CN211771539U - Mocvd石墨盘 - Google Patents
Mocvd石墨盘 Download PDFInfo
- Publication number
- CN211771539U CN211771539U CN201922435562.XU CN201922435562U CN211771539U CN 211771539 U CN211771539 U CN 211771539U CN 201922435562 U CN201922435562 U CN 201922435562U CN 211771539 U CN211771539 U CN 211771539U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- graphite
- notch
- clamping groove
- mocvd
- gasket
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 95
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims abstract description 95
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 94
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本实用新型提供了一种MOCVD石墨盘,包括:盘体及分布于所述盘体表面用于放置外延衬底的多个石墨卡槽,所述多个石墨卡槽于所述盘体上分布为内圈和外圈;在外圈的每个石墨卡槽中,于MOCVD石墨盘旋转时离心力所在方向沿石墨卡槽边缘卡持外延衬底处开设有一槽口,内部固定一与该槽口大小匹配的低导热系数高机械强度垫片。其于MOCVD石墨盘旋转时离心力所在方位沿石墨卡槽边缘卡持外延衬底处开设槽口,并在槽口内放置低导热系数高机械强度的垫片,能够改善MOCVD大尺寸外延片温度均匀性的同时提高MOCVD石墨盘的机械强度,增加石墨盘的使用寿命。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其是一种MOCVD石墨盘。
背景技术
金属有机化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition,以下简称MOCVD)设备中使用的石墨盘是目前外延生长最重要的配件之一。在外延生长过程中,石墨载盘以500-1200转/分钟的速度高速旋转,外延片会在离心力方向紧压卡槽,导致外延片和卡座(pocket)紧压区域的温度高于外延片其它区域,导致外延片上的波长不均匀。对于四寸及以下的外延片,通常采用卡座尖角3(pocket tab)设计来减小外延片和石墨卡槽的接触面积以改善温度均匀性,如图1所示,其中,图1(a)为石墨盘结构示意图,图1(b)为石墨盘中一个石墨卡槽结构示意图,图1(c)为石墨卡槽截面示意图。但当外延衬底尺寸升级到6英寸及以上时,衬底的厚度也要相应增加以减少翘曲。但是,离心力增大到四倍以上时,卡座尖角很容易被压裂,缩短石墨盘寿命的同时影响外延产品的品质。
实用新型内容
为了克服以上不足,本实用新型提供了一种MOCVD石墨盘,有效改善大尺寸外延片的温度均匀性。
本实用新型提供的技术方案为:
一种MOCVD石墨盘,包括:盘体及分布于所述盘体表面用于放置外延衬底的多个石墨卡槽,所述多个石墨卡槽于所述盘体上分布为内圈和外圈;在外圈的每个石墨卡槽中,于MOCVD石墨盘旋转时离心力所在方向沿石墨卡槽边缘卡持外延衬底处开设有一槽口,内部固定一与该槽口大小匹配的低导热系数高机械强度垫片。
进一步优选地,在内圈的每个石墨卡槽中,于MOCVD石墨盘旋转时离心力所在方向沿石墨卡槽边缘卡持外延衬底处开设有一槽口,内部固定一与该槽口大小匹配的低导热系数高机械强度垫片。
进一步优选地,所述槽口弧度占石墨卡槽边缘的5%~20%,沿石墨卡槽半径方向上的厚度为1mm~20mm,高度与石墨卡槽的深度相同。
进一步优选地,所述垫片的导热系数小于75W/(m·K),机械强度中弯曲强度大于170MPa,杨氏模量大于320GPa。
进一步优选地,所述垫片为AlN陶瓷垫片。
在本实用新型提供的MOCVD石墨盘中,于MOCVD石墨盘旋转时离心力所在方位沿石墨卡槽边缘卡持外延衬底处开设槽口,并在槽口内放置低导热系数高机械强度的垫片,能够改善MOCVD大尺寸外延片温度均匀性的同时提高 MOCVD石墨盘的机械强度,增加石墨盘的使用寿命。
附图说明
图1为现有技术中石墨盘示意图,其中,图1(a)为石墨盘结构示意图,图 1(b)为石墨盘中一个石墨卡槽结构示意图,图1(c)为石墨卡槽截面示意图;
图2为本发明中石墨盘示意图,其中,图2(a)为石墨盘中一个石墨卡槽结构示意图,图2(b)为石墨卡槽截面示意图。
附图标记:
1-盘体,2-石墨卡槽,3-卡座尖角,4-槽口,5-垫片,6-外延衬底。
具体实施方式
为了更清楚地说明本实用新型实施案例或现有技术中的技术方案,下面将对照附图说明本实用新型的具体实施方式。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图,并获得其他的实施方式。
在一实例中,MOCVD石墨盘中包括:盘体及分布于盘体表面用于放置外延衬底的多个石墨卡槽,多个石墨卡槽于盘体上分布为内圈和外圈。如图2所示,在外圈的每个石墨卡槽中,于MOCVD石墨盘旋转时离心力所在方向沿石墨卡槽边缘卡持外延衬底处开设有一槽口,内部固定一与该槽口大小匹配的低导热系数高机械强度垫片,其中,图2(a)为石墨盘中一个石墨卡槽结构示意图,图2(b) 为石墨卡槽截面示意图。如图示,在外圈的每个石墨卡槽中,于MOCVD石墨盘旋转时离心力所在方向沿石墨卡槽边缘卡持外延衬底处(当石墨盘旋转,尤其是以500~1200转/min的速度高速旋转时外延衬底因离心力的作用与石墨卡槽接触挤压处)开设有一槽口,内部固定一与该槽口大小匹配的低导热系数高机械强度垫片。具体,垫片的导热系数小于75W/(m·K),机械强度中弯曲强度大于 170MPa,杨氏模量大于320GPa。槽口弧度占石墨卡槽边缘的5%~20%,沿石墨卡槽半径方向上的厚度为1mm~20mm,高度与石墨卡槽的深度相同,石墨卡槽的深度为500-2000μm;且垫片大小与该槽口的大小高度匹配,正好固定与该槽口内部,以此,在石墨盘旋转时,外延衬底因离心力的作用与石墨卡槽内的垫片接触挤,改善MOCVD大尺寸外延片温度均匀性的同时石墨卡槽内的卡座不会被压裂,增加石墨盘的使用寿命。
在另一实例中,除了在外圈的石墨卡槽中设置垫片外,在内圈的各石墨卡槽中也设置垫片,设置的位置、垫片与外圈中的相同,这里不做赘述。
在一实例中,垫片为AlN陶瓷垫片,开设的槽口弧度为50mm、沿石墨卡槽半径方向上的厚度为3mm、厚度与石墨卡槽的深度相同,且垫片通过镶嵌的方式卡在石墨卡槽的边缘。由AlN陶瓷垫片的导热系数远低于石墨盘的SiC涂层,能有效降低石墨盘旋转时离心力导致的外延片温度不均匀,同时具有很好的机械强度,能够能耐受大离心力,解决现有石墨盘中卡座尖角很容易被压裂的问题。
应当说明的是,上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种MOCVD石墨盘,其特征在于,包括:盘体及分布于所述盘体表面用于放置外延衬底的多个石墨卡槽,所述多个石墨卡槽于所述盘体上分布为内圈和外圈;在外圈的每个石墨卡槽中,于MOCVD石墨盘旋转时离心力所在方向沿石墨卡槽边缘卡持外延衬底处开设有一槽口,内部固定一个与该槽口大小匹配的低导热系数高机械强度垫片。
2.如权利要求1所述的MOCVD石墨盘,其特征在于,在内圈的每个石墨卡槽中,于MOCVD石墨盘旋转时离心力所在方向沿石墨卡槽边缘卡持外延衬底处开设有一槽口,内部固定一与该槽口大小匹配的低导热系数高机械强度垫片。
3.如权利要求1或2所述的MOCVD石墨盘,其特征在于,所述槽口弧度占石墨卡槽边缘的5%~20%,沿石墨卡槽半径方向上的厚度为1mm~20mm,高度与石墨卡槽的深度相同。
4.如权利要求1或2所述的MOCVD石墨盘,其特征在于,所述垫片的导热系数小于75W/(m·K),机械强度中弯曲强度大于170MPa,杨氏模量大于320GPa。
5.如权利要求1或2所述的MOCVD石墨盘,其特征在于,所述垫片为AlN陶瓷垫片。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201922435562.XU CN211771539U (zh) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | Mocvd石墨盘 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201922435562.XU CN211771539U (zh) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | Mocvd石墨盘 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN211771539U true CN211771539U (zh) | 2020-10-27 |
Family
ID=72978464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201922435562.XU Active CN211771539U (zh) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | Mocvd石墨盘 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN211771539U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115404544A (zh) * | 2022-08-26 | 2022-11-29 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 空心盘 |
-
2019
- 2019-12-30 CN CN201922435562.XU patent/CN211771539U/zh active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115404544A (zh) * | 2022-08-26 | 2022-11-29 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 空心盘 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11769683B2 (en) | Chamber component with protective ceramic coating containing yttrium, aluminum and oxygen | |
US5514439A (en) | Wafer support fixtures for rapid thermal processing | |
CN102983093A (zh) | 一种用于led外延晶圆制程的石墨承载盘 | |
JP2011116653A5 (zh) | ||
CN202465868U (zh) | 石墨盘、具有上述石墨盘的反应腔室 | |
EP3907308B1 (en) | Wafer carrier for metal organic chemical vapor deposition | |
JP2008535761A (ja) | 歪み、反り、及びttvが少ない75ミリメートル炭化珪素ウェハ | |
CN211771539U (zh) | Mocvd石墨盘 | |
JP2024133383A (ja) | サセプタ | |
CN108690973A (zh) | 一种石墨盘 | |
JP4003527B2 (ja) | サセプタおよび半導体ウェーハの製造方法 | |
CN104451605A (zh) | Mocvd设备的石墨托盘 | |
CN111926305B (zh) | 一种用于led晶圆制程的载盘 | |
JP2000269150A (ja) | 半導体ウエハ加熱処理用治具及びこれを用いた半導体ウエハ加熱処理用装置 | |
JP2017199745A (ja) | サセプタ | |
CN217628726U (zh) | 一种用于生长高质量半导体外延片的配件结构 | |
JP2008187020A (ja) | 気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長方法 | |
CN218471913U (zh) | 一种用于硅片沉积氧化膜的载盘 | |
CN216919482U (zh) | 一种石墨盘及反应装置 | |
CN113858033B (zh) | 提升晶片研磨后平整度的方法及研磨机 | |
CN211848131U (zh) | 一种石墨盘 | |
US12136559B2 (en) | Graphite plate | |
CN112501688B (zh) | 用于生长大尺寸外延片的石墨盘及其使用方法 | |
CN213925129U (zh) | 一种外延薄膜生长承载盘 | |
CN204441320U (zh) | 一种晶圆衬底 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 330096 No. 699, Aixi Hubei Road, Nanchang High-tech Development Zone, Jiangxi Province Patentee after: Jingneng optoelectronics Co.,Ltd. Address before: 330096 No. 699, Aixi Hubei Road, Nanchang High-tech Development Zone, Jiangxi Province Patentee before: LATTICE POWER (JIANGXI) Corp. |
|
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |