CN201709653U - 直发器电路 - Google Patents
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Abstract
直发器电路，包括控制IC、发热体MCH1、发热体MCH2、可控硅T1，该发热体MCH的R/T特性表现为温度上升阻值增大；发热体MCH1、发热体MCH2并联，可控硅T1的阳极连接交流市电的火线(ACL)，可控硅T1的阴极连接发热体MCH1的一端，发热体MCH1的另一端连接交流市电的零线(ACN)，可控硅T1的控制极与控制IC相连，发热体MCH1与可控硅T1的连接端也与控制IC相连。本实用新型发热体和传感器为同一器件，简化了电路结构，降低了产品成本，温度控制更加精确，提升了产品的性能，并且简化了生产工艺，产品更易装配。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种温度感应以及控制的电路，具体是指直发器电路。
背景技术
传统的直发器电路如说明书附图中的图1和图2所示：发热体(MCH)和传感器(NTC)为分开的单独器件，传感器装配在靠近发热体的位置来检测发热体的实时温度，产品工作时由传感器接受发热体传导过来的温度后阻值发生变化，经电阻分压转化为电压信号送入控制IC(微处理器)，控制IC检测此信号判断发热体温度是否达到设定所需温度，达到以后切断输出，可控硅不导通，发热体不发热。当检测到温度低于设定所需温度，控制IC输出推动可控硅导通发热体发热工作。如此循环产品恒定在一定的温度范围内。
但是，由于发热体和传感器始终为分开的单独器件，因此无论传感器精度再高或工作位置距离发热体再近，都不可避免的存在一定的传感误差和延迟，直接影响了直发器的控温能力和使用效果。
实用新型内容
本实用新型为了弥补现有技术的不足提供了一种直发器电路，采用一种R/T特性表现为温度上升阻值增大的发热体，并利用其R/T特性将其同时应用为直发器电路中的传感器，即将传统电路中的发热体和传感器改进为同一器件，最大限度的消除传感误差和延迟，增强直发器的控温能力和使用效果。
为实现上述目的，本实用新型采用了如下的技术方案。
直发器电路，包括控制IC、发热体MCH1、发热体MCH2、可控硅T1，该发热体MCH的R/T特性表现为温度上升阻值增大；发热体MCH1、发热体MCH2并联，可控硅T1的阳极连接交流市电的火线(ACL)，可控硅T1的阴极连接发热体MCH1的一端，发热体MCH1的另一端连接交流市电的零线(ACN)，可控硅T1的控制极与控制IC相连，发热体MCH1与可控硅T1的连接端也与控制IC相连。
本实用新型的工作原理是：
初次启动直发器后，控制IC驱动可控硅T1导通，发热体MCH1和发热体MCH2发热；在交流电负半周时，控制IC向发热体MCH1和发热体MCH2输出一脉冲信号，并根据发热体MCH1和发热体MCH2温度上升阻值也增大的R/T特性获得一分压电压反馈到控制IC，控制IC根据反馈的分压电压判断发热体MCH1和发热体MCH2是否达到预设温度；若达预设温度则驱动可控硅T1不导通，发热体MCH1和发热体MCH2不再发热工作；当检测到温度低于设定所需温度，控制IC驱动可控硅T1继续导通，发热体MCH1和发热体MCH2持续发热工作；如此循环产品恒定在一定的温度范围内。
作为上述技术方案的改进，可控硅T1的阳极经过两级熔断保险(FUSE)连接交流市电的火线(ACL)。
作为上述技术方案的改进，可控硅T1的控制极通过二极管D3与控制IC相连，其中二极管D3的正极连接控制IC，二极管D3的负极通过电阻R3连接可控硅T1的控制极。
作为上述技术方案的改进，发热体MCH与可控硅T1的连接端通过二极管D4与控制IC相连，其中二极管D4的正极通过电阻R8连接控制IC，二极管D4的正极的电压通过二极管D5加在R6、R7、R17，VR1组成的分压调节电路上，二极管D5的正极与二极管D4的正极相连，二极管D5的负极则通过电阻R6、电阻R7、电阻R17、可调电阻VR1构成的分压电路连接控制IC，可调电阻VR1采用分压接法与电阻R7并联后，其一端连接二极管D5，另一端通过电阻R6连接控制IC同时通过电阻R17接地。
和现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：
(1)发热体和传感器为同一器件，简化了电路结构，降低了产品成本。
(2)发热体和传感器为同一器件，温度控制更加精确，提升了产品的性能。
(3)简化了生产工艺，产品更易装配。
附图说明
图1是传统的直发器的电路结构图。
图2是本实用新型的电路结构图。
具体实施方式
下面结合说明书附图和具体实施方式对本实用新型做进一步的说明，但本实用新型所保护的范围并不局限于此，根据本实用新型所揭示的结构、原理能轻易得出的等效变换和简单组合，皆属于本实用新型的保护范围。
如图2所示，包括控制IC、发热体MCH1、发热体MCH2、可控硅T1，该发热体MCH的R/T特性表现为温度上升阻值增大；发热体MCH1、发热体MCH2并联，可控硅T1的阳极连接交流市电的火线(ACL)，可控硅T1的阴极连接发热体MCH1的一端，发热体MCH1的另一端连接交流市电的零线(ACN)，可控硅T1的控制极与控制IC相连，发热体MCH1与可控硅T1的连接端也与控制IC相连。
作为上述技术方案的较佳实施方式，具体的电路可采用如下结构：
可控硅T1的阳极经过两级熔断保险(FUSE)连接交流市电的火线(ACL)。
可控硅T1的控制极通过二极管D3与控制IC相连，其中二极管D3的正极连接控制IC，二极管D3的负极通过电阻R3连接可控硅T1的控制极。
发热体MCH与可控硅T1的连接端通过二极管D4与控制IC相连，其中二极管D4的正极通过电阻R8连接控制IC，二极管D4的正极的电压通过二极管D5加在R6、R7、R17，VR1组成的分压调节电路上，二极管D5的正极与二极管D4的正极相连，二极管D5的负极则通过电阻R6、电阻R7、电阻R17、可调电阻VR1构成的分压电路连接控制IC，可调电阻VR1采用分压接法与电阻R7并联后，其一端连接二极管D5，另一端通过电阻R6连接控制IC同时通过电阻R17接地。
初次启动直发器后，控制IC驱动可控硅T1导通，发热体MCH1和发热体MCH2发热；在交流电负半周时，控制IC向发热体MCH1和发热体MCH2输出一脉冲信号，并根据发热体MCH1和发热体MCH2温度上升阻值也增大的R/T特性获得一分压电压反馈到控制IC，控制IC根据反馈的分压电压判断发热体MCH1和发热体MCH2是否达到预设温度；若达预设温度则驱动可控硅T1不导通，发热体MCH1和发热体MCH2不再发热工作；当检测到温度低于设定所需温度，控制IC驱动可控硅T1继续导通，发热体MCH1和发热体MCH2持续发热工作；如此循环产品恒定在一定的温度范围内。
Claims (4)
1.直发器电路，其特征在于：包括控制IC、发热体MCH1、发热体MCH2、可控硅T1，该发热体MCH的R/T特性表现为温度上升阻值增大；发热体MCH1、发热体MCH2并联，可控硅T1的阳极连接交流市电的火线ACL，可控硅T1的阴极连接发热体MCH1的一端，发热体MCH1的另一端连接交流市电的零线ACN，可控硅T1的控制极与控制IC相连，发热体MCH1与可控硅T1的连接端也与控制IC相连。
2.根据权利要求1所述的直发器电路，其特征在于：可控硅T1的阳极经过两级熔断保险FUSE连接交流市电的火线ACL。
3.根据权利要求1所述的直发器电路，其特征在于：可控硅T1的控制极通过二极管D3与控制IC相连，其中二极管D3的正极连接控制IC，二极管D3的负极通过电阻R3连接可控硅T1的控制极。
4.根据权利要求1所述的直发器电路，其特征在于：发热体MCH与可控硅T1的连接端通过二极管D4与控制IC相连，其中二极管D4的正极通过电阻R8连接控制IC，二极管D4的正极的电压通过二极管D5加在R6、R7、R17，VR1组成的分压调节电路上，二极管D5的正极与二极管D4的正极相连，二极管D5的负极则通过电阻R6、电阻R7、电阻R17、可调电阻VR1构成的分压电路连接控制IC，可调电阻VR1采用分压接法与电阻R7并联后，其一端连接二极管D5，另一端通过电阻R6连接控制IC同时通过电阻R17接地。
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