CN208094523U - 一种高可靠性smd晶体谐振器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型实施例公开了一种高可靠性SMD晶体谐振器，包括晶片和基座，所述基座上固设有所述晶片；所述晶片上设有长方形镀膜主电极，以及主电极引出端和副电极引出端；所述主电极引出端和副电极引出端位于所述晶片的周边，所述主电极引出端与所述长方形镀膜主电极相连；并且，在所述副电极引出端和/或所述主电极引出端的点胶区域设置有空白区域，所述空白区域无镀层，且所述空白区域的面积为0.025‑0.030mm2。能够使得导电胶有一部分在该空白区域直接与晶片本体接触，加强了晶片与基座之间的粘接强度，从而能够在受到撞击后，不容易形成晶片松动，达到提高晶体谐振器的可靠性的目的，并能够更好的适应电子市场的需求。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子元件领域，尤其涉及一种高可靠性SMD晶体谐振器。
背景技术
晶体谐振器(即晶振)的主要电性能参数，例如频率、电阻等都是由晶片的性能决定。石英晶片在未加工时，导电性差且频率偏差大，在晶振制造中都要在晶片部分表面镀上一层银，作为晶片的电极(此电极的面积小于晶片表面积)，使晶体在电场的作用下形成逆压电效应。
为了保护晶片，一般是将晶片放置在基座内，再使用上盖与基座压封。晶片是利用导电胶固定在基座内部的，其牢固程度直接影响了晶振的可靠性。
由于导电胶是覆盖在晶片主副电极的镀层上，因而固定晶片与基座的粘结强度相对较差，在受到撞击后，容易形成晶片松动，造成产品的可靠性下降。
因此，有必要提供一种晶片与基座的粘结强度相对较强，在受到撞击后，不容易形成晶片松动的晶体谐振器。
实用新型内容
针对上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种高可靠性SMD晶体谐振器，能够将晶片与基座之间的导电胶有一部分直接与晶片本体接触，提高晶片与基座之间的粘接强度，提高产品的可靠性。
为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：
一种高可靠性SMD晶体谐振器，包括晶片和基座，所述基座上固设有所述晶片；所述晶片上设有长方形镀膜主电极，以及主电极引出端和副电极引出端；所述主电极引出端和副电极引出端位于所述晶片的周边，所述主电极引出端与所述长方形镀膜主电极相连；并且，在所述副电极引出端和/或所述主电极引出端的点胶区域设置有空白区域，所述空白区域无镀层，且所述空白区域的面积为0.025-0.030mm2。
进一步的，所述空白区域设置于所述晶片周边的拐角处。
进一步的，所述空白区域包括不连续的多块空白区域。
进一步的，所述长方形镀膜主电极具有两层镀膜，其中，第一层镀膜为 Cr，第二层镀膜为Ag。
进一步的，所述晶片为薄片状二氧化硅。
进一步的，所述晶片以胶粘的方式固定在所述基座上。
进一步的，所述主电极引出端和副电极引出端通过依次粘接有导电面胶和导电底胶与所述基座固定。
进一步的，所述晶片为SMD型晶片。
本实用新型实施例提供的技术方案中，有益效果在于：本实用新型所提供的一种高可靠性SMD晶体谐振器，区别于现有技术中将晶片放置在基座内，利用导电胶固定在基座内部，再使用上盖与基座压封，由于导电胶是覆盖在晶片主副电极的镀层上，因而固定晶片与基座的粘结强度相对较差，在受到撞击后，容易形成晶片松动，易造成产品的可靠性下降的问题。本实用新型提供的一种晶片，在所述晶片上的副电极引出端和/或主电极引出端的点胶区域设置有面积为0.025-0.030mm2空白区域，其优势在于，能够使得导电胶有一部分在该空白区域直接与晶片本体接触，其既不影响晶体谐振器的导电性能，又加强了晶片与基座之间的粘接强度，从而能够在受到撞击后，不容易形成晶片松动，达到提高晶体谐振器的可靠性的目的，并能够更好的适应电子市场的需求。
附图说明
图1为本实用新型中高可靠性SMD晶体谐振器结构的一个实施例示意图；
图2为本实用新型中高可靠性SMD晶体谐振器结构的另一实施例示意图。
图3为本实用新型中高可靠性SMD晶体谐振器部分结构放大示意图。
标号说明：
1-晶片；2-副电极引出端；3-第一空白区域；4-主电极引出端；5-第二空白区域；6-长方形镀膜主电极。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”“轴向”、“周向”、“径向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
本实用新型最关键的构思在于：在所述晶片上的副电极引出端和/或主电极引出端的点胶区域设置有空白区域，使得导电胶有一部分在该空白区域直接与晶片本体接触，从而加强了晶片与基座之间的粘接强度，达到提高晶体谐振器的可靠性的目的，并能够更好的适应电子市场的需求。
下面参照附图对本实用新型实施例中高可靠性SMD晶体谐振器进行描述，如图1所示，本实用新型实施例中高可靠性SMD晶体谐振器一个实施例包括：晶片1和基座，所述基座上固设有所述晶片1；所述晶片1上设有长方形镀膜主电极6，以及主电极引出端4和副电极引出端2；所述主电极引出端4和副电极引出端2位于所述晶片1的周边，所述主电极引出端4与所述长方形镀膜主电极6相连；并且，在所述副电极引出端2和/或所述主电极引出端4的点胶区域设置有空白区域，所述空白区域无镀层，且所述空白区域的面积为 0.025-0.030mm2。
其中，在所述副电极引出端2的点胶区域设置有第一空白区域3，在所述主电极引出端4的点胶区域设置有第二空白区域5，且所述第一空白区域3和所述第二空白区域5皆可为面积为0.025-0.030mm2的任意形状。所述第一空白区域3和第二空白区域5可以设置于所述晶片1周边的拐角处，如图1所示。
并且，在本实用新型的一些实施例中，本实用新型也可在一个电极引出端设置空白区域，图2所示为本实用新型在副电极引出端2设置空白区域的实施例，晶片1上副电极引出端2在晶片1拐角处设有第一空白区域3。同理，本实用新型也可只在主电极引出端3设置空白区域，晶片1上主电极引出端4在晶片1拐角处设有第二空白区域5。
优选的，在所述空白区域中可以不为一块连续的区域，其可以包括不连续的多块空白区域，如图3所示，在第一空白区域3中设置有多块空白区域，其可以在点胶后，导电胶覆盖该空白区域时，使得导电胶与晶片1本体直接接触，并还可以使得该导电胶同时与副电极引出端2上的镀层接触，从而极大的加强了晶片1在基座上的粘结强度。可以理解的是，上述多块空白区域的面积总和可以为0.025-0.030mm2，并且上述多块空白区域的形状并不限于图3中所示的圆形。
从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：本实用新型提供的一种晶片1，在所述晶片1上的副电极引出端2和/或主电极引出端3的点胶区域设置有面积为0.025-0.030mm2空白区域，其优势在于，能够使得导电胶有一部分在该空白区域直接与晶片1本体接触，其既不影响晶体谐振器的导电性能，又加强了晶片1与基座之间的粘接强度，从而能够在受到撞击后，不容易形成晶片 1松动，达到提高晶体谐振器的可靠性的目的，并能够更好的适应电子市场的需求。
需要说明的是，在晶体谐振器中为了保护晶片1，一般是将晶片1放置在基座内，再使用上盖与基座压封，将晶片1是利用导电胶固定在基座内部的，其牢固程度直接影响了晶体谐振器的可靠性。现有技术中，由于导电胶是覆盖在晶片1主电极引出端4和副电极引出端2的镀层上，而主电极引出端4 和副电极引出端2的镀层在特殊情况下易脱落，例如在受到撞击后，镀层脱落容易形成晶片松动，因而晶片1与基座之间的粘结强度相对较差，造成产品的可靠性下降。
本实用新型提供了一种高可靠性SMD晶体谐振器，其在晶片1的主电极引出端4和/或副电极引出端2的点胶区域设有空白区域(3和5)，该空白区域在点胶后，导电胶覆盖该空白区域，导电胶与晶片1的本体直接接触，极大的加强了晶片1与基座的粘结强度，提高产品的可靠性。
并且，由于该空白区域面积很小，为0.025-0.030mm2，在导电胶覆盖了空白区域周围和下表面的有镀层区域时，其并不会对晶体谐振器的电性能造成影响。
在大量的经跌落试验中，使用本实用新型晶片1的晶体谐振器产品在1m 高度3次自由跌落在厚度为3cm的木地板上，频率变化在2ppm内，电阻变化在5Ω之内，而现有的常规晶振频率变化一般在2.5ppm内。
在大量的振动试验中，在振动频率10-55Hz，振幅1.5mm，周期1.5分钟的条件下，循环在X、Y、Z轴方向各30分钟，放置1小时后测试变化值。频率变化在2ppm以内，现有的常规晶振频率变化一般在5ppm内。
上述实验表明本实用新型所提供的一种高可靠性SMD晶体谐振器其耐跌落和振动的可靠性好，较现有技术中原设计产品可靠性提高。
进一步的，所述长方形镀膜主电极6具有两层镀膜，其中，第一层镀膜为Cr(铬)，第二层镀膜为Ag(银)。
由于Ag和晶片1的结合度不是很好，特别是在空气湿度较大的情况下进行镀膜时，Ag层的附着力会急剧下降，在加热或震动后很容易发生Ag层脱落的现象，晶片1上的Ag层脱落将导致晶体谐振器的电阻值升高，功耗增加，甚至造成晶体谐振器不工作或工作不稳定的情况。因此，本方案采用先在晶片1上镀金属Cr层，后在Cr层上镀上Ag层，由于Ag层并不是直接镀在晶片1上，而是镀在具有强附着力的Cr层上，因此晶片1上镀层的附着力大大提升，能很好的避免出现脱Ag现象。
进一步的，所述晶片1为薄片状二氧化硅。
进一步的，所述晶片1以胶粘的方式固定在所述基座上。
进一步的，所述主电极引出端4和副电极引出端2通过依次粘接有导电面胶和导电底胶(即导电胶)与所述基座固定。
进一步的，所述晶片1为SMD型晶片。
本方案中所述的高可靠性SMD晶体谐振器中晶片1上的长方形镀膜主电极6优选设置在晶片1的中央，所述长方形镀膜主电极6与所述晶片1的边缘留有一定距离；且所述副电极引出端2和长方形镀膜主电极6的引出端(即主电极引出端4)设于所述晶片1一宽边的两端。
综上所述，本实用新型提供的一种高可靠性SMD晶体谐振器，通过在所述晶片1上的副电极引出端2和/或主电极引出端4的点胶区域设置有空白区域，能够使得导电胶有一部分在该空白区域直接与晶片1本体接触，其既不影响晶体谐振器的导电性能，又加强了晶片1与基座之间的粘接强度，从而能够在受到撞击后，不容易形成晶片1松动，达到提高晶体谐振器的可靠性的目的，并能够更好的适应电子市场的需求。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (8)
1.一种高可靠性SMD晶体谐振器，其特征在于，包括晶片和基座，所述基座上固设有所述晶片；所述晶片上设有长方形镀膜主电极，以及主电极引出端和副电极引出端；所述主电极引出端和副电极引出端位于所述晶片的周边，所述主电极引出端与所述长方形镀膜主电极相连；并且，在所述副电极引出端和/或所述主电极引出端的点胶区域设置有空白区域，所述空白区域无镀层，且所述空白区域的面积为0.025-0.030mm2。
2.根据权利要求1所述的高可靠性SMD晶体谐振器，其特征在于，所述空白区域设置于所述晶片周边的拐角处。
3.根据权利要求1所述的高可靠性SMD晶体谐振器，其特征在于，所述空白区域包括不连续的多块空白区域。
4.根据权利要求1所述的高可靠性SMD晶体谐振器，其特征在于，所述长方形镀膜主电极具有两层镀膜，其中，第一层镀膜为Cr，第二层镀膜为Ag。
5.根据权利要求1所述的高可靠性SMD晶体谐振器，其特征在于，所述晶片为薄片状二氧化硅。
6.根据权利要求1所述的高可靠性SMD晶体谐振器，其特征在于，所述晶片以胶粘的方式固定在所述基座上。
7.根据权利要求1或6所述的高可靠性SMD晶体谐振器，其特征在于，所述主电极引出端和副电极引出端通过依次粘接有导电面胶和导电底胶与所述基座固定。
8.根据权利要求1所述的高可靠性SMD晶体谐振器，其特征在于，所述晶片为SMD型晶片。
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