CN209982459U - 一种长延时低功耗的二线制延时开关电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种长延时低功耗的二线制延时开关电路，包括交流电源、电子开关和负载，还包括直流电压获取电路、光电耦合器、延时关断控制电路和降压整流电路，电子开关的驱动端与光电耦合器的输出端连接，直流电压获取电路为延时关断控制电路提供直流电源；降压整流电路的一端经开关连接至交流电源，另一端加至延时关断控制电路的输入端，延时关断控制电路的输出端与光电耦合器的输入端连接。本实用新型具有即时接通负载和延时关断负载的功能，还具备长通功能；只要负载通电，延时关断控制电路就能够获得稳定的电源供给；同时，当延时时间达到之后，延时关断控制电路的电源供给也被切断，整个电路不再有任何功率损耗。

Description

一种长延时低功耗的二线制延时开关电路

技术领域

本实用新型属于延时开关电路领域，具体涉及一种长延时低功耗的二线制延时开关电路。

背景技术

在人类生活中，存在着许多需要延时开关的场合，比如排气扇和照明灯的延时关断等。已有的延时开关电路存在耗电较多，不工作时电路也长期通电，定时时间不准确，无法获得长延时时间，工作不可靠等许多不足。

专利CN204068906U公开了一种二线制延时断电电路，其能够工作于长期通电的模式下，但是其不能实现任意长的延时时间。专利CN201467088U公开了一种延时开关，其缺点在于无法方便地加入即时关断开关。

实用新型内容

针对上述现有技术中存在的不足，本实用新型的目的是提供一种长延时低功耗的二线制延时开关电路。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的。

一种长延时低功耗的二线制延时开关电路，包括交流电源、电子开关和负载，交流电源、电子开关和负载构成主交流回路，还包括直流电压获取电路、光电耦合器、延时关断控制电路和降压整流电路，所述电子开关的驱动端与光电耦合器的输出端连接，光电耦合器控制电子开关的导通与否；直流电压获取电路在电子开关导通时从主交流回路中获取直流电压并为延时关断控制电路提供直流电源；降压整流电路的一端经开关连接至交流电源，另一端加至延时关断控制电路的输入端，在开关闭合时，加至延时关断控制电路输入端的电压使延时关断控制电路输出高电平；延时关断控制电路的输出端与光电耦合器的输入端连接，延时关断控制电路的输出端通过输出高电平或低电平来控制光电耦合器的导通与否，从而控制电子开关的导通与否。

所述降压整流电路包括RC电路、第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管，RC电路的一端经开关连接至交流电源，RC电路的另一端与第二二极管、第三二极管和第四二极管的阳极连接，第二二极管、第三二极管和第四二极管的阴极分别与延时关断控制电路的第一输入端、第二输入端和第三输入端连接，第一二极管的阴极分别与第二二极管、第三二极管和第四二极管的阳极连接，第一二极管的阳极接地，RC电路为第一电阻和第一电容并联构成。

所述电子开关包括整流全桥和单向可控硅或者场效应三极管，整流全桥串联在主交流回路中，整流全桥的正电压输出端与单向可控硅的阳极或者场效应三极管的漏极连接，整流全桥的负电压输出端与单向可控硅的阴极或者场效应三极管的源极连接，单向可控硅的控制极或者场效应三极管的栅极作为电子开关的第一驱动端，单向可控硅的阴极或者场效应三极管的源极作为电子开关的第二驱动端。

所述电子开关包括整流全桥、第一三极管、第二三极管和第四电阻，整流全桥串联在主交流回路中，整流全桥的正电压输出端与第一三极管的集电极和第二三极管的集电极连接，整流全桥的负电压输出端与第二三极管的发射极连接，第一三极管的发射极与第二三极管的基极连接，第二三极管的基极与发射极之间并联第四电阻，第一三极管的基极作为电子开关的第一驱动端，第二三极管的发射极作为电子开关的第二驱动端。

所述电子开关包括双向可控硅，双向可控硅的两个主端子连接在主交流回路中，双向可控硅的控制极作为电子开关的第一驱动端，双向可控硅与直流电压获取电路连接的主端子作为电子开关的第二驱动端。

所述延时关断控制电路包括第一与非门、第二与非门、第三与非门、第四与非门、第五电阻、第六电阻、第五电容和第六电容，第二与非门和第三与非门接成RS锁存器电路，第一与非门的输出端和第二与非门的输入端连接，第三与非门的输出端和第四与非门的输入端连接，第四与非门的输出端经过第八电阻作为延时关断控制电路的输出端与光电耦合器的第一输入端连接，第三二极管的阴极经过第七电阻和第一与非门的输入端连接，第三二极管的阴极经第六电阻接地，第六电阻上并联有第六电容,第四二极管的阴极经过第三电阻和第三与非门的输入端连接，第四二极管的阴极经第五电阻接地，第五电阻上并联有第五电容，第一与非门、第二与非门、第三与非门和第四与非门的直流电源端两端并联有第一TVS二极管和压敏电阻；第二二极管的阴极经第二TVS二极管接地，第二二极管的阴极经第九电阻连接在延时关断控制电路的输出端上，输出端上接有第七电容，第七电容的另一端接地。

所述延时关断电路包括单片机系统和第三三极管，直流电压获取电路的输出电压端与单片机的直流电源端连接，单片机的直流电源端两端依次并联有第八电容、第一TVS二极管和压敏电阻，第十三电阻一端接在单片机直流电源上，另一端与第三三极管的集电极连接，第三三极管的集电极与单片机系统的输入端连接，第三三极管的发射极接地，第二二极管的阴极经第十二电阻与第三三极管的基极连接，单片机系统的输出端经第十电阻作为延时关断控制电路的输出端与光电耦合器的第一输入端连接，第三二极管的阴极经第二TVS二极管接地，第三二极管的阴极经第十一电阻连接在延时关断控制电路的输出端上。

所述电子开关为继电器的常开触点，延时关断控制电路包括第五非门、第六非门、继电器的线圈和第三三极管，直流电压获取电路的电压输出端和第五非门、第六非门的直流电源端相连，第三三极管的集电极连接到直流电源端上，第二二极管的阴极连接在直流电源端上，第三二极管的阴极经第六电阻接地，第六电阻上并联有第六电容，第三二极管的阴极经第七电阻和第五非门的输入端连接，第五非门的输出端和第六非门的输入端连接，第六非门的输出端与第三三极管的基极连接，第三三极管的发射极与继电器的线圈的一端连接，继电器的线圈的另一端接地，继电器的线圈两端并联有第十五二极管，第十五二极管的阳极接地，直流电源端的两端并联有第二电容、第三电容、第一TVS二极管和压敏电阻。

所述光电耦合器为可控硅输出式光耦或光伏输出式光耦。

所述直流电压获取电路在电子开关包括整流全桥时为整流全桥的一条臂，由第九二极管至第十四二极管串联组成；当电子开关不包括整流全桥时为TVS二极管或者稳压二极管，稳压二极管反相串联在主交流回路中，在第九二极管至第十四二极管的阳极或稳压二极管的阴极上接有第五二极管的阳极，第五二极管的阴极作为直流电压获取电路的电压输出端，第九二极管至第十四二极管的阴极或稳压二极管的阳极同时作为直流电压获取电路的接地端。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：本实用新型中的延时关断控制电路具有定时功能。

本实用新型的延时开关电路在开关SW的作用下，具有即时接通负载和延时关断负载的功能。

本实用新型中，只要开关SW闭合，负载就通电工作，因此本实用新型的延时开关电路还具备长通功能。

本实用新型中，只要负载通电，延时关断控制电路就能够获得稳定的电源供给；同时，当延时时间达到之后，延时关断控制电路的电源供给也被切断，整个电路不再有任何功率损耗。

本实用新型的延时开关电路工作可靠、长期运行的安全性高，宜于大批量生产和推广应用。

附图说明

图1是本实用新型的电路构成框图。

图2是本实用新型电子开关的电路原理图。

图3是本实用新型电子开关的又一电路原理图。

图4是本实用新型电子开关的又一电路原理图。

图5是本实用新型电子开关的又一电路原理图。

图6是本实用新型实施例1的电路原理图。

图7是本实用新型实施例2的电路原理图。

图8是本实用新型实施例3的电路原理图。

图9是本实用新型实施例4的电路原理图。

具体实施方式

如图1所示，一种长延时低功耗的二线制延时开关电路，包括交流电源、电子开关、负载LOAD、直流电压获取电路、光电耦合器PC、延时关断控制电路和降压整流电路，交流电源、电子开关和负载LOAD构成主交流回路。电子开关的通断由其驱动端控制，电子开关的驱动端与光电耦合器PC的输出端连接，光电耦合器PC控制电子开关的导通与否；直流电压获取电路在电子开关导通时从主交流回路中获取直流电压并为延时关断控制电路提供直流电源；降压整流电路的一端经开关SW连接至交流电源，另一端加至延时关断控制电路的输入端，在开关SW闭合时，加至延时关断控制电路输入端的电压使延时关断控制电路输出高电平；延时关断控制电路的输出端与光电耦合器PC的输入端连接，延时关断控制电路的输出端通过输出高电平或低电平来控制光电耦合器PC的导通与否，从而控制电子开关的导通与否。

电子开关的通断由其第一驱动端G1和第二驱动端G2控制，在第一驱动端G1和第二驱动端G2上连接光电耦合器PC的第一输出端O1和第二输出端O2，光电耦合器PC控制着电子开关的通断与否。光电耦合器PC又由延时关断控制电路来驱动，光电耦合器PC的通断由其第一输入端L1和第二输入端L2控制。延时关断控制电路的直流电源由串联于主交流回路中的直流电压获取电路得到。当电子开关导通时，有负载电流流过直流电压获取电路，产生直流电压供给延时关断控制电路做直流电源用。当电子开关关断时，负载电流被切断，延时关断控制电路的直流电源供给就消失了。因此，当电子开关导通后，延时关断控制电路可以从直流电压获取电路获得稳定的直流电源供给，从而获得任意时长的延时时间。延时关断控制电路是一个具有定时等功能的电路。

当开关SW闭合时，交流电源经降压整流电路加至延时关断控制电路的输入端上，延时关断控制电路的输入端上的电压使延时关断控制电路输出端OUT输出高电平，从而使光电耦合器PC导通，进而驱动电子开关导通，负载LOAD通电工作。

当开关SW断开后，交流电源经降压整流电路加至延时关断控制电路的输入端上电压消失，发出延时命令信号，让延时关断控制电路进入定时状态，开始计时。在延时关断控制电路定时时间到达之前，延时关断控制电路的输出端OUT保持高电平，使负载LOAD保持通电工作状态。直到定时时间到达后，延时关断控制电路的输出端OUT输出低电平，使光电耦合器PC关断，从而使电子开关断开，负载LOAD被切断。

实施例1

如图1、图3和图6所示，电子开关包括单向可控硅SCR，第六二极管D6至第十四二极管D14构成的整流全桥、第二电阻R2、第四电阻R4和第四电容C4。光电耦合器PC为可控硅输出式光耦。直流电压获取电路由第九二极管D9至第十四二极管D14和第五二极管D5担任。第一电阻R1、第一电容C1、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4构成降压整流电路。SW为开关。LOAD为负载。其余电子元件如第一与非门Y1至第四与非门Y4、第五电阻R5、第八电阻R8、第九电阻R9、第五电容C5等构成延时关断控制电路。

整流全桥的正电压输出端与单向可控硅SCR的阳极连接，整流全桥的负电压输出端与单向可控硅SCR的阴极连接，单向可控硅SCR的控制极作为电子开关的第一驱动端G1，单向可控硅SCR的阴极作为电子开关的第二驱动端G2。

延时关断控制电路的第二与非门Y2和第三与非门Y3接成RS锁存器电路，第一与非门Y1的输出端和第二与非门Y2的输入端连接，第三与非门Y3的输出端和第四与非门Y4的输入端连接，第四与非门Y4的输出端经过第八电阻R8作为延时关断控制电路的输出端OUT与光电耦合器PC的第一输入端L1连接，光电耦合器PC的第二输入端L2接地。第三二极管D3的阴极经过第七电阻R7和第一与非门Y1的输入端连接，第三二极管D3的阴极经第六电阻R6接地，第六电阻R6上并联有第六电容C6,第六电容C6的负极接地；第四二极管D4的阴极经过第三电阻R3和第三与非门Y3的输入端连接，第四二极管D4的阴极经第五电阻R5接地，第五电阻R5上并联有第五电容C5，第五电容C5的负极接地；第二二极管D2的阴极接到第二TVS二极管VD2的阴极上，第二TVS二极管VD2的阳极接地，第二二极管D2的阴极经第九电阻R9连接在延时关断控制电路的输出端OUT上，输出端OUT上接有第七电容C7，第七电容C7的另一端接地。

直流电压获取电路的第五二极管D5的阴极作为电压输出端CC。直流电压获取电路的电压输出端CC接到第一与非门Y1至第四与非门Y4的直流电源端VCC上。直流电源端VCC两端并联有第二电容C2、第三电容C3、第一TVS二极管VD1和压敏电阻RV。

当单向可控硅SCR触发导通后，有电流流过第九二极管D9至第十四二极管D14，第九二极管D9至第十四二极管D14两端的电压经第五二极管D5供给第一与非门Y1至第四与非门Y4作为直流电源电压，只要单向可控硅SCR触发导通，第一与非门Y1至第四与非门Y4的直流电源供给就是稳定存在的。当单向可控硅SCR关断时，流过第九二极管D9至第十四二极管D14的电流也为零，第一与非门Y1至第四与非门Y4的直流电源电压供给也就消失了。

第二与非门Y2和第三与非门Y3接成RS锁存器电路，经第四与非门Y4后通过第八电阻R8控制光电耦合器PC的导通与否，进而控制单向可控硅SCR的导通和关断。

当开关SW闭合时，交流电压经第一电容C1、第一二极管D1、第二二极管D2、第二TVS二极管VD2和第九电阻R9的电路，产生大小合适的直流电压驱动光电耦合器PC导通，触发单向可控硅SCR导通，使负载通电工作。

当单向可控硅SCR触发导通后，有电流流过第九二极管D9至第十四二极管D14，第九二极管D9至第十四二极管D14上的直流电压经第五二极管D5后成为第一与非门Y1至第四与非门Y4的直流电源电压来源。此时交流电压也经第三二极管D3、第四二极管D4为第六电容C6、第五电容C5充电，结果是第二与非门Y2和第三与非门Y3构成的RS锁存器输出低电平，再经过第四与非门Y4输出高电平。

此时只要开关SW闭合，光电耦合器PC就导通，单向可控硅SCR由导通的光电耦合器PC和第二电阻R2触发而导通，负载处于通电工作状态。

此后，当开关SW断开时，由第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4来的直流电压消失，第六电容C6上的电压很快就放电完毕，第五电容C5上的电压则需要经过一定的时间才会放至低电平。放电时间由第五电阻R5和第五电容C5的参数来决定。

在第五电容C5上的电压未下降到与非门的输入低电平之前，RS锁存器的状态保持不变，第四与非门Y4输出保持高电平不变。电子开关保持导通，负载保持通电工作状态。

等到第五电容C5上的电压下降到与非门的输入低电平后，RS锁存器的状态翻转，第四与非门Y4输出为低电平，光电耦合器PC的激励消失，单向可控硅SCR被关断截止，负载LOAD处于断电工作状态。此种状态一直保持到开关SW下一次闭合为止。防止状态变化时出现错误动作。

定时时间到达时，第四与非门Y4输出由高电平变位低电平之后，只有第六电容C6上电压变为高电平条件下，由第五电容C5上的高电平信号才能够使锁存器翻转，让单向可控硅SCR导通。避免了单向可控硅SCR关断时，与非门电路上电源电压下降速度快于第五电容C5上电压下降速度而造成的第三与非门Y3输出由低电平变为高电平后又变为低电平的现象。从而避免了电子开关无法可靠地关断的情况出现。

负载通电时，第一与非门Y1至第四与非门Y4有稳定的直流电源供给，因此本实用新型能够实现任意长的延时时间。又能够在延时时间到达负载被关断之后，能够切断控制电路的电源供给，整个电路完全没有待机功率损耗。

电路中的第一TVS二极管VD1和压敏电阻RV并联在第一与非门Y1至第四与非门Y4的直流电源端VCC两端上，能够起到保护集成与非门电路不被过电压损坏的作用。

实施例2

如图1、图3和图7所示，在实施例1中，可控硅输出式光电耦合器PC可以替换为光伏输出式光电耦合器。延时关断控制电路替换为单片机系统。

延时关断电路包括单片机系统和第三三极管TA，直流电压获取电路的电压输出端CC与单片机的直流电源端VCC连接，直流电压获取电路的接地端G与单片机的接地端GND连接后接地，单片机的直流电源端VCC两端依次并联有第八电容C8、第一TVS二极管VD1和压敏电阻RV，用于保护单片机不被过电压损坏。第十三电阻RD将第三三极管TA的集电极连接到直流电源端VCC上，同时第三三极管TA的集电极与单片机系统的输入端I/O1连接，第三三极管TA的发射极接地，降压整流电路的第二二极管D2经第十二电阻RC与第三三极管TA的基极连接，单片机系统的输出端I/O2经第十电阻RA作为延时关断控制电路的输出端OUT与光电耦合器PC的第一输入端L1连接。降压整流电路中的第三二极管D3的阴极经第十一电阻RB连接至延时关断控制电路的输出端OUT上，第三二极管D3的阴极经第二TVS二极管VD2接地，第二TVS二极管VD2起到钳位限压的作用。

当开关SW闭合时，交流电压经降压整流电路后由第三二极管D3变为直流电压驱动光电耦合器PC输出电压、触发单向可控硅SCR导通。经第九二极管D9至第十四二极管D14的直流电压获取电路产生单片机系统的直流电源电压供给。同时有直流电压时第三三极管TA导通，在单片机的I/O1端口上给出低电平信号，通过单片机系统让其I/O2端口输出高电平。

当开关SW断开后，I/O1端口上的低电平信号消失，变为高电平。单片机开始计时工作，在定时时间到达之前其I/O2端口保持高电平输出，通过光电耦合器PC和单向可控硅SCR使负载保持通电工作状态。一直等到延时时间到达时，单片机I/O2端口才输出低电平，通过光电耦合器PC关断单向可控硅SCR、切断负载的工作电流。

使用单片机系统能够使延时开关电路具有更加精确的延时时间参数，也能够让电路具有很长的延时时间。

实施例3

如图1、图2和图8所示，在实施例1中，电子开关可以替换为双向可控硅TR。直流电压获取电路替换为稳压二极管DZ或TVS二极管。

实施例4

如图1和图9所示，在实施例1中，电子开关替换为继电器J的常开触点。直流电压获取电路采用稳压二极管DZ。延时关断控制电路由第五非门Y5、第六非门Y6、第三三极管TA、继电器J的线圈等组成。

电子开关为继电器J的常开触点，延时关断控制电路包括第五非门Y5、第六非门Y6、继电器J的线圈和第三三极管TA，直流电压获取电路的输出电压端CC和第五非门Y5、第六非门Y6的直流电源端VCC相连，第三三极管TA的集电极连接到直流电源端VCC上，第二二极管D2的阴极连接在直流电源端VCC上，第三二极管D3的阴极经第六电阻R6接地，第六电阻R6上并联有第六电容C6，第六电容C6的负极接地。第三二极管D3的阴极经第七电阻R7和第五非门Y5的输入端连接，第五非门Y5的输出端和第六非门Y6的输入端连接，第六非门Y6的输出端与第三三极管TA的基极连接，第三三极管TA的发射极与继电器J的线圈的一端连接，继电器J的线圈的另一端接地，继电器J的线圈两端并联有第十五二极管D15，第十五二极管D15的阳极接地，直流电源端VCC的两端并联有第二电容C2、第三电容C3、第一TVS二极管VD1和压敏电阻RV。

进一步的，图4和图5均为电子开关的代替电路。

其中，图4的电子开关包括整流全桥、第一三极管T1、第二三极管T2和第四电阻R4，整流全桥串联在主交流回路中，整流全桥的正电压输出端与第一三极管T1的集电极和第二三极管T2的集电极连接，整流全桥的负电压输出端与第二三极管T2的发射极连接，第一三极管T1的发射极与第二三极管T2的基极连接，第二三极管T2的基极与发射极之间并联第四电阻R4，第一三极管T1的基极作为电子开关的第一驱动端G1，第二三极管T2的发射极作为电子开关的第二驱动端G2。

图5的电子开关包括整流全桥和场效应管FET，整流全桥串联在主交流回路中，整流全桥的正电压输出端与场效应管FET的漏极连接，整流全桥的负电压输出端与场效应管FET的源极连接，场效应管FET的栅极作为电子开关的第一驱动端G1，场效应管FET的源极作为电子开关的第二驱动端G2。

以上所述仅是本实用新型的优选实施例，并不是对本实用新型技术方案的限定，应当指出，本领域的技术人员，再本实用新型技术方案的前提下，还可以作出进一步的改进和改变，这些改进和改变都应该涵盖在本实用新型的保护范围内。

Claims (10)

1.一种长延时低功耗的二线制延时开关电路，包括交流电源、电子开关和负载，交流电源、电子开关和负载构成主交流回路，其特征在于：还包括直流电压获取电路、光电耦合器（PC）、延时关断控制电路和降压整流电路，所述电子开关的驱动端与光电耦合器（PC）的输出端连接，光电耦合器（PC）控制电子开关的导通与否；直流电压获取电路在电子开关导通时从主交流回路中获取直流电压并为延时关断控制电路提供直流电源；降压整流电路的一端经开关（SW）连接至交流电源，另一端加至延时关断控制电路的输入端，在开关（SW）闭合时，加至延时关断控制电路输入端的电压使延时关断控制电路输出高电平；延时关断控制电路的输出端与光电耦合器（PC）的输入端连接，延时关断控制电路的输出端通过输出高电平或低电平来控制光电耦合器（PC）的导通与否，从而控制电子开关的导通与否。

2.根据权利要求1所述的长延时低功耗的二线制延时开关电路，其特征在于：所述降压整流电路包括RC电路、第一二极管（D1）、第二二极管（D2）、第三二极管（D3）和第四二极管（D4），RC电路的一端经开关（SW）连接至交流电源，RC电路的另一端与第二二极管（D2）、第三二极管（D3）和第四二极管（D4）的阳极连接，第二二极管（D2）、第三二极管（D3）和第四二极管（D4）的阴极分别与延时关断控制电路的第一输入端（V1）、第二输入端（V2）和第三输入端（V3）连接，第一二极管（D1）的阴极分别与第二二极管（D2）、第三二极管（D3）和第四二极管（D4）的阳极连接，第一二极管（D1）的阳极接地，RC电路为第一电阻（R1）和第一电容（C1）并联构成。

3.根据权利要求1所述的长延时低功耗的二线制延时开关电路，其特征在于：所述电子开关包括整流全桥和单向可控硅（SCR）或者场效应三极管（FET），整流全桥串联在主交流回路中，整流全桥的正电压输出端与单向可控硅（SCR）的阳极或者场效应三极管（FET）的漏极连接，整流全桥的负电压输出端与单向可控硅（SCR）的阴极或者场效应三极管（FET）的源极连接，单向可控硅（SCR）的控制极或者场效应三极管（FET）的栅极作为电子开关的第一驱动端（G1），单向可控硅（SCR）的阴极或者场效应三极管（FET）的源极作为电子开关的第二驱动端（G2）。

4.根据权利要求1所述的长延时低功耗的二线制延时开关电路，其特征在于：所述电子开关包括整流全桥、第一三极管（T1）、第二三极管（T2）和第四电阻（R4），整流全桥串联在主交流回路中，整流全桥的正电压输出端与第一三极管（T1）的集电极和第二三极管（T2）的集电极连接，整流全桥的负电压输出端与第二三极管（T2）的发射极连接，第一三极管（T1）的发射极与第二三极管（T2）的基极连接，第二三极管（T2）的基极与发射极之间并联第四电阻（R4），第一三极管（T1）的基极作为电子开关的第一驱动端（G1），第二三极管（T2）的发射极作为电子开关的第二驱动端（G2）。

5.根据权利要求1所述的长延时低功耗的二线制延时开关电路，其特征在于：所述电子开关包括双向可控硅（TR），双向可控硅（TR）的两个主端子连接在主交流回路中，双向可控硅（TR）的控制极作为电子开关的第一驱动端（G1），双向可控硅（TR）与直流电压获取电路连接的主端子作为电子开关的第二驱动端（G2）。

6.根据权利要求2所述的长延时低功耗的二线制延时开关电路，其特征在于：所述延时关断控制电路包括第一与非门（Y1）、第二与非门（Y2）、第三与非门（Y3）、第四与非门（Y4）、第五电阻（R5）、第六电阻（R6）、第五电容（C5）和第六电容（C6），第二与非门（Y2）和第三与非门（Y3）接成RS锁存器电路，第一与非门（Y1）的输出端和第二与非门（Y2）的输入端连接，第三与非门（Y3）的输出端和第四与非门（Y4）的输入端连接，第四与非门（Y4）的输出端经过第八电阻（R8）作为延时关断控制电路的输出端（OUT）与光电耦合器（PC）的第一输入端（L1）连接，第三二极管（D3）的阴极经过第七电阻（R7）和第一与非门（Y1）的输入端连接，第三二极管（D3）的阴极经第六电阻（R6）接地，第六电阻（R6）上并联有第六电容（C6）,第四二极管（D4）的阴极经过第三电阻（R3）和第三与非门（Y3）的输入端连接，第四二极管（D4）的阴极经第五电阻（R5）接地，第五电阻（R5）上并联有第五电容（C5），第一与非门（Y1）、第二与非门（Y2）、第三与非门（Y3）和第四与非门（Y4）的直流电源端（VCC）两端并联有第一TVS二极管（VD1）和压敏电阻（RV）；第二二极管（D2）的阴极经第二TVS二极管（VD2）接地，第二二极管（D2）的阴极经第九电阻（R9）连接在延时关断控制电路的输出端（OUT）上，输出端（OUT）上接有第七电容（C7），第七电容（C7）的另一端接地。

7.根据权利要求2所述的长延时低功耗的二线制延时开关电路，其特征在于：所述延时关断电路包括单片机系统和第三三极管（TA），直流电压获取电路的电压输出端（CC）与单片机的直流电源端（VCC）连接，单片机的直流电源端（VCC）两端依次并联有第八电容（C8）、第一TVS二极管（VD1）和压敏电阻（RV），第十三电阻（RD）一端接在单片机的直流电源端（VCC）上，另一端与第三三极管（TA）的集电极连接，第三三极管（TA）的集电极与单片机系统的输入端（I/O1）连接，第三三极管（TA）的发射极接地，第二二极管（D2）的阴极经第十二电阻（RC）与第三三极管（TA）的基极连接，单片机系统的输出端（I/O2）经第十电阻（RA）作为延时关断控制电路的输出端（OUT）与光电耦合器（PC）的第一输入端（L1）连接，第三二极管（D3）的阴极经第二TVS二极管（VD2）接地，第三二极管（D3）的阴极经第十一电阻（RB）连接在延时关断控制电路的输出端（OUT）上。

8.根据权利要求2所述的长延时低功耗的二线制延时开关电路，其特征在于：所述电子开关为继电器（J）的常开触点，延时关断控制电路包括第五非门（Y5）、第六非门（Y6）、继电器（J）的线圈和第三三极管（TA），直流电压获取电路的电压输出端（CC）和第五非门（Y5）、第六非门（Y6）的直流电源端（VCC）相连，第三三极管（TA）的集电极连接到直流电源端（VCC）上，第二二极管（D2）的阴极连接在直流电源端（VCC）上，第三二极管（D3）的阴极经第六电阻（R6）接地，第六电阻（R6）上并联有第六电容（C6），第三二极管（D3）的阴极经第七电阻（R7）和第五非门（Y5）的输入端连接，第五非门（Y5）的输出端和第六非门（Y6）的输入端连接，第六非门（Y6）的输出端与第三三极管（TA）的基极连接，第三三极管（TA）的发射极与继电器（J）的线圈的一端连接，继电器（J）的线圈的另一端接地，继电器（J）的线圈两端并联有第十五二极管（D15），第十五二极管（D15）的阳极接地，直流电源端（VCC）的两端并联有第二电容（C2）、第三电容（C3）、第一TVS二极管（VD1）和压敏电阻（RV）。

9.根据权利要求1所述的长延时低功耗的二线制延时开关电路，其特征在于：所述光电耦合器（PC）为可控硅输出式光耦或光伏输出式光耦。

10.根据权利要求3、4或5所述的长延时低功耗的二线制延时开关电路，其特征在于：所述直流电压获取电路在电子开关包括整流全桥时为整流全桥的一条臂，由第九二极管（D9）至第十四二极管（D14）串联组成；当电子开关不包括整流全桥时为TVS二极管或者稳压二极管（DZ），稳压二极管（DZ）反相串联在主交流回路中，在第九二极管（D9）至第十四二极管（D14）的阳极或稳压二极管（DZ）的阴极上接有第五二极管（D5）的阳极，第五二极管（D5）的阴极作为直流电压获取电路的电压输出端（CC），第九二极管（D9）至第十四二极管（D14）的阴极或稳压二极管（DZ）的阳极同时作为直流电压获取电路的接地端（G）。

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