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CN214012400U - 显示面板和显示装置 - Google Patents

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CN214012400U
CN214012400U CN202023015467.3U CN202023015467U CN214012400U CN 214012400 U CN214012400 U CN 214012400U CN 202023015467 U CN202023015467 U CN 202023015467U CN 214012400 U CN214012400 U CN 214012400U
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
layer
chromaticity
scattering layer
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202023015467.3U
Other languages
English (en)
Inventor
朱维
刘华清
刘政明
付杰
官怀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chongqing Kangjia Optoelectronic Technology Co ltd
Original Assignee
Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to CN202023015467.3U priority Critical patent/CN214012400U/zh
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Abstract

本实用新型涉及一种显示面板和显示装置,该显示面板包括阵列基板和彩膜基板,阵列基板包括间隔设置在阵列基板一侧的多个发光单元,相邻的两个发光单元之间形成一间隔区域;彩膜基板靠近阵列基板的一侧间隔的设置有光转换结构以及设置在各个光转换结构之间的挡光结构;其中,光转换结构与发光单元对应设置,挡光结构与间隔区域对应设置,且挡光结构在阵列基板上的垂直投影与发光单元在阵列基板上的垂直投影至少部分重叠,能减小相邻发光单元的光线射入,避免相邻发光单元的光线对相邻子像素的串扰,进而提升显示装置的色度纯净度,提升色域。

Description

显示面板和显示装置
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
目前,Micro-LED(micro-Light Emitting Diode,微型发光二极管)作为新一代显示技术,具有高亮度,高色域,高对比度,更高视角显示等优势,已成为当下研究热点,具有广阔的应用前景。
量子点材料在被光源激发时,会发出与光源颜色不同的光线,利用此原理,目前发展起来一种量子点显示技术,采用大量的只发一种颜色的LED芯片,通过在显示面板中加入多种量子点材料,通过LED芯片发光激发量子点材料发出不同颜色的光,进而实现彩色显示。
目前的量子点显示技术存在着LED芯片发出的光线容易激发相邻的量子点发光,引起颜色的串扰,进而造成显示装置色度不纯,色域降低。
因此,如何避免颜色的串扰是亟需解决的问题。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的不足,本申请的目的在于提供一种显示面板和显示装置,旨在解决如何避免颜色的串扰的问题。
一种显示面板,包括:
阵列基板,包括间隔设置在所述阵列基板一侧的多个发光单元,相邻的两个所述发光单元之间形成一间隔区域;
彩膜基板,所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置,所述彩膜基板靠近所述阵列基板的一侧间隔的设置有光转换结构以及设置在各个所述光转换结构之间的挡光结构;
其中,所述光转换结构与所述发光单元对应设置,所述挡光结构与所述间隔区域对应设置,且所述挡光结构在所述阵列基板上的垂直投影与所述发光单元在所述阵列基板上的垂直投影至少部分重叠。
通过在各个光转换结构之间设挡光结构,并设置挡光结构在阵列基板上的垂直投影与发光单元在阵列基板上的垂直投影至少部分重叠,从而使得挡光结构能够遮挡发光单元的光线,能减小发光单元的光线射入相邻的光转换结构,从而能够减少甚至避免相邻发光单元的光线对相邻子像素的串扰,进而提升显示装置的色度纯净度,提升色域。
可选的,所述挡光结构包括在所述彩膜基板上依次形成的黑色矩阵层、第一挡墙层和第二挡墙层,所述第二挡墙层包括与所述阵列基板相对的挡光面,所述发光单元包括朝向所述彩膜基板的第一发光面,向所述阵列基板之朝向所述彩膜基板的表面作正投影,所述挡光面与所述第一发光面部分重叠,所述第二挡墙层自所述挡光面向所述彩膜基板的方向的尺寸逐渐缩小。使得在彩膜基板的位置,挡光结构的尺寸较小,而光转换结构的尺寸较大,使得像素的出光面积相对较大,而挡光结构的面积相对较小,可以提高显示亮度。
可选的,所述光转换结构朝向所述发光单元的表面为第一入光面,所述第一入光面与所述阵列基板的间距为第一间距,所述挡光面与所述阵列基板的间距为第二间距,所述第一间距大于所述第二间距,使得第一入光面被挡光结构完全包围,进一步减少光线串扰的可能。
可选的,所述光转换结构包括依次间隔设置在所述彩膜基板并各自与一个所述发光单元对应的第一光转换结构、第二光转换结构和第三光转换结构,所述发光单元用于发射第一色度的光线,所述发光单元发射的光线穿过所述第一光转换结构后形成第二色度的光线,所述发光单元发射的光线穿过所述第二光转换结构后形成第三色度的光线,所述发光单元发射的光线穿过所述第三光转换结构后形成保持所述第一色度的光线;所述第一色度、所述第二色度和所述第三色度的光线混合形成白光。
可选的,所述第一光转换结构包括在所述彩膜基板上依次形成的第一色阻层、第一量子点层和第一散射层,所述第一散射层背向所述第一量子点层的表面为所述第一入光面,所述第一色阻层用于通过所述第二色度的光线而阻挡其他色度的光线,所述第一量子点层用于将所述第一色度的光线转换为所述第二色度的光线,所述第一散射层用于入光和均光。
可选的,所述第一散射层还包括与所述第一入光面相邻的第二入光面和第三入光面,所述第二入光面和所述第三入光面相背设置,并均用于与所述挡光结构连接,所述第二入光面和第三入光面均与所述第一入光面形成倾斜夹角。在相邻的光转换结构的间隔填充挡光结构后,第二入光面和第三入光面与挡光结构连接从而使得第二入光面和第三入光面不会有光线射入,发光单元的光线只能从面积较小的第一入光面射入,减少光线串扰的可能。
可选的,自所述第一量子点层朝向所述发光单元的方向,所述第一散射层的尺寸逐渐缩小。使得第一散射层的第一入光面虽然面积较小,但光线在第一散射层内散射均匀后从面积较大的与第一入光面相背的表面出射到第一量子点层,从而可以增大子像素的区域大小。
可选的,所述第二光转换结构包括在所述彩膜基板上依次形成的第二色阻层、第二量子点层和第二散射层,所述第二散射层背向所述第二量子点层的表面为所述第一入光面,所述第二色阻层用于通过所述第三色度的光线而阻挡其他色度的光线,所述第二量子点层用于将所述第一色度的光线转换为所述第三色度的光线,所述第二散射层用于入光和均光,所述第二散射层和所述第一散射层的结构相同。
可选的,所述第三光转换结构包括在所述彩膜基板上依次设置的第三色阻层、第三散射层和第四散射层,所述第四散射层背向所述第三散射层的表面为所述第一入光面,所述第三色阻层用于通过所述第一色度的光线而阻挡其他色度的光线,所述第三散射层用于均光,所述第四散射层用于入光和均光,所述第四散射层和所述第一散射层的结构相同。
基于相同的发明构思,本申请还提供一种显示装置,包括前述实施例中任一项所述的显示面板。
本申请实施例的显示装置,通过在各个光转换结构之间设挡光结构,并设置挡光结构在阵列基板上的垂直投影与发光单元在阵列基板上的垂直投影至少部分重叠,从而使得挡光结构能够遮挡发光单元的光线,能减小发光单元的光线射入相邻的光转换结构,从而能够减少甚至避免相邻发光单元的光线对相邻子像素的串扰,进而提升显示装置的色度纯净度,提升色域。
附图说明
图1为一种实施例的显示面板的结构示意图。
附图标记说明:
10-阵列基板,11-安装面;
20-彩膜基板;
30-封胶框;
40-发光单元,41-第一发光面,42-第二发光面,43-第三发光面,44-第四发光面,45-磊晶,46-第一电极,47-第二电极;
51-第一色阻层,52-第二色阻层,53-第三色阻层;
61-第一量子点层,62-第二量子点层;
71-第一散射层,711-第一入光面,712-第二入光面,713-第三入光面,72-第二散射层,73-第三散射层,74-第四散射层;
80-黑色矩阵层;
91-第一挡墙层,92-第二挡墙层,93-挡光面;
A-显示区,A1-第一子像素区,A2-第二子像素区,A3-第三子像素区;
B1-第一遮光区,B2-第二遮光区;
C-非显示区。
具体实施方式
为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本申请。
目前的量子点显示技术存在着LED芯片发出的光线容易激发相邻的量子点发光,引起颜色的串扰,进而造成显示装置色度不纯,色域降低。
因此,如何避免颜色的串扰是亟需解决的问题。
基于此,本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案,其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
请参考图1,本申请实施例提供一种显示面板,包括阵列基板10、彩膜基板20和封胶框30,阵列基板10和彩膜基板20相对设置,封胶框30连接在彩膜基板20和彩膜基板20的边缘,以将阵列基板10、彩膜基板20及两者之间的结构封装成盒。阵列基板10和彩膜基板20上设有相应的电路结构,用于驱动显示面板显示,此处的电路结构可参考现有技术,不再赘述。
显示面板包括显示区A和非显示区C,非显示区C设置在显示区A的外周,显示区A用于设置像素结构,非显示区C用于设置封胶框30、连接线等附加结构。
显示区A设有多个像素,每个像素包括三个子像素以及设置在子像素之间的挡光结构。如图1示出了一个像素的结构,其中,像素包括第一子像素区A1、第二子像素区A2和第三子像素区A3,以及设置在三个子像素之间的第一遮光区B1和第二遮光区B2。
其中,每个子像素区均在阵列基板10上设有一发光单元40,发光单元40例如为LED芯片,其包括磊晶45和与磊晶45连接的第一电极46和第二电极47,第一电极46和第二电极47与阵列基板10上的电路连接。
对应于多个子像素的排列,多个发光单元40与多个子像素区一一对应的设置,任意相邻的两个发光单元40之间形成一间隔区域。
发光单元40用于发射第一色度的光线,第一色度可以为红色、绿色和蓝色,优选的,第一色度为蓝色。
每个子像素区均设有光转换结构,即第一子像素区A1设有第一光转换结构、第二子像素区A2设有第二光转换结构、第三子像素区A3设有第三光转换结构。第一光转换结构、第二光转换结构和第三光转换结构依次间隔地设置在彩膜基板20,并一一地与发光单元40相对。
发光单元40发射的光线穿过第一光转换结构后形成第二色度的光线,发光单元40发射的光线穿过第二光转换结构后形成第三色度的光线,发光单元40发射的光线穿过第三光转换结构后形成保持第一色度的光线;第一色度、第二色度和第三色度的光线混合形成白光。如第一色度为蓝色,则第二色度为红色,第三色度为绿色;如第一色度为红色,则第二色度为绿色,第三色度为蓝色;如第一色度为绿色,则第二色度为红色,第三色度为蓝色。
请参考图1,发光单元40还包括与第一发光面41相邻的第二发光面42和第三发光面43,第二发光面42和第三发光面43相背设置。一些实施例中,第二发光面42和第三发光面43可以互相平行且与第一发光面41垂直。另外一些实施例中,第二发光面42和第三发光面43均与第一发光面41形成倾斜夹角,且发光单元40自阵列基板10朝向彩膜基板20的方向的尺寸逐渐减小。其他的实施例中,可不用限制第一发光面41、第二发光面42和第三发光面43的具体形貌。
本实施例中,发光单元40还包括与第一发光面41相背的第四发光面44,第四发光面44朝向阵列基板10方向发光,第二发光面42和第三发光面43的两端分别与第一发光面41和第四发光面44连接。发光单元40为朗伯体发光,其第一发光面41至第四发光面44均可向外发射光线,形成四面发光的结构。这种结构能使得显示面板的发光效率更高。
其中,在第二发光面42和第三发光面43均与第一发光面41形成倾斜夹角,且发光单元40自阵列基板10朝向彩膜基板20的方向的尺寸逐渐减小的实施例中,能使得发光单元40的整体发光方向朝向彩膜基板20一侧。第二发光面42和第三发光面43可相对于第一发光面41的中点的垂线对称,如此使得发光单元40的磊晶45形成等腰梯形结构。第二发光面42和第三发光面43相对于第一发光面41的倾斜夹角不做具体限定,可根据实际情况进行设置。
在阵列基板10上还可设反光结构,第四发光面44发出的光线以及从其他位置反射到阵列基板10的光线,均可通过反光结构的反射而从彩膜基板20一侧出射,如此可提高光效。
每个遮光区均设有挡光结构,多个遮光区的多个挡光结构设置在彩膜基板20,并设置在第一光转换结构、第二光转换结构和第三光转换结构之间,挡光结构对应于发光单元40之间的间隔区域。
其中,发光单元40包括朝向彩膜基板20的第一发光面41,第一光转换结构、第二光转换结构和第三光转换结构朝向阵列基板10的表面为第一入光面711,阵列基板10与彩膜基板20相对的表面为安装面11,向安装面11作投影,挡光结构在安装面11上的垂直投影与发光单元40在安装面11的垂直投影至少部分重叠。
其中,在相邻的光转换结构之间设有挡光结构,且挡光结构填充相邻的光转换结构的间隔,即光转换结构和挡光结构是无缝连接的。
本申请实施例的显示面板,通过在各个光转换结构之间设挡光结构,并设置挡光结构在阵列基板10上的垂直投影与发光单元40在阵列基板10上的垂直投影至少部分重叠,从而使得挡光结构能够遮挡发光单元40的光线,能减小发光单元40的光线射入相邻的光转换结构,从而能够减少甚至避免相邻发光单元40的光线对相邻子像素的串扰,进而提升显示装置的色度纯净度,提升色域。
每个光转换结构均包括与发光单元40正对的开口(即第一入光面711),由于挡光结构在安装面11上的垂直投影与发光单元40在安装面11的垂直投影至少部分重叠,使得开口的面积小于第一发光面41的面积,即缩小每个光转换结构的入光面积,在不影响每个子像素的显示的同时,可以减少相邻的发光单元40光线的射入量,减少光线串扰的可能。
一种实施例中,请参考图1,挡光结构包括在彩膜基板20上依次形成的黑色矩阵层80、第一挡墙层91(bank1)和第二挡墙层92(bank2)。黑色矩阵层80的材质为黑色光刻胶,第一挡墙层91和第二挡墙层92的材质为高发射高光学密度(optical density,OD)的光阻材料。
第二挡墙层92包括与阵列基板10相对的挡光面93,向安装面11作正投影,挡光面93与第一发光面41部分重叠,且挡光幕93完全覆盖相邻的连个发光单元40之相对的第二发光面42和第三发光面43。换而言之,挡光面93的面积大于相邻两个发光单元40之间的间隔区域的面积,对于同一个发光单元40来说,使得第二发光面42和第三发光面43发射的光学不会直接射入与之对应的光转换结构的第一入光面711,而由于挡光面93的面积足够大,第二发光面42和第三发光面43发射的光线朝向相邻的光转换结构发射时,也会被挡光面93遮挡。如图1所示,第二发光面42射向相邻的第一光转换结构的2条光线中,2条光线的延长线分别与第一量子点层61的两端对应,2条光线与第一发光面41的夹角分别为α和β,由图1可见,由于挡光面93的较大的面积,该2条光线均被挡光面93遮挡。由此可知,设置如上的挡光结构,可以遮挡发光单元40向相邻的光转换结构发射光线,进而避免光线的串扰。
可选的,第二挡墙层92自挡光面93向彩膜基板20的方向的尺寸逐渐缩小。如此设置,使得在彩膜基板20的位置,挡光结构的尺寸较小,而光转换结构的尺寸较大,使得像素的出光面积相对较大,而挡光结构的面积相对较小,可以提高显示亮度。
可选的,挡光面93突出于第一入光面711。换而言之,第一入光面711与阵列基板10的间距为第一间距,挡光面93与阵列基板10的间距为第二间距,第一间距大于第二间距。也即挡光面93比第一入光面711更靠近阵列基板10,如此可以使得两个挡光结构之间的光转换结构的开口,即第一入光面711被挡光结构完全包围,进一步减少光线串扰的可能。其他可选的,挡光面93也可和第一入光面711齐平共面。
一种实施例中,请参考图1,第一光转换结构包括在彩膜基板20上依次形成的第一色阻层51、第一量子点层61和第一散射层71。第一入光面711设置在第一散射层71,第一色阻层51用于通过第二色度的光线而阻挡其他色度的光线,第一量子点层61用于将第一色度的光线转换为第二色度的光线,第一散射层71用于入光和均光。
以第一色度为蓝色,第二色度为红色为例,第一色阻层51为红色色阻,第一量子点层61为红色量子点层,发光单元40发射的蓝色光经过第一散射层71的第一入光面711进入第一散射层71,并在第一散射层71内散射均匀,实现向第一量子点层61出射均匀的蓝色光,第一量子点层61的红色量子点材料被蓝色光激发而发出红色光,第一色阻层51的红色色阻能让被激发的红色光通过而从彩膜基板20出射,未被激发的蓝色光及其他杂光被红色色阻阻挡而不能从彩膜基板20出射。第一色度和第二色度的其他组合以此类推即可,不再赘述。由此可知,通过设置第一色阻层51、第一量子点层61和第一散射层71的结构,能使得子像素出射的第二色度的光均匀纯净,无杂光干扰,色域高。
其中,第一色阻层51的材质可为光刻胶;第一量子点层61可为掺杂有量子点材料的光刻胶;第一散射层71(Scatter)可为掺杂有散射颗粒的光刻胶,散射颗粒例如为二氧化钛(TiO2)。
一种实施例中,请参考图1,第一散射层71还包括与第一入光面711相邻的第二入光面712和第三入光面713。第二入光面712和第三入光面713相背设置,并均用于与挡光结构连接,第二入光面712和第三入光面713均与第一入光面711形成倾斜夹角。
本实施例中,第二入光面712和第三入光面713的一端连接第一量子点层61,另一端连接第一入光面711,第二入光面712和第三入光面713与各相邻的光转换结构相对。在相邻的光转换结构的间隔填充挡光结构后,第二入光面712和第三入光面713与挡光结构连接从而使得第二入光面712和第三入光面713不会有光线射入,发光单元40的光线只能从面积较小的第一入光面711射入,减少光线串扰的可能。
此外,设置第二入光面712和第三入光面713与第一入光面711形成倾斜夹角,使得第一散射层71的结构不影响子像素区的区域大小。可选的,第一入光面711、第二入光面712和第三入光面713均为平面,且第二入光面712和第三入光面713相对于第一入光面711的中点的垂线对称。换而言之,第一散射层71构成一等腰梯形结构,如此,可使得对于包含有大量子像素的显示面板而言,各处的子像素的入光情况几乎相同,能提升显示面板的显示均匀性。其中,第二入光面712和第三入光面713与第一入光面711的倾斜夹角不做具体限定,可根据实际情况进行设置。
其他实施例中,第二入光面712与第三入光面713相对于第一入光面711的中点的垂线可不对称,形成一非等腰梯形。
进一步的,自第一量子点层61朝向发光单元40的方向,第一散射层71的尺寸逐渐缩小。换而言之,相对于发光单元40而言,第一散射层71形成一倒立的梯形结构,如此,使得第一散射层71的第一入光面711虽然面积较小,但光线在第一散射层71内散射均匀后从面积较大的与第一入光面711相背的表面出射到第一量子点层61,从而可以增大子像素的区域大小。
一种实施例中,请参考图1,第二光转换结构包括在彩膜基板20上依次形成的第二色阻层52、第二量子点层62和第二散射层72,第一入光面711设置在第二散射层72。第二色阻层52用于通过第三色度的光线而阻挡其他色度的光线,第二量子点层62用于将第一色度的光线转换为第三色度的光线,第二散射层72用于入光和均光,第二散射层72和第一散射层71的结构相同。
以第一色度为蓝色,第三色度为绿色为例,第二色阻层52为绿色色阻,第二量子点层62为红色量子点层,发光单元40发射的蓝色光经过第二散射层72的第一入光面711进入第二散射层72,并在第二散射层72内散射均匀,实现向第二量子点层62出射均匀的蓝色光,第二量子点层62的绿色量子点材料被蓝色光激发而发出绿色光,第二色阻层52的绿色色阻能让被激发的绿色光通过而从彩膜基板20出射,未被激发的蓝色光及其他杂光被绿色色阻阻挡而不能从彩膜基板20出射。第一色度和第三色度的其他组合以此类推即可,不再赘述。由此可知,通过设置第二色阻层52、第二量子点层62和第二散射层72的结构,能使得子像素出射的第三色度的光均匀纯净,无杂光干扰,色域高。
其中,第二色阻层52的材质可为光刻胶;第二量子点层62可为掺杂有量子点材料的光刻胶;第二散射层72可为掺杂有散射颗粒的光刻胶,散射颗粒例如为二氧化钛。
一种实施例中,请参考图1,第三光转换结构包括在彩膜基板20上依次设置的第三色阻层53、第三散射层73和第四散射层74,第一入光面711设置在第四散射层74。第三色阻层53用于通过第一色度的光线而阻挡其他色度的光线,第三散射层73用于均光,第四散射层74用于入光和均光,第四散射层74和第一散射层71的结构相同。
本实施例中,第三光转换结构不进行颜色转换,只进行均光和过滤杂光。设置第三散射层73和第四散射层74的两层均光结构,一方面可以使得第一色度的光线在第三散射层73和第四散射层74中实现的均光效果更好,同时较厚的散射层可以削弱环境杂光的反射。
以第一色度为蓝色为例,第三色阻层53为蓝色色阻,其材质可为光刻胶,第三散射层73和第四散射层74可为掺杂有散射颗粒的光刻胶,散射颗粒例如为二氧化钛。
本实施例中,发光单元40可以是微发光二极管(Micro Light Emitting Diodes,简称Micro LED),或者是Mini-led,关于发光单元的大小在所不限。
本申请实施例还提供一种显示装置,包括前述的显示面板。本实施例的显示装置可以为显示器、智能手机、电视、可穿戴设备、VR/AR设备等。
本申请实施例的显示装置,通过在各个光转换结构之间挡光结构,并设置挡光结构在阵列基板10上的垂直投影与发光单元40在阵列基板10上的垂直投影至少部分重叠,从而使得挡光结构能够遮挡相邻发光单元40的光线,且第一入光面711的面积小,能减小相邻发光单元40的光线射入,从而能够减少甚至避免相邻发光单元40的光线对相邻子像素的串扰,进而提升显示装置的色度纯净度,提升色域。
应当理解的是,本实用新型的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板,包括间隔设置在所述阵列基板一侧的多个发光单元,相邻的两个所述发光单元之间形成一间隔区域;
彩膜基板,所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置,所述彩膜基板靠近所述阵列基板的一侧间隔的设置有光转换结构以及设置在各个所述光转换结构之间的挡光结构;
其中,所述光转换结构与所述发光单元对应设置,所述挡光结构与所述间隔区域对应设置,且所述挡光结构在所述阵列基板上的垂直投影与所述发光单元在所述阵列基板上的垂直投影至少部分重叠。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述挡光结构包括在所述彩膜基板上依次形成的黑色矩阵层、第一挡墙层和第二挡墙层,所述第二挡墙层包括与所述阵列基板相对的挡光面,所述发光单元包括朝向所述彩膜基板的第一发光面,向所述阵列基板之朝向所述彩膜基板的表面作正投影,所述挡光面与所述第一发光面部分重叠,所述第二挡墙层自所述挡光面向所述彩膜基板的方向的尺寸逐渐缩小。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述光转换结构朝向所述发光单元的表面为第一入光面,所述第一入光面与所述阵列基板的间距为第一间距,所述挡光面与所述阵列基板的间距为第二间距,所述第一间距大于所述第二间距。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述光转换结构包括依次间隔设置在所述彩膜基板并各自与一个所述发光单元对应的第一光转换结构、第二光转换结构和第三光转换结构,所述发光单元用于发射第一色度的光线,所述发光单元发射的光线穿过所述第一光转换结构后形成第二色度的光线,所述发光单元发射的光线穿过所述第二光转换结构后形成第三色度的光线,所述发光单元发射的光线穿过所述第三光转换结构后形成保持所述第一色度的光线;所述第一色度、所述第二色度和所述第三色度的光线混合形成白光。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一光转换结构包括在所述彩膜基板上依次形成的第一色阻层、第一量子点层和第一散射层,所述第一散射层背向所述第一量子点层的表面为所述第一入光面,所述第一色阻层用于通过所述第二色度的光线而阻挡其他色度的光线,所述第一量子点层用于将所述第一色度的光线转换为所述第二色度的光线,所述第一散射层用于入光和均光。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一散射层还包括与所述第一入光面相邻的第二入光面和第三入光面,所述第二入光面和所述第三入光面相背设置,并均用于与所述挡光结构连接,所述第二入光面和第三入光面均与所述第一入光面形成倾斜夹角。
7.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,自所述第一量子点层朝向所述发光单元的方向,所述第一散射层的尺寸逐渐缩小。
8.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第二光转换结构包括在所述彩膜基板上依次形成的第二色阻层、第二量子点层和第二散射层,所述第二散射层背向所述第二量子点层的表面为所述第一入光面,所述第二色阻层用于通过所述第三色度的光线而阻挡其他色度的光线,所述第二量子点层用于将所述第一色度的光线转换为所述第三色度的光线,所述第二散射层用于入光和均光,所述第二散射层和所述第一散射层的结构相同。
9.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第三光转换结构包括在所述彩膜基板上依次设置的第三色阻层、第三散射层和第四散射层,所述第四散射层背向所述第三散射层的表面为所述第一入光面,所述第三色阻层用于通过所述第一色度的光线而阻挡其他色度的光线,所述第三散射层用于均光,所述第四散射层用于入光和均光,所述第四散射层和所述第一散射层的结构相同。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述的显示面板。
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CN114035380A (zh) * 2021-11-01 2022-02-11 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种彩膜基板、显示面板及彩膜基板制备方法

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