CN202651123U - 一种可控制焊料层厚度的整流二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于半导体器件的技术领域，具体的涉及一种可控制焊料层厚度的整流二极管。一种可控制焊料层厚度的整流二极管，包括外壳、内部的芯片、铜引出片Ⅰ和铜引出片Ⅱ，铜引出片Ⅰ的一端位于芯片的上方，该端通过焊料层与芯片焊接；铜引出片Ⅱ的一端位于芯片的下方，该端通过焊料层与芯片焊接；铜引出片Ⅰ和铜引出片Ⅱ与芯片焊接的一端以及芯片均封装在外壳内，铜引出片Ⅰ的另一端和铜引出片Ⅱ的另一端则分别外露在外壳外，所述的焊料层内设有支撑结构。该二极管可控制焊料层的厚度，有效避免因焊料层过薄使外壳和铜引出片直接挤压芯片而造成芯片损伤。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体器件的技术领域，具体的涉及一种可控制焊料层厚度的整流二极管。
背景技术
整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件，广泛应用于各种电子线路，现有整流二极管均是由外壳、芯片以及铜引出片组成。在整流二极管的制备过程中，需要进行芯片与铜引出片之间的焊接，目前所用焊料在焊接高温下容易熔化，致使焊料层的厚度是难以控制的，有时焊接完成后焊料层厚度会很薄。由于外壳和铜引出片在高温焊接时和在焊接完成冷却时胀力是不同的，会不同程度的挤压芯片，产生一定的压力，若是焊料层厚度过于薄，没有足够的缓冲作用，挤压的压力直接作用在芯片上，导致芯片在一定程度的损坏，影响了整流二极管的使用性能。
发明内容
本实用新型的目的在于针对上述存在的缺陷而提供一种可控制焊料层厚度的二极管，该二极管可控制焊料层的厚度，有效避免因焊料层过薄使外壳和铜引出片直接挤压芯片而造成芯片损伤。
本实用新型的技术方案为：一种可控制焊料层厚度的整流二极管，包括外壳、内部的芯片、铜引出片Ⅰ和铜引出片Ⅱ，铜引出片Ⅰ的一端位于芯片的上方，该端通过焊料层与芯片焊接；铜引出片Ⅱ的一端位于芯片的下方，该端通过焊料层与芯片焊接；铜引出片Ⅰ和铜引出片Ⅱ与芯片焊接的一端以及芯片均封装在外壳内，铜引出片Ⅰ的另一端和铜引出片Ⅱ的另一端则分别外露在外壳外，所述的焊料层内设有支撑结构。
所述支撑结构为粒径一定、熔点高于焊接温度、硬度低于芯片硬度的若干个金属颗粒。
所述金属颗粒为Al颗粒。
所述的金属颗粒为金属球或多面体。
所述金属球的直径为10～70um；所述多面体的高度为10um～70um。
所述外壳采用环氧塑封材料。
本实用新型的有益效果为：本实用新型的可控制焊料层厚度的整流二极管，在焊料层内设有支撑结构，该支撑结构为粒径一定、熔点高于焊接温度、硬度低于芯片硬度的若干个金属颗粒，其粒径根据需要可以自行控制，从而焊料层的厚度也是可控制的。并且支撑结构若干个金属颗粒的熔点高于焊接温度，即使焊料因熔化导致焊料层过薄，也因有支撑结构若干个金属颗粒的支撑，有效避免外壳和铜引出片直接挤压芯片，并且支撑结构若干个金属颗粒的硬度小于芯片硬度，充分起到了支撑、缓冲的作用，有效地保护了芯片，避免芯片受到损伤。
附图说明
图1 为本实用新型具体实施方式中可控制焊料层厚度的二极管的结构示意图。
其中，1为外壳，2为芯片，3为铜引出片Ⅰ,4为铜引出片Ⅱ,5为焊料层，6为支撑结构。
具体实施方式
下面结合附图，对本实用新型的技术方案进行详细的说明。
从图1中可以看出，本实用新型的一种可控制焊料层厚度的整流二极管，包括外壳1、内部的芯片2、铜引出片Ⅰ3和铜引出片Ⅱ4，铜引出片Ⅰ3的一端位于芯片2的上方，该端通过焊料层5与芯片2焊接；铜引出片Ⅱ4的一端位于芯片2的下方，该端通过焊料层5与芯片2焊接；铜引出片Ⅰ3和铜引出片Ⅱ4与芯片2焊接的一端以及芯片2均封装在外壳1内，铜引出片Ⅰ3的另一端和铜引出片Ⅱ4的另一端则分别外露在外壳1外。所述的焊料层5内设有支撑结构6。
所述支撑结构6为粒径一定、熔点高于焊接温度、硬度低于芯片硬度的若干个金属颗粒。
金属颗粒的粒径可根据需要自行掌控。
所述金属颗粒为Al颗粒。
所述的金属颗粒为金属球或多面体。
所述金属球的直径为10～70um。多面体的高度为10um～70um。
所述外壳1采用环氧塑封材料。
当使用本实用新型的所述的整流二极管时，由于该整流二极管的焊料层中设有支撑结构6，该支撑结构6可以起到支撑和缓冲的作用，有效地保护了芯片。
Claims (7)
1.一种可控制焊料层厚度的整流二极管，包括外壳、内部的芯片、铜引出片Ⅰ和铜引出片Ⅱ，铜引出片Ⅰ的一端位于芯片的上方，该端通过焊料层与芯片焊接；铜引出片Ⅱ的一端位于芯片的下方，该端通过焊料层与芯片焊接；铜引出片Ⅰ和铜引出片Ⅱ与芯片焊接的一端以及芯片均封装在外壳内，铜引出片Ⅰ的另一端和铜引出片Ⅱ的另一端则分别外露在外壳外，其特征在于，所述的焊料层内设有支撑结构。
2.根据权利要求1所述的可控制焊料层厚度的整流二极管，其特征在于，所述支撑结构为粒径一定、熔点高于焊接温度、硬度低于芯片硬度的若干个金属颗粒。
3.根据权利要求2所述的可控制焊料层厚度的整流二极管，其特征在于，所述金属颗粒为Al颗粒。
4.根据权利要求2所述的可控制焊料层厚度的整流二极管，其特征在于，所述的金属颗粒为金属球或多面体。
5.根据权利要求4所述的可控制焊料层厚度的整流二极管，其特征在于，所述金属球的直径为10um～70um。
6.根据权利要求4所述的可控制焊料层厚度的整流二极管，其特征在于，所述多面体的高度为10um～70um。
7.根据权利要求1所述的可控制焊料层厚度的整流二极管，其特征在于，所述外壳采用环氧塑封材料。
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| CN115148694A (zh) * | 2022-06-02 | 2022-10-04 | 山东晶导微电子股份有限公司 | 一种可控芯片固晶层厚度的焊料 |
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2012
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