CN212505127U - 分流板和电化学沉积设备 - Google Patents
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- 238000009826 distribution Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 234
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 76
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 17
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 32
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 210000005056 cell body Anatomy 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
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- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/06—Filtering particles other than ions
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/08—Electroplating with moving electrolyte e.g. jet electroplating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/10—Agitating of electrolytes; Moving of racks
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Abstract
本实用新型提供一种用于电化学沉积设备中的分流板,所述分流板包括:容纳壳体,所述容纳壳体包括:第一壁、与所述第一壁相对设置的第二壁以及连接在所述第一壁与所述第二壁之间的多个侧壁,所述第一壁、所述第二壁和所述多个侧壁围成容纳腔,所述容纳壳体上设置有进液口和多个出液口,所述进液口和所述出液口均与所述容纳腔连通,所述出液口设置在第一壁上;多个回液管路,所述回液管路穿过所述容纳腔,所述回液管路的入口设置在所述第一壁上,所述回液管路的出口设置在所述第二壁上。本实用新型还提供一种电化学沉积设备。本实用新型提供的分流板和电化学沉积设备有利于提高基板上沉积膜层的厚度均一性。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示产品的生产领域,具体涉及一种分流板和电化学沉积设备。
背景技术
电化学沉积工艺是一种低成本的化学性成膜方式,可以沉积得到2~20um厚的具备较低阻值的金属层。目前的电化学沉积设备通常适用于对尺寸较小的玻璃基板进行电化学沉积,而对于尺寸较大的玻璃基板,很容易出现成膜不均匀的问题。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种用于电化学沉积设备中的分流板和电化学沉积设备。
为了实现上述目的,本实用新型提供一种分流板,用于电化学沉积设备,所述分流板包括:
容纳壳体,所述容纳壳体包括:第一壁、与所述第一壁相对设置的第二壁以及连接在所述第一壁与所述第二壁之间的多个侧壁,所述第一壁、所述第二壁和所述多个侧壁围成容纳腔,所述容纳壳体上设置有进液口和多个出液口,所述进液口和所述出液口均与所述容纳腔连通,所述出液口设置在第一壁上;
多个回液管路,所述回液管路穿过所述容纳腔,所述回液管路的入口设置在所述第一壁上,所述回液管路的出口设置在所述第二壁上。
在一些实施例中,不同所述出液口的口径相同,不同所述回液管路的内径相同;多个所述出液口均匀分布,多个所述回液管路均匀分布。
在一些实施例中,所述分流板划分为多个分区,每个所述分区均设置有均匀分布的多个所述回液管路和均匀分布的多个所述出液口,
不同分区中的出液口的口径不同,不同分区中的回液管路的内径不同;和/ 或,
不同分区中的出液口的分布密度不同,不同分区中的回液管路的分布密度不同。
在一些实施例中,所述出液口的口径小于所述回液管路的内径。
在一些实施例中,同一个所述分区中,所述回液管路的内径为所述出液口的口径30~60倍。
在一些实施例中,所述多个分区包括位于所述分流板中部的中部分区和至少一个环绕所述中部分区的环状分区,
所述中部分区的出液口的口径小于所述环状分区的出液口的口径,所述中部分区的回液管路的内径小于所述环状分区的回液管路的内径;和/或,
所述中部分区的出液口的分布密度大于所述环状分区的出液口的分布密度,所述中部分区的回液管路的分布密度大于所述环状分区的回液管路的分布密度。
在一些实施例中,所述中部分区的出液口的口径位于所述环状分区的出液口的口径的0.2~0.5倍,所述中部分区的回液管路的内径为所述环状分区的回液管路的内径的0.3~0.6倍。
在一些实施例中,所述中部分区沿第一方向的尺寸为所述环状分区沿所述第一方向的尺寸的1~3倍,所述中部分区沿第二方向的尺寸为所述环状分区沿所述第二方向的尺寸的1~3倍。
在一些实施例中,所述容纳腔内设置有分隔壁,所述分隔壁将所述容纳腔分隔为互不连通的多个容纳子腔,每个所述容纳子腔均与至少一个所述进液口和均匀分布的多个所述出液口连通。
在一些实施例中,所述进液口设置在所述容纳壳体的侧壁上,所述分流板还包括设置在所述容纳腔中的至少一个匀流挡板,所述匀流挡板将所述容纳腔分隔为主腔和至少一个均压腔,所述进液口与所述均压腔连通,所述出液口与所述主腔连通,所述回液管路穿过所述主腔,所述匀流挡板上设置有均匀分布的多个通孔,所述均压腔与所述主腔通过所述匀流挡板上的所述通孔连通。
在一些实施例中,所述多个侧壁包括相对的第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁和所述第二侧壁上均设置有所述进液口,所述容纳腔中靠近所述第一侧壁的位置和所述第二侧壁的位置均设置有两个所述匀流挡板,以将所述容纳腔分隔为一个所述主腔和四个所述均压腔,
在所述主腔的同一侧,靠近所述进液口的匀流挡板上的通孔孔径大于远离所述进液口的匀流挡板上的通孔孔径,靠近所述进液口的匀流挡板上的通孔分布密度小于远离所述进液口的匀流挡板上的通孔的分布密度。
在一些实施例中,每个所述回液管路周围均设置有与其相邻的多个出液口,对于至少一部分数量的回液管路,所述回液管路周围的多个出液口的中心连线构成四边形、五边形或六边形。
本实用新型实施例还提供一种电化学沉积设备,包括:容纳槽、电极结构、分流板和基板载具,所述分流板为上述实施例中提供的分流板,所述基板载具用于装载待电镀的基板,所述电极结构和所述分流板设置在所述容纳槽中,所述分流板设置在所述电极结构朝向所述基板的一侧,所述第一壁位于所述第二壁远离所述电极结构的一侧。
附图说明
附图是用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型,但并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
图1a为本实用新型的一些实施例中提供的分流板所在的电化学沉积设备的部分结构的立体图;
图1b为本实用新型的一些实施例中提供的分流板的立体图;
图2为本实用新型的一些实施例中提供的分流板的主视图;
图3为沿图1b中B-B线的剖视图之一;
图4为沿图2中I-I线的剖视图;
图5为图2中P区域的局部示意图;
图6为出液口与回液管路的另外两种位置关系示意图;
图7为沿图1b中B-B线的剖视图之二;
图8为沿图1b中B-B线的剖视图之三;
图9为本实用新型的另一些实施例中提供的分流板的立体图;
图10为本实用新型的另一些实施例中提供的分流板的主视图;
图11为沿图9中C-C线的剖视图之一;
图12为沿图10中J-J线的剖视图;
图13为沿图9中C-C线的剖视图之一;
图14为本实用新型的一些实施例中提供的电化学沉积设备的整体结构示意图;
图15为图14所示的电化学沉积设备的部分结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限制本实用新型。
本实用新型实施例提供一种用于电化学沉积设备中的分流板,图1a为本实用新型的一些实施例中提供的分流板所在的电化学沉积设备的立体图,如图1a 所示,电化学沉积设备包括:具有容纳槽的槽体100、电极结构200、分流板300 和基板载具400,基板载具400用于装载待电镀的基板500,电极结构200和分流板300设置在容纳槽中,分流板300设置在电极结构200朝向基板500的一侧。
图1b为本实用新型的一些实施例中提供的分流板的立体图,图2为本实用新型的一些实施例中提供的分流板的主视图,图3为沿图1b中B-B线的剖视图之一,图4为沿图2中I-I线的剖视图,结合图1b至图4所示,分流板包括:容纳壳体10和多个回液管路20。其中,容纳壳体10包括:第一壁11、与第一壁11相对设置的第二壁12以及连接在第一壁11与第二壁12之间的多个侧壁 13,第一壁11、第二壁12和多个侧壁13围成容纳腔,容纳壳体10上设置有进液口14和多个出液口15,进液口14和出液口15均与容纳腔连通,出液口15 设置在第一壁11上。回液管路20穿过容纳腔,回液管路20的入口设置在第一壁11上,回液管路20的出口设置在第二壁12上。
在进行电化学沉积工艺时,电极结构200、待电镀的基板和分流板均设置在容纳槽中,电极结构200连接电源装置的阳极,基板载具400连接电源装置的阴极,从而在电极结构200与基板500之间形成电场。电镀液从分流板的进液口14通入容纳腔内,并从出液口15输出,回液口用于使分流板两侧的穿过分流板而进行流通。在电场作用下,电镀液中的金属离子在基板上沉积形成金属膜层。由于电镀液是从出液口15输出的,因此,在对大尺寸的基板进行电化学沉积工艺时,可以通过调整出液口15的分布位置和出液口15的大小,从而提高基板上沉积的膜层厚度均一性。
在本公开的一些实施例中,如图2所示,出液口15均匀分布,多个回液管路20均匀分布,不同出液口15的口径相同,不同回液管路20的内径也相同,从而使得不同位置输出的电镀液的流量相同,进而在电场均匀的情况下,提高基板上沉积膜层的均一性。
图5为图2中P区域的局部示意图,如图5所示,每个回液管路20周围均设置有与其相邻的多个出液口15,对于至少一部分数量的回液管路20而言,回液管路20的管路周围的多个出液口15的中心连线构成六边形。当然,出液口 15也可以按照其他方式分布,图6为出液口与回液管路的另外两种位置关系示意图,如图6所示,回液管路20周围的多个出液口15的中心连线也可以构成五边形或者四边形。
其中,回液管路20周围的多个出液口15的中心连线构成四边形、五边形或者六边形等多边形时,回液管路的入口的中心位于该多边形的中心位置,这样,当分流板置于容纳槽中进行电化学沉积工艺时,多边形所在区域一侧的电镀液中的金属离子分布更均匀,从而使基板与多边形对应的区域所沉积的膜层分布更均匀。
其中,出液口15的口径小于回液管路20的内径。例如,回液管路20的内径为出液口15的口径30~60倍。
可选地,如图3所示,进液口14设置在容纳壳体10的侧壁上,分流板还包括设置在容纳腔中的至少一个匀流挡板30,匀流挡板30将容纳腔分隔为主腔 S1和至少一个均压腔S2,进液口14与均压腔S2连通,出液口15与主腔S1连通,回液管路20穿过主腔,匀流挡板30上设置有均匀分布的多个通孔V,均压腔S2与主腔S1通过匀流挡板上的通孔V连通。当未设置匀流挡板30时,进液口14附近位置(如图3中的位置A)的液体压力较大,远离进液口14位置 (如图3中的位置a)的液体压力较小。设置匀流挡板30后,可以使电镀液的压力分布更均匀。
如图3所示,进液口14的数量为多个,分流板的多个侧壁包括相对的第一侧壁131和第二侧壁132,第一侧壁131和第二侧壁132上均设置有进液口14。
图7为沿图1b中B-B线的剖视图之二,如图7所示,在另一些实施例中,容纳腔中靠近第一侧壁131和第二侧壁132的位置均设置有两个匀流档板30,从而将容纳腔分隔为一个主腔S1和四个均压腔S2。其中,在主腔S1的同一侧,靠近进液口14的匀流挡板上的通孔V孔径大于远离进液口14的匀流挡板30上的通孔V孔径,靠近进液口14的匀流挡板30上的通孔V分布密度小于远离进液口14的匀流挡板30上的通孔V的分布密度。
需要说明的是,图7中的匀流档板30也可以设置为其他数量,只需要在主腔S1的同一侧,靠近进液口14的匀流挡板上的通孔V孔径大于远离进液口14 的匀流挡板30上的通孔V孔径、靠近进液口14的匀流挡板30上的通孔V分布密度小于远离进液口14的匀流挡板30上的通孔V的分布密度即可。例如,靠近进液口14的匀流挡板上的通孔V孔径为远离进液口14的匀流挡板30上的通孔V孔径的1.5~4倍,另外,靠近进液口14的匀流挡板30上的相邻两个通孔V之间的距离为d1,远离进液口14的匀流挡板30上的相邻两个通孔V之间的距离为d2,其中,d1为d2的2~4倍,两个通孔V之间的距离为两个通孔V 之间的最近距离。
图8为沿图1b中B-B线的剖视图之三,图8中所示的分流板与图3中所示的分流板的结构类似,下面仅对两种结构的区别进行描述。如图3所示,容纳腔内设置有分隔壁40,分隔壁40将容纳腔分隔为互不连通的多个容纳子腔(例如,图8中的两个分隔壁40将容纳腔分成了三个容纳子腔),每个容纳子腔均与至少一个进液口14和均匀分布的多个出液口15连通。在进行电化学沉积时,当基板上某一区域所处的电场强度较小时,可以增大该区域所对应的容纳子腔的进液量,从而提高基板上沉积膜层的均匀性。
在一具体示例中,如图8所示,两个分隔壁40将容纳腔分成了左、中、右三个容纳子腔,位于中间的容纳子腔包括:第一主腔部Sa1和两个第二主腔部 Sa2。其中,第一主腔部Sa1为矩形腔,第一主腔部Sa1为主腔S1的一部分,并至少覆盖分流板的中心;第二主腔部Sa2的一部分为主腔S1的一部分,第二主腔部Sa2的另一部分为均压腔S2的一部分。可选地,第一主腔部Sa1的长度为主腔S1的长度的1/4~3/4,第一主腔部Sa1的宽度为主腔S1的长度的1/4~3/4。
图9为本实用新型的另一些实施例中提供的分流板的立体图,图10为本实用新型的另一些实施例中提供的分流板的主视图,图11为沿图9中C-C线的剖视图之一,图12为沿图10中J-J线的剖视图。如图9至图12所示,图9所示的分流板与图1b所示的分流板的结构类似,同样包括容纳壳体10和多个回液管路20,容纳壳体10上设置有多个进液口14和多个出液口15,另外还包括具有通孔的匀流挡板30。下面仅对两种结构的区别进行描述。如图9所示,在另一些实施例中,分流板划分为多个分区A1和A2,每个分区A1/A2均设置有均匀分布的多个回液管路20和均匀分布的多个出液口15,不同分区中的出液口 15的口径不同,不同分区的回液管路20的内径不同。
由于不同分区的出液口15的口径不同,因此,不同分区的出液口15喷出的电镀液的速度不同。在电场不均匀的情况下,可以将电场强度较大的位置所对应的分区中的出液口15口径设置得较小,将电场强度较小的位置所对应的分区中的出液口15的口径设置得较大,以使得基板上不同位置沉积的膜层的厚度更加均匀。
在一具体示例中,在同一个分区中,出液口15的口径小于回液管路20的内径。例如,回液管路20的内径为出液口15的口径30~60倍。
在进行电化学沉积时,电极结构的边缘位置可能会出现尖端放电,从而导致电极结构的边缘区域的电场强度较大,中部区域的电场强度较小,进而导致基板中部区域沉积的膜层厚度较小,基板的边缘区域沉积的膜层厚度较大。为了防止这一现象,如图9和图10所示,分流板的多个分区包括中部分区A1和至少一个环绕中部分区A1的环状分区A2,其中,中部分区A1的出液口15的口径小于环状分区A2的出液口15的口径,所述中部分区A1的回液口的口径小于所述环状分区A2的回液孔的口径,从而使得中部分区A1所喷出的电镀液的速度增加,有利于增大基板中部区域所沉积的膜层厚度。当然,也可以使中部分区A1的出液口15的分布密度大于所述环状分区S2的出液口15的分布密度,中部分区A1的回液管路20的分布密度大于环状分区A2的回液管路20的分布密度,从而使得中部分区A1所喷出的电镀液的总量增多,进而增大基板中部区域所沉积的膜层厚度。当然,也可以将上述两种方式结合,使中部分区A1 的出液口15的口径小于环状分区A2的出液口15的口径,中部分区A1的回液口的口径小于环状分区A2的回液孔的口径,同时使得中部分区A1的出液口15 的分布密度大于环状分区A2的出液口15的分布密度,中部分区A1的回液管路20的分布密度大于环状分区A2的回液管路20的分布密度。
在一些实施例中,中部分区A1中的出液口15的口径为环状分区A2中的出液口15的口径的0.2~0.5倍;中部分区A1中的回液管路20的口径为环状分区A2中的回液管路20的0.3~0.6倍。每个分区中,相邻两个出液口15之间的间距与出液口15的口径成正比;相邻两个回液管路20之间的间距与回液管路 20内径成正比。其中,相邻两个出液口15是指,环绕同一个回液管路20的多个出液口15中的相邻两个出液口15。
在不同的分区,出液口15可以按照相同方式进行排布,不同分区中的回液管路20的排布方式也可以相同。例如,在每个分区,回液管路20周围的多个出液口15的中心连线构成四边形、五边形或六边形。
在一具体示例中,如图10所示,中部分区A1中心的位置与分流板的中心的位置基本一致,中部分区A1沿第一方向的尺寸L11为环状分区A2沿第一方向L12的尺寸的1~3倍,中部分区A1沿第二方向L21的尺寸为环状分区A2沿第二方向L22的尺寸的1~3倍。其中,第一方向为分流板的长度方向,即图10 中的左右方向,第二方向为分流板的宽度方向,即图10中的上下方向。另外,环状分区A2沿第一方向的尺寸L12为:在第一方向上,环状分区A2的内边界和外边界之间的距离,环状分区A2沿第二方向的尺寸L22为:在第二方向上,环状分区A2的内边界和外边界之间的距离。
图13为沿图9中C-C线的剖视图之二,图13与图10所示的分流板的结构类似,下面仅对两种结构的区别进行描述。如图13所示,容纳腔中设置有分隔壁40,同时,分流板也被划分成多个分区(例如,中部分区A1和环绕中部分区A1的环状分区A2),每个分区均设置有均匀分布的多个回液管路20和均匀分布的多个出液口15。不同分区中的出液口15的口径不同,不同分区中的回液管路20的内径不同;和/或,不同分区中的出液口15的分布密度不同,不同分区中的回液管路20的分布密度不同。
在一具体示例中,分隔壁40所分隔出的多个容纳子腔中,其中一个容纳子腔所在范围覆盖中部分区A1。例如,如图13所示,两个分隔壁40将容纳腔分隔为左、中、右三个容纳子腔,中部的容纳子腔的一部分与中部分区A1基本重合,中部的容纳子腔的其余部分与两侧的进液口14连通。
其中,中部分区A1和环状分区A2的尺寸关系、各分区中的回液管路20 的内径大小关系、各分区中出液口15的口径大小关系均参见上文描述。这里不再赘述。
需要说明的是,图12和图13所示的结构中,匀流档板30也可以设置为其他数量,在此不做限定。
对于图1b所示的分流板,通过对电镀液经过该分流板的流向进行模拟仿真发现,电镀液从分流板的进液口14进入分流板的容纳腔后,容纳腔中的电镀液中的金属离子分布混乱,而电镀液从第一壁上的出液口15输出时,输出的电镀液的沿基本相同的方向喷出,即,电镀液中的金属离子的输出方向基本一致,且电镀液的喷出速度基本一致,从而有利于提高基板上沉积膜层的均一性。另外,随着电化学沉积工艺的进行,出液口15输出的电镀液的一部分会经过回液管路20流向分流板的另一侧,以使电镀液在分流板的两侧均匀分布。
本实用新型实施例还提供一种电化学沉积设备,图14为本实用新型的一些实施例中提供的电化学沉积设备的整体结构示意图,图14为图1a所示的电化学沉积设备的一种具体化实现方案,图15为图14所示的电化学沉积设备的部分结构示意图,如图14和图15所示,该电化学沉积设备包括:具有容纳槽的槽体100、电极结构200、分流板300和基板载具400,分流板300为上述任一实施例中所提供的分流板,基板载具400用于装载待电镀的基板,电极结构200 和分流板300设置在容纳槽中,分流板300设置在电极结构200朝向基板的一侧,第一壁位于第二壁远离电极结构200的一侧。
在对大尺寸的基板进行电化学沉积工艺时,可以通过调整出液口的分布位置和出液口的大小,从而提高基板上沉积的膜层厚度均一性。
在一些实施例中,电化学沉积设备包括两个电极结构200和与该两个电极结构200一一对应的两个分流板300,分流板300位于相应的电极结构200靠近基板的一侧。这种情况下,电化学沉积设备可以同时对两个基板进行电化学沉积,或者在同一个基板的两个表面同时进行电化学沉积,从而提高生产效率。
在一些实施例中,电化学沉积设备还包括支架800,基板载具400设置在支架800上,并在驱动装置的驱动下进行移动。电化学沉积设备还包括过滤装置 600、排液管路700、排气管720、动力源73、监测装置90、辅助槽体93。其中,排液管路700包括直立部711和水平部712,直立部711的入口与容纳槽的排液口连通,直立部711的出口与水平部712的入口连通。排气管720与直立部711 的顶部连通。过滤装置600包括过滤入口和过滤出口,过滤入口与排液管路710 的水平部712的出口连通,过滤出口与分流板300的进液口连通,过滤装置600 用于对电镀液进行过滤。动力源73用于驱动电镀液从排液管路710进入过滤装置600,并从过滤装置进入分流板300。辅助槽体93具有辅助槽,该辅助槽与容纳槽连通,监测装置90设置在辅助槽中,监测装置具体可以包括温度计91 和液位计92,从而分别对电镀液的温度和液位进行监测。
以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式,然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。
Claims (13)
1.一种分流板,用于电化学沉积设备,其特征在于,所述分流板包括:
容纳壳体,所述容纳壳体包括:第一壁、与所述第一壁相对设置的第二壁以及连接在所述第一壁与所述第二壁之间的多个侧壁,所述第一壁、所述第二壁和所述多个侧壁围成容纳腔,所述容纳壳体上设置有进液口和多个出液口,所述进液口和所述出液口均与所述容纳腔连通,所述出液口设置在第一壁上;
多个回液管路,所述回液管路穿过所述容纳腔,所述回液管路的入口设置在所述第一壁上,所述回液管路的出口设置在所述第二壁上。
2.根据权利要求1所述的分流板,其特征在于,不同所述出液口的口径相同,不同所述回液管路的内径相同;多个所述出液口均匀分布,多个所述回液管路均匀分布。
3.根据权利要求1所述的分流板,其特征在于,所述分流板划分为多个分区,每个所述分区均设置有均匀分布的多个所述回液管路和均匀分布的多个所述出液口,
不同分区中的出液口的口径不同,不同分区中的回液管路的内径不同;和/或,
不同分区中的出液口的分布密度不同,不同分区中的回液管路的分布密度不同。
4.根据权利要求3所述的分流板,其特征在于,同一个所述分区中,所述出液口的口径小于所述回液管路的内径。
5.根据权利要求4所述的分流板,其特征在于,同一个所述分区中,所述回液管路的内径为所述出液口的口径30~60倍。
6.根据权利要求3所述的分流板,其特征在于,所述多个分区包括位于所述分流板中部的中部分区和至少一个环绕所述中部分区的环状分区,
所述中部分区的出液口的口径小于所述环状分区的出液口的口径,所述中部分区的回液管路的内径小于所述环状分区的回液管路的内径;和/或,
所述中部分区的出液口的分布密度大于所述环状分区的出液口的分布密度,所述中部分区的回液管路的分布密度大于所述环状分区的回液管路的分布密度。
7.根据权利要求6所述的分流板,其特征在于,所述中部分区的出液口的口径位于所述环状分区的出液口的口径的0.2~0.5倍,所述中部分区的回液管路的内径为所述环状分区的回液管路的内径的0.3~0.6倍。
8.根据权利要求6所述的分流板,其特征在于,所述中部分区沿第一方向的尺寸为所述环状分区沿所述第一方向的尺寸的1~3倍,所述中部分区沿第二方向的尺寸为所述环状分区沿所述第二方向的尺寸的1~3倍。
9.根据权利要求1至4中任意一项所述的分流板,其特征在于,所述容纳腔内设置有分隔壁,所述分隔壁将所述容纳腔分隔为互不连通的多个容纳子腔,每个所述容纳子腔均与至少一个所述进液口和均匀分布的多个所述出液口连通。
10.根据权利要求1至4中任意一项所述的分流板,其特征在于,所述进液口设置在所述容纳壳体的侧壁上,所述分流板还包括设置在所述容纳腔中的至少一个匀流挡板,所述匀流挡板将所述容纳腔分隔为主腔和至少一个均压腔,所述进液口与所述均压腔连通,所述出液口与所述主腔连通,所述回液管路穿过所述主腔,所述匀流挡板上设置有均匀分布的多个通孔,所述均压腔与所述主腔通过所述匀流挡板上的所述通孔连通。
11.根据权利要求10所述的分流板,其特征在于,所述多个侧壁包括相对的第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁和所述第二侧壁上均设置有所述进液口,所述容纳腔中靠近所述第一侧壁的位置和所述第二侧壁的位置均设置有两个所述匀流挡板,以将所述容纳腔分隔为一个所述主腔和四个所述均压腔,
在所述主腔的同一侧,靠近所述进液口的匀流挡板上的通孔孔径大于远离所述进液口的匀流挡板上的通孔孔径,靠近所述进液口的匀流挡板上的通孔分布密度小于远离所述进液口的匀流挡板上的通孔的分布密度。
12.根据权利要求1至4中任意一项所述的分流板,其特征在于,每个所述回液管路周围均设置有与其相邻的多个出液口,对于至少一部分数量的回液管路,所述回液管路周围的多个出液口的中心连线构成四边形、五边形或六边形。
13.一种电化学沉积设备,其特征在于,包括:容纳槽、电极结构、分流板和基板载具,所述分流板为权利要求1至12中任意一项所述的分流板,所述基板载具用于装载待电镀的基板,所述电极结构和所述分流板设置在所述容纳槽中,所述分流板设置在所述电极结构朝向所述基板的一侧,所述第一壁位于所述第二壁远离所述电极结构的一侧。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202020752518.1U CN212505127U (zh) | 2020-05-09 | 2020-05-09 | 分流板和电化学沉积设备 |
PCT/CN2021/087394 WO2021227762A1 (zh) | 2020-05-09 | 2021-04-15 | 分流板和电化学沉积设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202020752518.1U CN212505127U (zh) | 2020-05-09 | 2020-05-09 | 分流板和电化学沉积设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN212505127U true CN212505127U (zh) | 2021-02-09 |
Family
ID=74445688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202020752518.1U Active CN212505127U (zh) | 2020-05-09 | 2020-05-09 | 分流板和电化学沉积设备 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN212505127U (zh) |
WO (1) | WO2021227762A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021227762A1 (zh) * | 2020-05-09 | 2021-11-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 分流板和电化学沉积设备 |
CN117107335A (zh) * | 2022-05-16 | 2023-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电极结构和电化学沉积设备 |
WO2024192723A1 (zh) * | 2023-03-22 | 2024-09-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电化学沉积设备 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN212505127U (zh) * | 2020-05-09 | 2021-02-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 分流板和电化学沉积设备 |
-
2020
- 2020-05-09 CN CN202020752518.1U patent/CN212505127U/zh active Active
-
2021
- 2021-04-15 WO PCT/CN2021/087394 patent/WO2021227762A1/zh active Application Filing
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CN119013439A (zh) * | 2023-03-22 | 2024-11-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电化学沉积设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021227762A1 (zh) | 2021-11-18 |
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---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |