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CN209028594U - 一种阵列基板、触控显示面板及触控显示装置 - Google Patents

一种阵列基板、触控显示面板及触控显示装置 Download PDF

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CN209028594U
CN209028594U CN201822203172.5U CN201822203172U CN209028594U CN 209028594 U CN209028594 U CN 209028594U CN 201822203172 U CN201822203172 U CN 201822203172U CN 209028594 U CN209028594 U CN 209028594U
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CN
China
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touching signals
signals line
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sub
touch
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CN201822203172.5U
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English (en)
Inventor
陈俊生
王辉
邵贤杰
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BOE Technology Group Co Ltd
Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本实用新型实施例提供一种阵列基板、触控显示面板及触控显示装置,涉及触控显示技术领域,可解决触控信号线干扰数据线与像素电极之间的像素电容的问题。阵列基板包括:设置在衬底上沿第一方向延伸的多条栅线和沿第二方向延伸的多条数据线;所述第一方向和所述第二方向交叉;所述多条数据线和所述多条栅线限定出多个亚像素,每个所述亚像素包括开口区域和包围所述开口区域的像素界定区域,所述阵列基板还包括:设置在所述衬底上沿所述第二方向延伸的多条触控信号线;其中,至少一条所述触控信号线部分位于所述开口区域内。

Description

一种阵列基板、触控显示面板及触控显示装置
技术领域
本实用新型涉及触控显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、触控显示面板及触控显示装置。
背景技术
近年来,随着显示技术的不断进步,显示装置的厚度越来越薄。对于触控显示装置而言,触控功能的实现方式直接影响着显示装置的整体厚度是否能够减小。根据触控信号线的位置可以将触控显示装置分为屏外触控(On Cell Touch)和屏内触控(In CellTouch)两大类。
以液晶触控显示装置为例,参考图1,图1仅示意出阵列基板10和彩膜基板20,未示意出液晶层,屏内触控方式由于将触控层30(触控层30包括触控电极和触控信号线)设置在显示装置内,不占用显示装置以外的厚度空间,因而减小了显示装置的厚度,成为是当前主流的触控方式。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供一种阵列基板、触控显示面板及触控显示装置,可解决触控信号线干扰数据线与像素电极之间的像素电容的问题。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种阵列基板,包括:设置在衬底上沿第一方向延伸的多条栅线和沿第二方向延伸的多条数据线;所述第一方向和所述第二方向交叉;所述多条数据线和所述多条栅线限定出多个亚像素,每个所述亚像素包括开口区域和包围所述开口区域的像素界定区域,所述阵列基板还包括:设置在所述衬底上沿所述第二方向延伸的多条触控信号线;其中,至少一条所述触控信号线部分位于所述开口区域内。
在一些实施例中,所述阵列基板还包括设置在所述衬底上的像素电极和公共电极;所述公共电极包括相互绝缘的多个子公共电极,每个所述子公共电极与至少一条所述触控信号线电连接。
在一些实施例中,所述像素电极位于所述公共电极靠近所述衬底的一侧,且所述触控信号线位于所述像素电极远离所述公共电极的一侧,所述触控信号线包括位于所述开口区域的第一部分和位于所述像素界定区域的第二部分。
在一些实施例中,所述像素电极在所述衬底上的正投影完全覆盖所述触控信号线的所述第一部分在所述衬底上的正投影。
在一些实施例中,所述像素电极包括第一镂空区域,所述触控信号线的所述第一部分在所述衬底上的正投影位于所述第一镂空区域在所述衬底上的正投影内。
在一些实施例中,所述子公共电极包括第二镂空区域,所述触控信号线的所述第一部分在所述衬底上的正投影位于所述第二镂空区域在所述衬底上的正投影内。
在一些实施例中,所述第一镂空区域和所述第二镂空区域均为沿第二方向延伸的条状,所述第一镂空区域和所述第二镂空区域至少部分重叠,且所述第一镂空区域在所述第一方向上的宽度小于所述第二镂空区域在所述第一方向上的宽度。
在一些实施例中,至少一条所述触控信号线与相邻两条所述数据线之间的距离相等。
在一些实施例中,所述触控信号线的条数与沿所述第一方向排列的所述亚像素的个数相同。
在一些实施例中,所述触控信号线的宽度为1.5~4μm。
在一些实施例中,与所述子公共电极电连接的多条所述触控信号线中相邻所述触控信号线的间距相同。
第二方面,提供一种触控显示面板,包括:上述的阵列基板。
第三方面,提供一种触控显示装置,包括控制单元和上述的触控显示面板;与触控电极电连接的多条触控信号线均与所述控制单元相连,所述控制单元用于根据所述与触控电极电连接的多条触控信号线上的信号变化实现触控。
本实用新型实施例提供一种阵列基板、触控显示面板及触控显示装置,相对于相关技术中,将触控信号线全部设置在像素界定区域,本实用新型实施例在设计触控信号线时,至少一条触控信号线部分位于开口区域内,由于触控信号线未全部设置在像素界定区域,即未设置在像素电极和数据线之间,因而触控信号线不会屏蔽掉数据线上的信号,规避了触控信号线干扰数据线与像素电极之间的像素电容的问题。这样一来,在栅线逐行扫描时,像素电极左右两侧的数据线与该像素电极的像素电容基本相等,即Cpd≈Cpd′,因此每个亚像素左右两侧的数据线信号变化引起的电容变化基本相等,即ΔC≈0,消除了相关技术中,触控信号线屏蔽数据线带来的像素电容偏移的问题。基于此,施加到像素电极上的电压变化ΔVp≈0,这样一来,施加到每个亚像素的像素电极上的电压不会减小,因而每个亚像素的亮度不会降低,确保了显示画面的品质,且避免了显示画面各种颜色亮度配比变化导致的色偏不良。
在此基础上,相关技术中,由于将触控信号线全部设置在像素界定区域,因而会占用像素界定区域的面积,导致像素开口率降低。而本实用新型实施例中,由于至少一条触控信号线部分位于开口区域内,因而可以减少占用的像素界定区域的面积,且开口区域的分布均一性好。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种液晶触控显示装置的结构示意图;
图2为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图一;
图3为相关技术提供的一种触控显示装置的结构示意图;
图4为相关技术提供的一种一个触控电极覆盖多个像素的结构示意图;
图5为相关技术提供的一种触控信号线的设置位置结构示意图;
图6a为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图二;
图6b为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图三;
图6c为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图四;
图7a为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图五;
图7b为图7a沿AA向的剖视示意图;
图8a为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图六;
图8b为图8a沿BB向的剖视示意图;
图9a为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图七;
图9b为图9a沿CC向的剖视示意图;
图10a为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图八;
图10b为图10a沿DD向的剖视示意图;
图11a为本实用新型实施例提供的一种公共电极的结构示意图;
图11b为本实用新型实施例提供的另一种公共电极的结构示意图。
附图标记:
01-亚像素;02-开口区域;03-像素界定区域;10-阵列基板;20-彩膜基板;30-触控层;40-数据线;50-栅线;60-触控电极;70-触控信号线;80-像素电极;90-公共电极;901-子公共电极;100-第一绝缘层;110-第二绝缘层;120-黑矩阵图案;130-衬底。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型实施例提供一种阵列基板10,如图2所示,包括:设置在衬底上沿第一方向延伸的多条栅线(Gate line)50和沿第二方向延伸的多条数据线(Data line)40;第一方向和第二方向交叉;多条数据线40和多条栅线50限定出多个亚像素01,每个亚像素01包括开口区域02和包围开口区域02的像素界定区域03。图2中点划线围成的区域为一个亚像素01,虚线圈围成的区域为开口区域02,亚像素01中除开口区域02以外的区域为像素界定区域03。
此处,第一方向和第二方向交叉,在一些实施例中,第一方向和第二方向垂直;在另一些实施例中,第一方向和第二方向之间的夹角为锐角。
需要说明的是,在阵列基板10为液晶显示装置中的阵列基板的情况下,开口区域02为透光区域,像素界定区域03为非透光区域。在阵列基板10为自发光显示装置例如有机电致发光显示装置中的阵列基板的情况下,开口区域02为发光区域,像素界定区域03为非发光区域。本实用新型附图中均以阵列基板10为液晶显示装置中的阵列基板为例进行示意。
对于屏内触控显示装置,如图3所示,触控层设置在阵列基板10的显示区域,显示区域的长和宽分别为c和d,触控层包括呈矩阵排列的多个触控电极60(也称触控单元),每个触控电极60与一条触控信号线(Tx)70电连接,触控电极60的长和宽分别为a和b。如图4所示,每个触控电极60覆盖呈矩阵排列的多个像素,每个像素包括多个亚像素01,如红色亚像素(R)、绿色亚像素(G)和蓝色亚像素(B)。为了实现对每个亚像素01的开口区域02发出光的亮度的控制,每个亚像素01的开口区域02设置一个像素电极80,附图中像素电极80所在的区域为开口区域02,亚像素01中除像素电极80以外的区域为像素界定区域03。
相关技术中,如图5所示,触控信号线70全部设置在像素界定区域03,附图5以每个像素中设置两条触控信号线70为例。在栅线50逐行扫描时,每个亚像素01中像素电极80和数据线40之间的电容会发生变化,每个亚像素01中像素电极80和数据线40之间的电容变化量ΔC=Cpd-Cpd′,Cpd为像素电极80与其左侧的数据线40之间的电容,Cpd′为像素电极80与其右侧的数据线40之间的电容。根据公式可知,施加在像素电极80上的电压变化量ΔVp与ΔC成正比。而ΔVp越大,施加在像素电极80上的像素电压越小。在未设置触控信号线70的情况下,栅线50逐行扫描时,每个亚像素01中像素电极80左右两侧的数据线40信号变化引起的电容变化基本相等,即Cpd≈Cpd′,因此ΔC≈0。而在触控信号线70设置在像素界定区域03的情况下,如图5所示,对于红色亚像素和蓝色亚像素而言,由于像素电极80的左侧设置有触控信号线70,触控信号线70对其左侧的数据线40有屏蔽作用,触控信号线70会干扰像素电极80与其左侧的数据线40之间的电容,因此像素电极80与其左侧的数据线40之间的像素电容Cpd≈0,这样像素电容的变化量ΔC取决于像素电极80与其右侧的数据线40之间的像素电容Cpd′,因而设置有触控信号线70时,红色亚像素和蓝色亚像素的ΔC≈Cpd′。由于红色亚像素和蓝色亚像素的ΔVp增加,因而施加到红色亚像素和蓝色亚像素的电压会偏低,这样一来红色亚像素和蓝色亚像素的亮度会降低,从而影响了显示画面的品质,且红色亚像素、蓝色亚像素和绿色亚像素的电压偏差不同时,还会影响显示画面正常的红色、蓝色和绿色的亮度配比,导致色偏不良。
基于上述,本实用新型的一些实施例,如图6a、图6b以及图6c所示,阵列基板10还包括:设置在衬底上沿第二方向延伸的多条触控信号线70;其中,至少一条触控信号线70部分位于开口区域02内,即一条触控信号线70包括位于开口区域02的第一部分和位于像素界定区域03的第二部分。
此处,由于至少一条触控信号线70部分位于开口区域02内,为了避免设置在开口区域02的触控信号线70影响亚像素01的正常显示,因而设置的触控信号线70的宽度以不影响亚像素01的正常显示为准。在一些实施例中,触控信号线70的宽度为1.5~4μm。
在一些实施例中,触控信号线70的材料为非透明导电材料,例如为金属。由于触控信号线70部分位于开口区域02内,为了避免触控信号线70影响亚像素01的正常显示,因而在另一些实施例中,触控信号线70的材料为透明导电材料,例如ITO(Indium Tin Oxide,氧化铟锡)或IZO(Indium Zinc Oxide,氧化铟锌)等。
本领域技术人员应该明白,阵列基板10除包括数据线40、栅线50和触控信号线70外,还包括触控电极60、薄膜晶体管等。其中,薄膜晶体管包括源极、漏极、有源层、栅极以及栅绝缘层。基于此,在一些实施例中,触控信号线70可以与阵列基板10上的导电图案层同时制作,这样可以简化阵列基板10的制作工艺。例如,触控信号线70可以但不限于与数据线40同时制作。在另一些实施例中,触控信号线70可以单独制作,不与其它图案层同时制作。
阵列基板包括多条触控信号线70,可以是多条触控信号线70中的一条触控信号线70的部分位于开口区域02内;也可以是多条触控信号线70中两条或两条以上多条触控信号线70的部分位于开口区域02内。本实用新型实施例优选的,每条触控信号线70在衬底上的正投影部分位于开口区域02内。在此基础上,在一些实施例中,至少一条触控信号线70部分位于一个或多个开口区域02内。本实用新型实施例优选的,至少一条触控信号线70部分位于一列亚像素01的开口区域02内。
相对于相关技术中,将触控信号线70全部设置在像素界定区域03,本实用新型实施例在设计触控信号线70时,至少一条触控信号线70部分位于开口区域02内,由于触控信号线70未全部设置在像素界定区域03,即未设置在像素电极80和数据线40之间,因而触控信号线70不会屏蔽掉数据线40上的信号,规避了触控信号线70干扰数据线40与像素电极80之间的像素电容的问题。这样一来,在栅线50逐行扫描时,像素电极80左右两侧的数据线40与该像素电极80的像素电容基本相等,即Cpd≈Cpd′,因此每个亚像素01左右两侧的数据线40信号变化引起的电容变化基本相等,即ΔC≈0,消除了相关技术中,触控信号线70屏蔽数据线40带来的像素电容偏移的问题。基于此,施加到像素电极80上的电压变化ΔVp≈0,这样一来,施加到每个亚像素01的像素电极80上的电压不会减小,因而每个亚像素01的亮度不会降低,确保了显示画面的品质,且避免了显示画面各种颜色亮度配比变化导致的色偏不良。
在此基础上,相关技术中,由于将触控信号线70全部设置在像素界定区域03,因而会占用像素界定区域03的面积,导致像素开口率降低。而本实用新型实施例中,由于至少一条触控信号线70部分位于开口区域02内,因而可以减少占用的像素界定区域03的面积,且开口区域02的分布均一性好。
至少一条触控信号线70部分位于开口区域02内时,对于触控信号线70在开口区域02的设置位置不进行限定。对于一条触控信号线70,在一些实施例中,触控信号线70与相邻两条数据线40之间的距离相等。在另一些实施例中,触控信号线70与相邻两条数据线40之间的距离不相等。由于每个亚像素01中的像素电极80都会与左右两侧的数据线40产生像素电容,为了进一步确保触控信号线70对其左右两侧的像素电容的影响是相同的,因而本实用新型实施例优选的,至少一条触控信号线70与相邻两条数据线40之间的距离相等。进一步优选的,每条触控信号线70与相邻两条数据线40之间的距离都相等。
本实用新型实施例,对于阵列基板10上设置的触控信号线70的条数不进行限定。在一些实施例中,如图6c所示,触控信号线70的条数与沿第一方向排列的亚像素01的个数相同,即每列亚像素01都设置一条触控信号线70。在另一些实施例中,根据一个触控电极60覆盖的像素列数与阵列基板10上触控电极60的行数来设计触控信号线70的条数。具体的,当一个触控电极60覆盖的像素列数大于阵列基板10上触控电极60的行数时,示例的,一个触控电极60覆盖的像素列数为45列,阵列基板10上触控电极60的行数为36行,如图6a所示,每个像素设置一条触控信号线70。当一个触控电极60覆盖的像素列数小于阵列基板10上触控电极60的行数时,示例的,一个触控电极60覆盖的像素列数为40列,阵列基板10上触控电极60的行数为48,如图6b所示,每个像素设置至少两条触控信号线70。
考虑到,触控信号线70可能会影响像素电极80的电场,对于一个像素中的不同亚像素01,若在其中一个亚像素01的开口区域02设置触控信号线70,在另一个亚像素01的开口区域02不设置触控信号线70,则设置有触控信号线70的亚像素01中像素电极80的电场变化量和未设置有触控信号线70的亚像素01中像素电极80的电场变化量不同,从而导致不同亚像素01中像素电极80的电场偏差不同,从而影响显示画面不同颜色的亮度配比,导致色偏不良。示例的,如图6a所示,触控信号线70经过一列像素中绿色亚像素的开口区域02,此时触控信号线70会影响绿色亚像素中像素电极80的电场,而由于红色亚像素和蓝色亚像素中未设置触控信号线70,因而红色亚像素和蓝色亚像素中像素电极80的电场不受影响,这样一来,红色亚像素和蓝色亚像素中像素电极80的电场偏差与绿色亚像素中像素电极80的电场偏差不同,绿色亚像素的亮度相对预设值会发生变化,而红色亚像素和蓝色亚像素的亮度相对预设值不会发生变化,从而使得预设的红光、绿光和蓝光的亮度配比发生变化,导致色偏不良。基于上述,本实用新型实施例优选的,如图6c所示,触控信号线70的条数与沿第一方向排列的亚像素01的个数相同,这样每列亚像素01都设置一条触控信号线70,从而确保了触控信号线70对每个亚像素01的影响都是相同的,保证了显示装置不会由于亚像素01的电场偏差不同而出现色偏问题。
本领域技术人员应该明白,触控信号线70与触控电极60电连接,阵列基板必然还包括触控电极60。对于触控电极60的尺寸不进行限定,可以根据人的两根手指分离度(一般为10mm)进行设置。手指分离度保证了在触摸显示装置时,可以正常对画面进行触控操作。优选的,将触控电极60设置为小于5mm×5mm的面积单元。进一步地,可以根据产品的显示区域的大小和分辨率设置触控电极60的尺寸。
在一些实施例中,可以在衬底上单独制作触控电极60,触控电极60仅用于实现触控功能。在另一些实施例中,如图7a、图8a、图9a以及图10a所示,阵列基板10还包括设置在衬底130上的公共电极(Commonelectrode)90和像素电极(Pixelelectrode)80。公共电极90包括相互绝缘的多个子公共电极901,每个子公共电极901与至少一条触控信号线70电连接。
此处,子公共电极901复用为触控电极60。一个子公共电极901相当于一个触控电极60。
公共电极90和像素电极80的材料均为透明导电材料,例如ITO或IZO。
需要说明的是,当阵列基板10为自发光器件中的阵列基板时,像素电极80也可称为阳极,公共电极90也可称为阴极。
在一些实施例中,一个子公共电极901与一条触控信号线70电连接。在触控信号线70条数较多的情况下,如子公共电极901覆盖的触控信号线70的条数大于阵列基板10上子公共电极901的行数,在另一些实施例中,一个子公共电极901与两条或两条以上触控信号线70电连接。考虑到,子公共电极901和触控信号线70通常不同层制作,触控信号线70需通过过孔和子公共电极901电连接,若一个子公共电极901与两条或两条以上触控信号线70电连接,则需要设置两个或两个以上过孔,这样便使得过孔数量增加,从而增加了制作阵列基板10的工艺难度。基于此,本实用新型实施例优选的,一个子公共电极901与一条触控信号线70电连接。
在此基础上,可以根据需要选择多条触控信号线70中任意的触控信号线70与子公共电极901电连接。若与子公共电极901电连接的多条触控信号线70中相邻触控信号线70的间距不完全相同,则与子公共电极901电连接的多条触控信号线70中间距较小的相邻触控信号线70上的触控信号可能会相互影响,因而优选的,与子公共电极901电连接的多条触控信号线70中相邻触控信号线70的间距相同。
本实用新型实施例,子公共电极901复用为触控电极60,子公共电极901既可以用于实现触控功能,又可以与像素电极80配合,驱动液晶偏转。由于无需单独制作触控电极60,因而一方面简化了阵列基板10的制作工艺,另一方面减小了阵列基板10的厚度。在一些实施例中,公共电极90和像素电极80设置在同一层。在另一些实施例中,如图7a、图8a、图9a以及图10a所示,公共电极90和像素电极80设置在不同层;阵列基板10还包括设置在公共电极90和像素电极80之间的第一绝缘层100。
当公共电极90和像素电极80设置在不同层时,对于公共电极90、像素电极80和触控信号线70的设置位置不进行限定。在一些实施例中,触控信号线70设置在公共电极90和像素电极80之间。在另一些实施例中,触控信号线70设置在公共电极90远离像素电极80的一侧,或者触控信号线70设置在像素电极80远离公共电极90的一侧。本实用新型实施例,优选的,像素电极80位于公共电极90靠近衬底130的一侧,且触控信号线70位于像素电极80远离公共电极90的一侧,触控信号线70包括位于开口区域02的第一部分和位于像素界定区域03的第二部分。
本领域技术人员应该明白,触控信号线70设置在像素电极80远离公共电极90的一侧,为确保触控信号线70和公共电极90相互绝缘,触控信号线70和公共电极90之间还设置有第二绝缘层110。
附图7a、图8a、图9a以及图10a示意出阵列基板10一个开口区域02的结构示意图。图7b为图7a沿AA向的剖视示意图,图8b为图8a沿BB向的剖视示意图,图9b为图9a沿CC向的剖视示意图,图10b为图10a沿DD向的俯视示意图。如图7a、图8a、图9a和图10a所示,黑矩阵图案120位于像素界定区域03,黑矩阵图案120限定出多个开口区域02。
其中,对于第一绝缘层100的材料不进行限定,可以为无机材料,例如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅;也可以为有机树脂等。
公共电极90包括多个子公共电极901,对于子公共电极901的结构不进行限定,在一些实施例中,如图11a所示,子公共电极901为块状,即子公共电极901无镂空区域。在另一些实施例中,如图11b所示,子公共电极901包括第二镂空区域。对于子公共电极901包括的第二镂空区域的个数不进行限定,可以根据子公共电极901的大小进行相应设置。此外,对于第二镂空区域的形状不进行限定,在一些实施例中,如图11b所示,第二镂空区域为沿第二方向延伸的条状。相对于子公共电极901无镂空区域,当子公共电极901包括第二镂空区域时,由于子公共电极901的面积减小,因而可以降低整个像素的功耗。当子公共电极901无镂空区域时,子公共电极901与像素电极80之间的电场强度较大,从而使得像素的透过率增加。
对于像素电极80的结构不进行限定,在一些实施例中,如图7a、图7b、图8a以及图8b所示,像素电极80为块状,像素电极80无镂空区域。在另一些实施例中,如图9a、图9b、图10a以及图10b所示,像素电极80包括第一镂空区域。相对于像素电极80无镂空区域,当像素电极80包括第一镂空区域时,由于像素电极80的面积减小,因而可以降低整个像素的功耗。当像素电极80无镂空区域时,公共电极90与像素电极80之间的电场强度较大,从而使得像素的透过率增加。优选的,如图7a、图7b、图8a以及图8b所示,触控信号线70包括位于开口区域02的第一部分和位于像素界定区域03的第二部分,像素电极80在衬底130上的正投影完全覆盖触控信号线70的第一部分在衬底130上的正投影。
需要说明的是,在像素电极80在衬底130上的正投影完全覆盖触控信号线70的第一部分在衬底130上的正投影时,此时一个像素电极80可以包括第一镂空区域,也可以无镂空区域。本实用新型实施例优选的,如图7a、图7b、图8a以及图8b所示,像素电极80无镂空区域。
在像素电极80在衬底130上的正投影完全覆盖触控信号线70的第一部分在衬底130上的正投影的情况下,可以是子公共电极901包括第二镂空区域;也可以是子公共电极901不包括镂空区域。当子公共电极901包括第二镂空区域时,在一些实施例中,如图7a和图7b所示,触控信号线70的第一部分在衬底130上的正投影与子公共电极901在衬底130上的正投影至少部分重叠。在另一些实施例中,如图8a和图8b所示,触控信号线70的第一部分在衬底130上的正投影位于第二镂空区域在衬底130上的正投影内。
本实用新型实施例,由于像素电极80在衬底130上的正投影完全覆盖触控信号线70的第一部分在衬底130上的正投影,因而触控电极80可以将触控信号线70的电场屏蔽掉,减小了触控信号线70对像素电极80和公共电极90的电场的影响,提高了整体像素的透过率。在像素电极80包括第一镂空区域的情况下,触控信号线70包括位于开口区域02的第一部分和位于像素界定区域03的第二部分,如图9a、图9b、图10a以及图10b所示,触控信号线70的第一部分在衬底130上的正投影位于第一镂空区域在衬底130上的正投影内。
在像素电极80包括第一镂空区域的情况下,在一些实施例中,如图9a、图9b、图10a以及图10b所示,子公共电极901包括第二镂空区域。在另一些实施例中,子公共电极901不包括镂空区域。在像素电极80包括第一镂空区域,子公共电极901包括第二镂空区域时,可以是如图9a和图9b所示,触控信号线70的第一部分在衬底130上的正投影与像素电极80在衬底130上的正投影无重叠区域,与子公共电极901在衬底130上的正投影有重叠区域;也可以是如图10a以及图10b所示,触控信号线70的第一部分在衬底130上的正投影位于第一镂空区域在衬底130上的正投影内,且位于第二镂空区域在衬底130上的正投影内。本实用新型实施例,在像素电极80包括第一镂空区域的情况下,像素电极80的第一镂空区域与公共电极90的电场较弱,在设计触控信号线70时,触控信号线70的第一部分在衬底130上的正投影位于第一镂空区域在衬底130上的正投影内,即将触控信号线70设置在与像素电极80的第一镂空区域正对的位置,这样一来,触控信号线70对像素电极80和公共电极90的电场的影响较小,提高了亚像素加压情况下的透过率。
在子公共电极901包括第二镂空区域的情况下,如图8a、图8b、图10a以及图10b所示,触控信号线70包括位于开口区域02的第一部分和位于像素界定区域03的第二部分,触控信号线70的第一部分在衬底130上的正投影位于第二镂空区域在衬底130上的正投影内。
此处,对于像素电极80的结构不进行限定。像素电极80可以包括第一镂空区域,也可以无镂空区域。在像素电极80包括第一镂空区域的情况下,对于第一镂空区域的个数、形状等均不进行限定,可以根据需要进行任意设置。
本实用新型实施例,触控信号线70的第一部分在衬底130上的正投影位于子公共电极901的第二镂空区域在衬底130上的正投影内,即触控信号线70设置在与子公共电极901的第二镂空区域正对的位置处,由于子公共电极901的第二镂空区域与像素电极80的电场较弱,因而将触控信号线70设置在与子公共电极901的第二镂空区域正对的位置处,对像素电极80和公共电极90的电场的影响较小,提高了亚像素加压情况下的透过率。在像素电极80包括第一镂空区域,子公共电极901包括第二镂空区域的情况下,在一些实施例中,如图10a和图10b所示,第一镂空区域和第二镂空区域均为沿第二方向延伸的条状。
对于条状的第一镂空区域和第二镂空区域在第一方向上的宽度不进行限定,在一些实施例中,第一镂空区域在第一方向上的宽度H与第二镂空区域在第一方向上的宽度L相等。在另一些实施例中,第一镂空区域在第一方向上的宽度H小于第二镂空区域在第一方向上的宽度L。在另一些实施例中,第一镂空区域在第一方向上的宽度大于第二镂空区域在第一方向上的宽度L。本实用新型实施例优选的,如图10a和图10b所示,第一镂空区域和第二镂空区域至少部分重叠,且第一镂空区域在第一方向上的宽度H小于第二镂空区域在第一方向上的宽度L。
本实用新型实施例提供一种触控显示面板,包括上述的阵列基板。
其中,对于触控显示面板的类型不进行限定,在一些实施例中,触控显示面板为液晶显示面板(Liquid Crystal Display,简称LCD)。此时触控显示面板除包括阵列基板10外,还包括彩膜基板20以及设置在阵列基板10和彩膜基板20之间的液晶层。在另一些实施例中,触控显示面板为自发光显示面板,例如有机电致发光显示面板(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)或量子点电致发光显示面板(Quantum Dot Light-EmittingDisplay,简称QLED)。在触控显示面板为自发光显示面板的情况下,阵列基板还包括发光功能层。触控显示面板还包括用于封装阵列基板10的封装层。
本实用新型实施例提供一种触控显示面板,触控显示面板包括上述的阵列基板,触控显示面板中的阵列基板具有与上述实施例提供的阵列基板相同的结构和有益效果,由于上述实施例已经对阵列基板的结构和有益效果进行了详细的描述,因而此处不再赘述。
本实用新型实施例还提供一种触控显示装置,包括控制单元和上述的触控显示面板;与触控电极60电连接的多条触控信号线70均与控制单元相连,控制单元用于根据与触控电极60电连接的多条触控信号线70上的信号变化实现触控。
此处,控制单元例如可以为驱动IC(Integrated Circuit,集成电路)。
需要说明的是,未与触控电极60电连接的其它触控信号线70可以设置为Dummy信号线,可以与控制单元相连接,由控制单元给未与触控电极60电连接的其它触控信号线70提供一定的电压。当然,未与触控电极60电连接的其它触控信号线70还可以与电压输入端相连接,由电压输入端给未与触控电极60电连接的其它触控信号线70输入一定的电压。本实用新型实施例包括但不限于上述两种方式。
其中,触控显示装置可以是显示不论运动(例如,视频)还是固定(例如,静止图像)的且不论文字还是的图像的任何装置。更明确地说,预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联,所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航器、相机、MP4视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如,里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如,车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如,对于一件珠宝的图像的显示器)等。
本实用新型实施例提供一种触控显示装置,触控显示装置包括上述的触控显示面板,触控显示面板包括阵列基板,触控显示面板中的阵列基板具有与上述实施例提供的阵列基板相同的结构和有益效果,由于上述实施例已经对阵列基板的结构和有益效果进行了详细的描述,因而此处不再赘述。
本实用新型实施例以10.1WUXGA触控显示装置为例,在设计触控信号线70时,触控信号线70部分位于开口区域02内。对10.1WUXGA的实际样品触控性能进行实测,测试内容和结果如表1所示。
表1
根据表1的实测结果可以看出,触控显示装置的触控功能良好,满足实际要求。
以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种阵列基板,包括:设置在衬底上沿第一方向延伸的多条栅线和沿第二方向延伸的多条数据线;所述第一方向和所述第二方向交叉;所述多条数据线和所述多条栅线限定出多个亚像素,每个所述亚像素包括开口区域和包围所述开口区域的像素界定区域,其特征在于,所述阵列基板还包括:
设置在所述衬底上沿所述第二方向延伸的多条触控信号线;
其中,至少一条所述触控信号线部分位于所述开口区域内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置在所述衬底上的像素电极和公共电极;
所述公共电极包括相互绝缘的多个子公共电极,每个所述子公共电极与至少一条所述触控信号线电连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极位于所述公共电极靠近所述衬底的一侧,且所述触控信号线位于所述像素电极远离所述公共电极的一侧,所述触控信号线包括位于所述开口区域的第一部分和位于所述像素界定区域的第二部分。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极在所述衬底上的正投影完全覆盖所述触控信号线的所述第一部分在所述衬底上的正投影。
5.根据权利要求3或4所述的阵列基板,其特征在于,所述子公共电极包括第二镂空区域,所述触控信号线的所述第一部分在所述衬底上的正投影位于所述第二镂空区域在所述衬底上的正投影内。
6.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极包括第一镂空区域,所述触控信号线的所述第一部分在所述衬底上的正投影位于所述第一镂空区域在所述衬底上的正投影内。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述子公共电极包括第二镂空区域,所述触控信号线的所述第一部分在所述衬底上的正投影位于所述第二镂空区域在所述衬底上的正投影内。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第一镂空区域和所述第二镂空区域均为沿第二方向延伸的条状,所述第一镂空区域和所述第二镂空区域至少部分重叠,且所述第一镂空区域在所述第一方向上的宽度小于所述第二镂空区域在所述第一方向上的宽度。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,至少一条所述触控信号线与相邻两条所述数据线之间的距离相等。
10.根据权利要求1或9所述的阵列基板,其特征在于,所述触控信号线的条数与沿所述第一方向排列的所述亚像素的个数相同。
11.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述触控信号线的宽度为1.5~4μm。
12.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,与所述子公共电极电连接的多条所述触控信号线中相邻所述触控信号线的间距相同。
13.一种触控显示面板,其特征在于,包括:如权利要求1-12任一项所述的阵列基板。
14.一种触控显示装置,其特征在于,包括控制单元和如权利要求13所述的触控显示面板;
与触控电极电连接的多条触控信号线均与所述控制单元相连,所述控制单元用于根据所述与触控电极电连接的多条触控信号线上的信号变化实现触控。
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