CN210896558U

CN210896558U - 一种显示电路和显示装置

Info

Publication number: CN210896558U
Application number: CN202020091739.9U
Authority: CN
Inventors: 郑士嵩
Original assignee: Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
Current assignee: Chongqing Kangjia Optoelectronic Technology Co ltd
Priority date: 2020-01-15
Filing date: 2020-01-15
Publication date: 2020-06-30
Anticipated expiration: 2030-01-15

Abstract

本实用新型公开了一种显示电路和显示装置，其中，所述显示电路包括以共阳极或共阴极方式连接的多个微器件，所述微器件的阴极连接有第一晶体管，所述微器件的阳极连接有第二晶体管；其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管配合产生一逆偏电压以对所述微器件进行初始化。本实用新型通过在共阳极或共阴极方式连接的微器件的阴极和阳极分别连接第一晶体管和第二晶体管，通过所述第一晶体管和所述第二晶体管配合产生一逆偏电压，以对所述微器件进行初始化，在需要操作的新时序发光下，排除上一操作时序残留下的电荷，避免了因残留下的电荷所产生的背景亮度，从而改善了低亮度质量，提高了对比度。

Description

一种显示电路和显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及的是一种显示电路和显示装置。

背景技术

电激发光(Electroluminescence，EL)器件包括有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)、发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)等器件。近年来EL器件大量用于制作显示器产品,相较于传统阴极射线管显示器(Cathode Ray Tube，CRT)、液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等,EL器件应用面展现了更好的光学特性,更低的功耗表现以及更好的产品型态可塑性。EL器件发光采用的共电极架构为最基底的显示器提供了重要驱动环境元素,最基底的显示器搭配共电极架构延伸开发出节电(Power Saving)应用,对于产品导入终端市场成为一大重要优势。但是，如图1至图5所示，传统面板架构下,在经历一驱动操作后,信号的非理想效应反应在EL器件上使得器件在未进行下一操作时序前因为前一操作时序而遗留下的电荷产生一背景亮度,致使对比度下降。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种显示电路和显示装置，以解决因信号的非理想效应反应在EL器件上使得器件在未进行下一操作时序前因为前一操作时序遗留下的电荷产生一背景亮度而导致对比度下降的问题。

本实用新型的技术方案如下：

一种显示电路，该显示电路包括以共阳极或共阴极方式连接的多个微器件，所述微器件的阴极连接有第一晶体管，所述微器件的阳极连接有第二晶体管；其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管配合产生一逆偏电压以对所述微器件进行初始化。

本实用新型的进一步设置，当所述微器件以共阴极的方式连接时，所述第一晶体管的栅极连接有第一共同扫描信号线，所述第二晶体管的栅极连接有第二共同扫描信号线；所述第一晶体管的漏极连接所述微器件的阴极，所述第一晶体管的源极连接共阴极电源信号线；所述第二晶体管的漏极连接所述微器件的直流源信号线，所述第二晶体管的源极连接所述微器件的阳极。

本实用新型的进一步设置，所述微器件的阳极连接有灰阶控制信号线；其中，所述灰阶控制信号线包括红色灰阶控制信号线、绿色灰阶控制信号线和蓝色灰阶控制信号线。

本实用新型的进一步设置，还包括多个子电路单元，所述子电路单元对应所述微器件设置；所述子电路单元的一端连接所述共阳极电源信号线，所述子电路单元的另一端连接所述微器件的阳极和所述第二晶体管的源极；所述灰阶控制信号线连接所述子电路单元；其中，所述子电路单元由第三晶体管和电容组成。

本实用新型的进一步设置，所述显示电路包括多组微器件组件，所述微器件组件包括所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述微器件和所述子电路单元；所述共阳极电源信号线包括第一共阳极电源信号线、第二共阳极电源信号线、第三共阳极电源信号线以及第N共阳极电源信号线；所述子电路单元的一端分别对应连接所述第一共阳极电源信号线、第二共阳极电源信号线、第三共阳极电源信号线以及第N共阳极电源信号线，所述子电路单元的另一端连接所述微器件的阳极；其中，N为整数。

本实用新型的进一步设置，当所述微器件以共阳极的方式连接时，所述第一晶体管的栅极连接有第二共同扫描信号线，所述第二晶体管的栅极连接有第一共同扫描信号线；所述第一晶体管的漏极连接所述微器件的阴极，所述第一晶体管的源极连接所述微器件的直流源信号线；所述第二晶体管的漏极连接有共阳极电源信号线，所述第二晶体管的源极连接所述微器件的阳极。

本实用新型的进一步设置，所述微器件的阴极连接有灰阶控制信号线；其中，所述灰阶控制信号线包括红色灰阶控制信号线、绿色灰阶控制信号线和蓝色灰阶控制信号线。

本实用新型的进一步设置，所述显示电路还包括多个子电路单元，所述子电路单元对应所述微器件设置；所述子电路单元的一端连接所述共阳极电源信号线，所述子电路单元的另一端连接所述微器件的阴极和所述第一晶体管的漏极；所述灰阶控制信号线连接所述子电路单元；其中，所述子电路单元由第三晶体管和电容组成。

本实用新型的进一步设置，所述显示电路包括多组微器件组件，所述微器件组件包括所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述微器件和所述子电路单元；所述共阴极电源信号线包括第一共阴极电源信号线、第二共阴极电源信号线、第三共阴极电源信号线以及第N共阴极电源信号线；所述子电路单元的一端分别对应连接所述第一共阴极电源信号线、第二共阴极电源信号线、第三共阴极电源信号线以及第N共阳极电源信号线，所述子电路单元的另一端连接所述微器件的阴极；其中，N为整数。

本实用新型的进一步设置，所述第一晶体管和所述第二晶体管为p-TFT、n-TFT、p-MOS和n-MOS中的一种或多种。

本实用新型的进一步设置，所述微器件为电激发光器件。

本实用新型还提供了一种显示装置，包括以上所述的显示电路。

本实用新型所提供的一种显示电路和显示装置，其中，所述显示电路包括以共阳极或共阴极方式连接的多个微器件，所述微器件的阴极连接有第一晶体管，所述微器件的阳极连接有第二晶体管；其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管配合产生一逆偏电压以对所述微器件进行初始化。本实用新型通过在共阳极或共阴极方式连接的微器件的阴极和阳极分别连接第一晶体管和第二晶体管，通过所述第一晶体管和所述第二晶体管配合产生一逆偏电压，以对所述微器件进行初始化，在需要操作的新时序发光下，排除上一操作时序残留下的电荷，避免了因残留下的电荷所产生的背景亮度，从而改善了低亮度质量，提高了对比度。

附图说明

图1是传统技术中共用电极方式的面板架构图。

图2是传统技术中面板架构共阴极的等效电路图。

图3是传统技术中面板架构共阳极的等效电路图。

图4是传统技术中面板架构共阴极的局部等效电路图。

图5是传统技术中操作时序后的时序图。

图6是本实用新型中显示电路的共阴极的等效电路图。

图7是本实用新型中显示电路的共阳极的等效电路图。

图8是本实用新型中显示电路的共阴极的局部等效电路图。

图9是本实用新型中EL器件电性曲线图。

图10是本实用新型中操作时序后的时序图。

图11是本实用新型中显示电路共阴极架构下与子电路单元的等效电路图。

图12是本实用新型中显示电路共阳极架构下与子电路单元的等效电路图。

图13是图11中分解为多组EL器件的等效电路图。

图14是图12中分解为多组EL器件的等效电路图。

具体实施方式

薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，TFT)背板基底,通常使用低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)或金属氧化物(Metal Oxide)等类似可成型刚性玻璃(Rigid Glass)或是柔性聚酰亚胺(Flexible Polyimide)上的主动器件制程来制作,而利用此器件可建立出功能电路对于显示器本身提高其额外的特征优势。因EL器件发光采用的共电极架构作为基底元素,却并未在薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，TFT)背板基底的显示器产品上展现其最大优势,特别是对于优异的光学规格表现极高要求的可靠度能力。因此，本实用新型提供一种显示电路和显示装置，并通过在EL器件的阴极和阳极设置TFT，通过将EL器件初始化，以达到显示器产品高对比度的目的。

为使本实用新型的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实例对本实用新型进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

在实施方式和申请专利范围中，除非文中对于冠词有特别限定，否则“一”与“所述”可泛指单一个或复数个。

另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

请同时参阅图6至图14，本实用新型提供了一种显示电路的较佳实施例。

如图6图7所示，一种显示电路，该显示电路包括多个微器件以及与所述微器件连接的第一晶体管和第二晶体管。其中，多个所述微器件以共阳极或共阴极方式连接，所述第一晶体管与所述微器件的阴极连接，所述第二晶体管与所述微器件的阳极连接，所述第一晶体管和所述第二晶体管配合能够产生一逆偏电压，以对所述微器件进行初始化。本实用新型通过在共阳极或共阴极方式连接的微器件的阴极和阳极分别连接第一晶体管和第二晶体管，通过所述第一晶体管和所述第二晶体管配合产生一逆偏电压，以对所述微器件进行初始化，在需要操作的新时序发光下，排除上一操作时序残留下的电荷，避免了因残留下的电荷所产生的背景亮度，从而改善了低亮度质量，提高了对比度。

具体地，所述微器件为电激发光器件(Electroluminescence，EL)，以下简称EL器件。所述第一晶体管和所述第二晶体管可以为p-TFT、n-TFT、p-MOS和n-MOS中的任意一种，本实施例中所述第一晶体管和所述第二晶体管选用p-TFT。

请继续参阅图6，在一个实施例的进一步地实施方式中，当所述EL器件以共阴极的方式连接时，所述第一晶体管的栅极连接有第一共同扫描信号线，该第一共同扫描信号线用于提供第n条水平方向(Row)的第一共同扫描信号S1[n]，所述第二晶体管的栅极连接有第二共同扫描信号线，该第二共同扫描信号线用于提供第n条水平(Row)的第二共同扫描信号S2[n]；所述第一晶体管的漏极连接所述EL器件的阴极，所述第一晶体管的源极连接共阴极电源信号线Vss,所述共阴极电源信号线Vss用于提供共阴极结构下的电源源信号；所述第二晶体管的漏极连接所述微器件的直流源信号线Vref，所述直流源信号线Vref用于提供初始化EL器件的直流源源信号，所述第二晶体管的源极连接所述EL器件的阳极。

请参阅图6，在所述EL器件以共阴极的方式连接的实施方式中，所述EL器件的阳极连接有灰阶控制信号线，其中，所述灰阶控制信号线包括红色灰阶控制信号线、绿色灰阶控制信号线和蓝色灰阶控制信号线，例如，其中一个EL器件的阳极连接红色灰阶控制信号线R[1]，第M个EL器件连接红色灰阶控制信号线R[M]，其中，R[M]表示第M条垂直方向上的红色灰阶控制信号线；其中一个EL器件的阳极连接绿色灰阶控制信号线G[1]，第M个EL器件连接红色灰阶控制信号线G[M]，其中，G[M]表示第M条垂直方向上的绿色灰阶控制信号线；其中一个EL器件的阳极连接蓝色灰阶控制信号线B[1]，第M个EL器件连接红色灰阶控制信号线B[M]，其中，B[M]表示第M条垂直方向上的蓝色灰阶控制信号线。

请参阅图7，进一步地，当所述微器件以共阳极的方式连接时，所述第一晶体管的栅极连接有第二共同扫描信号线，该第二共同扫描信号线用于提供第n条水平方向(Row)的第二共同扫描信号S2[n]，所述第二晶体管的栅极连接有第一共同扫描信号线，该第一共同扫描信号线用于提供第n条水平方向(Row)的第一共同扫描信号S1[n],所述第一晶体管的漏极连接所述EL器件的阴极，所述第一晶体管的源极连接所述EL器件的直流源信号线Vref,所述直流源信号线Vref用于提供初始化EL器件的直流源源信号，所述第二晶体管的漏极连接有共阳极电源信号线VDD，所述共阳极电源信号线VDD用于提供共阳极架构下的电源源信号，所述第二晶体管的源极连接所述EL器件的阳极。

请参阅图7，在所述EL器件以共阳极的方式连接的实施方式中，所述EL器件的阴极连接有灰阶控制信号线，其中，所述灰阶控制信号线包括红色灰阶控制信号线、绿色灰阶控制信号线和蓝色灰阶控制信号线，例如，其中一个EL器件的阴极连接红色灰阶控制信号线R[1]，第M个EL器件连接红色灰阶控制信号线R[M]，其中，R[M]表示第M条垂直方向上的红色灰阶控制信号线；其中一个EL器件的阴极连接绿色灰阶控制信号线G[1]，第M个EL器件连接红色灰阶控制信号线G[M]，其中，G[M]表示第M条垂直方向上的绿色灰阶控制信号线；其中一个EL器件的阴极连接蓝色灰阶控制信号线B[1]，第M个EL器件连接红色灰阶控制信号线B[M]，其中，B[M]表示第M条垂直方向上的蓝色灰阶控制信号线。

以下以EL器件以共阴极的方式连接的实施例对本实用新型的工作原理进一步说明，如图7、图8、图9与图10所示，一般正常操作下,在上一次时序操作过后,即在1st frame操作后，EL器件上容易聚积残留电荷,此时EL器件上的跨压值Vled>Vf，其中，Vf为预先设定的比较值，Vled＝Va-Vc。EL器件上的跨压值Vled>Vf时即生成电流,从而引起以基底亮度Ipostn，进而影响2nd frame的L0亮度的最低值，也就是说，此残留电荷会持续供应给EL器件而发光，致使一基底亮度产生。本实用新型通过在共阴极架构下,在EL器件的阴极和阳极分别设置第一晶体管和第二晶体管，设定Vref＜Vss+Vf，当第一次时序操作(1st frame)过后，通过第一晶体管和第二晶体管的配合，制造出一相对于EL器件的逆偏电压，从而初始化EL器件，使得EL器件上的跨压值Vled＜Vf，以达到Iled的电流值为0，也就是说，在上一次时序操作(1st frame)过后,对EL器件进行初始化程序,排除EL器件此残留的电荷,使得低灰阶或L0亮度的最低值能真正达到0亮度,以避免基底亮度Ipostn影响L0亮度的最低值，达到真正的0亮度，从而提升对比度的值。

请参阅图11，在所述EL器件以共阴极的方式连接的实施中，所述显示电路还包括多个子电路单元，所述子电路单元(CIRCUIT)对应所述EL器件设置，所述子电路单元的一端连接所述共阳极电源信号线VDD，所述子电路单元的另一端连接所述EL器件的阳极和所述第二晶体管的源极，所述灰阶控制信号线连接所述子电路单元。其中，所述子电路单元由第三晶体管和电容组成。其中，红色灰阶控制信号线、绿色灰阶控制信号线和蓝色灰阶控制信号线连接所述子电路单元，用于控制第三晶体管的栅极或电容节点。因此，在共阴极架构下，通过在EL器件上串联其他功能用途电路(子电路单元)，能够满足产品的特定需求，例如，当子电路单元由第三晶体管和电容组成时，可用于提高显示画质。

请参阅图13，在所述EL器件以共阴极的方式连接的实施方式中，所述显示电路包括多组EL器件组件，所述EL器件组件包括所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述EL器件和所述子电路单元，所述共阳极电源信号线VDD包括第一共阳极电源信号线VDD1、第二共阳极电源信号线VDD2、第三共阳极电源信号线VDD3以及第N共阳极电源信号线VDDN，所述子电路单元的一端分别对应连接所述第一共阳极电源信号线VDD1、第二共阳极电源信号线VDD2、第三共阳极电源信号线VDD3以及第N共阳极电源信号线VDDN，所述子电路单元的另一端连接所述EL器件的阳极。其中，N为整数。通过将一组电极分解为多组EL器件组件，可以优化每组EL器件运动所需的最小跨压，当跨压值降低时，能够减小功耗。

请参阅图12，在所述EL器件以共阳极的方式连接的实施方式中，所述显示电路还包括多个子电路单元，所述子电路单元对应所述EL器件设置,所述子电路单元的一端连接所述共阴极电源信号线VSS，所述子电路单元的另一端连接所述EL器件的阴极和所述第一晶体管的漏极,所述灰阶控制信号线连接所述子电路单元。其中，所述子电路单元由第三晶体管和电容组成。其中，所述子电路单元由第三晶体管和电容组成。其中，红色灰阶控制信号线、绿色灰阶控制信号线和蓝色灰阶控制信号线连接所述子电路单元，用于控制第三晶体管的栅极或电容节点。因此在共阳极架构下，通过在EL器件上串联其他功能用途电路(子电路单元)，能够满足产品的特定需求，例如，当子电路单元由第三晶体管和电容组成时，可用于提高显示画质。

请参阅图14，在所述EL器件以共阳极的方式连接的实施方式中，所述显示电路包括多组微器件组件，所述微器件组件包括所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述微器件和所述子电路单元；所述共阴极电源信号线包括第一共阴极电源信号线VSS1、第二共阴极电源信号线VSS2、第三共阴极电源信号线VSS3以及第N共阴极电源信号线VSSN；所述子电路单元的一端分别对应连接所述第一共阴极电源信号线VSS1、第二共阴极电源信号线VSS2、第三共阴极电源信号线VSS3以及第N共阴极电源信号线VSSN，所述子电路单元的另一端连接所述EL器件的阳极；其中，N为整数。通过将一组电极分解为多组EL器件组件，可以优化每组EL器件运动所需的最小跨压，当跨压值降低时，能够减小功耗。

本实用新型还提供了一种显示装置，请同时参阅图6至图14，该显示装置包括一显示电路，其中，所述显示电路包括以共阳极或共阴极方式连接的多个微器件，所述微器件的阴极连接有第一晶体管，所述微器件的阳极连接有第二晶体管；其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管配合产生一逆偏电压以对所述微器件进行初始化。具体如上所述，在此不再赘述。

综上所述，本实用新型所述提供的一种显示电路和显示装置，其中，所述显示电路包括以共阳极或共阴极方式连接的多个微器件，所述微器件的阴极连接有第一晶体管，所述微器件的阳极连接有第二晶体管；其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管配合产生一逆偏电压以对所述微器件进行初始化。本实用新型通过在共阳极或共阴极方式连接的微器件的阴极和阳极分别连接第一晶体管和第二晶体管，通过所述第一晶体管和所述第二晶体管配合产生一逆偏电压，以对所述微器件进行初始化，在需要操作的新时序发光下，排除上一操作时序残留下的电荷，避免了因残留下的电荷所产生的背景亮度，从而改善了低亮度质量，提高了对比度。

应当理解的是，本实用新型的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。

Claims

1.一种显示电路，其特征在于，包括以共阳极或共阴极方式连接的多个微器件，所述微器件的阴极连接有第一晶体管，所述微器件的阳极连接有第二晶体管；其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管配合产生一逆偏电压以对所述微器件进行初始化。

2.根据权利要求1所述的显示电路，其特征在于，当所述微器件以共阴极的方式连接时，所述第一晶体管的栅极连接有第一共同扫描信号线，所述第二晶体管的栅极连接有第二共同扫描信号线；所述第一晶体管的漏极连接所述微器件的阴极，所述第一晶体管的源极连接共阴极电源信号线；所述第二晶体管的漏极连接所述微器件的直流源信号线，所述第二晶体管的源极连接所述微器件的阳极。

3.根据权利要求2所述的显示电路，其特征在于，所述微器件的阳极连接有灰阶控制信号线；其中，所述灰阶控制信号线包括红色灰阶控制信号线、绿色灰阶控制信号线和蓝色灰阶控制信号线。

4.根据权利要求3所述的显示电路，其特征在于，还包括多个子电路单元，所述子电路单元对应所述微器件设置；所述子电路单元的一端连接所述共阳极电源信号线，所述子电路单元的另一端连接所述微器件的阳极和所述第二晶体管的源极；所述灰阶控制信号线连接所述子电路单元；其中，所述子电路单元由第三晶体管和电容组成。

5.根据权利要求4所述的显示电路，其特征在于，所述显示电路包括多组微器件组件，所述微器件组件包括所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述微器件和所述子电路单元；所述共阳极电源信号线包括第一共阳极电源信号线、第二共阳极电源信号线、第三共阳极电源信号线以及第N共阳极电源信号线；所述子电路单元的一端分别对应连接所述第一共阳极电源信号线、第二共阳极电源信号线、第三共阳极电源信号线以及第N共阳极电源信号线，所述子电路单元的另一端连接所述微器件的阳极；其中，N为整数。

6.根据权利要求1所述的显示电路，其特征在于，当所述微器件以共阳极的方式连接时，所述第一晶体管的栅极连接有第二共同扫描信号线，所述第二晶体管的栅极连接有第一共同扫描信号线；所述第一晶体管的漏极连接所述微器件的阴极，所述第一晶体管的源极连接所述微器件的直流源信号线；所述第二晶体管的漏极连接有共阳极电源信号线，所述第二晶体管的源极连接所述微器件的阳极。

7.根据权利要求6所述的显示电路，其特征在于，所述微器件的阴极连接有灰阶控制信号线；其中，所述灰阶控制信号线包括红色灰阶控制信号线、绿色灰阶控制信号线和蓝色灰阶控制信号线。

8.根据权利要求7所述的显示电路，其特征在于，还包括多个子电路单元，所述子电路单元对应所述微器件设置；所述子电路单元的一端连接所述共阴极电源信号线，所述子电路单元的另一端连接所述微器件的阴极和所述第一晶体管的漏极；所述灰阶控制信号线连接所述子电路单元；其中，所述子电路单元由第三晶体管和电容组成。

9.根据权利要求8所述的显示电路，其特征在于，所述显示电路包括多组微器件组件，所述微器件组件包括所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述微器件和所述子电路单元；所述共阴极电源信号线包括第一共阴极电源信号线、第二共阴极电源信号线、第三共阴极电源信号线以及第N共阴极电源信号线；所述子电路单元的一端分别对应连接所述第一共阴极电源信号线、第二共阴极电源信号线、第三共阴极电源信号线以及第N共阴极电源信号线，所述子电路单元的另一端连接所述微器件的阴极；其中，N为整数。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求书1至9任一项所述的显示电路。