CN204425772U - 多层基板 - Google Patents

Abstract

多层基板(20)通过层叠仅在第1主面上形成有平面导体的绝缘层(11A)及绝缘层(11B)而成，具有使绝缘层(11A)及绝缘层(11B)的未形成有平面导体的第2主面互相相对并层叠的部分。在使绝缘层(11A)及绝缘层(11B)的第2主面互相相对并层叠的部分上，形成有从绝缘层(11A)的平面导体(12A)沿着层叠方向朝绝缘层(11B)贯通绝缘层(11A)的过孔导体(13A)。由过孔导体(13A)的绝缘层(11B)一侧的端部、以及绝缘层(11B)的平面导体(12C)来形成电容器(15)。

Description

多层基板

技术领域

本实用新型涉及一种层叠绝缘层而成的多层基板。

背景技术

作为形成多层基板的方法，已有如下方法：即、将在单面粘贴有铜箔的单面包铜基材进行层叠的方法。该方法能以简易的工艺来形成多层基板，因此以往以来一直被使用。

例如专利文献1中记载了利用单片包铜基材来形成多层基板的方法。该方法中，将以下两种层相组合，一是使单面导体图案薄膜(单面包铜基材)的未形成有导体图案的面互相相对并层叠而成的层，二是使形成有导体图案的面与未形成有导体图案的面互相相对并层叠而成的层。由此，能够利用单面包铜基材在多层基板的两面(上表面及下表面)形成由导体图案构成的电极。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3407737号公报

实用新型内容

实用新型所要解决的技术问题

在上述专利文献1所记载的多层基板中，为了在多层基板的两面设置电极，设置如下的层、即使单面包铜基材的未形成有导体图案的主面相互相对并进行层叠而成的层，若想要在这些导体图案间产生电容，则在导体图案之间空出两层厚度的间隔，由此所形成的电容将变小。另外，在想要导体图案间的电容变大的情况下，需要增大导体图案之间的相对面积，从而会造成多层基板整体的大型化。

本实用新型的目的在于提供一种多层基板，该多层基板在使绝缘层的主面中未形成有平面导体的主面互相相对并进行层叠的情况下，也能在抑制多层基板大型化的同时形成较大的电容。

解决技术问题所采用的技术方案

(1)本实用新型的多层基板通过层叠仅在第1主面上形成有平面导体的绝缘层而成，具有使绝缘层的未形成有平面导体的第2主面互相相对并层叠的部分。在使第2主面互相相对并进行层叠的部分，形成有从一个绝缘层的平面导体沿着层叠方向向另一个绝缘层至少贯通一个绝缘层的贯通导体。由贯通导体的另一个绝缘层侧的端部、以及另一个绝缘层的平面导体形成电容器。

该结构下，在使第2主面互相相对并进行层叠的部分，由贯通导体的另一个绝缘层侧的端部、以及另一个绝缘层的平面导体形成电容器。因此，由于形成电容器的导体间的距离变近，因此即使在使绝缘层的第2主面相互相对并进行层叠的情况下，也能在抑制多层基板大型化的同时形成较大的电容。

(2)本实用新型的多层基板上，优选为，形成电容器的、贯通导体的另一个绝缘层侧端部、与另一个绝缘层的平面导体在层叠方向上互相相对。

该结构下，与贯通导体的另一个绝缘层侧端部及另一个绝缘层的平面导体的位置偏离于相对位置的情况相比，能形成更大的电容。

(3)本实用新型的多层基板上，优选为，贯通导体的另一个绝缘层侧端部、与另一个绝缘层的平面导体隔着一层绝缘层来形成电容器。

该结构下，由于贯通导体的另一个绝缘层侧端部及另一个绝缘层的平面导体之间仅隔开一层的间隔，因此能形成更大的电容。

(4)本实用新型的多层基板在使第2主面互相相对并进行层叠的部分具备层间连接导体，该层间连接导体将一个绝缘层及另一个绝缘层均贯通，并使一个绝缘层的平面导体与另一个绝缘层的平面导体相连接，由此能使绝缘层的第2主面互相相对并层叠的部分上下导通。

(5)本实用新型的多层基板上，优选为，贯通导体及层间连接导体通过对绝缘层上设置的贯通孔中填充导电糊料并使其固化而成。

(6)本实用新型的多层基板上，优选为，设有多个贯通导体，电容器由多个贯通导体的另一个绝缘层侧的端部、以及另一个绝缘层的一个平面导体形成。

该结构下，能根据贯通导体的个数容易地形成较大的电容。

(7)本实用新型的多层基板上，优选为，在使第2主面互相相对并层叠的部分，贯通导体所贯通的一个绝缘层的厚度比另一个绝缘层的厚度要厚。

该结构下，由于在较厚的绝缘层上形成过孔导体，因此能进一步拉近形成电容器的导体间的距离，能形成更大的电容。

(8)本实用新型的多层基板具备具有可挠性的部分，通过在具有可挠性的部分形成贯通导体，从而能例如使形成于柔性电缆内的电容增大。

(9)本实用新型的多层基板上，优选为，在使第2主面互相相对并层叠的部分，一个绝缘层的第1主面上及另一个绝缘层的第1主面上分别设置有线圈形成图案。

该结构下，与在粘贴第1主面及第2主面而成的绝缘层上设置线圈形成图案的情况相比，能够扩大层叠方向上的各线圈形成图案的间隔，而不会增加层叠数。通过扩大各线圈形成图案的间距，从而能缩小线圈形成图案间的线间电容，能提高线圈的自谐振频率。因此，能够在抑制多层基板大型化的同时，由平面导体及贯通导体来形成较大的电容，且能提高线圈的自谐振频率。

(10)本实用新型的多层基板上，贯通导体的另一个绝缘层侧的端部可以位于另一个绝缘层的中途。

该结构下，由于形成一直延伸到绝缘层中途的贯通导体，因此能任意调整贯通导体的端部与平面导体间的距离，设计的自由度得以提高。另外，由于能够将贯通导体的端部与平面导体之间的距离拉近至小于绝缘层的厚度，因此能够增大电容，而无需增大相对面积。

实用新型效果

根据本实用新型，即使在使绝缘层的主面中未形成有平面导体的主面互相相对并进行层叠的情况下，也能在抑制多层基板大型化的同时形成较大的电容。

附图说明

图1(A)是表示实施方式1所涉及的多层基板的一部分的外观立体图。图1(B)是表示实施方式1所涉及的多层基板的一部分的分解立体图。

图2是示出了实施方式1所涉及的多层基板的一部分的分解俯视图。

图3(A)是表示实施方式1所涉及的多层基板的一部分的A-A剖视图。图3(B)是表示实施方式1所涉及的多层基板的一部分的B-B剖视图。

图4是实施方式1所涉及的多层基板的外观立体图。

图5是表示实施方式1所涉及的多层基板的制造方法的剖视图。

图6(A)是表示实施方式2所涉及的多层基板的一部分的外观立体图。图6(B)是表示实施方式2所涉及的多层基板的一部分的分解立体图。

图7是表示实施方式2所涉及的多层基板的一部分的分解俯视图。

图8是表示实施方式2所涉及的多层基板的一部分的A-A剖视图。

图9是表示实施方式3所涉及的多层基板的一部分的剖视图。

图10是表示其它实施方式所涉及的多层基板的一部分的剖视图。

具体实施方式

《实施方式1》

对本实用新型的实施方式1所涉及的多层基板10进行说明。图1(A)是表示实施方式1所涉及的多层基板的一部分的外观立体图。图1(B)是表示实施方式1所涉及的多层基板的一部分的分解立体图。图2是表示多层基板10的一部分的分解俯视图。图3(A)是表示实施方式1所涉及的多层基板的一部分的A-A剖视图。图3(B)是表示实施方式1所涉及的多层基板的一部分的B-B剖视图。

多层基板10包括绝缘层11A、绝缘层11B、平面导体12A、平面导体12B、平面导体12C、过孔导体13A、过孔导体13B以及过孔导体13C。绝缘层11A是本实用新型的“一个绝缘层”的一个示例。绝缘层11B是本实用新型的“另一个绝缘层”的一个示例。过孔导体13A是本实用新型的贯通导体的一个示例。过孔导体13B及过孔导体13C是本实用新型的层间连接导体的一个示例。平面导体12A及平面导体12B是本实用新型的线圈形成图案的一个示例。

绝缘层11A及绝缘层11B的材料例如为液晶聚合物(LCP)等热可塑性树脂。平面导体12A、平面导体12B以及平面导体12C由铜箔等导电性材料形成。过孔导体13A、过孔导体13B以及过孔导体13C如后所述那样，通过对设置于绝缘层的过孔填充导电糊料并固化而形成。

多层基板10将绝缘层11A及绝缘层11B进行层叠而成。多层基板10的上表面形成有平面导体12A。以下，将绝缘层11A的上表面及绝缘层11B的下表面称为第1主面，将绝缘层11A的下表面及绝缘层11B的上表面称为第2主面。

平面导体12A形成于绝缘层11A的第1主面上。平面导体12B和平面导体12C形成于绝缘层11B的第1主面上。绝缘层11A及绝缘层11B层叠成绝缘层11A的第2主面与绝缘层11B的第2主面相抵接。由此，多层基板10通过层叠仅在第1主面上形成有平面导体的绝缘层而成，具有使绝缘层的未形成有平面导体的第2主面互相相对并层叠的部分。

平面导体12A的图案形成为俯视时描绘为矩形。平面导体12A的一部分在远离矩形中心的方向上延伸。平面导体12A的端部中延伸一侧的端部上连接有过孔导体13A。过孔导体13A在层叠方向上贯通绝缘层11A。过孔导体13A在使绝缘层11A及绝缘层11B的第2主面互相相对并层叠的部分上，从绝缘层11A的平面导体12A沿着层叠方向朝绝缘层11B贯通绝缘层11A。另外，平面导体12A的端部上连接有过孔导体13A一侧的相反侧的端部连接有过孔导体13B。过孔导体13B在层叠方向上贯通绝缘层11A。

平面导体12B的图案形成为俯视时与平面导体12A相重合。平面导体12B的一部分被引出至外侧。平面导体12B在俯视时与过孔导体13B相重合的位置上与过孔导体13C相连接。过孔导体13C在层叠方向上贯通绝缘层11B。过孔导体13B与过孔导体13C相连接。由过孔导体13B与过孔导体13C构成的层间连接导体在使绝缘层11A及绝缘层11B的第2主面互相相对并层叠的部分，将绝缘层11A及绝缘层11B均贯通，使绝缘层11A的平面导体12A与绝缘层11B的平面导体12B相连接。平面导体12A、过孔导体13B、过孔导体13C以及平面导体12B形成为螺旋状。由此，线圈16(参照图3)得以形成。也就是说，在使绝缘层11A及绝缘层11B的第2主面互相相对并层叠的部分，绝缘层11A的第1主面及绝缘层11B的第1主面上分别设有线圈形成图案。

平面导体12C由矩形部分及从矩形部分延伸的线状部分构成。平面导体12C在俯视时与过孔导体13A重合的位置上形成有矩形部分。过孔导体13A的端部(绝缘层11A的第2主面侧)与平面导体12C的矩形部分隔着绝缘层11B而相对。由此，电容器15(参照图3)得以形成。也就是说，由过孔导体13A的绝缘层11B一侧的端部、以及绝缘层11B的平面导体12C来形成电容器15。形成电容器15的、过孔导体13A的绝缘层11B一侧的端部、以及绝缘层11B的平面导体12C在层叠方向上互相相对。过孔导体13A的绝缘层11B一侧的端部、以及绝缘层11B的平面导体12C隔着一层绝缘层11B形成电容器15。

图4是多层基板10的外观立体图。多层基板10大致呈矩形平板状，在长边方向上延伸得较长。多层基板10具有可挠性。多层板10在弯折部分19处弯折来使用。弯折部分19的内部形成有由电感器及电容器构成的高频匹配电路17。高频匹配电路17如图1～图3所示那样构成。也就是说，在具有可挠性的部分形成过孔导体13A。在多层基板10的端部，IC芯片18A及电容器18B安装于上表面。高频匹配电路17、IC芯片18A及电容器18B通过形成于多层基板10内部的布线(未图示)而电连接。上述多层基板10用作柔性电缆。此外，多层基板10也可以内置或形成有其它电子元器件。

图5是表示多层基板10的制造方法的剖视图。多层基板10的制造方法所制造的多层基板10通过对仅在第1主面上形成有平面导体且具有由热可塑性树脂构成的绝缘层的单面包铜基材14A以及单面包铜基材14B进行层叠而成，具有使单面包铜基材14A以及单面包铜基材14B的绝缘层的未形成有平面导体的第2主面互相相对并进行层叠的部分。单面包铜基材14A是本实用新型的第1基材的一个示例。单面包铜基材14B是本实用新型的第2基材的一个示例。

首先，如图5(A)所示，准备单面包铜基材14A。单面包铜基材14A由在单面形成有铜箔121的绝缘层11A构成。此处，示例出了铜箔，但并不局限于此，也可以是导体箔。此外，以下将单面包铜基材的主面中形成有铜箔一侧的主面称作第1主面，将第1主面相反侧的主面称作第2主面。

接下来，如图5(B)所示，通过光刻或蚀刻技术来对铜箔121进行图案处理，从而在合适的位置形成平面导体12A。另外，通过激光加工等形成过孔132，以使得俯视时与平面导体12A相重合，并在层叠方向上贯通绝缘层11A。也就是说，在单面包铜基材14A上形成从单面包铜基材14A的平面导体12A开始沿层叠方向贯通绝缘层11A的过孔132。过孔132是本实用新型的贯通孔的一个示例。

接下来，如图5(C)所示，在单面包铜基材14A的过孔132中填充导体糊料131。导电糊料131由以锡或银为主要成分的导电性材料构成。由此，平面导体12A得以形成，填充有导电糊料131的单面包铜基材14A得以形成。

接下来，如图5(D)所示，通过与单面包铜基材14A的情况相同的工序来准备单面包铜基材14B。单面包铜基材14B由在单面形成有平面导体12B及平面导体12C的绝缘层11B构成。

接下来，如图5(E)所示，使单面包铜基材14A的第2主面与单面包铜基材14B的第2主面相抵接，对单面包铜基材14A及单面包铜基材14B进行层叠。此时，使所填充的导电糊料131的端部(单面包铜基材14A的第2主面侧)与平面导体12C相对。也就是说，使单面包铜基材14A与单面包铜基材14B各自的第2主面互相相对来进行层叠，以使得单面包铜基材14A的填充有导电糊料131的过孔132的端部与单面包铜基材14B的平面导体12C在层叠方向上相对。另外，也对未图示的其它单面包铜基材进行层叠。

接下来，如图5(F)所示，对层叠的单面包铜基材14A及单面包铜基材14B进行加热冲压。由此，构成绝缘层11A及绝缘层11B的热可塑性树脂软化，绝缘层11A及绝缘层11B相接合，成为一体。另外，所填充的导电糊料131固化，过孔导体13A得以形成。通过上述工序，形成有电容器15的多层基板10得以完成。

在实施方式1中，如上所述，过孔导体13A从平面导体12A向绝缘层11A的第2主面一侧贯通绝缘层11A，与平面导体12C相对。因此，相对的导体间的距离变近，因此即使在使绝缘层的第2主面相互相对并进行层叠的情况下，也能在抑制多层基板大型化的同时形成较大的电容。另外，通过改变过孔导体13A的孔径能调整电容的大小。

另外，例如，为了在形成有铜箔的面与未形成有铜箔的面贴合并层叠的单面包铜基材(按序层叠)上隔着两层绝缘层来配置平面导体，需要三块单面包铜基材。另一方面，为了在将未形成有铜箔的主面互相粘贴而成的单面包铜基材上隔着两层绝缘层来配置平面导体，仅需两块单面包铜基材即可。因此，通过在将第2主面相互粘贴而成的绝缘层11A及绝缘层11B上形成线圈16，能够使平面导体12A与平面导体12B在层叠方向上远离，且按序层叠的情况相比层叠数不会增加。通过使平面导体12A与平面导体12B在层叠方向上远离，能够在线圈16上减小线间电容，因此能提高线圈16的自谐振频率。因此，在多层基板10上，能在抑制多层基板大型化的同时，还能通过平面导体12C及过孔导体13A形成较大的电容，且提高线圈16的自谐振频率。

《实施方式2》

对本实用新型的实施方式2所涉及的多层基板20进行说明。图6(A)是表示实施方式2所涉及的多层基板的一部分的外观立体图。图6(B)是表示多层基板20的一部分的分解立体图。图7是表示多层基板20的一部分的分解俯视图。图8是表示多层基板20的一部分的A-A剖视图。

多层基板20通过层叠仅在第1主面上形成有平面导体的绝缘层而成，具有使绝缘层的未形成有平面导体的第2主面互相相对并层叠的部分。在使绝缘层11A及绝缘层11B的第2主面互相相对并层叠的部分上，形成有从绝缘层11A的平面导体22A沿着层叠方向朝绝缘层11B贯通绝缘层11A的过孔导体23A。由过孔导体23A的绝缘层11B一侧的端部、以及绝缘层11B的平面导体12C来形成电容器25。

平面导体22A的端部(从形成线圈的部分延伸一侧的端部)呈矩形。平面导体22A的矩形部分以及平面导体12C的矩形部分大致呈相同形状，从层叠方向上看相重合。

四个过孔导体23A形成为在层叠方向上贯通绝缘层11A。过孔导体23A的端部与平面导体12C的矩形部分隔着绝缘层11B相对，从而形成电容器25。也就是说，设置有多个过孔导体23A，电容器25由多个过孔导体23A的绝缘层11B一侧的端部、以及绝缘层11B的一个平面导体12C形成。

实施方式2中，如上所述，多个过孔导体23A与平面导体12C相对。因此，能够扩大相对面积，从而形成较大的电容。另外，由于绝缘层进入与层叠方向平行排列的过孔导体间，因此与以孔径较大的过孔导体来形成同等的相对面积相比的情况，能更进一步保持多层基板10的可挠性。另外，通过改变过孔导体23A的数量，能根据过孔导体23A的个数容易地调整电容的大小。

《实施方式3》

对本实用新型的实施方式3所涉及的多层基板30进行说明。图9是表示多层基板30的一部分的剖视图。多层基板30具备绝缘层31A、绝缘层31B、平面导体32A、平面导体32C以及过孔导体33A。

多层基板30通过层叠仅在第1主面上形成有平面导体的绝缘层而成，具有使绝缘层的未形成有平面导体的第2主面互相相对并层叠的部分。在使绝缘层31A及绝缘层31B的第2主面互相相对并层叠的部分上，形成有从绝缘层31A的平面导体32A沿着层叠方向朝绝缘层31B贯通绝缘层31A的过孔导体33A。由过孔导体33A的绝缘层31B一侧的端部、以及绝缘层31B的平面导体32C来形成电容器35。在使绝缘层31A及绝缘层31B的第2主面互相相对并层叠的部分上，过孔导体33A所贯通的绝缘层31A的厚度比绝缘层31B的厚度要厚。过孔导体33A的端部隔着绝缘层31B与平面导体32C相对，从而形成电容器35。

在实施方式3中，如上所述，在比绝缘层31B要厚的绝缘层31A上形成有过孔导体33A。也就是说，由于在较厚的绝缘层上形成过孔导体，因此能进一步拉近相对的导体间的距离，能形成更大的电容。

此外，在上述实施方式中，形成电容的过孔导体的端部与平面导体在层叠方向上相对，但本实用新型并不局限于此。若在过孔导体的端部与平面导体之间形成有电容，则过孔导体的端部及平面导体的位置也可以偏离相对位置。

另外，在上述实施方式中，形成电容的过孔导体贯通一层绝缘层，但本实用新型并不局限于此。形成电容的过孔导体也可以贯通多层的绝缘层。另外，在上述实施方式中，形成电容的过孔导体的端部与平面导体之间设有一层绝缘层，但本实用新型并不局限于此。形成电容的过孔导体的端部与平面导体之间也可以设有多层的绝缘层。

另外，在上述实施方式中，形成电容的过孔导体贯通一层绝缘层，但本实用新型并不局限于此。也可以如图10所示，形成电容的过孔导体43A贯通一层绝缘层41A，并进而延伸到另一侧的绝缘层41B的中途为止。也就是说，也可以由位于绝缘层41B中途的过孔导体43A的端部与平面导体42C来形成电容器45。由此若能形成一直延伸到绝缘层中途的过孔导体，则能任意调整过孔导体的端部与平面导体间的距离，设计的自由度得以提高。另外，由于能够将过孔导体的端部与平面导体之间的距离拉近至小于绝缘层的厚度，因此能够增大电容，而无需增大相对面积。

标号说明

10～30多层基板

11A绝缘层(一个绝缘层)

11B绝缘层(另一个绝缘层)

31A、31B、41A、41B绝缘层

12A、12B平面导体(线圈形成图案)

12C平面导体

22A、32A、32C、42C平面导体

13A过孔导体(贯通导体)

13B、13C过孔导体(层间连接导体)

23A、33A、43A过孔导体

14A单面包铜基材(第1基材)

14B单面包铜基材(第2基材)

15、25、35、45电容器

16线圈

17高频匹配电路18A IC芯片

18B电容器

121铜箔

131导电糊料

132过孔(贯通孔)

Claims (10)

1.一种多层基板，该多层基板通过层叠仅在第1主面上形成有平面导体的绝缘层而成，具有使所述绝缘层的未形成有平面导体的第2主面互相相对并层叠的部分，

在使所述第2主面互相相对并进行层叠的部分，形成有从一个绝缘层的平面导体沿着层叠方向向另一个绝缘层至少贯通所述一个绝缘层的贯通导体，

由所述贯通导体的所述另一个绝缘层侧的端部、以及所述另一个绝缘层的平面导体形成电容器。

2.如权利要求1所述的多层基板，其特征在于，

形成所述电容器的、所述贯通导体的所述另一个绝缘层一侧的端部、与所述另一个绝缘层的平面导体在层叠方向上互相相对。

3.如权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

所述贯通导体的所述另一个绝缘层侧端部、与所述另一个绝缘层的平面导体隔着一层所述绝缘层来形成所述电容器。

4.如权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

在使所述第2主面互相相对并进行层叠的部分具备层间连接导体，该层间连接导体将所述一个绝缘层及所述另一个绝缘层均贯通，并使所述一个绝缘层的平面导体与所述另一个绝缘层的平面导体相连接。

5.如权利要求4所述的多层基板，其特征在于，

所述贯通导体及所述层间连接导体通过对所述绝缘层上设置的贯通孔填充导电糊料并使其固化而成。

6.如权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

设有多个所述贯通导体，

所述电容器由多个所述贯通导体的所述另一个绝缘层侧的端部、以及所述另一个绝缘层的一个平面导体形成。

7.如权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

在使所述第2主面互相相对并层叠的部分，所述贯通导体所贯通的所述一个绝缘层的厚度比所述另一个绝缘层的厚度要厚。

8.如权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

具备具有可挠性的部分，

在具有所述可挠性的部分形成有所述贯通导体。

9.如权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

在使所述第2主面互相相对并层叠的部分，所述一个绝缘层的第1主面上及所述另一个绝缘层的第1主面上分别设置有线圈形成图案。

10.如权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

所述贯通导体的所述另一个绝缘层侧的端部位于所述另一个绝缘层的中途。