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CN207780441U - 像素结构、阵列基板和显示装置 - Google Patents

像素结构、阵列基板和显示装置 Download PDF

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CN207780441U CN201820061780.4U CN201820061780U CN207780441U CN 207780441 U CN207780441 U CN 207780441U CN 201820061780 U CN201820061780 U CN 201820061780U CN 207780441 U CN207780441 U CN 207780441U
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龙春平
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Abstract

本申请实施例提供一种像素结构、阵列基板和显示装置。像素结构包括的第一电极具有第一槽组、第二槽组和非镂空部；第一槽组包括多个依次排列的镂空的第一槽，每个第一槽包括沿其延伸方向排列的第一端部和第二端部，多个第一槽的第一端部位于第一槽组的第一侧，并且多个第一槽的第二端部位于第一槽组的第二侧，第二侧与第一侧相对；第二槽组位于第一槽组的第二侧并且包括多个依次排列的镂空的第二槽，每个第二槽包括沿其延伸方向排列的第三端部和第四端部，第三端部位于第四端部的靠近第一槽组的一侧；并且至少一个第二槽的第三端部相对于与第三端部相邻的第一槽的第二端部错开。该像素结构、阵列基板和显示装置的宽视角特性较好。

Description

像素结构、阵列基板和显示装置
技术领域
本公开实施例涉及一种像素结构、阵列基板和显示装置。
背景技术
液晶显示装置已被广泛地应用于手机、笔记本电脑、个人电脑及个人数字助理等消费电子产品中。液晶显示装置包括阵列基板，该阵列基板包括多条栅线、多条数据线、以及电性连接至对应的栅线及对应的数据线的多个像素单元，每个像素单元单独控制背光的透过率，以实现显示。
然而，液晶显示装置普遍存在窄视角问题。随着显示技术的发展，人们对液晶显示装置的视角特性越来越关注，其中，宽视角技术已成为研究热点之一。
实用新型内容
针对液晶显示装置存在的窄视角问题，本公开实施例提供一种像素结构、阵列基板和显示装置，本公开实施例可以使液晶显示装置具有更宽的视角。
本公开至少一个实施例提供一种像素结构，所述像素结构包括第一电极，其包括第一槽组、第二槽组以及与所述第一槽组和所述第二槽组相邻的非镂空部；所述第一槽组包括多个依次排列的镂空的第一槽，每个第一槽包括沿其延伸方向排列的第一端部和第二端部，所述多个第一槽的第一端部位于所述第一槽组的第一侧，并且所述多个第一槽的第二端部位于所述第一槽组的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对；所述第二槽组位于所述第一槽组的第二侧并且包括多个依次排列的镂空的第二槽，每个第二槽包括沿其延伸方向排列的第三端部和第四端部，所述第三端部位于所述第四端部的靠近所述第一槽组的一侧；并且至少一个第二槽的第三端部相对于与所述第三端部相邻的第一槽的第二端部错开。
例如，所述第一槽和所述第二槽交替设置。
例如，对于相邻的第一槽和第二槽，所述第一槽的第二端部位于所述第二槽的第三端部和第四端部之间。
例如，所述多个第一槽的数量与所述多个第二槽的数量不相等。
例如，所述像素结构还包括第二电极，其与所述第一电极位于不同的层中，所述第一电极和所述第二电极之一为像素电极且另一为公共电极。
例如，所述像素结构还包括：第一信号线，其沿第一方向延伸；第二信号线，其沿第二方向延伸并且与所述第一信号线相交。所述第一信号线和所述第二信号线之一为栅线并且另一个为数据线。
例如，所述第一槽相对于所述第一信号线的倾斜角度和所述第二槽相对于所述第一信号线的倾斜角度不相等。
例如，所述第一槽和所述第二槽相对于所述第一信号线的倾斜方向相反。
例如，所述像素结构还包括晶体管，其位于所述第一信号线与所述第二信号线的交叉处并且与所述第一电极电连接，所述第二槽组位于所述第一槽组和所述第一信号线之间，所述多个第二槽中最靠近所述晶体管的第二槽的延伸长度在所述多个第二槽的延伸长度中最小。
例如，所述多个第二槽向远离所述晶体管的方向相对于所述多个第一槽错开。
例如，所述第一电极包括沿所述第二方向排列且相交的第一边缘和第二边缘，所述第一边缘平行于所述第一槽，所述第二边缘平行于所述第二槽。
例如，所述第二信号线包括沿所述第二方向排列且相交的第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部平行于所述第一边缘，所述第二延伸部平行于所述第二边缘。
例如，所述第一电极还包括第三槽组和第四槽组，所述第三槽组包括多个依次排列的镂空的第三槽，所述第四槽组包括多个依次排列的镂空的第四槽；所述第三槽组和所述第四槽组的排列方向与所述第一槽组和所述第二槽组的排列方向相交。
例如，至少一个第三槽相对于与其相邻的第四槽沿第二方向错开。
例如，所述多个第一槽和所述多个第二槽都为被所述非镂空部包围的封闭槽。
例如，所述多个第一槽和所述多个第二槽沿所述第一方向的宽度相等。
例如，每个第二槽相对于与其相邻的第一槽沿所述第一方向错开的距离等于所述第一槽的第二端部沿所述第一方向的宽度。
例如，至少部分所述第二槽的延伸长度不相等。
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括以上任一项所述的像素结构。
本公开至少一个实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括以上所述的阵列基板。
在本公开实施例提供的像素结构、阵列基板和显示装置中，像素结构包括的第一电极中设置有延伸方向不同的第一槽和第二槽，并且至少一个第二槽相对于与其相邻的第一槽错开，这使得液晶显示装置中的液晶分子具有更多的偏转角度，从而提高液晶显示装置的宽视角特性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本实用新型的一些实施例，而非对本实用新型的限制。
图1A为本公开实施例提供的像素结构的俯视示意图一；
图1B为沿图1A中I-I线的剖视示意图；
图2为本公开实施例提供的像素结构的俯视示意图二；
图3为本公开实施例提供的像素结构的俯视示意图三；
图4为本公开实施例提供的像素结构的俯视示意图四；
图5为本公开实施例提供的像素结构的俯视示意图五；
图6为本公开实施例提供的像素结构的俯视示意图六；
图7为本公开实施例提供的阵列基板的俯视示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本公开实施例提供一种像素结构、阵列基板和显示装置。该像素结构中的第一电极包括第一槽组、第二槽组以及与所述第一槽组和所述第二槽组相邻的非镂空部；所述第一槽组包括多个镂空的依次排列的第一槽，每个第一槽包括沿其延伸方向排列的第一端部和第二端部，所述多个第一槽的第一端部位于所述第一槽组的第一侧，并且所述多个第一槽的第二端部位于所述第一槽组的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对；所述第二槽组位于所述第一槽组的第二侧并且包括多个镂空的依次排列的第二槽，每个第二槽包括沿其延伸方向排列的第三端部和第四端部，所述第三端部位于所述第四端部的靠近所述第一槽组的一侧；并且至少一个第二槽的第三端部相对于与所述第三端部相邻的第一槽的第二端部错开。在本公开实施例中，像素结构包括的第一电极中设置有延伸方向相交的第一槽和第二槽，并且至少一个第二槽相对于与其相邻的第一槽错开，这使得液晶显示装置中的液晶分子具有更多的偏转角度，从而提高液晶显示装置的宽视角特性。
例如，第一电极为像素电极或者公共电极。
例如，第一电极为透明电极，其例如采用ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化)，IGZO(铟镓锌氧化物)或者类似透明导电材料制作。在这种情况下，本公开实施例提供的像素结构例如为透射式像素结构，相应地，该像素结构所应用的液晶显示装置为透射式液晶显示装置。
例如，第一电极为金属电极，其例如采用铝、铝合金、铜、钼、锆或钛等金属材料制作。在这种情况下，本公开实施例提供的像素结构例如为反射式像素结构，相应地，该像素结构所应用的液晶显示装置为反射式液晶显示装置。
在本公开实施例中，对于该至少一个第二槽中的每个第二槽，由于该第二槽的第三端部相对于与该第三端部相邻的第一槽的第二端部错开，则该第二槽的第三端部与该第一槽的第二端部(即相互靠近的端部)不完全对齐，也就是说，该第二槽的第三端部至少对应非镂空部的一部分，并且非镂空部的该部分与该第一槽相邻且沿第一槽延伸。通过使至少一个第二槽相对于与其相邻的第一槽错开，使得第一电极中的多个第一槽和多个第二槽为非轴对称结构，这有利于使液晶分子具有更多的偏转角度，从而有利于提高液晶显示装置的宽视角特性。
例如，第一槽组包括的多个第一槽沿第一方向依次排列，第二槽组包括的多个第二槽也沿第一方向依次排列，第一槽组和第二槽组沿不同于第一方向的第二方向排列，并且至少一个第二槽的第三端部相对于与该第三端部相邻的第一槽的第二端部沿第一方向错开。
第一方向不同于第二方向，即第一方向与第二方向相交。例如，第一方向与第二方向垂直。关于第一方向与第二方向之间的夹角的实施例包括但不限于直角。
以下将结合附图对本公开实施例中的像素结构、阵列基板和显示装置进行详细说明，以下实施例仅为示例，并不引以为限。
例如，如图1A、图2至图6所示，本公开实施例提供的像素结构包括位于像素单元P中的第一电极81，其具有第一槽组、第二槽组和非镂空部8；第一槽组包括多个镂空的依次排列的第一槽9，每个第一槽9包括沿其延伸方向排列的第一端部A和第二端部B，多个第一槽9的第一端部A位于第一槽组的第一侧(参见图中第一槽组的上侧)，并且多个第一槽9的第二端部B位于第一槽组的第二侧(参见图中第一槽组的下侧)，第二侧与第一侧相对；第二槽组位于第一槽组的第二侧并且包括多个镂空的依次排列的第二槽10，每个第二槽10包括沿其延伸方向排列的第三端部C和第四端部D，第三端部C位于第四端部D的靠近第一槽组的一侧(参见图中第四端部D的上侧)；并且至少一个第二槽10的第三端部C相对于与第三端部C相邻的第一槽9的第二端部B错开(例如，沿第一方向错开)。
需要说明的是，图1A、图2至图6所示的实施例仅为示例性说明，并且图中的上侧、下侧随着观看角度的变化而变化。
例如，如图1A、图2至图6所示，本公开的至少一个实施例提供一种像素结构，该像素结构包括像素单元P，像素单元P中的第一电极81包括非镂空部8、多个镂空的第一槽9和多个镂空的第二槽10。该多个第一槽9沿第一方向(例如沿水平方向)依次排列并且相对于第一方向倾斜，该多个第二槽10也沿第一方向依次排列并且相对于第一方向倾斜，该多个第一槽9所在的第一槽组与该多个第二槽10所在的第二槽组沿第二方向(例如沿竖直方向)排列，该多个第二槽10中的每个相对于与其相邻的第一槽9沿第一方向错开。
例如，如图1A、图2、图3、图5和图6所示，第一槽9和第二槽10交替设置。例如，第一槽9和第二槽10沿第一方向交替设置。也就是说，非镂空部8包括分别位于多个第一槽9之间的第一延伸部9A和分别位于多个第二槽10之间的第二延伸部10A，每个第一延伸部9A对应一个第二槽10并且每个第二延伸部10A对应一个第一槽9。通过使第一槽9和第二槽10交替设置，可以实现多个第二槽10中的每个相对于与其相邻的第一槽9沿第一方向错开。
例如，每个第二槽10相对于与其相邻的第一槽9沿第一方向错开的距离大致等于该第一槽9的第二端部B沿第一方向的宽度，参见图1A中的错开距离d。这样使第一槽9和第二槽10之间的排列较紧凑，以设置更多的第一槽9和第二槽10，从而有利于提高宽视角特性并且有利于增大开口率。在此基础上，例如，每个第二槽10和与其对应的第一延伸部9A的相互靠近的端部(即第二端部B和第三端部C)沿第一方向的宽度大致相等(也就是说，每个第一槽9相对于与其相邻的第二槽10沿第一方向错开的距离大致等于该第二槽10的第三端部C沿第一方向的宽度)，这样有利于在第一电极81中设置更多的第一槽9和第二槽10。
为了在第一电极81中设置更多的第一槽9和第二槽10，例如，如图1A、图2至图6所示，第一电极81包括沿第二方向排列且相交的第一边缘8A和第二边缘8B(图2至图6中未标出)，第一边缘8A平行于第一槽9，第二边缘8B平行于第二槽10，从而第一电极81的侧边缘通过第一边缘8A和8B形成弯折结构。
例如，如图1A、图2至图6所示，像素结构还包括：第一信号线1，其沿第一方向延伸；第二信号线2，其沿第二方向延伸并且与第一信号线1相交。第一信号线1和第二信号线2之一为栅线并且另一个为数据线。在图1A所示的实施例中，第一信号线1为栅线并且第二信号线2为数据线，这样第一槽9和第二槽10都沿栅线排列并且都大致沿数据线方向延伸，有利于简化像素设计。在本公开的其它实施例中，可以是第一信号线1为数据线且第二信号线2为栅线。
例如，像素结构包括多个第一信号线1和多个第二信号线2，相邻的第一信号线1和相邻的第二信号线2相互交叉所限定的区域为像素单元P所在区域。
例如，第一信号线1、第二信号线2采用铝、铝合金、铜、钼、锆或钛等金属材料制作。
在第一电极81的侧边缘弯折的基础上，例如，如图1A、图2至图6所示，第二信号线2包括沿第二方向排列且相交的第一延伸部21和第二延伸部22(图2至图6中未标出)，第一延伸部21大致平行于第一边缘8A，第二延伸部22大致平行于第二边缘8B，由此第二信号线2也形成大致平行于第一电极81侧边缘的弯折结构。这样有利于使像素结构更紧凑。
例如，在第二信号线2包括第一延伸部21和第二延伸部22的基础上，第二信号线2还包括垂直于第一信号线1的第三延伸部，并且第一延伸部21、第二延伸部22和第三延伸部沿第二方向依次排列。
例如，在以上任一实施例中，第一电极81为像素电极或者公共电极。
例如，如图1B所示，像素结构还包括第二电极82，其与第一电极81位于不同的层中，第一电极81和第二电极82之一为像素电极且另一为公共电极。通过将像素电极和公共电极设置于不同的层中，有利于使液晶分子具有更多的偏转角度，从而有利于提高宽视角特性。
例如，第二电极82采用与第一电极81相同的材料制作，如上所述，重复之处不再赘述。
例如，如图1A、图2至图6所示，像素结构还包括晶体管6，其位于第一信号线1与第二信号线2的交叉处并且与第一电极81电连接(例如通过过孔7电连接)。在这种情况下，第一电极81为像素电极。
例如，如图1A和图1B所示，晶体管6包括依次设置于衬底基板(图1B中未标出)上的栅极63、栅绝缘层62、有源层65、源极64和漏极61。例如，栅线(第一信号线1的一个示例)的对应于有源层65的部分作为栅极。例如，源极64与数据线(第二信号线2的一个示例)直接连接(例如二者一体形成)。例如，像素电极(第一电极81的一个示例)与晶体管6的漏极61通过贯穿绝缘层的过孔7电连接。例如，过孔7贯穿平坦化绝缘层71和钝化绝缘层72。本公开实施例中晶体管6的结构及其与第一信号线1、第二信号线2和第一电极81的连接关系包括但不限于图1A和图1B所示实施例。
例如，栅极63、源极64、漏极61采用铝、铝合金、铜、钼、锆或钛等金属材料制作。
例如，有源层65采用非晶硅、多晶硅或者氧化物半导体等半导体材料制作。
例如，栅绝缘层62和钝化绝缘层72为无机绝缘层、有机绝缘层或者无机绝缘层与有机绝缘层的叠层。例如，平坦化绝缘层71为有机绝缘层。
例如，如图1A、图2和图6所示，多个第二槽10所在的第一槽组位于多个第一槽9所在的第二槽组和第一信号线1之间，多个第二槽10中最靠近晶体管6的第二槽10的延伸长度在多个第二槽10的延伸长度中最小。通过使靠近第一电极81与晶体管6的电连接位置(例如过孔7处)的第二槽10具有较小的延伸长度，有利于避免该第二槽10与该电连接位置交叠，从而有利于避免第一电极81与晶体管6之间的连接不良。
例如，如图1A、图2至图6所示，至少部分第二槽10的延伸长度不相等。例如，如图3和图4所示，至少4个第二槽10的延伸长度不相等。通过使至少部分第二槽10的延伸长度不相等，可以进一步提高多个第一槽9和多个第二槽10的非轴对称性。在其它实施例中，第二槽10的延伸长度也可以相等。
例如，如图1A和图6所示，多个第二槽10向远离晶体管6的方向相对于多个第一槽9错开。这样进一步有利于避免第二槽10与第一电极81与晶体管6的电连接位置交叠，从而有利于避免第一电极81与晶体管6之间的连接不良。
例如，如图1A和图6所示，第一槽9和第二槽10的数量相等。或者，例如，如图2至图5所示，第一槽9的数量与第二槽10的数量不相等。通过使第一槽9和第二槽10的数量不相等，更有利使第一槽9和第二槽10形成非轴对称结构，以提高宽视角特性。
例如，如图1A和图2所示，非镂空部8包括的第一延伸部9A的延伸长度(即沿其延伸方向的长度)大致等于与其相邻的第一槽9的延伸长度，并且非镂空部8包括的第二延伸部10A的延伸长度大致等于与其相邻的第二槽10的延伸长度。如此设置，使得多个第一槽9和多个第二槽10的相互靠近的端部大致位于同一直线上。
对于常黑模式的液晶显示装置，畴的交界处容易发暗。对此，例如，如图3所示，对于相邻的第一槽9和第二槽10，第一槽9的第二端部B位于第二槽10的第三端部C和第四端部D之间。在这种情况下，第一延伸部9A的延伸长度小于与其相邻的第一槽9的延伸长度，并且第二延伸部10A的延伸长度小于与其相邻的第二槽10的延伸长度。这使得多个第一槽9和多个第二槽10所在的畴的交界为曲线，从而可以避免或改善畴的交界处发暗的现象，以提升显示效果。
例如，如图1A、图2、图3和图6所示，第一电极81中的多个第一槽9和多个第二槽10沿第一方向的宽度大致相等，这样有利于提高液晶显示装置的视角均匀性。在此基础上，例如，如图1A、图2和图6所示，第一电极81的非镂空部8包括的第一延伸部9A和第二延伸部10A沿第一方向的宽度大致相等(也就是说，相邻的第一槽9之间的沿第一方向的距离大致等于相邻的第二槽10之间的沿第二方向的距离)，这样进一步有利于提高液晶显示装置的视角均匀性。在其它实施例中，第一槽9和第二槽10的沿第一方向的宽度也可以不相等，或者第一延伸部9A和第二延伸部9B的宽度也可以不相等。
例如，如图1A、图2、图3、图5和图6所示，第一槽9和第二槽10相对于第一方向的倾斜角度大致相等。或者，例如，如图4所示，第一槽9相对于第一方向的倾斜角度和第二槽10相对于第一方向的倾斜角度不相等。这样第一槽9和第二槽10可以实现不同方向的宽视角特性。
例如，如图4所示，第一槽9相对于第一方向的倾斜角度都大于第二槽10相对于第一方向的倾斜角度，从而第一槽9对第一方向上的宽视角特性的改善效果更好，第二槽10对第二方向上的宽视角特性的改善效果更好，从而通过第一槽9和第二槽10可以实现第一、二方向上的宽视角。
例如，如图1A和图2至图6所示，第一槽9和第二槽10相对于第一方向的倾斜方向相反。例如，第一槽9相对于第一信号线1向右倾斜，第二槽10相对于第一信号线1向左倾斜。通过使第一槽9和第二槽10相对于同一第一信号线1的倾斜方向相反，有利于使第一、二槽处形成的平面电场在第一方向上有更均匀的分布，从而有利于提高第一方向上的视角均匀性。
图1A和图2至图6所示的实施例以第一方向为水平方向且第二方向为竖直方向为例进行说明。然而，当观看角度发生变化时，第一方向和第二方向也相应发生变化。
图1A、图2至图4和图6所示的实施例中第一电极81都包括两种槽。在其它实施例中，第一电极81可以包括更多种槽。例如，如图5所示，在第一电极81包括第一槽9和第二槽10的基础上，第一电极81还包括第三槽组和第四槽组，第三槽组包括多个镂空的依次排列的第三槽9’，第四槽组包括多个镂空的依次排列的第四槽10’；第三槽组和第四槽组的排列方向与第一槽组和第二槽组的排列方向相交。这样通过可以在不同方向上同时获得更好的宽视角特性。
例如，第一槽组和第二槽组的排列方向与第三槽组和第四槽组的排列方向垂直。例如，如图5所示，第一槽组和第二槽组沿第二方向排列，并且第三槽组和第四槽组沿第一方向排列。也就是说，第一电极81在包括具有第一槽9的第一槽组和具有第二槽10的第二槽组的基础上，还包括多个镂空的且沿第二方向依次排列的第三槽9’、以及多个镂空的且沿第二方向依次排列的第四槽10’；并且，包括该多个第三槽9’的第三槽组与包括该多个第四槽10’的第四槽组沿第一方向排列。在本公开实施例中，通过第一槽9和第二槽10可以获得较好的第一方向上的宽视角特性，通过第三槽9’和第四槽10’可以获得较好的第二方向上的宽视角特性，从而使该像素结构在第一方向上和第二方向上同时具有较好的宽视角特性。
例如，至少一个第四槽10’相对于与其相邻的第三槽9’沿第二方向错开。例如，如图5所示，每个第四槽10’都相对于与其相邻的第三槽9’沿第二方向错开。这样可以进一步提高宽视角特性。
例如，如图1A和图2至图6所示，第一槽9和第二槽10的平面形状(即在承载第一电极81的衬底基板上的正投影的形状)都为直线形结构。在本公开其它实施例中，第一槽和第二槽的平面形状也可以为其它结构。
例如，如图1A和图2至图6所示，每个第二槽10相对于与其相邻的第一槽9都沿第一方向错开，并且每个第一槽9相对于与其相邻的第二槽10都沿第一方向错开。本公开实施例包括但不限于图1A和图2至图6所示的实施例。例如，在至少一个实施例中，多个第二槽10中的一部分分别与相邻的第一槽9对齐而非错开，只要存在至少一个第二槽10相对于与其相邻的第一槽9都沿第一方向错开，以使该多个第二槽10与该多个第一槽9非轴对称即可。
例如，本公开以上任一实施例提供的像素结构采用ADS(Advanced SuperDimension Switch，高级超维场)模式、FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关)模式、IPS(In-Plane Switching，平面转换)模式或者VA(Vertical Alignment，垂直配向)模式。
例如，在ADS、FFS和IPS模式中，控制液晶分子偏转的电场为平面电场，在这种情况下，第一槽9和第二槽10都为被非镂空部包围的封闭的槽(即槽的沿其延伸方向排列的两个端部都与非镂空部8相邻)，如图1A、图2至图5所示。这样有利于保证非镂空部具有较大的作用面积，从而保证液晶显示装置具有较大的有效显示区以提升显示效果。
例如，在VA模式中，控制液晶分子偏转的电场为垂直电场，在这种情况下，第一槽9和第二槽10都为被非镂空部包围的封闭的槽，或者为半封闭的槽(即槽的一个端部与非镂空部相邻且另一个端部为非封闭的)。
例如，在VA模式中，如图6所示，第一电极81还包括第五槽5，其在第一槽组和第二槽组的排列方向(例如第二方向)上位于第一槽组和第二槽组之间，并且第五槽5与多个第一槽9的第二端部B连通并且与多个第二槽10的第三端部C连通。这样，第一槽9和第二槽10都为半封闭的槽。这样既可以保证非镂空部具有较大的作用面积，又有利于在第一电极81和第二电极82之间形成垂直电场，从而获得更好的显示效果。
本公开至少一个实施例提供一种像素结构的制作方法，其包括形成第一电极，使第一电极包括第一槽组、第二槽组以及与所述第一槽组和所述第二槽组相邻的非镂空部；所述第一槽组包括多个镂空的依次排列的第一槽，每个第一槽包括沿其延伸方向排列的第一端部和第二端部，所述多个第一槽的第一端部位于所述第一槽组的第一侧，并且所述多个第一槽的第二端部位于所述第一槽组的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对；所述第二槽组位于所述第一槽组的第二侧并且包括多个镂空的依次排列的第二槽，每个第二槽包括沿其延伸方向排列的第三端部和第四端部，所述第三端部位于所述第四端部的靠近所述第一槽组的一侧；并且至少一个第二槽的第三端部相对于与所述第三端部相邻的第一槽的第二端部错开。
例如，例如，第一槽组包括的多个第一槽沿第一方向依次排列，第二槽组包括的多个第二槽也沿第一方向依次排列，第一槽组和第二槽组沿不同于第一方向的第二方向排列，并且至少一个第二槽的第三端部相对于与该第三端部相邻的第一槽的第二端部沿第一方向错开。
例如，第一电极通过对导电薄膜进行图案化工艺形成。例如，该图案化工艺包括在导电薄膜上涂覆光刻胶、对光刻胶进行曝光和显影、之后以显影后的光刻胶为掩膜对导电薄膜进行刻蚀等步骤。
例如，该像素结构的制作方法还包括形成相互交叉的第一信号线和第二信号线、第二电极、晶体管以及各导电部件之间的绝缘层的步骤。
该制作方法中形成的各结构的设置方式可参考以上关于像素结构的实施中的描述，重复之处不再赘述。
本公开至少一个实施例还提供一种阵列基板，该阵列基板包括根据以上任一实施例提供的像素结构。
例如，如图7所示，该阵列基板包括多个像素单元P，每个像素单元P由相邻的第一信号线1和相邻的第二信号线2相互交叉限定；每个像素单元P中设置有一个第一电极81；并且不同像素单元P中的第一电极81分别连接不同的晶体管6。
例如，如图7所示，相邻像素单元P中的第一电极81中的第一槽9和第二槽10的设置方式相同；在其它实施例中，相邻像素单元P包括的第一电极81中的第一槽9和第二槽10的设置方式也可以不同。
本公开至少一个实施例还提供一种显示装置，该显示装置以上任一实施例所述的阵列基板。
例如，该显示装置为液晶显示装置。例如，该液晶显示装置采用ADS模式、FFS模式、IPS模式或者VA模式。
例如，该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
综上所述，在本公开实施例提供的像素结构、阵列基板和显示装置中，同一像素单元中的第一电极中设置有延伸方向相交的第一槽和第二槽，并且至少一个第二槽相对于与其相邻的第一槽沿第一方向错开，这使得液晶显示装置中的液晶分子具有更多的偏转角度，从而提高液晶显示装置的宽视角特性。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
以上所述仅是本实用新型的示范性实施方式，而非用于限制本实用新型的保护范围，本实用新型的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (15)

1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：
第一电极，其包括第一槽组、第二槽组以及与所述第一槽组和所述第二槽组相邻的非镂空部，
其中，
所述第一槽组包括多个依次排列的镂空的第一槽，每个第一槽包括沿其延伸方向排列的第一端部和第二端部，所述多个第一槽的第一端部位于所述第一槽组的第一侧，并且所述多个第一槽的第二端部位于所述第一槽组的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对；
所述第二槽组位于所述第一槽组的第二侧并且包括多个依次排列的镂空的第二槽，每个第二槽包括沿其延伸方向排列的第三端部和第四端部，所述第三端部位于所述第四端部的靠近所述第一槽组的一侧；并且
至少一个第二槽的第三端部相对于与所述第三端部相邻的第一槽的第二端部错开。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一槽和所述第二槽交替设置。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，对于相邻的第一槽和第二槽，所述第一槽的第二端部位于所述第二槽的第三端部和第四端部之间。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述多个第一槽的数量与所述多个第二槽的数量不相等。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括第二电极，其与所述第一电极位于不同的层中，所述第一电极和所述第二电极之一为像素电极且另一为公共电极。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括：
第一信号线，其沿第一方向延伸；
第二信号线，其沿第二方向延伸并且与所述第一信号线相交，
其中，所述第一信号线和所述第二信号线之一为栅线并且另一个为数据线。
7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述第一槽相对于所述第一信号线的倾斜角度和所述第二槽相对于所述第一信号线的倾斜角度不相等。
8.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述第一槽和所述第二槽相对于所述第一信号线的倾斜方向相反。
9.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括：
晶体管，其位于所述第一信号线与所述第二信号线的交叉处并且与所述第一电极电连接，
其中，所述第二槽组位于所述第一槽组和所述第一信号线之间，所述多个第二槽中最靠近所述晶体管的第二槽的延伸长度在所述多个第二槽的延伸长度中最小。
10.根据权利要求9所述的像素结构，其特征在于，所述多个第二槽向远离所述晶体管的方向相对于所述多个第一槽错开。
11.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极包括沿所述第二方向排列且相交的第一边缘和第二边缘，所述第一边缘平行于所述第一槽，所述第二边缘平行于所述第二槽。
12.根据权利要求11所述的像素结构，其特征在于，所述第二信号线包括沿所述第二方向排列且相交的第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部平行于所述第一边缘，所述第二延伸部平行于所述第二边缘。
13.根据权利要求1-4中任一项所述的像素结构，其特征在于，
所述第一电极还包括第三槽组和第四槽组，所述第三槽组包括多个依次排列的镂空的第三槽，所述第四槽组包括多个依次排列的镂空的第四槽；
所述第三槽组和所述第四槽组的排列方向与所述第一槽组和所述第二槽组的排列方向相交。
14.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括根据权利要求1-13中任一项所述的像素结构。
15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括根据权利要求14所述的阵列基板。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019137044A1 (zh) * 2018-01-15 2019-07-18 京东方科技集团股份有限公司 像素结构及其制作方法、阵列基板和显示装置
US20220146893A1 (en) * 2020-01-02 2022-05-12 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display apparatus substrate, and display apparatus

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7812909B2 (en) * 2007-04-20 2010-10-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display
CN101625487B (zh) * 2008-07-09 2012-06-20 奇美电子股份有限公司 液晶显示面板及液晶显示装置
TWI432856B (zh) * 2010-12-07 2014-04-01 Au Optronics Corp 畫素結構
CN202221503U (zh) * 2011-06-03 2012-05-16 深圳市华星光电技术有限公司 像素电极和液晶显示阵列基板
CN102193256B (zh) * 2011-06-03 2013-11-27 深圳市华星光电技术有限公司 像素电极和液晶显示阵列基板
KR101959389B1 (ko) * 2012-04-25 2019-03-20 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치
JP5767186B2 (ja) * 2012-09-28 2015-08-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び電子機器
KR102114153B1 (ko) * 2013-11-13 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102233518B1 (ko) * 2014-09-11 2021-03-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN104375340B (zh) 2014-11-14 2017-04-12 友达光电股份有限公司 像素结构
KR20160061536A (ko) * 2014-11-21 2016-06-01 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN104808399B (zh) * 2014-12-04 2019-04-05 上海中航光电子有限公司 一种阵列基板及液晶显示面板
KR102301489B1 (ko) * 2015-06-24 2021-09-13 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102389963B1 (ko) * 2015-08-11 2022-04-25 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102435900B1 (ko) * 2016-01-21 2022-08-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102399910B1 (ko) * 2017-10-30 2022-05-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN207780441U (zh) * 2018-01-15 2018-08-28 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、阵列基板和显示装置
KR102388820B1 (ko) * 2018-02-05 2022-04-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019137044A1 (zh) * 2018-01-15 2019-07-18 京东方科技集团股份有限公司 像素结构及其制作方法、阵列基板和显示装置
US11378848B2 (en) 2018-01-15 2022-07-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel structure and manufacturing method thereof, array substrate and display device
US20220146893A1 (en) * 2020-01-02 2022-05-12 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display apparatus substrate, and display apparatus

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