CN202530153U - 一种用于电子束蒸发镀膜的新结构蒸发材料 - Google Patents
一种用于电子束蒸发镀膜的新结构蒸发材料 Download PDFInfo
- Publication number
- CN202530153U CN202530153U CN2012200988883U CN201220098888U CN202530153U CN 202530153 U CN202530153 U CN 202530153U CN 2012200988883 U CN2012200988883 U CN 2012200988883U CN 201220098888 U CN201220098888 U CN 201220098888U CN 202530153 U CN202530153 U CN 202530153U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- evaporation
- groove
- electron beam
- evaporating materials
- block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 99
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 92
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims abstract description 50
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title abstract description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title abstract description 12
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 17
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000012611 container material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 2
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种用于电子束蒸发镀膜的新结构蒸发材料。在块状蒸发材料直接被电子束加热的端面加工一个具有一定尺寸和形状的凹槽，在使用时，将片状或者颗粒状同材质蒸发料放入凹槽内一起熔融蒸发，可以有效较少和避免传统锥台蒸发料在蒸发起始时发生的熔体飞溅，和蒸发过程中的熔体外溢。该实用新型可以应用于目前常用的所有材质的蒸发材料，有利于提高蒸发镀膜质量。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种镀膜用的蒸发材料，特别涉及一种用于电子束蒸发镀膜的新结构的蒸发材料。
背景技术
真空蒸发镀膜是真空镀膜技术中发展最早应用最广的一种，蒸发热源由原来的电阻式加热发展为电子束轰击、高频感应和激光等方式。电阻式热源实质是一个电阻加热器，在真空环境下将蒸发材料加热到气化温度进行蒸发镀膜。而电子束加热原理是基于电子在存在电位差的电场作用下，获得动能打到蒸发材料上，使材料加热汽化实现蒸发镀膜。电子束热源的优点首先在于能够获得比电阻热源更大的能量密度，可以将材料表面温度加热到3000～6000℃，因此可以蒸镀钨、钼、锗、氧化硅和氧化铝等难熔金属和非金属材料，同时由于被蒸镀的材料是放在水冷坩埚内，可以避免容器材料的蒸发及容器材料与蒸发材料之间的反应，可以显著提高薄膜的纯度；其次是热量可以直接施加到材料表面，热效率高，热传导和热辐射损失少。电子束加热的缺点是设备复杂，加速电压较，当电压过高时会产生X射线，损害人体健康，其次电子轰击对多数化合物产生分解作用，因此不宜蒸镀化合物薄膜。
特别指出，电子束加热的热量直接施加在材料表面，可以将材料表面温度加热到很高，在蒸发材料表面形成的熔池。如果蒸发材料含气量较高或者内部有气孔等冶金缺陷，就会引发熔池飞溅，导致基片报废，严重的甚至爆炸，危及设备安全。
电子束蒸发镀膜所用材料形式较多，可以是片状、颗粒状蒸发材料和块状蒸发材料等等。其中块状蒸发材料包括锥台形状、环形、半环状、扇环状、盘状。与片状和颗粒状蒸发材料相比，块状蒸发材料在加热蒸发过程中，析出气体更集中，因此块状蒸发材料更容易发生气体飞溅现象；部分易于磁化的蒸发材料，熔池液面易受轰击电子电磁力的影响，容易发生波动，甚至熔体溢出容器，如镍材质的锥台状和盘状蒸发料。因此，对于一些容易引起飞溅甚至爆锅的蒸发材料，一般在进行正式蒸发镀膜前先进性一次预熔除气，来减少蒸发时发生飞溅现象。这种方法虽然实用，但毕竟增加了一道工序，增加一定的成本。
实用新型内容
本实用新型可以在对块状蒸发材料不进行预熔的情况下直接进行蒸发，就能够减少和消除传统块状蒸发材料在电子加热蒸发过程中容易飞溅和液面波动溢出的现象。
一种用于电子束蒸发镀膜的块状蒸发材料，其直接被电子束加热蒸发的端面上，被电子束加热的区域，加工有一个凹槽，该凹槽用于盛放片状或颗粒状同材质蒸发材料。
所述凹槽的形状和尺寸取决于块状蒸发材料的外形尺寸和电子束加热区域的尺寸。优选条件为：凹槽具有底面和侧面，凹槽底面和块状蒸发镀膜材料的底面平行，凹槽侧面和块状蒸发镀膜材料的侧面平行。凹槽的对称轴和块状蒸发材料的对称轴共轴。
所述凹槽的表面开口形状通常为圆形或矩形。
所述凹槽的垂直截面为矩形或者上大下小的倒梯形。
所述凹槽的深度一般不大于块状材料高度的1/2。
所述块状蒸发镀膜材料用钛、镍、铝、钒、银等金属或合金材料制成。
本实用新型的使用方法是，在装炉时，将相同材质的片状或者颗粒状蒸发材料放入本实用新型的凹槽内同时装炉。电子束加热蒸发时，首先加热熔化凹槽内的片状或者颗粒状蒸发材料，形成熔池进行蒸发。熔池在蒸发过程中，不断熔解接触的块状蒸发材料，保持熔池的稳定。
本实用新型之所以能够减少甚至消除飞溅现象，是因为电子束直接加热片状或者颗粒状蒸发材料形成熔池，由熔池逐渐熔化块状蒸发材料，降低了块状蒸发材料所受的热冲击，减缓了块状蒸发材料内的气体析出。该实用新型可以应用于目前常用的所有材质的蒸发材料，有利于提高蒸发镀膜质量。
附图说明
图1为本实用新型的俯视图；
图2为本实用新型的截面图；
图3为实施例1带凹槽的钛锥台蒸发料加工图纸；
图4为实施例2带凹槽的镍锥台蒸发料加工图纸。
具体实施方式
如图1、2所示，本实用新型的最常用的形式为：块状蒸发材料为倒圆锥台，在上表面加工有凹槽，凹槽的垂直截面为上大下小的梯形。下面结合实施例对本实用新型进行说明。
实施例1：
图3所示为已经生产的带凹槽的钛锥台蒸发料加工图纸。
该钛锥台蒸发料为倒圆锥台，该圆锥台顶面直径为φ48mm，斜边与垂直线的夹角为15°，高度为20mm+0.1 -0.5。在锥台顶部加工一垂直截面是倒梯形的凹槽。该凹槽深度为6+0.1 -0.5mm，底面为直径φ31mm的圆，斜边与垂直线夹角为15°。凹槽底面和钛锥台蒸发料的底面平行，凹槽侧面和钛锥台蒸发料的侧面平行。凹槽的对称轴和钛锥台蒸发料的对称轴共轴。
进行电子束蒸发镀膜时，将厚度为2mm的6×6mm的片状钛蒸发材料放入该凹槽内，随钛锥台蒸发料一起放入蒸发台内。蒸发过程中液面平稳，没有明显飞溅和液面波动。
实施例2：
图3所示为已经生产的带凹槽的钛锥台蒸发料加工图纸。
该钛锥台蒸发料为倒圆锥台，该圆锥台顶面直径为φ48mm，斜边与垂直线的夹角为15°，高度为20mm+0.1 -0.5。在锥台顶部加工一垂直截面是倒梯形的凹槽。该凹槽深度为6+0.1 -0.5mm，底面为直径φ31mm的圆，斜边与垂直线夹角为15°。凹槽底面和钛锥台蒸发料的底面平行，凹槽侧面和钛锥台蒸发料的侧面平行。凹槽的对称轴和钛锥台蒸发料的对称轴共轴。
进行电子束蒸发镀膜时，将Φ6×6mm颗粒状钛蒸发材料放入该凹槽内，随钛锥台蒸发料一起放入蒸发台内。蒸发过程中液面平稳，没有明显飞溅和液面波动。
实施例3：
图4所示为采用本实用新型的镍锥台蒸发料加工图纸。
本镍锥台蒸发料被加工为倒圆锥台形，顶面圆直径为φ48mm，斜边与垂直线的夹角为15°，高度为22mm+0.1 -0.5。在锥台顶部加工一垂直截面是倒梯形的凹槽。该凹槽深度为6+0.1 -0.5mm，底面为直径φ31mm的圆，斜边与垂直线夹角为15°。凹槽底面和镍锥台蒸发料的底面平行，凹槽的对称轴和镍锥台蒸发料的对称轴共轴。
进行电子束蒸发镀膜时，将厚度为3mm的3×6mm片状状镍蒸发材料放入该凹槽内，随镍锥台蒸发料一起放入蒸发台内。蒸发过程中液面比较平稳，没有溢出蒸发坩埚，也没有明显飞溅。
实施例4：
图4所示为采用本实用新型的镍锥台蒸发料加工图纸。
本镍锥台蒸发料被加工为倒圆锥台形，顶面圆直径为φ48mm，斜边与垂直线的夹角为15°，高度为22mm+0.1 -0.5。在锥台顶部加工一垂直截面是倒梯形的凹槽。该凹槽深度为6+0.1 -0.5mm，底面为直径φ31mm的圆，斜边与垂直线夹角为15°。凹槽底面和镍锥台蒸发料的底面平行，凹槽的对称轴和镍锥台蒸发料的对称轴共轴。
进行电子束蒸发镀膜时，将Φ3×4mm颗粒状镍蒸发材料放入该凹槽内，随镍锥台蒸发料一起放入蒸发台内。蒸发过程中液面比较平稳，没有溢出蒸发坩埚，也没有明显飞溅。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (7)
1.一种用于电子束蒸发镀膜的块状蒸发材料，其特征在于：该材料直接被电子束加热蒸发的端面上，加工有一个凹槽，该凹槽用于盛放片状或颗粒状同材质蒸发材料。
2.根据权利要求1中所述的材料，其特征在于：所述凹槽的表面开口形状是圆形或矩形。
3.根据权利要求1中所述的材料，其特征在于：所述凹槽的垂直截面为矩形或者上大下小的倒梯形。
4.根据权利要求1中所述的材料，其特征在于：所述凹槽的深度不大于块状蒸发材料高度的1/2。
5.根据权利要求1中所述的材料，其特征在于：块状蒸发材料用钛、镍、铝、钒、银或合金材料制成。
6.根据权利要求1中所述的材料，其特征在于：凹槽具有底面和侧面，凹槽底面和块状蒸发材料的底面平行，凹槽侧面和块状蒸发材料的侧面平行。
7.根据权利要求6中所述的材料，其特征在于：凹槽的对称轴和块状蒸发材料的对称轴共轴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012200988883U CN202530153U (zh) | 2012-03-15 | 2012-03-15 | 一种用于电子束蒸发镀膜的新结构蒸发材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012200988883U CN202530153U (zh) | 2012-03-15 | 2012-03-15 | 一种用于电子束蒸发镀膜的新结构蒸发材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202530153U true CN202530153U (zh) | 2012-11-14 |
Family
ID=47131349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012200988883U Expired - Lifetime CN202530153U (zh) | 2012-03-15 | 2012-03-15 | 一种用于电子束蒸发镀膜的新结构蒸发材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN202530153U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109536885A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-03-29 | 广州海鸥住宅工业股份有限公司 | 一种电子束蒸发镀钛的方法 |
| CN115287603A (zh) * | 2022-08-02 | 2022-11-04 | 广东广纳芯科技有限公司 | 蒸镀方法 |
| CN117888061A (zh) * | 2024-03-14 | 2024-04-16 | 天水天光半导体有限责任公司 | 一种银金属蒸发真空镀膜的方法 |
-
2012
- 2012-03-15 CN CN2012200988883U patent/CN202530153U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109536885A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-03-29 | 广州海鸥住宅工业股份有限公司 | 一种电子束蒸发镀钛的方法 |
| CN115287603A (zh) * | 2022-08-02 | 2022-11-04 | 广东广纳芯科技有限公司 | 蒸镀方法 |
| CN115287603B (zh) * | 2022-08-02 | 2023-09-12 | 广东广纳芯科技有限公司 | 蒸镀方法 |
| CN117888061A (zh) * | 2024-03-14 | 2024-04-16 | 天水天光半导体有限责任公司 | 一种银金属蒸发真空镀膜的方法 |
| CN117888061B (zh) * | 2024-03-14 | 2024-05-24 | 天水天光半导体有限责任公司 | 一种银金属蒸发真空镀膜的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102033297B1 (ko) | 브레이크 디스크 및 브레이크 디스크의 제조 방법 | |
| CN202530153U (zh) | 一种用于电子束蒸发镀膜的新结构蒸发材料 | |
| US20120217157A1 (en) | Sputtering target and method for producing the same | |
| CN104404450B (zh) | 用于升华型oled材料蒸镀的坩埚 | |
| CN104032151A (zh) | 一种tc4钛合金铸锭的eb冷床炉熔炼方法 | |
| TWI596222B (zh) | Cylindrical Cu-Ga alloy sputtering target and method of manufacturing the same | |
| Aman et al. | Pressure-less spark plasma sintering effect on non-conventional necking process during the initial stage of sintering of copper and alumina | |
| TWI553139B (zh) | Sputtering target and its manufacturing method | |
| JP2012233211A (ja) | 光学薄膜形成用ハースライナー | |
| CN209243159U (zh) | 一种用于蒸发镀膜的装置 | |
| Samokhin et al. | Metal oxide nanopowder production by evaporation–condensation using a focused microwave radiation at a frequency of 24 GHz | |
| CN108728800A (zh) | 用于真空环境中的多功能处理装置 | |
| CN104372296B (zh) | 一种利用电子束蒸发制备金属薄膜的方法 | |
| TW200903597A (en) | Ion implanter, internal structure of ion implanter and method of forming a coating layer in the ion implanter | |
| JP2011162867A (ja) | 真空蒸発装置 | |
| CN101748369A (zh) | 电子束蒸发装置 | |
| JP2013133522A (ja) | 成膜装置及びパーティクル捕獲板 | |
| CN214271023U (zh) | 一种用于镀膜的蒸镀装置 | |
| CN204356396U (zh) | 一种新型光学镀膜坩埚 | |
| WO2017020534A1 (zh) | 一种银铝合金晶振片镀膜工艺 | |
| JP5962979B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JP2009084680A (ja) | 蒸着方法及び蒸着装置 | |
| CN205687988U (zh) | 一种三电子枪双口径进料电子轰击炉 | |
| JP6217295B2 (ja) | Ｉｎスパッタリングターゲット | |
| US10438768B2 (en) | X-ray systems and methods including X-ray anodes with gradient profiles |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Free format text: FORMER OWNER: YOUYAN YIJIN NEW MATERIAL CO., LTD. Effective date: 20130826 Owner name: YOUYAN YIJIN NEW MATERIAL CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: BEIJING CENTRAL INST.OF THE NONFERROUS METAL Effective date: 20130826 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 100088 XICHENG, BEIJING TO: 102200 CHANGPING, BEIJING |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20130826 Address after: 102200 Changping District super Road, Beijing, No. 33 Patentee after: Youyan Yijin New Material Co., Ltd. Address before: 100088 Beijing city Xicheng District Xinjiekou Avenue No. 2 Patentee before: General Research Institute for Nonferrous Metals Patentee before: Youyan Yijin New Material Co., Ltd. |
|
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20121114 |