CN205810377U - 磁头保护膜、磁头、磁头折片组合及磁盘驱动器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种用于磁头的磁头保护膜，包括金属层、金属氧化物层、DLC层及氟化碳层，所述金属层层压于磁头或长形条上，所述金属氧化物层层压于所述金属层；其中，所述金属氧化物层与所述金属层为同一金属元素，所述DLC层层压于所述金属氧化物层，所述氟化碳层层压于所述DLC层。本实用新型实施例的磁头保护膜，能够获得高粘附性、高耐热性和低表面能，在磁头使用过程中能够有效保护磁头，防止周围环境对磁头的侵蚀影响。本实用新型还公开了设有所述磁头保护膜的磁头、设有所述磁头的折片组合和磁盘驱动器。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种信息记录磁盘驱动器，更具体地涉及一种磁头保护膜、磁头、设有该磁头的磁头折片组合及磁盘驱动器。
背景技术
大家熟悉的信息存储装置一般指磁盘驱动装置，其利用磁性介质存储信息，一个可移动的磁头置于所述磁介质之上用于选择地从磁盘中读取或写入数据。
图1a展示了一种现有磁盘驱动单元100，并展示了装于主轴马达120上用于高速存储数字信息的的磁盘110，所述主轴马达120用以旋动所述磁盘110。磁头悬臂组合130绕轴承(图未示)旋转以访问宿松磁盘110上的磁轨数据。所述磁头悬臂组合130包括驱动臂160和磁头折片组合150。所述磁头折片组合150包括设有读/写头的用于电/磁信号转换的磁头180及安装所述磁头180的悬臂件140。所述磁头折片组合150连接驱动臂160，所述驱动臂160围绕轴承转动。音圈马达(图未示)用来控制轴承的转动从而控制驱动臂160的运动，进而控制磁头180在磁盘110的表面上的磁轨之间的移动，最终实现读写头在磁盘110上数据的读写。在工作状态时，包含读写头的磁头180与旋转的磁盘110之间形成空气动力性接触，并产生升力。该升力与大小相等方向相反的由磁头折片组合(HGA)150施加的弹力互相平衡，进而导致在驱动臂160的整个径向行程中，旋转的磁盘110的表面上方形成并维持预定的飞行高度。
图1b详细展示了磁头折片组合(HGA)的结构。HGA 150包括嵌有读写传感器(图未示)的磁头103以及支撑该磁头103的悬臂件190。当硬盘驱动器运作时，主轴马达102使得磁盘101高速旋转，而磁头103因磁盘101旋转而产生的气压而在磁盘101上方飞行。该磁头103在音圈马达的控制下，在磁盘101的表面以半径方向移动。对于不同的磁轨，磁头103能够从磁盘表面上读取数据或将数据写进磁盘101。
如图1c所示，磁头103大体呈长方体状，其前后两个侧边分别称为前边(leadingedge)121及尾边(trailing edge)123。其中，尾边中央通过积淀方式(deposition)形成极尖(pole tip，其内形成有读写元件)126。该尾边上还设置多个电连接触点124(用于将磁头的读写元件与外部控制系统连接)。磁头面向磁盘的表面上形成空气承载面125(airbearing surface,ABS)。
极尖126是磁头实现数据读写操作的关键元件。该极尖内设置有读元件及/或写元件。图1d为从空气承载面观察的磁头视图；图1e为图1d中极尖区域的放大视图；图1f为图1d中A-A方向的局部剖视图。磁头103的主体部分(相对于极尖区域)通常称为衬底(substrate)1221。所述极尖区域包括形成于磁头衬底(即磁头的尾边)的第一屏蔽层(first shielding layer)1222、第二屏蔽层(second shielding layer)1223、第一写磁极(first write pole)1224及第二写磁极(second write pole)1225。所述第一屏蔽层1222与第二屏蔽层1223之间设置用于读取数据的磁阻元件(magneto-resistive element,MRelement)128。所述第一写磁极1224与第二写磁极1225之间设置线圈(coils)129。上述第一屏蔽层1222、第二屏蔽层1223及嵌设于两者之间的磁阻元件128共同构成了磁头的读元件；而上述第一写磁极1224、第二写磁极1225及铜线圈129共同构成了磁头的写元件。
此外，上述所有部件表面(即极尖区域面向空气承载面的表面)上形成有保护膜(overcoat)127，以便在磁头使用过程中防止或减弱周围环境对磁头(主要是极尖区域)的侵蚀影响。
如图1g所示，在现有技术中的磁头保护膜127通常包括覆盖在磁头103上的硅材料镀层(silicon coating)1271及类金刚石材料镀层(diamond-like carbon coating,DLCcoating)1272。
但是，在TAMR(Thermal Assistant Magnetic Resistance，热敏电阻)磁头中，覆盖在TAMR磁头上的保护层如果使用如图1g所示的磁头保护膜127，在激光辐射的400度环境下，硅材料镀层及类金刚石材料镀层结合的磁头保护膜127会受热而发生严重形变及损坏(如图1h所示)，从而无法有效覆盖及保护磁头，在磁头使用过程中不能有效防止或减弱周围环境对磁头的侵蚀影响。
因此，有必要提供一种设有改进的用于磁头保护膜及其制造方法来克服上述缺陷。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种磁头保护膜，能够获得高粘附性、高耐热性和低表面能，在磁头使用过程中能够有效保护磁头，防止周围环境对磁头的侵蚀影响。
本实用新型的另一目的是提供一种磁头，所述磁头设有磁头保护膜，能够获得高粘附性、高耐热性和低表面能，在磁头使用过程中能够有效保护磁头，防止周围环境对磁头的侵蚀影响。
本实用新型的另一目的是提供一种的磁头折片组合，所述磁头折片组合设有磁头，能够获得高粘附性、高耐热性和低表面能，在使用过程中能够有效防止周围环境对磁头的侵蚀影响。
本实用新型的再一目的是提供一种磁盘驱动器,能够获得高粘附性、高耐热性和低表面能，在使用过程中能够有效防止周围环境对磁头的侵蚀影响。
为达到上述目的，本实用新型提供一种磁头保护膜，包括：
一金属层，所述金属层层压于磁头或长形条上；
一金属氧化物层，所述金属氧化物层层压于所述金属层；其中，所述金属氧化物层与所述金属层为同一金属元素；
一DLC层，所述DLC层层压于所述金属氧化物层；
一氟化碳层，所述氟化碳层层压于所述DLC层。
较佳地，所述金属层为Ta层，所述金属氧化物层为TaOx层，其中，0＜x＜3。
较佳地，所述金属层为Hf层，所述金属氧化物层为HfOx层，其中，0＜x＜3。
较佳地，还包括层压于所述TaOx层与所述DLC层之间的TaOx-碳混合层。
较佳地，还包括层压于所述DLC层与所述氟化碳层之间的碳-氟混合层。
较佳地，还包括层压于所述TaOx层与所述氟化碳层之间的TaOx-碳-氟混合层。
较佳地，所述金属层的厚度为5～10埃；所述金属氧化物层的厚度为20～60埃；所述DLC层的厚度为10～20埃；以及所述氟化碳层的厚度为2～10埃。
较佳地，所述DLC层为不含H的DLC层。
较佳地，所述金属层通过溅射方式形成在所述磁头或长形条上。
较佳地，所述金属氧化物层通过ECR、IBE或IBAD将O2等离子体与所述金属层的金属离子结合而形成。
较佳地，所述DLC层通过FCVA形成在所述金属氧化物层上。
较佳地，所述氟化碳层通过ECR、IBE方式将氟元素掺入到所述DLC层中以形成。
本实用新型实施例还提供了一种磁头，包括空气承载面、设于所述空气承载面上的极尖区域以及形成在所述极尖区域上的如上所述的磁头保护膜。
本实用新型实施例还提供了一种磁头折片组合，包括：
如上所述的磁头；以及
与所述磁头连接的悬臂挠性件。
本实用新型实施例还提供了一种磁盘驱动器，包括：
磁盘；
用以旋转所述磁盘的主轴马达；以及
磁头折片组合，所述磁头折片组合包括如上所述的磁头及与所述磁头连接的悬臂挠性件。
与现有技术相比，本实用新型的磁头保护膜能够获得高粘附性、高耐热性和低表面能，使用寿命更长，在磁头使用过程中能够有效保护磁头，防止周围环境对磁头的侵蚀影响,从而提高磁头的性能，最终提高磁盘驱动单元的整体。本实用新型提供的磁头保护膜为多层复合膜，包括覆盖在磁头或长形条上的金属层，例如Ta层或Hf层，从而提高粘附性；包括覆盖在金属层上的金属氧化物层，例如TaOx层或HfOx层，以提高耐热性(热稳定性)；包括覆盖在金属氧化物层上的DLC层，以提高可靠性；还包括覆盖在DLC层上的氟化碳层，从而减少表面能，明显提高水接触角(water contact angle,WCA)，例如95度。另外，为了获得更高的粘附性、耐热性以及更低的表面能，本实用新型实施例的磁头保护膜还包括层压于所述TaOx层与所述DLC层之间的TaOx-碳混合层，层压于所述DLC层与所述氟化碳层之间的碳-氟混合层或层压于所述TaOx层与所述氟化碳层之间的TaOx-碳-氟混合层。
通过以下的描述并结合附图，本实用新型将变得更加清晰，这些附图用于解释本实用新型的实施例。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a为传统磁盘驱动单元的示意图。
图1b为图1a所示传统磁盘驱动单元的磁头折片组合的立体图。
图1c为传统的磁头的立体图。
图1d为图1c所示空气承载面观察的磁头视图。
图1e为图1d中极尖区域的放大视图。
图1f为图1d中A-A方向的局部剖视图。
图1g为图1f中的磁头保护膜的结构示意图。
图1h为图1g中所示的磁头保护膜发送形变损坏后的结构示意图。
图2是本实用新型实施例提供的一种磁头的立体图。
图3为图2所示空气承载面观察的磁头视图。
图4为图2中极尖区域的放大视图。
图5为图2中A-A方向的局部剖视图。
图6是本实用新型实施例提供的第一种磁头保护膜的结构示意图。
图7是本实用新型实施例提供的第二种磁头保护膜的结构示意图。
图8是本实用新型实施例提供的第三种磁头保护膜的结构示意图。
图9是本实用新型实施例提供的第四种磁头保护膜的结构示意图。
图10是本实用新型实施例提供的一种磁头保护膜的制作方法的流程图。
图11是本实用新型实施例提供的一种磁头的制造方法的流程图。
图12是本实用新型实施例提供的一种磁头折片组合的结构示意图。
图13是本实用新型实施例提供的一种磁盘驱动器的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图2～5展示了本实用新型的磁头的结构。如图2所示，磁头203大体呈长方体状，其前后两个侧边分别称为前边(leading edge)221及尾边(trailing edge)223。其中，尾边中央通过积淀方式(deposition)形成极尖(pole tip，其内形成有读写元件)226。该尾边上还设置多个电连接触点224(用于将磁头的读写元件与外部控制系统连接)。磁头面向磁盘的表面上形成空气承载面225(air bearing surface,ABS)。
极尖226是磁头实现数据读写操作的关键元件。该极尖内设置有读元件及/或写元件。图3为从空气承载面观察的磁头视图；图4为图3中极尖区域的放大视图；图5为图3中A-A方向的局部剖视图。磁头203的主体部分(相对于极尖区域)通常称为衬底(substrate)2221。所述极尖区域包括形成于磁头衬底(即磁头的尾边)的第一屏蔽层(first shieldinglayer)2222、第二屏蔽层(second shielding layer)2223、第一写磁极(first writepole)2224及第二写磁极(second write pole)2225。所述第一屏蔽层2222与第二屏蔽层2223之间设置用于读取数据的磁阻元件(magneto-resistive element,MR element)228。所述第一写磁极2224与第二写磁极2225之间设置线圈(coils)229。上述第一屏蔽层2222、第二屏蔽层2223及嵌设于两者之间的磁阻元件228共同构成了磁头的读元件；而上述第一写磁极2224、第二写磁极2225及铜线圈229共同构成了磁头的写元件。
此外，上述所有部件表面(即极尖区域面向空气承载面的表面)上形成有磁头保护膜(overcoat)227，以便在磁头使用过程中防止或减弱周围环境对磁头(主要是极尖区域)的侵蚀影响。
图6展示了本实用新型的磁头保护膜的第一个实施例的结构。如图6所示，本实施例的磁头保护膜227为多层复合膜，包括依次覆盖上磁头203(或长形条，the low bar)上的金属层2271、金属氧化物层2272、DLC层2273以及氟化碳层2274，其中：
所述金属层2271通过溅射方式(例如，ECR或PVD)形成在所述磁头或长形条上。所述金属层2271的厚度为5～10埃。在本实施例中，所述金属层2271为Ta层。在其他实施例中，所述金属层2271可为Hf层或其他。本实施例的金属层2271用于提高与磁头的粘附性，因此，所述金属层2271可采用任何具有高粘附性的金属元素来形成。
所述金属氧化物层2272为通过ECR、IBE或IBAD等方式将O2等离子体与所述金属层2271的金属离子结合而形成。也就是说，所述金属氧化物层2272与所述金属层2271为同一金属元素，当所述金属层为Ta层，所述金属氧化物层为TaOx层，其中，0＜x＜3；当所述金属层为Hf层，所述金属氧化物层为HfOx层，其中，0＜x＜3。所述金属氧化物层2272的厚度为20～60埃。形成在金属层2271上的金属氧化物层2272能够提高耐热性(热稳定性)。
所述DLC层(类金刚石碳层)2273通过FCVA形成在所述金属氧化物层2272上。在形成所述DLC层2273时，利用纯石墨柱(graphitecylinder)作为FCVA靶材。在本实施例中，DLC层为不包含H的DLC层，其厚度为10～20埃。本实施例的DLC层用于增强磁头保护膜的硬度，从而提高可靠性。
所述氟化碳层2274通过ECR、IBE方式将氟元素掺入到所述DLC层2273中以形成。具体的，利用射频源将CF4气体生成CF4等离子体，扩散的F离子与C元素结合形成碳化学键。所述氟化碳层2274的厚度为2～10埃，用于减少表面能，并提高水接触角(water contactangle,WCA)。
图7展示了本实用新型的磁头保护膜的第二个实施例的结构。本实施例的磁头保护膜与图6所示的磁头保护膜一样，包括依次覆盖上磁头203(或长形条，the low bar)上的金属层2271、金属氧化物层2272、DLC层2273以及氟化碳层2274。与图6所示的磁头保护膜不同的是，本实施了的磁头保护膜还包括层压于所述金属氧化物层2272与所述DLC层2273之间的金属氧化物-碳混合层2275。例如，当所述金属氧化物层2272为TaOx时，所述金属氧化物-碳混合层2275为TaOx-碳混合层。具体的，通过在所述TaOx上形成DLC层时，其中，作为靶材的纯石墨与所述TaOx发生反应而生成该TaOx-碳混合层。该TaOx-碳混合层能够进一步获得更高的粘附性、耐热性以及更低的表面能。
图8展示了本实用新型的磁头保护膜的第三个实施例的结构。本实施例的磁头保护膜与图6所示的磁头保护膜一样，包括依次覆盖上磁头203(或长形条，the low bar)上的金属层2271、金属氧化物层2272、DLC层2273以及氟化碳层2274。与图6所示的磁头保护膜不同的是，本实施了的磁头保护膜还包括层压于所述DLC层2273与所述氟化碳层2274之间的碳-氟混合层2276。具体的，通过在所述DLC层2273上形成氟化碳层2274时，其中，扩散的F离子与所述DLC层发生反应而生成该碳-氟混合层2276。该碳-氟混合层2276能够进一步获得更高的粘附性、耐热性以及更低的表面能。
图9展示了本实用新型的磁头保护膜的第四个实施例的结构。本实施例的磁头保护膜与图6所示的磁头保护膜一样，包括依次覆盖上磁头203(或长形条，the low bar)上的金属层2271、金属氧化物层2272、DLC层2273以及氟化碳层2274。与图6所示的磁头保护膜不同的是，本实施了的磁头保护膜还包括层压于所述金属氧化物层2272与所述DLC层2273之间的金属氧化物-碳混合层2275、层压于所述DLC层2273与所述氟化碳层2274之间的碳-氟混合层2276、以及层压于所述金属氧化物层2272与所述氟化碳层之间的金属氧化物-碳-氟混合层2277。其中，金属氧化物-碳混合层2275和碳-氟混合层2276的形成过程请参考上述实施例。其中，当所述金属氧化物层2272为TaOx时，所述金属氧化物-碳-氟混合层2277为TaOx-碳-氟混合层。具体的，通过在所述TaOx上依次形成DLC层和氟化碳层2274时，其中，作为靶材的纯石墨、扩散的F离子与所述TaOx发生反应而生成该TaOx-碳-氟混合层。该TaOx-碳-氟混合层能够进一步获得更高的粘附性、耐热性以及更低的表面能。
可见，本实用新型实施例公开的磁头包括磁头保护膜，该磁头保护膜为多层复合膜，包括覆盖在磁头或长形条上的金属层以提高粘附性；包括覆盖在金属层上的金属氧化物层以提高耐热性(热稳定性)；包括覆盖在金属氧化物层上的DLC层以提高可靠性；以及包括覆盖在DLC层上的氟化碳层，从而减少表面能，明显提高水接触角。因此，利用这样高粘附性、高耐热性和低表面能的磁头保护膜，在磁头使用过程中能够有效保护磁头，防止周围环境对磁头的侵蚀影响,从而提高磁头的性能，使磁头使用寿命更长。
参考图10，本实用新型实施例公开了一种磁头保护膜的制作方法，该方法包括步骤S101～S104：
S101、提供一金属层，所述金属层层压于磁头或长形条上。
在执行步骤S101前，优选还包括以下步骤：
S001、使用超声波及清洗溶剂对所述磁头或长形条进行预清洗；
其中，清洗溶剂可采用甲基吡咯烷酮(N-methylpyrrolidone,NMP)和异丙醇(IsoPropyl Alcohol,IPA)。
S002、预清洗完成后，采用离子束蚀刻清洗所述磁头或长形条。
通常的，可利用氩的等离子体、氩气和氧气的混合气体或者氩气和乙烷的混合气体来进行清洗。
在步骤S101中，所述金属层通过溅射方式(例如，ECR或PVD)形成在所述磁头或长形条上。所述金属层的厚度优选为5～10埃。其中，所述金属层的厚度可通过调节溅射时间来控制。
在本实施例中，所述金属层为Ta层。在其他实施例中，所述金属层可为Hf层或其他。本实施例的金属层用于提高与磁头的粘附性，因此，所述金属层可采用任何具有高粘附性的金属元素来形成。
S102、提供一金属氧化物层并层压于所述金属层；其中，所述金属氧化物层与所述金属层为同一金属元素。
在该步骤中，所述金属氧化物层可通过ECR、IBE或IBAD等方式将O2等离子体与步骤S101形成的所述金属层的金属离子结合而形成。也就是说，所述金属氧化物层与所述金属层为同一金属元素，当所述金属层为Ta层，所述金属氧化物层为TaOx层，其中，0＜x＜3；当所述金属层为Hf层，所述金属氧化物层为HfOx层，其中，0＜x＜3。所述金属氧化物层的厚度优选为20～60埃。在所述金属层上形成金属氧化物层能够提高耐热性(热稳定性)。
S103、提供一DLC层并层压于所述金属氧化物层。
在该步骤中，可通过FCVA在所述金属氧化物层上形成所述DLC层(类金刚石碳层)。具体的，在形成所述DLC层时，利用纯石墨柱(graphitecylinder)作为FCVA靶材。在本实施例中，DLC层为不包含H的DLC层，其厚度为10～20埃。本步骤形成的DLC层用于增强磁头保护膜的硬度，从而提高可靠性。
S104、提供一氟化碳层并层压于所述DLC层。
在该步骤中，可通过ECR、IBE方式将氟元素掺入到所述DLC层中以形成所述氟化碳层。具体的，利用射频源将CF4气体生成CF4等离子体，扩散的F离子与C元素结合形成碳化学键。所述氟化碳层的厚度优选为2～10埃，用于减少表面能，并提高水接触角(watercontact angle,WCA)。
本实用新型另一实施例提供了一种磁头保护膜的制作方法，该实施例提供的磁头保护膜的制作方法在图10的基础上，还包括步骤S105：S105、提供一TaOx-碳混合层，所述TaOx-碳混合层层压于所述TaOx层与所述DLC层之间。
在该步骤中，当所述金属氧化物层为TaOx时，所述金属氧化物-碳混合层为TaOx-碳混合层。具体的，通过在所述TaOx上形成DLC层时，其中，作为靶材的纯石墨与所述TaOx发生反应而生成该TaOx-碳混合层。该TaOx-碳混合层能够进一步获得更高的粘附性、耐热性以及更低的表面能。
本实用新型又一实施例提供了一种磁头保护膜的制作方法，该实施例提供的磁头保护膜的制作方法在图10或上一实施例的磁头保护膜的制作方法的基础上，还包括步骤S106：
S106、提供一碳-氟混合层，所述碳-氟混合层层压于所述DLC层与所述氟化碳层之间。
具体的，通过在所述DLC层上形成氟化碳层时，其中，扩散的F离子与所述DLC层发生反应而生成该碳-氟混合层。该碳-氟混合层能够进一步获得更高的粘附性、耐热性以及更低的表面能。
本实用新型又一实施例提供了一种磁头保护膜的制作方法，该实施例提供的磁头保护膜的制作方法在前述三个实施例的磁头保护膜的制作方法的基础上，还包括步骤S107：
S107、提供一TaOx-碳-氟混合层，所述TaOx-碳-氟混合层层压于所述TaOx层与所述氟化碳层之间。
其中，当所述金属氧化物层为TaOx时，所述金属氧化物-碳-氟混合层为TaOx-碳-氟混合层。具体的，通过在所述TaOx上依次形成DLC层和氟化碳层时，其中，作为靶材的纯石墨、扩散的F离子与所述TaOx发生反应而生成该TaOx-碳-氟混合层。该TaOx-碳-氟混合层能够进一步获得更高的粘附性、耐热性以及更低的表面能。
参考图11，本实用新型实施例公开了一种磁头的制造方法，该方法包括步骤S111～S115：
S111、提供一晶圆；
S112、将晶圆切割成多个长形条；
磁头制造首先是从晶圆(wafer)加工开始的。首先，利用适当长晶法在特定设备内形成晶棒，然后利用切割设备将晶棒切割成薄饼状的材料，即晶圆。经过一系列加工工艺包括研磨(lapping)、清洗(cleaning)、蚀刻(etching)或积淀(deposition)等工艺后，晶圆被切割成条状体，即长形条(row bar)。
S113、对所述长形条的表面进行光刻，形成空气承载面；
光刻(photolithography)可以用于在长形条的表面比如用于形成空气承载面的表面上形成凹凸形态的空气承载面形貌或在已经形成的空气承载面上加工微纹(micro-texture，用于提高磁头的飞行特性。
其中，光刻工艺包括上光阻(photo-resist spraying)、曝光(exposure)、烘焙(baking)、显影(development)、蚀刻(etching)及去光阻(photo-resist removing)等步骤。上光阻就是将感光物质即光阻(photo-resist)借助光阻喷射设备(dispenser)喷射到长形条的待加工表面(即用于形成空气承载面的表面)上。然后，将适当曝光光源(比如深紫外线或激光或电子束或X射线)穿过光罩(reticle，有些场合也称为photo-mask，两者稍有区别)上的空心图案而照射到光阻上，使得光阻被选择性地曝光，从而在光阻上形成被曝光的区域(exposed region)。然后，对光阻进行烘焙，使光阻牢牢地贴在长形条表面而不会剥落。接下来，用显影液清洗光阻，使得被曝光的区域通过与显影液的化学反应而被去掉，从而使长形条的部分表面暴露出来。然后，蚀刻暴露于被曝光区域的长形条表面，从而在该表面形成特定的几何结构。最后，将长形条表面剩余的光阻去掉，从而完成光刻过程。
S114、利用如上所述的磁头保护膜的制作方法，在所述空气承载面上形成磁头保护膜。
在该步骤中，具体通过积淀(deposition)在已经形成的空气承载面上覆盖磁头保护膜，具体的实施过程请参考上述有关步骤。
S115、将所述长形条切成单独的磁头。
在长形条经过蚀刻/积淀工艺处理后，长形条被金刚石切割工具切割成单独的磁头，从而完成磁头的制造流程。
参考图12，本实用新型实施例的磁头折片组合350包括悬臂件340和磁头203。所述悬臂件340包括挠性件344，所述挠性件344包括设有多个导线触点的舌片、设有多个连接触点的尾部、及延伸于所述导线触点与所述连接触点之间并电连接所述导线触点与所述连接触点的多个导线，所述导线排列成至少两层，且每两个相邻层之间设有一个隔离层。所述磁头203通过多个磁头触点与所述导线触点焊接从而与所述挠性件344连接起来。其中，所述磁头203的具体结构已经详细叙述，在此不再重复详述。
如图13所示，根据本实用新型磁盘驱动器的一个实施例，一种磁盘驱动器200由磁头折片组合350、连接所述磁头折片组合350的驱动臂360、磁盘310和用于驱动所述磁盘310的主轴马达320组装在一个机盒里。由于本实用新型所述磁盘驱动器的结构及/或装配流程为业界普通技术人员所熟悉，在此不再详述。
以上结合最佳实施例对本实用新型进行了描述，但本实用新型并不局限于以上揭示的实施例，而应当涵盖各种根据本实用新型的本质进行的修改、等效组合。
Claims (12)
1.一种磁头保护膜，其特征在于，包括：
一金属层，所述金属层层压于磁头或长形条上；
一金属氧化物层，所述金属氧化物层层压于所述金属层；其中，所述金属氧化物层与所述金属层为同一金属元素；
一DLC层，所述DLC层层压于所述金属氧化物层；
一氟化碳层，所述氟化碳层层压于所述DLC层。
2.如权利要求1所述的磁头保护膜，其特征在于：所述金属层为Ta层，所述金属氧化物层为TaOx层，其中，0＜x＜3。
3.如权利要求1所述的磁头保护膜，其特征在于：所述金属层为Hf层，所述金属氧化物层为HfOx层，其中，0＜x＜3。
4.如权利要求2所述的磁头保护膜，其特征在于：还包括层压于所述TaOx层与所述DLC层之间的TaOx-碳混合层。
5.如权利要求1或2述的磁头保护膜，其特征在于，还包括层压于所述DLC层与所述氟化碳层之间的碳-氟混合层。
6.如权利要求2的磁头保护膜，其特征在于：还包括层压于所述TaOx层与所述氟化碳层之间的TaOx-碳-氟混合层。
7.如权利要求1所述的磁头保护膜，其特征在于：所述金属层的厚度为5～10埃；所述金属氧化物层的厚度为20～60埃；所述DLC层的厚度为10～20埃；以及所述氟化碳层的厚度为2～10埃。
8.如权利要求1所述的磁头保护膜，其特征在于：所述金属层通过溅射方式形成在所述磁头或长形条上。
9.如权利要求1所述的磁头保护膜，其特征在于：所述DLC层通过FCVA形成在所述金属氧化物层上。
10.一种磁头，包括空气承载面、设于所述空气承载面上的极尖区域以及形成在所述极尖区域上的如权利要求1～9任一项所述的磁头保护膜。
11.一种磁头折片组合，包括：
如权利要求10所述的磁头；以及
与所述磁头连接的悬臂挠性件。
12.一种磁盘驱动器，包括：
磁盘；
用以旋转所述磁盘的主轴马达；以及
磁头折片组合，所述磁头折片组合包括如权利要求10所述的磁头及与所述磁头连接的悬臂挠性件。
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|---|---|---|---|---|
| CN109402576A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-03-01 | 纳峰真空镀膜（上海）有限公司 | 一种氟掺杂的疏水类金刚石薄膜制备方法 |
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