CN211791449U - 一种射频本振信号校准电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种射频本振信号校准电路，包括本振信号采集单元、滤波单元、ARM处理器、脉冲整形单元和信号优化输出单元，本振信号采集单元通过滤波单元连接ARM处理器，脉冲整形单元连接ARM处理器，ARM处理器连接信号优化输出单元，本实用新型能够实现对射频本振信号的过滤、整形和优化输出，校准精度高，能够提高使用该校准电路的系统的性能。

Description

一种射频本振信号校准电路

技术领域

本实用新型涉及信号校准技术领域，具体为一种射频本振信号校准电路。

背景技术

设备产生的等幅(载波)波就叫本振信号或叫载频！需要进行两次调制的设备就必须有两个载波信号，第一次调制所用的载频就是第一本振，第二个调制所用的载频就是第二本振。

射频本振信号传输时需要进行校准，目前的校准电路校准精度低，有必要进行改进。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种射频本振信号校准电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种射频本振信号校准电路，包括本振信号采集单元、滤波单元、ARM处理器、脉冲整形单元和信号优化输出单元，所述本振信号采集单元通过滤波单元连接ARM处理器，所述脉冲整形单元连接ARM处理器，所述ARM处理器连接信号优化输出单元。

优选的，所述滤波单元包括滤波器、模数转换模块和能量计算模块，所述滤波器通过模数转换模块连接能量计算模块。

优选的，所述信号优化输出单元包括三极管A、三极管B、三极管C、三极管D、三极管E和三极管F，所述三极管A发射极连接电阻J一端，基极连接三极管E集电极，所述三极管A集电极分别连接电容A一端、电阻D一端和电阻E一端；所述三极管B基极连接电阻E另一端、电容A另一端和电阻F一端，发射极分别连接三极管C发射极和电阻G一端；所述三极管C集电极连接三极管E集电极，所述三极管C基极连接电容C一端，电容C另一端接信号输入端，所述三极管D发射极连接电阻A一端，基极连接三极管E基极，所述三极管E发射极连接电阻B一端，所述电阻A另一端分别连接电阻B另一端、电阻J另一端和电阻C另一端；所述三极管F基极连接电阻C一端，所述三极管F集电极连接电阻H一端，电阻H另一端连接三极管C基极，所述三极管F发射极连接电阻I一端，电阻I另一端分别连接电阻G另一端、电容B另一端和电阻D另一端。

优选的，所述ARM处理器采用ARM7系列处理器。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型能够实现对射频本振信号的过滤、整形和优化输出，校准精度高，能够提高使用该校准电路的系统的性能；其中，本实用新型采用的信号优化输出单元抗干扰能力强，能够将射频信号放大后再进行输出，能够有效的提高信号强度。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型信号优化输出单元电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种射频本振信号校准电路，包括本振信号采集单元1、滤波单元2、ARM处理器3、脉冲整形单元4和信号优化输出单元5，所述本振信号采集单元1通过滤波单元2连接ARM处理器3，所述脉冲整形单元4连接ARM处理器3，所述ARM处理器3连接信号优化输出单元5，ARM处理器3采用ARM7系列处理器；滤波单元2包括滤波器6、模数转换模块7和能量计算模块8，所述滤波器6通过模数转换模块7连接能量计算模块8。

本实用新型中，信号优化输出单元包括三极管A1b、三极管B2b、三极管C3b、三极管D4b、三极管E5b和三极管F6b，所述三极管A1b发射极连接电阻J10a一端，基极连接三极管E5b集电极，所述三极管A1b集电极分别连接电容A1c一端、电阻D4a一端和电阻E5a一端；所述三极管B2b基极连接电阻E5a另一端、电容A1c另一端和电阻F6a一端，发射极分别连接三极管C3b发射极和电阻G7a一端；所述三极管C3b集电极连接三极管E5b集电极，所述三极管C3b基极连接电容C3c一端，电容C3c另一端接信号输入端，所述三极管D4b发射极连接电阻A1a一端，基极连接三极管E5b基极，所述三极管E5b发射极连接电阻B2a一端，所述电阻A1a另一端分别连接电阻B2a另一端、电阻J10a另一端和电阻C3a另一端；所述三极管F6b基极连接电阻C3a一端，所述三极管F6b集电极连接电阻H8a一端，电阻H8a另一端连接三极管C3b基极，所述三极管F6b发射极连接电阻I9a一端，电阻I9a另一端分别连接电阻G7a另一端、电容B2c另一端和电阻D4a另一端。

本实用新型能够实现对射频本振信号的过滤、整形和优化输出，校准精度高，能够提高使用该校准电路的系统的性能；其中，本实用新型采用的信号优化输出单元抗干扰能力强，能够将射频信号放大后再进行输出，能够有效的提高信号强度。

本实用新型未详述之处，均为本领域技术人员的公知技术。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

Claims (4)

1.一种射频本振信号校准电路，其特征在于：包括本振信号采集单元(1)、滤波单元(2)、ARM处理器(3)、脉冲整形单元(4)和信号优化输出单元(5)，所述本振信号采集单元(1)通过滤波单元(2)连接ARM处理器(3)，所述脉冲整形单元(4)连接ARM处理器(3)，所述ARM处理器(3)连接信号优化输出单元(5)。

2.根据权利要求1所述的一种射频本振信号校准电路，其特征在于：所述滤波单元(2)包括滤波器(6)、模数转换模块(7)和能量计算模块(8)，所述滤波器(6)通过模数转换模块(7)连接能量计算模块(8)。

3.根据权利要求1所述的一种射频本振信号校准电路，其特征在于：所述信号优化输出单元包括三极管A(1b)、三极管B(2b)、三极管C(3b)、三极管D(4b)、三极管E(5b)和三极管F(6b)，所述三极管A(1b)发射极连接电阻J(10a)一端，基极连接三极管E(5b)集电极，所述三极管A(1b)集电极分别连接电容A(1c)一端、电阻D(4a)一端和电阻E(5a)一端；所述三极管B(2b)基极连接电阻E(5a)另一端、电容A(1c)另一端和电阻F(6a)一端，发射极分别连接三极管C(3b)发射极和电阻G(7a)一端；所述三极管C(3b)集电极连接三极管E(5b)集电极，所述三极管C(3b)基极连接电容C(3c)一端，电容C(3c)另一端接信号输入端，所述三极管D(4b)发射极连接电阻A(1a)一端，基极连接三极管E(5b)基极，所述三极管E(5b)发射极连接电阻B(2a)一端，所述电阻A(1a)另一端分别连接电阻B(2a)另一端、电阻J(10a)另一端和电阻C(3a)另一端；所述三极管F(6b)基极连接电阻C(3a)一端，所述三极管F(6b)集电极连接电阻H(8a)一端，电阻H(8a)另一端连接三极管C(3b)基极，所述三极管F(6b)发射极连接电阻I(9a)一端，电阻I(9a)另一端分别连接电阻G(7a)另一端、电容B(2c)另一端和电阻D(4a)另一端。

4.根据权利要求1所述的一种射频本振信号校准电路，其特征在于：所述ARM处理器(3)采用ARM7系列处理器。

Images