CN203193584U - 振动元件、振子、振荡器以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供振动元件、振子、振荡器以及电子设备，即使形成比激励电极厚的引出电极，也能够可靠地实现电连接，能够可靠地进行工作。该振动元件包含：振动部；厚壁部，其与上述振动部一体化并且厚度比上述振动部厚；激励电极，其配置在上述振动部的两个主面上，由一层以上的导电层构成；以及引线电极，其配置在上述厚壁部上，并与上述激励电极电连接，由一层以上的导电层构成，上述激励电极以及上述引线电极的至少一层是同一层。

Description

振动元件、振子、振荡器以及电子设备

技术领域

本实用新型涉及振动元件、振子、振荡器以及电子设备。

背景技术

近年来，进行激励的主振动的振动模式为厚度剪切振动、且具有良好的频率温度特性的三次曲线的AT切石英振子作为小型且进行高频振荡的压电振荡器的振动元件被用在多种电子设备中，但还需要能实现进一步的高频化和小型化的振子。为了实现AT切石英振子的高频化，一般使振动元件的振动部分的厚度变薄，但随着振动部分的薄型化，形成在振动部分中的激励电极也需要成为更薄的导电层。

但是，存在由于使激励导电层进一步变薄而引起导通电阻上升等的问题。对此，在专利文献1中公开了根据振动部分的石英振动元件的厚度与激励导电层的厚度的最佳厚度比来形成振子，由此能够降低在石英与导电层之间产生的热变形，可获得良好的频率温度特性。

另外，在专利文献2中也与专利文献1同样地公开了根据振动部分中的石英振动元件与导电层的适当厚度比来形成振子，由此能够防止滞后作用所引起的回流前后的频率变化以及频率温度特性的变化。此外，还公开了如下技术：在使激励导电层变薄而引起导通电阻变大、CI值增加的情况下，使引出电极的膜厚比激励导电层厚，由此进行改善。

专利文献1：日本特开平11-284484号公报

专利文献2：日本特开2005-203858号公报

但是，如上述专利文献1、2公开的那样，即使可通过形成更薄的激励电极来获得具有良好频率温度特性的振子，也由于引出电极的膜厚比激励电极厚，而有可能导致激励电极与引出电极之间的电连接不稳定。

实用新型内容

因此，本实用新型提供即使形成膜厚比激励电极厚的引出电极也能够可靠地实现电连接的振动元件、振子，提供可靠地进行工作的振荡器以及电子设备。

本实用新型为了解决上述课题的至少一个，可作为下述方式或应用例来实现。

[应用例1]本应用例的振动元件具有：基板，其包含振动部和与所述振动部一体化并且厚度比所述振动部厚的厚壁部；激励电极，其设置在所述振动部上；以及引线电极，其与所述激励电极连接，并设置在所述振动部和所述厚壁部上，该振动元件的特征在于，所述引线电极包含：第1导电层，其与所述激励电极为同一层，并且从所述激励电极起延伸；以及第2导电层，其设置在所述第1导电层上。

根据本应用例的振动元件，可通过在引线电极与激励电极中形成至少一层的导电层，来可靠地保持引线电极与激励电极的电连接，获得工作的可靠性高的振动元件。

[应用例2]根据应用例1所述的振动元件，其特征在于，所述第1导电层包含第1层和层叠在所述第1层上的第2层。

根据上述应用例，为了提高振动部的振动性能，将激励电极形成得极薄，但由于薄膜化而增加的电阻导致的损耗即欧姆损耗增加。通过使对振动不产生作用的引线电极形成得比激励电极厚，可降低欧姆损耗，由此能够抑制CI值的劣化。

[应用例3]根据应用例2所述的振动元件，其特征在于，所述第1层含有Ni。

[应用例4]根据应用例2或3所述的振动元件，其特征在于，所述第2层含有Au。

[应用例5]根据应用例1至3中的任意一项所述的振动元件，其特征在于，所述第2导电层含有Au。

[应用例6]根据应用例1至3中的任意一项所述的振动元件，其特征在于，所述厚壁部以使所述振动部的外缘的至少一部分露出的方式包含：俯视时夹着所述振动部而配置的第1区域以及第2区域；以及第3区域，其与所述第1区域的一个端部以及所述第2区域的一个端部连接。

[应用例7]根据应用例6所述的振动元件，其特征在于，所述基板是这样的石英板：在石英的晶轴即作为电气轴的X轴、作为机械轴的Y轴以及作为光学轴的Z轴中，所述X轴为旋转轴，使所述Z轴以+Z侧向所述Y轴的-Y方向旋转的方式倾斜后的轴为Z’轴，使所述Y轴以+Y侧向所述Z轴的+Z方向旋转的方式倾斜后的轴为Y’轴，包含所述X轴以及所述Z’轴的面为主面，沿着所述Y’轴的方向为厚度方向。

[应用例8]根据应用例7所述的振动元件，其特征在于，所述第1区域以及所述第2区域沿着与所述X轴交叉的方向配置，所述第3区域以及露出的所述至少一部分的外缘沿着与所述Z’轴交叉的方向配置。

[应用例9]根据应用例8所述的振动元件，其特征在于，所述至少一部分的外缘配置在所述Z’轴的负侧。

[应用例10]本应用例的振子的特征在于，该振子具备：应用例1至3中的任意一项所述的振动元件；以及安装有所述振动元件的封装。

根据本应用例的振子，能够可靠地保持引线电极与激励电极的电连接，并能够获得工作的可靠性高的振动元件。此外还能够降低欧姆损耗，获得可抑制CI值的劣化的振子。

[应用例11]本应用例的振荡器的特征在于，该振荡器具备：应用例1至3中的任意一项所述的振动元件；以及驱动所述振动元件的电路。

根据本应用例的振荡器，通过采用可靠地保持引线电极与激励电极的电连接、工作的可靠性高、降低欧姆损耗且抑制CI值劣化的振子，能够获得可靠性高且性能稳定的振荡器。

[应用例12]本应用例的电子设备的特征在于，该电子设备具备应用例1至3中的任意一项所述的振动元件。

根据本应用例的电子设备，通过采用可靠地保持引线电极与激励电极的电连接、工作的可靠性高、降低欧姆损耗且抑制CI值劣化的振子，能够获得可靠性高且性能稳定的电子设备。

附图说明

图1(a)是示出第1实施方式的振动元件的俯视图，图1(b)是图1(a)所示的A-A’部的剖面图，图1(c)是图1(a)所示的B-B’部的剖面图。

图2是说明AT切石英基板与晶轴的关系的立体图。

图3是说明第1实施方式的振动元件的导电层的结构的放大剖面图。

图4是第1实施方式的振动元件的制造流程图。

图5是示出第1实施方式的振动元件的制造方法的概要剖面图以及概要俯视图。

图6是示出第1实施方式的振动元件的制造方法的概要剖面图以及概要俯视图。

图7(a)是示出第3实施方式的振子的俯视图，图7(b)是图7(a)所示的C-C’部的剖面图。

图8(a)是示出第4实施方式的振荡器的俯视图，图8(b)是图8(a)所示的D-D’部的剖面图。

图9是第5实施方式的电子设备的示意图。

标号说明

1振动元件；10压电基板；20电极。

具体实施方式

以下，参照附图来说明本实用新型的实施方式。

(第1实施方式)

图1(a)是示出第1实施方式的振动元件的俯视图，图1(b)是图1(a)所示的A-A’部的剖面图，图1(c)是图1(a)所示的B-B’部的剖面图。如图1(a)所示，振动元件1具备由压电材料形成的压电基板10和形成在压电基板10的两面上的电极20。压电基板10具备：矩形的平面形状的振动部11，其形成为薄壁的平板状；和支承部12，其是与振动部11的矩形平面的3边连接的形成得比振动部11厚的厚壁部。如图1(b)所示，作为振动部11的振动主面的一个面11a(以后，称为第1振动面11a)不与支承部12的一个面12a(以后，称为第1支承面12a)相连，而与阶梯面12b相连，振动部11处于从支承部12起凹陷的形态。但是，作为振动部11的振动主面的另一个面11b(以后，称为第2振动面11b)与支承部12的另一个面12c(以后，称为第2支承面12c)形成在同一面上。

电极20具备形成在第1振动面11a以及第1支承面12a上的第1电极21、和形成在第2振动面11b以及第2支承面12c上的第2电极22。第1电极21具备：形成在第1振动面11a上的第1激励电极21a；第1引线电极21b，其与第1激励电极21a连接并形成在第1振动面11a、阶梯面12b和第1支承面12a上；以及第1焊盘21c，其与封装具有的连接电极连接，形成在第1支承面12a上。同样，第2电极22具备：形成在第2振动面11b上的第2激励电极22a；第2引线电极22b，其与第2激励电极22a连接并形成在第2振动面11b与第2支承面12c上；以及第2焊盘22c，其与封装具有的连接电极连接，形成在第2支承面12c上。

振动元件1根据从第1焊盘21c以及第2焊盘22c输入的激励电流，在第1激励电极21a与第2激励电极22a之间的振动部11中产生电场，并利用压电效应使振动部11振动。在采用属于三方晶系列的压电材料的石英形成压电基板10的情况下，如图2所示，具有相互垂直的晶轴X、Y、Z。X轴称为电气轴、Y轴称为机械轴、Z轴称为光学轴，将沿着使XZ面绕X轴旋转预定角度θ后的平面切出的平板用作压电基板10。

例如，在AT切石英基板的情况下，角度θ是35.25°(35°15′)。这里，当使Y轴与Z轴围绕X轴旋转角度θ而成为Y’轴以及Z’轴时，AT切石英基板具有垂直的晶轴X、Y’、Z’。因此，在AT切石英基板中，厚度方向是Y’轴，包含与Y’轴垂直的X轴以及Z’轴的面是主面，在主面上作为主振动，激励厚度剪切振动。利用这样形成的AT切石英基板来形成压电基板10。此外，本实施方式的压电基板10不限于图2所示的角度θ为35.25°的AT切，例如，也可以是激励厚度剪切振动的BT切等的压电基板。

这里，采用图3来说明电极20。图3是图1(b)所示的剖面图的部分放大图。如图3所示，在第1振动面11a以及第1支承面12a上层叠作为导电层的第1导电层31a、第2导电层31b、以及第3导电层31c而形成第1电极21。另外，在第2振动面11b以及未图示的第2支承面12c上层叠作为导电层的第1导电层32a、第2导电层32b以及第3导电层32c而形成第2电极22。

在振动部11的第1振动面11a表面上层叠有第1导电层31a和第2导电层31b，作为第1电极21的第1激励电极21a。例如将与压电基板10的石英的紧贴性良好的镍(Ni)作为基底层，使第1导电层31a成膜，在第1导电层31a的表层上使用金(Au)作为导电膜使第2导电层31b成膜。另外，在支承部12的第1支承面12a、阶梯面12b以及第1振动面11a上层叠第1导电层31a、第2导电层31b和第3导电层31c作为第1电极21的第1引线电极21b。使金成膜作为导电膜，成为第3导电层31c。

在第1激励电极21a与第1引线电极21b上具有第1导电层31a、第2导电层31b作为共同导电层，为了使第1引线电极21b形成得较厚，第1引线电极21b在共同电极的第2导电层31b上层叠有第3导电层31c。通过这样地形成第1电极21，为了提高振动部11的振动性能而使第1激励电极21a形成得极薄，但为了降低因薄膜化而增加的电阻导致的损耗即欧姆损耗，使第1引线电极21b形成得比第1激励电极21a的膜厚。由此能够抑制CI值的劣化。另外，使第1导电层31a以及第2导电层31b作为第1激励电极21a与第1引线电极21b的共同电极而构成同一层膜，由此能够可靠地进行第1引线电极21b与第1激励电极21a的电连接，可获得具有高可靠性的振动元件1。

同样，在形成在第2振动面11b以及第2支承面12c上的第2电极22中，也在第2振动面11b表面上层叠有第1导电层32a和第2导电层32b作为第2激励电极22a，在第2支承面12c以及第2振动面11b上层叠有第1导电层32a、第2导电层32b和第3导电层32c作为第2引线电极22b。在第2电极22中，也是为了提高振动部11的振动性能，使第2激励电极22a形成得极薄，但为了降低因薄膜化而增加的电阻导致的损耗即欧姆损耗，使第2引线电极22b形成得比第2激励电极22a的膜厚。由此能够抑制CI值的劣化。另外，使第1导电层32a以及第2导电层32b作为第2激励电极22a与第2引线电极22b的共同电极而构成同一层膜，由此能够可靠地进行第2引线电极22b与第2激励电极22a的电连接，能够获得具有高可靠性的振动元件1。

此外，在本实施方式中说明了层叠有第1导电层31a、32a、第2导电层31b、32b、第3导电层31c、32c这3层的导电层的电极20的结构，但不限于此。只要第1引线电极21b以及第2引线电极22b的导电层的厚度形成为至少比第1激励电极21a以及第2激励电极22a的导电层的厚度厚即可。而且，在构成第1激励电极21a以及第2激励电极22a的1层以上的导电层与构成第1引线电极21b以及第2引线电极22b的1层以上的导电层中，只要具有至少1层以上的同一层，则对导电层的层数没有限定。

(第2实施方式)

作为第2实施方式，示出在上述第1实施方式的振动元件1的压电基板10上的电极20的形成方法的一个实施方式。图4是示出在第2实施方式的压电基板10上的电极20的形成方法的流程图。另外，图5、6是示出振动元件1的制造方法的、图1所示的A-A’部中的概要剖面图以及概要俯视图。

[压电基板准备工序]

首先，如图5(a)所示，进行准备由石英形成的压电基板10的压电基板准备工序(S1)。在压电基板准备工序(S1)中，对经过检查等质量检测而判定为合格品的压电基板10进行清洗、计数、向夹具安装等，转移至接下来的第1导电层成膜工序。

[第1导电层成膜工序]

在第1导电层成膜工序(S2)中，如图5(b)所示，在压电基板10的主面侧的两个整面上使第1导电层31a、32a成膜。利用溅射法、蒸镀法或CVD法等方法，将与形成压电基板10的石英的紧贴性良好的镍(Ni)作为成膜材料而形成为约7nm厚度的膜。在成膜后，转移至接下来的第2导电层成膜工序。此外，在第1导电层成膜工序(S2)中，也可以使第1导电层31a、32a在压电基板10的图示侧面部10a上成膜。

[第2导电层成膜工序]

在第2导电层成膜工序(S3)中，如图5(c)所示，使第2导电层31b、32b成膜于在第1导电层成膜工序(S2)中成膜的第1导电层31a、32a的表面上。利用溅射法、蒸镀法或CVD法等方法将导电性、耐蚀性良好的金(Au)作为成膜材料而形成为约60nm厚度的膜。此外，在第2导电层成膜工序(S3)中，也可以使第2导电层31b、32b在压电基板10的图示侧面部10a侧成膜。

[掩模形成工序]

利用第2导电层成膜工序(S3)形成第2导电层31b、32b后，转移至掩模形成工序(S4)。在掩模形成工序(S4)中，如图5(d)所示，以覆盖与激励电极21a、22a对应的区域的方式形成掩模40。掩模40是通过如下方法形成的：例如利用不锈钢、钛等金属使掩模40成形并利用粘结剂等固定在第2导电层31b、32b表面上的方法；或者在第2导电层31b、32b表面上使耐热树脂材料形成为掩模40的形状的方法等。形成掩模40，转移至第3导电层成膜工序。

[第3导电层成膜工序]

在第3导电层成膜工序(S5)中，如图6(e)所示，包含通过掩模形成工序(S4)形成的掩模40的表面在内，在第2导电层31b、32b表面上使第3导电层31c、32c成膜。在第3导电层31c、32c中，将金作为导电膜利用溅射法、蒸镀法或CVD法等方法形成为约200nm厚度的膜。由此，通过后述的方法形成的引线电极21b、22b可形成得比激励电极21a、22a厚。

当第3导电层31c、32c在包括掩模40的表面在内的部分成膜后，如图6(f)所示，使掩模40从第2导电层31b、32b分离，由此在掩模40的表面上成膜的第3导电层31c、32c的一部分导电层31d、32d也一起去除，在该区域中露出第2导电层31b、32b。然后，接下来转移至蚀刻掩模形成工序。

[蚀刻掩模形成工序]

在蚀刻掩模工序(S6)中，如图6(g)所示，利用所谓的光刻技术使抗蚀剂形成为蚀刻图案，形成蚀刻掩模50。即，使蚀刻掩模50形成为与电极20对应的区域形状。在形成蚀刻掩模50后，转移至电极蚀刻工序。

[电极蚀刻工序]

在电极蚀刻工序(S7)中，通过浸渍在可去除形成导电层的Ni以及Au的蚀刻液中，如图6(h)所示，从压电基板10去除没有被蚀刻掩模50覆盖的导电层。然后，通过去除蚀刻掩模50来形成图1或图3所示的振动元件1。

关于通过上述制造方法形成的振动元件1，第1导电层31a、32a以及第2导电层31b、32b在激励电极21a、22a和引线电极21b、22b中形成为同一层，由此能够可靠地维持电连接，并且能够使引线电极21b、22b的膜厚形成得较厚。从而，可获得能够降低欧姆损耗并抑制CI值劣化的振动元件1。

(第3实施方式)

作为第3实施方式，对具有第1实施方式的振动元件1的振子进行说明。图7(a)是示出第3实施方式的振子100的省略盖部件的俯视图，图7(b)是图7(a)所示的C-C’部的剖面图。如图7(a)、图7(b)所示，振子100构成为在由封装主体200和盖部件300形成的封装400的内部以气密的方式收纳振动元件1的结构，该封装主体200形成为矩形箱状，该盖部件300由金属、陶瓷或者玻璃等形成。

如图7(b)所示，封装主体200层叠第1基板210、第2基板220和形成为框状的第3基板230并进行气密固定，在第1基板210的外部面210a上形成多个安装端子250，在第3基板230的上端面230a上形成有密封件240。由第3基板230和第2基板220形成收纳振动元件1的凹部200a(以下，称为腔200a)。另外，在第2基板220的载置振动元件1的安装面220a上形成有与后述的振动元件1的焊盘21c、22c电连接的安装焊盘270和电极端子280。这些安装焊盘270、电极端子280经由在封装主体200的内部形成的内部布线与安装端子250电连接。此外，在腔200a内载置有振动元件1的情况下，在与形成于第1支承面12a的第1焊盘21c对应的区域形成安装焊盘270。

在封装主体200的腔200a内，以第1激励电极21a与第2基板220的安装面220a相对的方式载置振动元件1。然后，在振动元件1的第1焊盘21c与形成于第2基板220的安装面220a上的安装焊盘270之间涂敷导电性粘结剂500并使其固化，由此将振动元件1固定于封装主体200，并利用焊线BW对在振动元件1的第2支承面12c上形成的第2焊盘22c和在第2基板220的安装面220a上形成的电极端子280进行导通连接。这样，在腔200a内载置固定振动元件1，利用第3基板230具备的密封件240对盖部件300进行气密固定，由此获得振子100。

在第3实施方式的振子100中，虽然支承固定振动元件1的部位是第1焊盘21c部的1点，但通过在形成有第1焊盘21c的部位与振动部11之间形成贯通槽13(参照图1)，能够缓和由于导电性粘结剂500而在压电基板10中产生的应力，所以能够获得频率再现性、频率温度特性、CI温度特性以及频率老化特性良好的振子100。

(第4实施方式)

关于第4实施方式，对作为具备第1实施方式的振动元件1的电子设备的振荡器进行说明。图8(a)是示出第3实施方式的振荡器1000的省略盖部件的俯视图，图8(b)是图8(a)所示的D-D’部的剖面图。如图8(a)、图8(b)所示，振荡器1000在由封装主体1100和盖部件1200形成的封装1300的内部具备：振动元件1、半导体装置1410和电子部件1420，该半导体装置1410包含激励振动元件1的振荡电路，该电子部件1420是电容根据电压变化的可变电容元件、电阻值根据温度变化的热敏电阻、电感等的至少某一个。

如图8(b)所示，封装主体1100是通过层叠第1基板1110、第2基板1120和第3基板1130而形成的。在第1基板1110的外部面1110b上形成有多个安装端子1150。第2基板1120与第3基板1130形成为已去除中央部的框状，通过层叠第1基板1110、第2基板1120和第3基板1130，来形成收纳振动元件1、半导体装置1410、电子部件1420等的凹部1100a(以下，称为腔1100a)。另外，在第2基板1120的载置振动元件1的安装面1120a上形成有与振动元件1的焊盘21c、22c电连接的安装焊盘1170和电极端子1180。这些安装焊盘1170、电极端子1180通过在封装主体1100的内部形成的内部布线与半导体装置1410或者电子部件1420电连接。此外，在腔1100a内载置有振动元件1的情况下，在与形成于第1支承面12a上的第1焊盘21c对应的区域形成安装焊盘1170。

因为振动元件1在第2基板1120上的固定与上述第3实施方式相同，所以省略说明。半导体装置1410利用粘结剂等固定到第1基板1110的电子部件安装面1110a的预定位置，并利用焊线BW对半导体装置1410的端子与设置在电子部件安装面1110a上的电极端子1430进行电连接。另外，利用形成在电子部件安装面1110a的预定的固定位置上的金属凸起等对电子部件1420进行连接固定。电极端子1430经由第1基板1110的内部布线1160与形成在第1基板1110的外部面1110b上的多个安装端子1150连接。

在腔1100a内对振动元件1、半导体装置1410以及电子部件1420进行连接固定，利用盖部件1200对封装主体1100进行气密封闭，由此获得振荡器1000。

作为第4实施方式，如上所述，说明了在封装1300的内部具备振动元件1、包含振荡电路的半导体装置1410和电子部件1420的振荡器1000，但不限于此。例如，也可以应用COB(Chip On Board：板上芯片)技术，在电子设备的印制基板等上以裸露的状态安装振动元件1、包含振荡电路的半导体装置1410和电子部件1420，然后，对芯片进行模塑或者盖上罩而形成振荡器。或者，在印制基板上可利用一个电极经由接合材料对振动元件1进行单点支承并进行电连接，对另一个电极进行线连接。

(第5实施方式)

图9是示出电子设备的一例的概要结构图。电子设备2000具备第3实施方式的振子100。作为电子设备2000可列举传送设备等，在电子设备2000中，将振子100用作基准信号源或者电压可变型振荡器(VCXO)等，从而能够获得小型且特性良好的电子设备2000。

Claims (12)

1.一种振动元件，其具有：

基板，其包含振动部和与所述振动部一体化并且厚度比所述振动部厚的厚壁部；

激励电极，其设置在所述振动部上；以及

引线电极，其与所述激励电极连接，并设置在所述振动部和所述厚壁部上，

该振动元件的特征在于，所述引线电极包含：

第1导电层，其与所述激励电极为同一层，并且从所述激励电极起延伸；以及

第2导电层，其设置在所述第1导电层上。

2.根据权利要求1所述的振动元件，其特征在于，

所述第1导电层包含第1层和层叠在所述第1层上的第2层。

3.根据权利要求2所述的振动元件，其特征在于，

所述第1层含有Ni。

4.根据权利要求2或3所述的振动元件，其特征在于，

所述第2层含有Au。

5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的振动元件，其特征在于，

所述第2导电层含有Au。

6.根据权利要求1至3中的任意一项所述的振动元件，其特征在于，

所述厚壁部以使所述振动部的外缘的至少一部分露出的方式包含：俯视时夹着所述振动部而配置的第1区域以及第2区域；以及第3区域，其与所述第1区域的一个端部以及所述第2区域的一个端部连接。

7.根据权利要求6所述的振动元件，其特征在于，

所述基板是这样的石英板：

在石英的晶轴即作为电气轴的X轴、作为机械轴的Y轴以及作为光学轴的Z轴中，所述X轴为旋转轴，使所述Z轴以+Z侧向所述Y轴的-Y方向旋转的方式倾斜后的轴为Z’轴，使所述Y轴以+Y侧向所述Z轴的+Z方向旋转的方式倾斜后的轴为Y’轴，

包含所述X轴以及所述Z’轴的面为主面，

沿着所述Y’轴的方向为厚度方向。

8.根据权利要求7所述的振动元件，其特征在于，

所述第1区域以及所述第2区域沿着与所述X轴交叉的方向配置，

所述第3区域以及露出的所述至少一部分的外缘沿着与所述Z’轴交叉的方向配置。

9.根据权利要求8所述的振动元件，其特征在于，

所述至少一部分的外缘配置在所述Z’轴的负侧。

10.一种振子，其特征在于，该振子具备：

权利要求1至3中的任意一项所述的振动元件；以及

安装有所述振动元件的封装。

11.一种振荡器，其特征在于，

该振荡器具备：

权利要求1至3中的任意一项所述的振动元件；以及

驱动所述振动元件的电路。

12.一种电子设备，其特征在于，

该电子设备具备权利要求1至3中的任意一项所述的振动元件。

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