[go: up one dir, main page]

CN211700289U - 微透镜组件、生物识别模组以及电子设备 - Google Patents

微透镜组件、生物识别模组以及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN211700289U
CN211700289U CN202020462624.6U CN202020462624U CN211700289U CN 211700289 U CN211700289 U CN 211700289U CN 202020462624 U CN202020462624 U CN 202020462624U CN 211700289 U CN211700289 U CN 211700289U
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
microlens
grooves
transmitting
transparent substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN202020462624.6U
Other languages
English (en)
Inventor
刘伟
郑刚强
任金虎
黄梅峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oufei Microelectronics Nanchang Co ltd
Original Assignee
Nanchang OFilm Biometric Identification Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanchang OFilm Biometric Identification Technology Co Ltd filed Critical Nanchang OFilm Biometric Identification Technology Co Ltd
Priority to CN202020462624.6U priority Critical patent/CN211700289U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN211700289U publication Critical patent/CN211700289U/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种微透镜组件、生物识别模组以及电子设备,微透镜组件包括晶圆、芯片粘结膜、红外截止滤光片、透明基底及微透镜阵列,晶圆包括衬底以及设置在衬底上的多个芯片;芯片粘结膜膜包括第三表面和第三表面相对的第四表面;红外截止滤光片设于第四表面;透明基底包括第一表面和第二表面,第一表面承靠于红外截止滤光片远离芯片粘结膜膜的表面;微透镜阵列包括若干个设于所述透明基底的第二表面且阵列排列的微透镜,微透镜具有与透明基底的第四表面贴合的贴合面。该结构的微透镜组件,制作过程中,可将微透镜与晶圆采用分离式制作,最后再进行结合,制作工艺简单,且成本较低,能够实现大规模化生产。

Description

微透镜组件、生物识别模组以及电子设备
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,特别涉及微透镜组件、生物识别模组以及电子设备。
背景技术
微透镜列阵是指一定数量微纳尺度的球面或自由曲面透镜的排列组合,它不仅具有传统透镜的聚焦、成像等基本功能,而且具有单元尺寸小、集成度高的特点,使得它能够完成传统光学元件无法完成的功能,并能构成许多新型的光学系统。
晶圆级微透镜单元为晶圆级光学元件(WLO),采用晶圆级镜头制造技术和工艺,可用半导体工艺批量复制加工镜头,多个镜头晶圆压合在一起,然后切割成单颗镜头,体积小、成本低、可利用半导体工艺大规模生产的优势,且在晶圆级实现了光学元件集成,满足商业级及消费级应用对于成本、体积和生产规模的要求。
传统的晶圆级微透镜通常是将微透镜直接设置在晶圆的表面,然而此种设置工艺难度高,成本高,不利于其大规模生产。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种微透镜组件,此种结构设置的微透镜组件,其制作工艺简单,成本较低,利于大规模生产。
此外,还提供了一种电子设备。
一种微透镜组件,包括:
晶圆,所述晶圆包括衬底以及设置在衬底上的多个芯片;
透明基底,所述透明基底包括第一表面和所述第一表面相对的第二表面,所述第二表面承靠于所述芯片远离衬底的一侧;且所述透明基底与所述芯片一一对应设置;
微透镜阵列,所述微透镜阵列包括若干个设于所述第二表面且阵列排列的微透镜,所述微透镜具有与所述第二表面贴合的贴合面。
本实用新型的晶圆级微透镜组件,在制作工艺过程中,通过将微透镜阵列直接设于透明基底,再设于晶圆上,该结构的微透镜组件,制作过程中,可将微透镜与晶圆采用分离式制作,最后再进行结合,制作工艺简单,且成本较低,能够实现大规模化生产,传统结构需直接在晶圆的表面制作微透镜,其制作工艺复杂,且成本更高。
在其中一个实施例中,所述微透镜组件还包括设于所述透明基底与所述芯片之间的芯片粘结膜,所述芯片粘结膜包括第三表面和所述第三表面相对的第四表面;所述第三表面承靠于所述芯片远离衬底的表面。芯片粘结膜用于粘合透明基底与芯片;通过在芯片设置芯片粘结膜,其制作工艺简单,成本低。
在其中一个实施例中,所述微透镜组件还包括设于所述芯片粘结膜与所述透明基底之间的红外截止滤光片,所述透明基底承靠于所述红外截止滤光片远离芯片粘结膜的表面。通过设有芯片粘结膜、红外截止滤光片、透明基底,再依次设于红外截止滤光片、芯片粘结膜,最后通过芯片粘结膜粘合于晶圆上,
在其中一个实施例中,所述透明基底的厚度为60μm~150μm。此范围内的基底具有更合适的强度和表面效果。
在其中一个实施例中,所述第一表面设有多个第一凹槽,所述相邻两个第一凹槽之间的第一表面处形成第一透光面,所述第一透光面与所述微透镜一一对应设置,所述第一透光面的中心轴与微透镜的中心轴重合,所述第一透光面在所述贴合面上的投影完全落在所述贴合面上,所述微透镜组件还包括第一吸光层,所述第一吸光层形状与所述第一凹槽形状相匹配,且设置于所述第一凹槽内部。
一般地,垂直光透过微透镜和微透镜阵列后光强减弱很小,从而使得形成的图像的清晰度较高。而非垂直光通过微透镜阵列组件时因发生折射,而导致非垂直光通过微透镜阵列组件后光强减弱较多,从而使得形成的图像的清晰度较低。使得通过折射进入微透镜内部的非垂直光也能被第一吸光层吸收,最终仅垂直光从微透镜透过,可实现提升准直效果的目的,从而可提高产品性能。
在其中一个实施例中,所述第一吸光层的厚度为0.8μm~3μm。此种范围设置,不仅能够实现超薄化需求,同时能够有效的起到吸光作用。
在其中一个实施例中,所述第二表面设有多个第二凹槽,所述相邻两个第二凹槽之间的第二表面处形成第二透光面,所述第二透光面与所述微透镜一一对应设置,所述第二透光面的中心轴与微透镜的中心轴重合,所述第一透光面在所述微透镜的贴合面上的投影完全落在所述贴合面上,且与所述贴合面的边缘有间隔,所述微透镜组件还包括第二吸光层,所述第二吸光层形状与所述第二凹槽形状相匹配,且设置于所述第二凹槽内部。由于非垂直光从微透镜的各个方向射入,单一的吸光层难以有效避免非垂直光进入透明基底内部,通过设置第二吸光层,实现多方位角度吸收非垂直光,更好的提高微透镜的聚光效率,提高成像效果。
在其中一个实施例中,所述第二吸光层的厚度为0.8μm~3μm。
在其中一个实施例中,所述第三表面设有多个第三凹槽,所述相邻两个第三凹槽之间的第三表面处形成第三透光面,所述第三透光面与所述微透镜一一对应设置,所述第三透光面的中心轴与微透镜的中心轴重合,所述第二透光面在所述贴合面上的投影完全落在所述贴合面上,且与所述贴合面的边缘有间隔,所述微透镜组件还包括第三吸光层,所述第三吸光层形状与所述第三凹槽形状相匹配,且设置于所述第三凹槽内部。本实施方式通过在透明基底内部设有吸光组件。
在其中一个实施例中,所述第三吸光层的厚度为0.8μm~3μm。此种范围设置,不仅能够实现超薄化需求,同时,能够有效的起到吸光作用。
在其中一个实施例中,所述第四表面设有多个第四凹槽,所述相邻两个第四凹槽之间的第四表面处形成第四透光面,所述第四透光面与所述微透镜一一对应设置,所述第四透光面的中心轴与微透镜的中心轴重合,所述第三透光面在所述贴合面上的投影完全落在所述贴合面上,且与所述贴合面的边缘有间隔,所述微透镜组件还包括第四吸光层,所述第四吸光层形状与所述第四凹槽形状相匹配,且设置于所述第四凹槽内部。本实施方式通过进一步在透明基底内部设有吸光组件。
在其中一个实施例中,所述第四吸光层的厚度为0.8μm~3μm。此种范围设置,不仅能够实现超薄化需求,同时,能够有效的起到吸光作用。
一种生物识别模组,包括所述的微透镜组件。
一种电子设备,包括所述的生物识别模组。
附图说明
图1为本实用新型一实施方式的微透镜组件的剖面示意图;
图2为图1中的不包括晶圆的微透镜组件的剖面示意图;
图3为另一实施方式的不包括晶圆的微透镜组件的剖面示意图;
图4为另一实施方式的不包括晶圆的微透镜组件的剖面示意图;
图5为另一实施方式的不包括晶圆的微透镜组件的剖面示意图;
图6为另一实施方式的不包括晶圆的微透镜组件的剖面示意图;
图7为另一实施方式的不包括晶圆的微透镜组件的剖面示意图。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型,下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是,本实用新型可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本实用新型。
如图1至所示,一实施方式的微透镜组件,可应用于光电元件如数码相机、手机、太阳能电池等领域;包括晶圆100、透明基底400、微透镜阵列及吸光组件。
晶圆100包括晶圆衬底101及位于晶圆衬底101上的多个芯片102,晶圆衬底101的材料可为硅、锗、GaAs、InP、GaN等材料。其中,硅最为常用。
在晶圆衬底101上通过切割成多个单颗芯片102。
透明基底400包括第一表面401和第一表面401相对的第二表面402,第一表面401承靠于芯片102远离衬底101的一侧;
透明基底400的厚度可根据实际需要进行设定,在其中一些实施例中,透明基底400的厚度为60μm~150μm;此范围内的基底具有更合适的强度和表面效果。
进一步地,透明基底400采用光学透明材质制成,可采用折射率满足1.52左右的透明材料,例如可以是玻璃、云母片、等,选用上述材质的透明基底400均为光学性能优异的材料,具有更高的强度和表面效果。
其中,透明基底400可通过粘合的方式设于芯片102的表面。请一并参阅图2,在透镜基底400与芯片102之间还设有芯片粘结膜200;芯片粘结膜又称DAF膜。
芯片粘结膜200用于粘合透明基底400与芯片102;芯片粘结膜200为粘结薄膜,用于将芯片粘合于其它组件,本实施例中,采用透明的芯片粘结膜,芯片粘结膜粘合于芯片102远离晶圆衬底101的表面,且芯片粘结膜200与芯片102一一对应设置;芯片粘结膜200具有两个相对的表面,分别为第三表面201和第四表面202,第三表面201承靠于芯片102远离衬底101的表面;
芯片粘结膜的厚度为20μm,厚度太厚材料折射率会有变化;本实用新型在芯片设置芯片粘结膜,其制作工艺简单,成本低。
需要说明的是,芯片粘结膜可采用本领域常规的芯片粘结膜,其粘结工艺也采用公知技术。
进一步地,该微透镜组件还包括位于芯片粘结膜与透明基底400之间的红外截止滤光片300,此时,透明基底400的第一表面401承靠于红外截止滤光片300远离芯片粘结膜200的表面;
红外截止滤光片300一般由两层滤光片组成,一片红外截止或吸收滤光片和一片全透光谱滤光片,白天是红外截止滤光片工作,晚上是全透滤光片工作,白天摄像头可以接收到人眼无法识别的红外线,会导致图像与肉眼所见有偏差,因而需要红外截止滤光片,还原色彩,晚上则是全透滤光片工作,增加进光量,提高夜视效果,由此可见,如果设有红外截止滤光片300,摄像组件相对白天会存在偏红现象。红外滤光片300设于第四表面处。
需要说明的是,红外滤光片300的材质及结构采用市面上通用的产品,红外滤光片300通过芯片粘结膜粘合于表面处。
透明基底400设于红外截止滤光片300表面的工艺采用现有技术实现,如可通过蒸镀或者溅射到透明基底上面。
微透镜阵列用于聚焦、成像等;包括若干个设于透明基底400的第二表面402且阵列排列的微透镜500,相邻微透镜500之间有间隔,微透镜500具有与透明基底400的第二表面402贴合的贴合面501。
一般地,照射到微透镜500上的入射光包括垂直光和非垂直光。垂直光指与微透镜500的入射面垂直的光,否则便为非垂直光。垂直光透过微透镜和微透镜阵列后光强减弱很小,从而使得形成的图像的清晰度较高。而非垂直光通过微透镜阵列组件时因发生折射,而导致非垂直光通过微透镜阵列组件后光强减弱较多,从而使得形成的图像的清晰度较低。当垂直光和非垂直光同时存在,且非垂直光的入射至微透镜或透明基底时将导致入射光透过微透镜阵列组件后形成的图像的清晰度的一致性较弱,从而使得微透镜聚光效率较低,影响成像效果。
吸光组件用于将入射至微透镜500内的非垂直光进行吸收,从而减少非垂直光与微透镜500组合使用的光学元件之间的多次折射与反射,可以防止非垂直光的折射弱化问题,进而只接收垂直光从而达到提升准直效果的目的,从而提高成像效果。
如图2所示,吸光组件包括第一吸光层601,第一吸光层601设于透明基底400的内部,透明基底400的第一表面401设有多个第一凹槽403,相邻的第一凹槽403之间具有间隔,相邻两个第一凹槽403之间的第一表面401处形成第一透光面404,第一透光面404与微透镜500一一对应设置,在垂直于第一表面401的方向,第一透光面404的中心轴a与微透镜500的中心轴重合,第一吸光层601形状与所述第一凹槽403形状相匹配,且设置于第一凹槽403内部。
第一凹槽403可通过压印工艺形成。
本实施例中,微透镜500为球面微透镜。相邻的第一凹槽403之间具有间隔小于微透镜500的直径,以使得第一透光面404在微透镜500的贴合面501上的投影完全落在贴合面501上,且与贴合面501的边缘有间隔。
上述微透镜阵列500,通过第一吸光层601可以遮挡入射角较大的杂光,从而提高入射光透过微透镜500后形成的图像的清晰度的一致性,提高微透镜500聚光效率,即提高成像效果。
可选地,第一吸光层601的厚度为0.8μm~3μm。从而使得第一吸光层601可较好地吸收入射角较大的杂光,且避免因第一吸光层601的设置而过多的增加微透镜阵列500的厚度。具体地,第一吸光层601的厚度可以为0.8μm、0.9μm、1.0μm、1.2μm、1.4μm、1.6μm、1.8μm、2.0μm、2.5μm、2.6μm、2.8μm、2.9μm或3μm。
可选地,第一吸光层601为钛层、铬层、硅层、二氧化硅层或碳化硅层。钛层、铬层、硅层、二氧化硅层和碳化硅层均为吸光性较好的黑色吸光层。
当然,可以理解的是,在另外可行的实施例中,第一吸光层601不限于钛层、铬层、硅层、二氧化硅层或碳化硅层。一般地,第一吸光层601的吸收光的能力达到93%以上的光密度,即可获得较好的成像效果。
如图3所示,二实施方式的微透镜组件,该微透镜组件与上述实施方式的微透镜组件区别仅在于,吸光组件的不同,吸光组件包括第二吸光层602,第二吸光层604设于透明基底400的内部,透明基底400的第二表面402设有多个第二凹槽405,相邻的第二凹槽405之间具有间隔,相邻两个第二凹槽405之间的第二表面402处形成第二透光面406,第二透光面406与微透镜500一一对应设置,在垂直于第二表面402的方向,第二透光面406的中心轴a与微透镜500的中心轴重合,第二吸光层602形状与所述第二凹槽405形状相匹配,且设置于所述第二凹槽405槽内部。
可选地,第二凹槽405的形成工艺与第一凹槽403相同。
相邻的第二凹槽405之间具有间隔小于微透镜500的直径,以使得第二透光面406在微透镜500的贴合面501上的投影完全落在贴合面501上,且与贴合面501的边缘有间隔。
上述微透镜阵列500,通过第二吸光层602可以遮挡入射角较大的杂光,从而提高入射光透过微透镜500后形成的图像的清晰度的一致性,提高微透镜500聚光效率,即提高成像效果。
可选地,第二吸光层602的厚度为0.8μm~3μm。从而使得第二吸光层602可较好地吸收入射角较大的杂光,且避免因第四吸光层602的设置而过多的增加微透镜阵列500的厚度。具体地,第二吸光层602的厚度可以为0.8μm、0.9μm、1.0μm、1.2μm、1.4μm、1.6μm、1.8μm、2.0μm、2.5μm、2.6μm、2.8μm、2.9μm或3μm。
如图4所示,六实施方式的微透镜组件,由于非垂直光从微透镜的各个方向射入,单一的吸光层难以有效杜绝非垂直光进入透明基底内部,通过在透明基底400内部设置第一吸光层601、第二吸光层602,实现多方位角度吸收非垂直光,更好的提高微透镜的聚光效率,提高成像效果。
该微透镜组件与上述实施方式的微透镜组件区别仅在于,吸光组件的不同,吸光组件包括第一吸光层601、第二吸光层602,本实施方式进一步通过设置两层吸光层,相对于设置一个能够实现多方位角度吸收非垂直光,吸光效果更佳。
其中第一吸光层601、第二吸光层602的位置、结构以及设置工艺与上述实施方式的第一吸光层601、第二吸光层604相同;在此不做详细描述。
其中第一吸光层601、第二吸光层602一一对应设置。第一透过面404与第二透光面406的中心轴重合。
相邻的第二凹槽405之间的间隔大于相邻的第一凹槽403之间的间隔,即第二透面406的面积大与第一透光面404,以使得第一透光面404在第二吸光层602上的投影完全落在对应的第二透光面406上,且与第二透光面406的边缘有间隔。光线的路径决定了只有下方的第一透光面404的面积小于上方的第四透光面206的面积,折射下来的非垂直光才能被有效屏蔽掉。
如图5所示,四实施方式的微透镜组件,该微透镜组件与上述实施方式的微透镜组件区别仅在于,吸光组件的不同,吸光组件包括第三吸光层603,第三吸光层603设于芯片粘结膜200的内部,芯片粘结膜200的第三表面201设有多个第三凹槽203,相邻的第三凹槽203之间具有间隔,相邻两个第三凹槽203之间的第三表面201处形成第三透光面204,第三透光面204与微透镜500一一对应设置,在垂直于第三表面201的方向,第三透光面204的中心轴与微透镜500的中心轴重合,参图2中虚线a所示,第三吸光层603形状与第三凹槽203形状相匹配,且设置于第三凹槽203槽内部。
可选地,第三凹槽203可通过压印工艺形成。
本实施例中,微透镜500为球面微透镜。相邻的第三凹槽203之间具有间隔小于微透镜500的直径,以使得第三透光面204在微透镜500的贴合面501上的投影完全落在贴合面501上,且与贴合面501的边缘有间隔。
上述微透镜阵列500,通过第三吸光层603可以遮挡入射角较大的杂光,从而提高入射光透过微透镜500后形成的图像的清晰度的一致性,提高微透镜500聚光效率,即提高成像效果。
可选地,第三吸光层603的厚度为0.8μm~3μm。从而使得第三吸光层603可较好地吸收入射角较大的杂光,且避免因第三吸光层601的设置而过多的增加微透镜阵列500的厚度。具体地,第三吸光层603的厚度可以为0.8μm、0.9μm、1.0μm、1.2μm、1.4μm、1.6μm、1.8μm、2.0μm、2.5μm、2.6μm、2.8μm、2.9μm或3μm。
可选地,第三吸光层603为钛层、铬层、硅层、二氧化硅层或碳化硅层。钛层、铬层、硅层、二氧化硅层和碳化硅层均为吸光性较好的黑色吸光层。第三吸光层603可通过旋涂或者喷涂等方式形成。
当然,可以理解的是,在另外可行的实施例中,第一吸光层601不限于钛层、铬层、硅层、二氧化硅层或碳化硅层。一般地,第一吸光层601的吸收光的能力达到93%以上的光密度,即可获得较好的成像效果。
如图6所示,五实施方式的微透镜组件,该微透镜组件与上述实施方式的微透镜组件区别仅在于,吸光组件的不同,吸光组件包括第四吸光层604,第四吸光层604设于芯片粘结膜200的内部,芯片粘结膜200的第四表面202设有多个第四凹槽205,相邻的第四凹槽205之间具有间隔,相邻两个第四凹槽205之间的第四表面202处形成第四透光面206,第四透光面206与微透镜500一一对应设置,在垂直于第四表面202的方向,第四透光面206的中心轴与微透镜500的中心轴重合,第五吸光层605形状与所述第四凹槽205形状相匹配,且设置于所述第四凹槽205槽内部。
可选地,第四凹槽205的形成工艺与第三凹槽203相同。
相邻的第四凹槽205之间具有间隔小于微透镜500的直径,以使得第四透光面206在微透镜500的贴合面501上的投影完全落在贴合面501上,且与贴合面501的边缘有间隔。
上述微透镜阵列500,通过第四吸光层604可以遮挡入射角较大的杂光,从而提高入射光透过微透镜500后形成的图像的清晰度的一致性,提高微透镜500聚光效率,即提高成像效果。
可选地,第四吸光层604的厚度为0.8μm~3μm。从而使得第四吸光层604可较好地吸收入射角较大的杂光,且避免因第四吸光层604的设置而过多的增加微透镜阵列500的厚度。具体地,第四吸光层604的厚度可以为0.8μm、0.9μm、1.0μm、1.2μm、1.4μm、1.6μm、1.8μm、2.0μm、2.5μm、2.6μm、2.8μm、2.9μm或3μm。
如图7所示,六实施方式的微透镜组件,由于非垂直光从微透镜的各个方向射入,单一的吸光层难以有效杜绝非垂直光进入,通过在芯片粘结膜200内设有第三吸光层603、第四吸光层604,实现多方位角度吸收非垂直光,更好的提高微透镜的聚光效率,提高成像效果。
该微透镜组件与上述实施方式的微透镜组件区别仅在于,吸光组件的不同,吸光组件包括第三吸光层603、第四吸光层604,本实施方式进一步通过设置两层吸光层,相对于设置一个能够实现多方位角度吸收非垂直光,吸光效果更佳。
其中第四吸光层604、第五吸光层605的位置、结构以及设置工艺与上述实施方式的第四吸光层604、第五吸光层605相同;在此不做详细描述。
其中第四吸光层604、第五吸光层605一一对应设置,即第四透光面206的中心轴与第三透光面204的中心轴重合。
相邻的第四凹槽205之间的间隔大于相邻的第三凹槽203之间的间隔,即第四透光面206的面积大于第三透光面204,以使得第三透光面204在第四吸光层604上的投影完全落在对应的第四透光面206上,且与第四透光面206的边缘有间隔;光线的路径决定了只有下方的第三透光面204的面积小于上方的第四透光面206的面积,折射下来的非垂直光才能被有效屏蔽掉。
本实用新型至少有以下优点:
1)本实用新型的晶圆级微透镜组件,通过设有芯片粘结膜200、红外截止滤光片300、透明基底400,在制作工艺过程中,通过将微透镜阵列直接设于透明基底,再依次设于红外截止滤光片300、芯片粘结膜200,最后通过芯片粘结膜200粘合于晶圆上,该结构的微透镜组件,制作过程中,可将微透镜与晶圆采用分离式制作,最后再进行结合,制作工艺简单,且成本较低,能够实现大规模化生产,且兼容性更高,晶圆与微透镜可进行需要进行更换,晶圆可根据需要搭配不同微透镜;传统结构直接在晶圆的表面制作微透镜,其制作工艺复杂,且成本更高;由于晶圆与微透镜为一体式制作,灵活性低。
2)晶圆级光学元件的生产过程中,为了防止光透射和反射发生在除光学元件透光区以外的区域而导致的增大图像干扰、成像图像中产生重影和耀斑等缺陷,降低成像品质的问题,本实用新型分别在芯片粘结膜或透明基底内设有吸光组件。
3)由于非垂直光从微透镜的各个方向射入,仅设置一个吸光层难以实现有效杜绝非垂直光进入透明基底或芯片粘结膜内部,因此,透明基底或芯片粘结膜内部设置有多个吸光层,实现多方位角度吸收非垂直光,从而可以更好的提高微透镜的聚光效率,提高成像效果。
本实用新型一实施方式还提供一种生物识别模组,其包括本实用新型提供的微透镜组件。
本实用新型一实施方式还提供一种电子设备,其包括本实用新型提供的生物识别模组。
具体的,电子设备可以是手机、相机或平板电脑等。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出多变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (14)

1.一种微透镜组件,其特征在于,包括:
晶圆,所述晶圆包括衬底以及设置在衬底上的多个芯片;
透明基底,所述透明基底包括第一表面和所述第一表面相对的第二表面,所述第二表面承靠于所述芯片远离衬底的一侧;且所述透明基底与所述芯片一一对应设置;
微透镜阵列,所述微透镜阵列包括若干个设于所述第二表面且阵列排列的微透镜,所述微透镜具有与所述第二表面贴合的贴合面。
2.根据权利要求1所述的微透镜组件,其特征在于,所述微透镜组件还包括设于所述透明基底与所述芯片之间的芯片粘结膜,所述芯片粘结膜包括第三表面和与所述第三表面相对的第四表面;所述第三表面承靠于所述芯片远离衬底的表面。
3.根据权利要求2所述的微透镜组件,其特征在于,所述微透镜组件还包括设于所述芯片粘结膜与所述透明基底之间的红外截止滤光片,所述透明基底承靠于所述红外截止滤光片远离芯片粘结膜的表面。
4.根据权利要求1所述的微透镜组件,其特征在于,所述透明基底的厚度为60µm~150µm。
5.根据权利要求1所述的微透镜组件,其特征在于,所述第一表面设有多个第一凹槽,相邻两个所述第一凹槽之间的第一表面处形成第一透光面,所述第一透光面与所述微透镜一一对应设置,所述第一透光面的中心轴与微透镜的中心轴重合,所述第一透光面在所述贴合面上的投影完全落在所述贴合面上,所述微透镜组件还包括第一吸光层,所述第一吸光层形状与所述第一凹槽形状相匹配,且设置于所述第一凹槽内部。
6.根据权利要求5所述的微透镜组件,其特征在于,所述第一吸光层的厚度为0.8μm~3μm。
7.根据权利要求1或5所述的微透镜组件,其特征在于,所述第二表面设有多个第二凹槽,相邻两个所述第二凹槽之间的第二表面处形成第二透光面,所述第二透光面与所述微透镜一一对应设置,所述第二透光面的中心轴与微透镜的中心轴重合,所述第二透光面在所述微透镜的贴合面上的投影完全落在所述贴合面上,且与所述贴合面的边缘有间隔,所述微透镜组件还包括第二吸光层,所述第二吸光层形状与所述第二凹槽形状相匹配,且设置于所述第二凹槽内部。
8.根据权利要求7所述的微透镜组件,其特征在于,所述第二吸光层的厚度为0.8μm~3μm。
9.根据权利要求2所述的微透镜组件,其特征在于,所述第三表面设有多个第三凹槽,相邻两个所述第三凹槽之间的第三表面处形成第三透光面,所述第三透光面与所述微透镜一一对应设置,所述第三透光面的中心轴与微透镜的中心轴重合,所述第三透光面在所述贴合面上的投影完全落在所述贴合面上,且与所述贴合面的边缘有间隔,所述微透镜组件还包括第三吸光层,所述第三吸光层形状与所述第三凹槽形状相匹配,且设置于所述第三凹槽内部。
10.根据权利要求9所述的微透镜组件,其特征在于,所述第三吸光层的厚度为0.8μm~3μm。
11.根据权利要求2或9所述的微透镜组件,其特征在于,所述第四表面设有多个第四凹槽,相邻两个所述第四凹槽之间的第四表面处形成第四透光面,所述第四透光面与所述微透镜一一对应设置,所述第四透光面的中心轴与微透镜的中心轴重合,所述第四透光面在所述贴合面上的投影完全落在所述贴合面上,且与所述贴合面的边缘有间隔,所述微透镜组件还包括第四吸光层,所述第四吸光层形状与所述第四凹槽形状相匹配,且设置于所述第四凹槽内部。
12.根据权利要求11所述的微透镜组件,其特征在于,所述第四吸光层的厚度为0.8μm~3μm。
13.一种生物识别模组,其特征在于,包括如权利要求1~12任一项所述的微透镜组件。
14.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求13所述的生物识别模组。
CN202020462624.6U 2020-04-01 2020-04-01 微透镜组件、生物识别模组以及电子设备 Expired - Fee Related CN211700289U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202020462624.6U CN211700289U (zh) 2020-04-01 2020-04-01 微透镜组件、生物识别模组以及电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202020462624.6U CN211700289U (zh) 2020-04-01 2020-04-01 微透镜组件、生物识别模组以及电子设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN211700289U true CN211700289U (zh) 2020-10-16

Family

ID=72782165

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202020462624.6U Expired - Fee Related CN211700289U (zh) 2020-04-01 2020-04-01 微透镜组件、生物识别模组以及电子设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN211700289U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111366997A (zh) * 2020-04-16 2020-07-03 欧菲微电子技术有限公司 微透镜阵列、生物识别模组及其电子设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111366997A (zh) * 2020-04-16 2020-07-03 欧菲微电子技术有限公司 微透镜阵列、生物识别模组及其电子设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20240234461A1 (en) Aperture-Metasurface and Hybrid Refractive-Metasurface Imaging Systems
JP2008508545A (ja) カメラモジュール、それに基づくアレイおよびその製造方法
TWI512956B (zh) 光學成像裝置及其製造方法
US7414661B2 (en) CMOS image sensor using gradient index chip scale lenses
KR100956250B1 (ko) 웨이퍼 스케일 렌즈조립체 제조방법 및 이에 의해 제조된웨이퍼 스케일 렌즈조립체
KR101410002B1 (ko) 인공 낱눈을 구비한 이미지 검출장치 및 인공 낱눈 유닛의제조방법
CN104142563B (zh) 具有广视角的五个非球面表面晶片级透镜系统
CN101738708B (zh) 图像捕捉镜头
CN112084996A (zh) 屏下指纹识别装置及电子设备
CN217386086U (zh) 感光组件、成像系统及光学电子设备
US20140284746A1 (en) Solid state imaging device and portable information terminal
KR100791842B1 (ko) 마이크로렌즈의 쉬프트가 필요 없는 이미지센서 및 그 제조방법
CN211700289U (zh) 微透镜组件、生物识别模组以及电子设备
CN104423020B (zh) 影像撷取镜片及镜头模块及影像撷取装置
CN211604143U (zh) 微透镜组件、指纹识别模组及电子设备
CN212256336U (zh) 屏下指纹识别装置及电子设备
CN211604144U (zh) 微透镜组件、指纹识别模组及电子设备
CN111366997A (zh) 微透镜阵列、生物识别模组及其电子设备
CN111353478A (zh) 微透镜阵列及其制作方法、生物识别模组及其电子设备
TWI402162B (zh) 複合微透鏡及複合微透鏡陣列
US9366848B2 (en) Wafer-level lens systems and methods for manufacturing the same
CN211604142U (zh) 微透镜组件、指纹识别模组及电子设备
CN211718909U (zh) 微透镜阵列、生物识别模组及其电子设备
KR101316287B1 (ko) 적층형 카메라 장치 및 제조방법
CN113645376B (zh) 微透镜阵列摄像模组及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: 330096 No.699 Tianxiang North Avenue, Nanchang hi tech Industrial Development Zone, Nanchang City, Jiangxi Province

Patentee after: Jiangxi OMS Microelectronics Co.,Ltd.

Address before: 330000 east of Xueyuan 6th Road, south of Tianxiang Avenue, Nanchang hi tech Industrial Development Zone, Nanchang City, Jiangxi Province

Patentee before: OFilm Microelectronics Technology Co.,Ltd.

Address after: 330000 east of Xueyuan 6th Road, south of Tianxiang Avenue, Nanchang hi tech Industrial Development Zone, Nanchang City, Jiangxi Province

Patentee after: OFilm Microelectronics Technology Co.,Ltd.

Address before: 330029 No. 1189 Jingdong Avenue, Nanchang high tech Zone, Jiangxi

Patentee before: NANCHANG OFILM BIO-IDENTIFICATION TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 330096 No.699 Tianxiang North Avenue, Nanchang hi tech Industrial Development Zone, Jiangxi Province

Patentee after: Oufei Microelectronics (Nanchang) Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: No. 699 Tianxiang North Avenue, Nanchang High tech Industrial Development Zone, Nanchang City, Jiangxi Province

Patentee before: Jiangxi OMS Microelectronics Co.,Ltd.

Country or region before: China

CP03 Change of name, title or address
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20201016

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee