CN207269027U - 一种微型pzt传感器 - Google Patents
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Abstract
一种微型PZT传感器，包括：硅衬底，作为微型PZT传感器的基座和支撑件，用于与被测量系统进行固定连接；压电陶瓷片，为微米级层状结构，并贴附于所述硅衬底的表面，其通过正向和反向的压电效应，对外部所述被测量系统的应力应变进行感应，以测量外部的应力应变的大小；以及电路正极和电路负极，分别电性设置于所述压电陶瓷片的上下两面，以用于与被测量系统的控制电路电性连接以实现信号传输。本实用新型的微型PZT传感器可将残余应力得到了充分的释放，不仅提升了微型PZT传感器的各项导电性能，同时也延长了它的寿命，另外，本实用新型的微型PZT传感器体积小，电路简单，制造成本低。
Description
技术领域
本实用新型涉及传感器技术领域，具体涉及一种微型PZT传感器。
背景技术
目前，PZT传感器广泛使用于机器人和VR设备中，其共同优点是测量精度高，可广泛应用于需要精确测量的工程领域。
然而，传统的PZT传感器在生产加工时，一般只通过一次沉淀就达到，这种沉淀方法生产的传感器的残余应力较大，导致该传感器的寿命不长且导电性能不足，以使得其测量量程有限，无法满足更高要求的测量精度需求。
实用新型内容
本实用新型为了解决现有技术存在的上述问题，提供了一种微型PZT传感器，以解决现有PZT传感器的残余应力较大，从而影响器件寿命和性能的技术问题。
为实现上述目的，本实用新型提供了一种微型PZT传感器，包括：
硅衬底，作为微型PZT传感器的基座和支撑件，用于与被测量系统进行固定连接；
压电陶瓷片，为微米级层状结构，并贴附于所述硅衬底的表面，其通过正向和反向的压电效应，对外部所述被测量系统的应力应变进行感应，以测量外部的应力应变的大小；以及
电路正极和电路负极，分别电性设置于所述压电陶瓷片的上下两面，以用于与被测量系统的控制电路电性连接以实现信号传输。
作为本实用新型的进一步优选技术方案，所述硅衬底与被测量系统之间采用胶水或双面胶粘接。
作为本实用新型的进一步优选技术方案，所述压电陶瓷片的厚度为10微米。
作为本实用新型的进一步优选技术方案，所述压电陶瓷片采用分次沉淀加工而成，每次沉淀的厚度为3到5微米。
本实用新型的微型PZT传感器可以达到如下有益效果：
本实用新型的微型PZT传感器，通过包括：硅衬底，作为微型PZT传感器的基座和支撑件，用于与被测量系统进行固定连接；压电陶瓷片，为微米级层状结构，并贴附于所述硅衬底的表面，其通过正向和反向的压电效应，对外部所述被测量系统的应力应变进行感应，以测量外部的应力应变的大小；以及电路正极和电路负极，分别电性设置于所述压电陶瓷片的上下两面，以用于与被测量系统的控制电路电性连接以实现信号传输，使得本实用新型可将残余应力得到了充分的释放，不仅提升了微型PZT传感器的各项导电性能，同时也延长了它的寿命，且本实用新型的微型PZT传感器体积小，电路简单，制造成本低。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
图1为本实用新型微型PZT传感器提供的一实例的结构示意图。
图中：1、电路正极，2、压电陶瓷片，3、电路负极，4、硅衬底。
本实用新型目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合附图以及具体实施方式，对本实用新型做进一步描述。较佳实施例中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等用语，仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。
图1为本实用新型微型PZT传感器提供的一实例的结构示意图，如图1所示，微型PZT传感器，包括：
硅衬底4，作为微型PZT传感器的基座和支撑件，用于与被测量系统进行固定连接；
压电陶瓷片2，为微米级层状结构，并贴附于所述硅衬底4的表面，其通过正向和反向的压电效应，对外部所述被测量系统的应力应变进行感应，以测量外部的应力应变的大小；以及
电路正极1和电路负极3，分别电性设置于所述压电陶瓷片2的上下两面，以用于与被测量系统的控制电路电性连接以实现信号传输。
具体实施中，所述硅衬底4与被测量系统之间采用胶水或双面胶粘接，当然还可以采用其它现有技术的其它方式实现粘接，在此不做一一例举。
具体实施中，所述压电陶瓷片2的厚度为10微米，所述压电陶瓷片2采用分次沉淀加工而成，其中，沉淀次数至少为3次，每次沉淀的厚度为3到5微米。
为了让本领域的技术人员更好地理解并实现本实用新型的技术方案，下面详述本实施例的结构特性。
本实用新型中，压电陶瓷片2为其微型PZT传感器的核心部分，压电陶瓷片2通过其正向和反向的压电效应，对外部的应力应变进行感应，从而测量外部的应力应变的大小；由于压电陶瓷片2本身的高频特性，可以在较大的频率范围内进行机械量如应力应变的测量，实现其作为传感器的功能；
本实用新型的压电陶瓷片2生产过程中，其由至少3次或者3次沉淀而成，且每次沉淀的厚度在3到5微米之间；并在每次沉淀后，需对进行退火处理，让其内部的残余应力得到充分的释放和消除，以使得微型PZT传感器具有较低的残余应力，从而提升了其寿命和导电性能，且本实用新型的微型PZT传感器体积小，电路简单，制造成本低。
虽然以上描述了本实用新型的具体实施方式，但是本领域熟练技术人员应当理解，这些仅是举例说明，可以对本实施方式做出多种变更或修改，而不背离本实用新型的原理和实质，本实用新型的保护范围仅由所附权利要求书限定。
Claims (4)
1.一种微型PZT传感器，其特征在于，包括：
硅衬底，作为微型PZT传感器的基座和支撑件，用于与被测量系统进行固定连接；
压电陶瓷片，为微米级层状结构，并贴附于所述硅衬底的表面，其通过正向和反向的压电效应，对外部所述被测量系统的应力应变进行感应，以测量外部的应力应变的大小；以及
电路正极和电路负极，分别电性设置于所述压电陶瓷片的上下两面，以用于与被测量系统的控制电路电性连接以实现信号传输。
2.根据权利要求1所述的微型PZT传感器，其特征在于，所述硅衬底与被测量系统之间采用胶水或双面胶粘接。
3.根据权利要求2所述的微型PZT传感器，其特征在于，所述压电陶瓷片的厚度为10微米。
4.根据权利要求1至3任一项所述的微型PZT传感器，其特征在于，所述压电陶瓷片采用分次沉淀加工而成，每次沉淀的厚度为3到5微米。
Priority Applications (1)
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