连接。
8.根据权利要求7所述的电源路径管理电路，其特征在于，所述第九电阻R9以及所述第十电阻R10均为10K。
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| CN216774352U true CN216774352U (zh) | 2022-06-17 |
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