CN214327855U - 一种掩膜板 - Google Patents
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- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000011552 falling film Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本实用新型公布一种掩膜板，包括框架，所述框架包括镂空区域和非镂空区域，掩膜板还包括承接层；所述承接层设置在所述框架的一面，且所述承接层位于非镂空区域上，所述承接层为微纳米颗粒结构，所述承接层用于附着有机材料；在所述承接层上相对于所述框架的一面上设置有第一凹凸结构或者疏水层，所述第一凹凸结构用于增加承接层和有机材料之间的附着力。上述技术方案具有如下优点：提高掩膜板单次使用时间，减少掩膜板清洗的频率，进而延长掩膜板的使用寿命，进一步降低生产成本，最终提高企业的经济转化率。有机材料能够附着在第一凹凸结构上，不易掉落至下方的真空腔体中，可以确保真空腔体的洁净度。有机材料不与疏水层相结合或相粘结。
Description
技术领域
本实用新型涉及掩膜板领域，尤其涉及一种掩膜板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode)OLED显示装置具备低功耗，宽视角，响应速度快，超轻期薄，抗震性好等特点。目前采用蒸镀方式制备OLED显示装置。
在蒸镀成膜过程中，真空腔体内对有机分子(有机材料)进行加热，使其升华或者熔融气化成材料蒸汽，透过掩膜板的镂空区域沉积在玻璃基板上。对于非镂空区域，有机材料直接沉积在掩膜板上。掩膜板多采用因瓦(Invar) 合金制作，因瓦合金具有精细、脆弱、超薄等特点。掩膜板经过一段时间的蒸镀后，掩膜板上面的有机材料累积的越来越厚，有机薄膜有脱落的风险，掉落的薄膜粉尘不仅影响基板上发光层的膜质，还影响蒸镀腔体中的原料平品质，进而影响OLED器件的寿命及发光效率。所以掩膜板需要定期清洗。
目前掩膜板清洗工艺普遍采用湿式药液浸泡清洗，清洗后的药液采取直接排放污染环境，湿式药液浸泡清洗的效率低，价格还昂贵。
蒸镀的材料有银、镁、铜以及发光层的有机材料，其中发光层中的有机薄膜多为疏水性，掩膜板多为亲水性，所以蒸镀有机薄膜时，有机薄膜翘曲而脱落的风险比金属薄膜翘曲而脱落的风险更大。
实用新型内容
为此，需要提供一种掩膜板，解决掩膜板上附着的有机材料会脱落的问题。
为实现上述目的，本实施例提供了一种掩膜板，包括框架，所述框架包括镂空区域和非镂空区域，还包括承接层；
所述承接层设置在所述框架的一面，且所述承接层位于非镂空区域上，所述承接层为微纳米颗粒结构，所述承接层用于附着有机材料；
在所述承接层的表面上设置有第一凹凸结构或者疏水层，所述第一凹凸结构用于增加承接层和有机材料之间的附着力。
进一步地，所述框架还包括第二凹凸结构，所述第二凹凸结构包括多个孔，所述第二凹凸结构设置在所述框架的表面。
进一步地，所述孔的深度为a，2微米≤a≤6微米。
进一步地，所述框架为因瓦合金的框架。
进一步地，所述承接层为金属层。
进一步地，所述承接层的厚度为b，0.5微米≤b≤1微米。
进一步地，所述疏水层为有机物。
区别于现有技术，上述技术方案具有如下优点：第一，提高掩膜板单次使用时间，减少掩膜板清洗的频率，进而延长掩膜板的使用寿命，进一步降低生产成本，最终提高企业的经济转化率。第二，有机材料能够附着在第一凹凸结构上，不易掉落至下方的真空腔体中，可以确保真空腔体的洁净度。第三，发光层中的有机薄膜多为疏水性，有机材料不与疏水层相结合或相粘结，使得掩膜板保持整洁。
附图说明
图1为本实施例所述掩膜板的剖面结构示意图；
图2为本实施例所述镂空区域和非镂空区域的剖面结构示意图。
附图标记说明：
1、掩膜板；
11、框架；
12、镂空区域；
13、非镂空区域；
2、承接层；
3、疏水层；
4、基板；
5、坩埚。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
请参阅图1至图2，本实施例提供一种掩膜板，包括框架11，所述框架 11包括镂空区域12和非镂空区域13，结构如图1所示。所述框架11可以为因瓦合金的框架，但不限于此。在蒸镀成膜过程中，蒸镀腔体内的坩埚5对有机分子(有机材料)进行加热，使其升华或者熔融气化成材料蒸汽，透过掩膜板1的镂空区域12沉积在基板4上。所述掩膜板1还包括承接层2，结构如图1所示。所述承接层2设置在所述框架11的一面，且所述承接层2位于非镂空区域13上。所述承接层2为微纳米颗粒结构，所述承接层2用于附着有机材料，承接层2对有机材料的附着力高。在所述承接层2的表面上设置有第一凹凸结构或者疏水层3。所述第一凹凸结构用于增加承接层2和有机材料之间的附着力，附图未展示出第一凹凸结构。
现有技术中的掩膜板上面的有机材料累积的越来越厚，有机薄膜有脱落的风险，掉落的薄膜粉尘不仅影响基板上发光层的膜质，还影响蒸镀腔体中的原料平品质，进而影响OLED器件的寿命及发光效率。而上述技术方案具有如下优点：第一，提高掩膜板单次使用时间，减少掩膜板清洗的频率，进而延长掩膜板的使用寿命，进一步降低生产成本，最终提高企业的经济转化率。第二，有机材料能够附着在第一凹凸结构上，不易掉落至下方的真空腔体中，可以确保真空腔体的洁净度。第三，发光层中的有机薄膜多为疏水性，有机材料不与疏水层相结合或相粘结，使得掩膜板保持整洁。
需要说明的是，疏水层3可以只设置在所述承接层上相对于掩膜板的一面上，结构如图1所示。当然疏水层3还可以包覆所述承接层2，附图未展示出此种结构。同理，在承接层2上的所有外表面均设置有第一凹凸结构，以提高对蒸镀材料的吸附力。
在本实施例中，所述承接层2为金属层。金属层的材料不限于钼(Mo)、钼钛(MoTi)合金、镍(Ni)、银(Ag)等，但不限于此。金属层的承接层2在高温的条件下具有较好的稳定性。采用快速热处理方法将金属层由连续状态转变为微纳米颗粒结构。
在本实施例中，所述承接层的厚度为b，0.5微米≤b≤1微米。
在本实施例中，所述疏水层3可以为聚四氟乙烯、有机硅树脂、氟硅树脂或长链聚合物，但不限于此。例如通过含氟的有机物对承接层的表面进行化学修饰，形成的疏水层与水的接触角都大于150°，水滴在疏水层的表面的滚动角都小于10°，疏水层3显示出非常优越的疏水性能。
需要说明的是，第一凹凸结构可以通过等离子体轰击制作而成。例如采用氩(Ar)等离子轰击承接层的表面，使承接层的表面形成凹凸不平的形貌。 Plasma的功率为10kw(千瓦)～40kw(千瓦)，优选的，Plasma机台的功率为20kw。Ar的气压流量为0.2sccm(标准毫升/分钟)～0.6sccm(标准毫升/ 分钟)，优选的Ar的气压流量为0.4sccm(标准毫升/分钟)。
在本实施例中，为了进一步增加掩膜板本身对有机材料的吸附能力，所述框架11还包括第二凹凸结构，附图未展示出第二凹凸结构。所述第二凹凸结构包括多个孔，所述第二凹凸结构设置在所述框架11的表面。当有机材料附着在掩膜板1上时，有机材料被分割成无数个小块，这减少了应力的集中，进而减小蒸镀薄膜翘曲而引起脱落。
第二凹凸结构的制作方法可以是在掩膜板1表面涂布一层光阻，然后将光阻固化，接着进行曝光和显影，使得要制作孔的部位开口。以光阻为掩膜蚀刻掩膜板1，最后进行光阻脱膜，形成所需要的凹凸不平的第二凹凸结构。其中，设定第二凹凸结构的所述孔的深度为a，那么2微米≤a≤6微米。优选的，所述孔的深度为a为4微米。
在本实施例中，所述第二凹凸结构的孔的横截面可以是圆形、矩形、椭圆形、三角形、多边形等。同理，第一凹凸结构的孔的横截面也可以是圆形、矩形、椭圆形、三角形、多边形等。
需要说明的是，所述第一凹凸结构的制作方法和所述第二凹凸结构的制作方法可以相互替换，或者第一凹凸结构和第二凹凸结构还是以是其他的方式制作而成。
需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本实用新型的专利保护范围。因此，基于本实用新型的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本实用新型专利的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种掩膜板，包括框架，所述框架包括镂空区域和非镂空区域，其特征在于，还包括承接层；
所述承接层设置在所述框架的一面，且所述承接层位于非镂空区域上，所述承接层为微纳米颗粒结构，所述承接层用于附着有机材料；
在所述承接层的表面上设置有第一凹凸结构或者疏水层，所述第一凹凸结构用于增加承接层和有机材料之间的附着力。
2.根据权利要求1所述的一种掩膜板，其特征在于，所述框架还包括第二凹凸结构，所述第二凹凸结构包括多个孔，所述第二凹凸结构设置在所述框架的表面。
3.根据权利要求2所述的一种掩膜板，其特征在于，所述孔的深度为a，2微米≤a≤6微米。
4.根据权利要求1所述的一种掩膜板，其特征在于，所述框架为因瓦合金的框架。
5.根据权利要求1所述的一种掩膜板，其特征在于，所述承接层为金属层。
6.根据权利要求1所述的一种掩膜板，其特征在于，所述承接层的厚度为b，0.5微米≤b≤1微米。
7.根据权利要求1所述的一种掩膜板，其特征在于，所述疏水层为有机物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202023276185.9U CN214327855U (zh) | 2020-12-30 | 2020-12-30 | 一种掩膜板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202023276185.9U CN214327855U (zh) | 2020-12-30 | 2020-12-30 | 一种掩膜板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN214327855U true CN214327855U (zh) | 2021-10-01 |
Family
ID=77903297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202023276185.9U Active CN214327855U (zh) | 2020-12-30 | 2020-12-30 | 一种掩膜板 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN214327855U (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116162894A (zh) * | 2023-02-28 | 2023-05-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版及其制作方法 |
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2020
- 2020-12-30 CN CN202023276185.9U patent/CN214327855U/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116162894A (zh) * | 2023-02-28 | 2023-05-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版及其制作方法 |
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