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CN1934679A - 硅粒形成方法和硅粒形成装置 - Google Patents

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Abstract

一种硅粒形成方法，在导入氢气(或者还导入硅烷类气体)的真空室(1)内产生波长288纳米的硅原子发光强度与波长484纳米的氢原子发光强度的比小于等于10.0的等离子体，利用基于该等离子体的化学溅射，在基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。

Description

硅粒形成方法和硅粒形成装置
技术领域
本发明涉及用作单一电子器件等用的电子器件材料和发光材料的规模微小的硅粒(所谓“硅纳米粒子”)的形成方法和形成装置。
背景技术
作为硅纳米粒子的形成方法，已知道用准分子激光器在惰性气体中对硅加热并使其蒸发而形成的物理方法，也知道气体中蒸发法(参考神奈川县产业技术综合研究所研究报告No.9/2003，第77～78页)。后者是一种利用高频感应加热和弧光放电代替激光器使硅加热并蒸发的方法。
此外，还知道往CVD室内导入材料气体，并且在加热的衬底上形成硅纳米粒子的CVD法(参考日本国专利公开2004-179658号公报)。
在这种方法中，经衬底上形成硅纳米粒子生长用的核的工序，从该核生长硅纳米粒子。
然而，利用激光照射对硅加热并使其蒸发的方法难以使对硅照射激光将能量密度控制得均匀，不容易使硅粒的粒径的密度分布一致。
气体中蒸发法也产生硅的加热不均匀，因而难使硅的粒径和密度分布一致。
此外，在上述CVD法中，在衬底上形成所述核时，必须将衬底加热到大于等于550℃左右，不能采用耐热温度低的衬底，所以衬底材料可选择范围受到限制。
因此，本发明的课题为：提供一种能低温且密度分布均匀地在硅粒形成对象基体上直接形成粒径一致的硅粒的方法。
本发明的课题又为：提供一种能低温且密度分布均匀地在硅粒形成对象基体上直接形成粒径一致的硅粒的硅粒形成装置。
发明内容
本发明人反复进行解决此课题用的研究，结果获得实际知识如下。
即，通过将溅射用气体(例如氢气)变成等离子体后，用该等离子体对硅溅射靶进行化学溅射(反应性溅射)，能低温且密度分布均匀地直接在硅粒形成对象基体上形成粒径一致的结晶性硅粒。
具体而言，用等离子体发光中波长288纳米的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484纳米的氢原子发光强度Hβ的比(Si(288纳米)/Hβ)小于等于10.0、小于等于3.0或小于等于0.5更好的等离子体对硅溅射靶进行化学溅射，则在小于等于500℃的低温下，也能密度分布均匀地在基体上形成粒径小于等于20纳米的范围甚至粒径小于等于10纳米的范围中粒径一致的结晶性硅粒。
可通过在等离子体形成区导入溅射用气体(例如氢气)，并对其施加高频功率，进行这种等离子体的形成。
又，对用氢气稀释硅烷类气体后得到的气体施加高频功率，将该气体变成等离子体，使该等离子体成为等离子体发光中波长288纳米的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484纳米的氢原子发光强度Hβ的比(Si(288纳米)/Hβ)小于等于10.0、小于等于3.0或小于等于0.5更好的等离子体，则在小于等于500℃的低温下，也能密度分布均匀地在基体上形成粒径小于等于20纳米的范围甚至粒径小于等于10纳米的范围中粒径一致的结晶性硅粒。这时，可兼用此等离子体的硅溅射靶化学溅射。
总而言之，本发明中，硅粒的“粒径一致”除指各硅粒的粒径都相同和实质上相同外，还指即使硅粒粒径有偏差也能在实用上当作硅粒粒径一致的情况。例如，包含实用上可当作硅粒粒径在规定范围(例如小于等于20纳米的范围或小于等于10纳米的范围)内一致的情况、硅粒粒径分布在例如5纳米～6纳米范围和8纳米～11纳米范围但实用上可当作硅粒粒径总体上在规定范围(例如小于等于10纳米的范围)内实质上一致的情况等。总括起来，硅粒的“粒径一致”是指根据实用上的观点总体上可以说实质上一致的情况。
<关于硅粒形成方法>
本发明根据此实际知识，提供下面的第1、第2、第3和第4硅粒形成方法。
(1)第1硅粒形成方法(第1方法)
这种硅粒形成方法包含
通过在真空室内导入硅烷类气体和氢气并对这些气体施加高频功率使该真空室内产生等离子体后，利用该等离子体在该真空室的内壁形成硅膜的硅膜形成工序；以及
通过在内壁形成硅膜的所述真空室内配置硅粒形成对象基体并往该真空室内导入溅射用气体并且对该气体施加高频功率使该真空室内产生等离子体后，利用该等离子体进行以所述硅膜为溅射靶的化学溅射，从而在该基体上形成硅粒的硅粒形成工序。
第2硅粒形成方法(第2方法)
这种硅粒形成方法包含
通过在第1真空室内配置靶衬底又在该第1真空室内导入硅烷类气体和氢气并对这些气体施加高频功率使该第1真空室内产生等离子体后，利用该等离子体在该靶衬底上形成硅膜，从而取得硅溅射靶的溅射靶形成工序；以及
从所述第1真空室将所述溅射靶形成工序得到的硅溅射靶以不接触外部气体的方式送入第2真空室加以配置，又同时在该第2真空室内配置硅粒形成对象基体后往该第2真空室内导入溅射用气体并通过对该气体施加高频功率使该第2真空室内产生等离子体，并且用该等离子体对所述硅溅射靶的硅膜进行化学溅射，从而在该基体上形成硅粒的硅粒形成工序。
根据第1方法，则能在真空室内壁形成成为溅射靶的硅膜，因而与后来在真空室内装配市售硅溅射靶的情况相比，能取得大面积的靶，所以可遍及基体的宽大面积均匀地形成硅粒。
根据第1方法、第2方法，则能采用不接触外部气体的硅溅射靶形成硅粒，所以能形成抑制非预定杂质混入的硅粒，而且能在低温(例如基体温度小于等于500℃的低温)下，密度分布均匀地直接在硅粒形成对象基体上形成粒径一致的结晶性硅粒。
作为硅膜溅射用气体，可举出氢气作为典型例。此外，还能采用例如氢气与稀有气体(从氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)和氙(Xe)气选择的至少一种气体)的混合气体。
即，所述第1、第2硅粒形成方法中，都通过在所述硅粒形成工序往配置所述硅粒形成对象基体的真空室内导入氢气作为所述溅射用气体，并对该氢气施加高频功率，使各真空室内产生等离子体后，用该等离子体对所述硅膜进行化学溅射，从而能在小于等于500℃的低温(换言之，使基体温度小于等于500℃)下，密度分布均匀地直接在所述基体上形成粒径小于等于20纳米或粒径小于等于10纳米的硅粒。
这种第1、第2方法在来自形成成为溅射靶的硅膜用的所述硅烷类气体和氢气的等离子体形成中，而且在来自溅射该硅膜用的氢气的等离子体形成中，最好使这些等离子体成为等离子体发光中波长288纳米的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484纳米氢原子的发光强度Hβ的比(Si(288纳米)/Hβ)小于等于10.0、小于等于3.0更好的等离子体。也可为小于等于0.5的等离子体。其原因结合下面的第3、第4方法进行说明。
(3)第3硅粒形成方法(第3方法)
这种硅粒形成方法通过在配置硅溅射靶和硅粒形成对象基体的真空室内导入氢气，并对该氢气施加高频功率，使该真空室内产生等离子体发光中波长288纳米的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484的氢原子发光强度Hβ的比(Si(288纳米)/Hβ)小于等于10.0的等离子体，并用该等离子体对所述硅溅射靶进行化学溅射，从而以小于等于500℃的低温(换言之，使基体温度小于等于500℃)直接在所述基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。
(4)第4硅粒形成方法
这种硅粒形成方法通过在配置硅粒形成对象基体的真空室内导入硅烷类气体和氢气，并对这些气体施加高频功率，使该真空室内产生等离子体发光中波长288纳米的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484的氢原子发光强度Hβ的比(Si(288纳米)/Hβ)小于等于10.0的等离子体，用该等离子体以小于等于500℃的低温(换言之使基体温度小于等于500℃)直接在所述基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。
在这种第4方法中，可在真空室内配置硅溅射靶，并且兼用该靶的等离子体化学溅射。
在所述第1至第4方法中，都在将等离子体的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)设定成小于等于10.0时，表示这是等离子体中氢原子团丰富的情况。
第1方法中的在成为溅射靶的真空室内壁上形成硅膜用的源于硅烷类气体和氢气的等离子体形成中，或者在外溅射靶衬底上形成硅膜用的源于硅烷类气体和氢气的等离子体形成中，将该等离子体的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)设定成小于等于10.0、小于等于3.0或小于等于0.5更好，则能以小于等于500℃的低温在真空室内壁或溅射靶衬底顺畅地形成适合对硅粒形成对象基体的优质硅膜(硅溅射靶)。
又，所述第1方法、第2方法和第3方法中，都通过将对硅溅射靶进行溅射用的等离子体的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)设定成小于等于10.0(小于等于3.0或小于等于0.5更好)，能以小于等于500℃的低温在基体上密度分布均匀地形成粒径小于等于20纳米的范围甚至粒径小于等于10纳米的范围中粒径一致的结晶性硅粒。
所述第4方法中，通过将来自硅烷类气体和氢气的等离子体的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)设定成小于等于10.0(小于等于3.0或小于等于0.5更好)，也能以小于等于500℃的低温在基体上密度分布均匀地形成粒径小于等于20纳米的范围甚至粒径小于等于10纳米的范围中粒径一致的结晶性硅粒。
任一方法中，该发光强度比大于10.0时，晶粒(硅粒)都难以生长，基体上形成许多非晶硅。因此，发光强度比以小于等于10.0为佳。在形成粒径小的硅粒方面，发光强度比小于等于3.0更好，也可小于等于0.5。
然而，发光强度比的值过于小，则晶粒(硅粒)生长慢，要取得要求的硅粒粒径费时。再小下去，则侵蚀效应大于硅粒生长，不生长硅粒。发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)取决于其它各种条件等，但大于等于实质上0.1即可。
可利用例如等离子体发射光谱仪测量各种原子团的发光频谱，并根据其测量结果取得发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)的值。能利用控制对导入气体施加的高频功率(例如频率高低、功率大小)、形成硅粒时真空室内的气压、导入到真空室内的气体(例如氢气或氢气和硅烷类气体)的流量等，进行发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)的控制。
根据所述第1、第2硅粒形成方法(其中都将氢气用作溅射用气体时)和第3硅粒形成方法，通过用发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)小于等于10.0、小于等于3.0或小于等于0.5更好的等离子体对硅溅射靶进行化学溅射，促进在基体上形成晶核，以从该核生长硅粒。第4方法中，兼用硅溅射靶的等离子体化学溅射时，利用这点也能促进基体上形成晶核。
由于这样促进形成晶核以生长硅粒，即使硅粒形成对象基体上未预先存在能取得核的空键或空阶等，也能较容易高密度地形成用于生长硅粒的核。又，氢原子团和氢离子比硅原子团和硅离子丰富，激活的氢原子、氢分子与硅原子的化学反应使核密度过大的部分进行脱硅，因而硅粒的核密度虽然在基体上为高密度，但分布均匀。
由等离子体分解并激活的硅原子或硅原子团吸附在核上，利用化学反应生长为硅粒，但生长时由于氢原子团多，促进脱吸化学反应，核生长成晶位和粒径一致较佳的硅粒。据此，在基体上高密度且分布均匀地形成晶位和粒径大小一致的硅粒。
本发明要在硅粒形成对象基体上形成粒径微小的硅粒，例如要形成粒径小于等于20纳米、粒径小于等于10纳米更好的硅粒，但实际上难以形成极小的硅粒，因而不限于此，粒径会大于等于1纳米。例如能示出3纳米～15纳米的粒径，3纳米～10纳米的粒径则较佳。
根据本发明的硅粒形成方法，能在小于等于500℃的低温下(换言之，使基体温度小于等于500℃)，根据条件能在小于等于400℃的低温下(换言之，根据条件，使基体温度小于等于400℃)，在基体上形成硅粒，因而基体材料选择范围相应扩大。例如能对耐热温度小于等于500℃的价廉低熔点玻璃衬底形成硅粒。
本发明要在低温下(典型为小于等于500℃)形成硅粒，但硅粒形成对象基体温度太低时，硅难以晶化，因而还取决于其它各条件，但最好以小于等于实质上200℃的温度(换言之，使基体温度小于等于实质上200℃)形成硅粒。
所述第4硅粒形成方法那样兼用硅烷类气体和氢气作为等离子体形成用气体时，能示出对所述真空室内的气体导入流量比(硅烷类气体流量/氢气流量)为1/200～1/30的例子。小于1/200时，晶粒(硅粒)生长慢，要取得要求的硅粒粒径费时。再小下去，则晶粒不生长。大于1/30时，晶粒(硅粒)难生长，基体上形成许多非晶硅。
例如将硅烷类气体的导入流量取为1sccm～5sccm左右时，硅烷类气体导入流量(sccm)/真空室容积(升)最好为1/200～1/30。此情况下，小于1/200时，晶粒(硅粒)生长慢，要取得要求的硅粒粒径费时。再小下去，则晶粒不生长。大于1/30时，晶粒(硅粒)难生长，基体上形成许多非晶硅。
所述第1至第4硅粒形成方法中，作为形成等离子体时的真空室内压力的例子，都能示出0.1巴～10.0巴。
低于0.1巴时，晶粒(硅粒)生长慢，要取得要求的硅粒粒径费时。再低下去，则晶粒不生长。高于10.0巴时，晶粒(硅粒)难生长，基体上形成许多非晶硅。
所述第3硅粒形成方法那样，或第4硅粒形成方法中兼用硅溅射靶的化学溅射时那样，采用硅溅射靶的情况下，作为该硅溅射靶采用的靶在溅射靶形成用真空室内配置靶衬底，并能通过往该真空室内导入硅烷类气体和氢气，对这些气体施加高频功率，使该真空室内产生等离子体后，利用该等离子体，在该靶衬底上形成硅膜。而且，将该硅溅射靶以不接触外部空气的方式从该溅射靶形成用真空室送入并配置到配置所述硅粒形成对象基体的真空室内进行使用。
所述第3硅粒形成方法那样，或第4硅粒形成方法中兼用硅溅射靶的化学溅射时那样，采用硅溅射靶的情况下，该硅溅射靶是以硅为主体的靶，可列举例如单晶硅组成的靶、多晶硅组成的靶、微晶组成的靶、非晶硅组成的靶、这些靶的组合。
硅溅射靶可根据形成的硅粒的用途适当选择不含杂质的靶、即使含杂质也尽量减少其含有量的靶、利用含有适量杂质而呈现规定的电阻率的靶等。
作为不含杂质的硅溅射靶和即使含杂质也尽量减少其含有量的硅溅射靶的例子，可列举将磷(P)、硼(B)和锗(Ge)各自的含量抑制到小于10ppm的硅溅射靶。
作为呈现规定电阻率的硅溅射靶，可示出电阻率为0.001欧姆厘米～50欧姆厘米的硅溅射靶的例子。
所述第2、第3硅粒形成方法和所述第4硅粒形成方法中，兼用硅溅射靶的化学溅射的情况下，后来在硅粒形成用真空室内装配硅溅射靶时，作为各靶在真空室内的配置，只要是利用等离子体进行化学溅射的配置即可，可举出例如沿真空室的全部或部分内壁面进行配置的情况。也可在腔室内独立配置。还可并用沿腔室内壁配置的和独立配置的。
沿真空室内壁形成硅膜并将其作为硅溅射靶或沿真空室内壁面配置硅溅射靶时，通过对真空室加热能对硅溅射靶加热，并且靶受到加热时，比靶为室温时容易溅射，所以容易高密度地形成硅粒。可举出例如用带式加热器、加热套等对真空室进行加热，将硅溅射靶加热到80℃或更高。关于加热温度的上限，根据经济的观点，可示出实质上300℃的例子。腔室使用O形密封圈等的情况下，有时必须根据该密封圈等的耐热性，形成低于300℃的温度。
本发明的任一硅粒形成方法中，都用电极进行对导入真空室内的气体施加高频功率，电感耦合型电极或电容耦合型电极均可用。采用电感耦合型电极时，可将其配置在真空室内，也可配置在室外。
关于配置在真空室内的电极，用含硅的电绝缘膜、含氧化铝的电绝缘膜之类的电绝缘膜(例如硅膜、氮化硅膜、氧化硅膜、氧化铝膜等)加以覆盖，可谋求维持高密度等离子体、抑制电极表面溅射造成杂质混入到硅粒等。
采用电容耦合型电极时，推荐将该电极配置成对基体表面垂直(进一步而言，配置成对包含基体的硅粒形成对象面的面垂直的姿态)，以免妨碍对基体形成硅粒。
总而言之，作为形成等离子体用的高频功率的频率，可示出较价廉地对付的13兆赫至100兆赫的范围的例子。频率高于100兆赫时，既造成电源成本高，又难以在施加高频功率时取匹配。
又，总而言之，高频功率的功率密度(外加功率(瓦)/真空室容积(升))最好为5瓦/升～100瓦/升。小于5瓦/升时，基体上的硅变成非晶硅，难以形成具有结晶性的硅粒。大于100瓦/升时，硅粒形成对象基体表面(例如在硅圆上形成氧化硅膜的基体的该氧化硅膜)的损伤变大。上限可为50瓦/升左右。
<硅粒结构体>
本发明包括含有上文说明的任一硅粒形成方法形成的硅粒的硅粒结构体。
<硅粒形成装置>
本发明还提供实施本发明的硅粒形成方法用的下列第1至第4硅粒形成装置。
(1)第1硅粒形成装置
这种硅粒形成装置包含
具有支持硅粒形成对象基体的支架的真空室；
往该真空室内供给氢气的氢气供给装置；
往该真空室内供给硅烷类气体的硅烷类气体供给装置；
从该真空室内排气的排气装置；
对该真空室内所述氢气供给装置供给的氢气和所述硅烷类气体供给装置供给的硅烷类气体施加高频功率，并形成在该真空室内壁形成硅膜用的等离子体的第1高频功率施加装置；
该硅膜形成后对该真空室内所述氢气供给装置供给的氢气施加高压，并形成将该硅膜当作溅射靶进行化学溅射用的等离子体的第2高频功率施加装置；以及
求出该真空室内等离子体发光中的波长288纳米的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484的氢原子发光强度Hβ的比(Si(288纳米)/Hβ)的等离子发射光谱仪。
这种第1硅粒形成装置能实施所述第1硅粒形成方法。
这种第1硅粒形成装置还可具有控制部，该控制部在所述第1高频功率施加装置和第2高频功率施加装置中至少第2高频功率施加装置形成等离子体中，对所述等离子体发射光谱仪求出的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)与根据小于等于10.0的范围规定的基准发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)进行比较后，控制该第2高频功率施加装置的电源输出、所述氢气供给装置往所述真空室内的氢气供给量和所述排气装置的排气量中的至少一个，使得所述真空室内的等离子体的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)接近该基准发光强度比。
总而言之，第1、第2高频功率施加装置可部分或全部相互共用。
可根据小于等于3.0或小于等于0.5的范围规定基准发光强度比。
(2)第2硅粒形成装置
这种硅粒形成装置包含
具有支持溅射靶衬底的支架的第1真空室；
往该第1真空室内供给氢气的第1氢气供给装置；
往该第1真空室内供给硅烷类气体的硅烷类气体供给装置；
从该第1真空室内排气的第1排气装置；
对该第1真空室内所述第1氢气供给装置供给的氢气和所述硅烷类气体供给装置供给的硅烷类气体施加高频功率，并在所述溅射靶衬底上形成用于形成硅膜的等离子体的第1高频功率施加装置；
设置成以密封地隔断外部的方式连接所述第1真空室，并具有支持硅粒形成对象基体的支架的第2真空室；
往该第2真空室内供给氢气的第2氢气供给装置；
从该第2真空室内排气的第2排气装置；
对该第1真空室内所述第2氢气供给装置供给的氢气施加高频功率，并形成对所述溅射靶上的硅膜进行化学溅射用的等离子体的第2高频功率施加装置；
求出该第2真空室内等离子体发光中的波长288纳米的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484的氢原子发光强度Hβ的比(Si(288纳米)/Hβ)的等离子发射光谱仪；以及
将形成硅膜的所述溅射靶衬底以不接触外部气体的方式从所述第1真空室送入并配置到第2真空室的输送装置。
这种第2硅粒形成装置是能实施所述第2硅粒形成方法的装置。
这种第2硅粒形成装置还可具有控制部，该控制部在所述第2高频功率施加装置形成等离子体中，对所述等离子体发射光谱仪求出的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)与根据小于等于10.0的范围规定的基准发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)进行比较后，控制该第2高频功率施加装置的电源输出、所述第2氢气供给装置往所述第2真空室内的氢气供给量和所述第2排气装置的排气量中的至少一个，使所述第真空室内的等离子体的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)接近该基准发光强度比。
总而言之，也可设置对第1真空室求出该室内等离子体发光中的波长288纳米的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484的氢原子发光强度Hβ的比(Si(288纳米)/Hβ)的等离子发射光谱仪。此情况下，可进一步也对该光谱仪设置与上文所述相同的控制部。
第1、第2氢气供给装置也可部分或全部相互共用。
第1、第2排气装置也可部分或全部相互共用。
作为所述输送装置的配置，可举出配置在第1或第2真空室的例子。第1与第2真空室的连接设置既可通过电缆等设置成直接连接，又可设置成使配置所述输送装置的真空室居间，进行间接连接。
总而言之，可根据小于等于3.0或小于等于0.5的范围规定基准发光强度。
如果设置往第2真空室供给硅烷类气体的第2硅烷类气体供给装置，则成为能实施兼用所述第4硅粒形成方法中硅溅射靶的化学溅射的方法的装置。
(3)第3硅粒形成装置
这种硅粒形成装置包含具有
支持硅粒形成对象基体的支架的真空室；
配置在该真空室内的硅溅射靶；
往该真空室内供给氢气的氢气供给装置；
从该真空室内排气的排气装置；
对该真空室内所述氢气供给装置供给的氢气施加高频功率，并且形成对该溅射靶进行化学溅射用的等离子体的高频功率施加装置；以及
求出该真空室内等离子体发光中的波长288纳米的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484的氢原子发光强度Hβ的比(Si(288纳米)/Hβ)的等离子发射光谱仪。
这种第3硅粒形成装置是能实施所述第3硅粒形成方法的装置。
这种第3硅粒形成装置还可具有控制部，该控制部对所述等离子体发射光谱仪求出的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)与根据小于等于10.0的范围规定的基准发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)进行比较后，控制所述高频功率施加装置的电源输出、所述氢气供给装置往所述真空室内的氢气供给量和所述排气装置的排气量中的至少一个，使所述真空室内的等离子体的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)接近该基准发光强度比。
可根据小于等于3.0或小于等于0.5的范围规定基准发光强度。
(4)第4硅粒形成装置
这种硅粒形成装置包含具有
支持硅粒形成对象基体的支架的真空室；
往该真空室内供给氢气的氢气供给装置；
往该真空室内供给硅烷类气体的硅烷类气体供给装置；
从该真空室内排气的排气装置；
对该真空室内所述氢气供给装置供给的氢气和所述硅烷类气体供给装置供给的硅烷类气体施加高频功率，并且形成用于形成硅粒的等离子体的高频功率施加装置；以及
求出该真空室内等离子体发光中的波长288纳米的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484的氢原子发光强度Hβ的比(Si(288纳米)/Hβ)的等离子发射光谱仪。
这种第4硅粒形成装置是能实施所述第4硅粒形成方法的装置。
这种第4硅粒形成装置还可具有控制部，该控制部对所述等离子体发射光谱仪求出的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)与根据小于等于10.0的范围规定的基准发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)进行比较后，控制所述高频功率施加装置的电源输出、所述氢气供给装置往所述真空室内的氢气供给量、所述硅烷类气体供给装置往所述真空室内的硅烷类气体供给量和所述排气装置的排气量中的至少一个，使所述真空室内的等离子体的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)接近该基准发光强度比。
可根据小于等于3.0或小于等于0.5的范围规定基准发光强度。
总而言之，可在真空室内配置硅溅射靶。
所述第1至第4硅粒形成装置中，作为所述等离子发射光谱仪的例子，可举出的该光谱仪具有检测出等离子体发光中的波长288纳米处的硅原子发光强度Si(288纳米)的第1检测部；检测出等离子体发光中的波长484纳米处的氢原子发光强度Hβ的第2检测部；以及求出第1检测部检测出的发光强度Si(288纳米)与第2检测部检测出的发光强度Hβ的比(Si(288)/Hβ)的运算部。
如上文所说明，根据本发明，能低温且密度分布均匀地直接在硅粒形成对象基体上形成粒径一致的硅粒。
又，根据本发明，可提供能低温且密度分布均匀地直接在硅粒形成对象基体上形成粒径一致的硅粒的硅粒形成装置。
附图说明
图1是示出一例用于实施本发明的硅粒形成方法的装置的概略组成的图。
图2是示出等离子体发射光谱仪例的框图。
图3是示出进行排气装置的排气量(真空室内压)控制等的电路例的框图。
图4是示出另一例形成硅粒的图。
图5是示出形成硅膜的靶衬底与电极等的位置关系的图。
图6是以图解方式示出实验例得出的硅粒结构例的图。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明实施方式。
<硅粒形成装置的一例>
图1示出用于实施本发明的硅粒形成方法的硅粒形成装置的一例的概略组成。
图1所示的装置A在板状硅粒形成对象基体(即衬底S)形成硅粒，具有真空室1、设在室1内的衬底架2、设在该室1内的衬底架2的上方区域左右的一对放电电极3、通过匹配盒41连接各硅粒电极3的放电用高频电源4、往室1内供给氢气用的氢气供给装置5、往室1内供给组分中包含硅(具有硅原子)的硅烷类气体用的供气装置6、连接室1以便从室1内排气的排气装置7、以及测量室1内产生的等离子状态用的等离子发射光谱仪8等。电源4、匹配盒41和电极3构成高频功率施加装置。
作为硅烷类气体，除用甲硅烷(SiH4)外，还可用乙硅烷(SiH2)、四氟化硅(SiF4)、四氯化硅(SiCl4)、氯化乙硅烷(SiH2Cl2)等气体。
衬底架2具有衬底加热用加热器2H。
电极3在其内侧面预先设置作为绝缘膜起作用的硅膜31。在室1的顶壁内表面预先设置硅溅射靶30。均以对设在衬底架2上的后面阐述的硅粒形成对象衬底S的表面(较准确而言，包含衬底S表面的面)垂直的姿态配置电极3。
硅溅射靶30可根据要形成的硅粒的用途，采用例如从市场可购得的下列(1)～(3)记载的硅溅射靶选择的靶。
(1)单晶硅组成的靶、多晶硅组成的靶、微晶组成的靶、非晶硅组成的靶、2种或更多种这些靶的组合组成的靶等中的一个靶；
(2)所述(1)记载的一种靶且将磷(P)、硼(B)和锗(Ge)各自的含量都抑制到小于10ppm的硅溅射靶；
(3)所述(1)记载的一种靶且呈现规定电阻率的硅溅射靶(例如电阻率为0.001欧姆厘米～50欧姆厘米的硅溅射靶)。
电源4是输出可变的电源，能供给频率60兆赫的高频功率。频率不限于60兆赫，可采用例如13.56兆赫左右至100兆赫左右的频率或更高的频率。
将室1和衬底架2都接地。
供气装置5除包含氢气源外，还包含图中省略的阀、进行流量调整的质量流控制器等。
供气装置6在这里能供给甲硅烷(SiH4)气体等硅烷类气体，除包含SiH4等的气体源外，还包含图中省略的阀、进行流量调整的质量流控制器等。
排气装置7除包含排气泵外，还包含进行流量调整的传导阀等。
发射光谱仪8能检测出气体分解生成物的发射光谱，可根据其检测结果求出发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)。
作为此发射光谱仪8的具体例，如图2所示，可举出的该光谱仪包含从真空室1内的等离子发光检测出波长288纳米的硅原子发光强度Si(288纳米)的分光镜81、从该等离子体发光检测出波长484纳米的发光强度Hβ的分光镜82、以及根据分光镜81、82检测出的发光强度Si(288纳米)和发光强度Hβ求出两者的比(Si(288纳米)/Hβ)的运算部83。也可采用带滤光镜的光传感器，以代替分光镜81、82。
<在装置A用氢气形成硅粒>
接着，说明上文说明的硅粒形成装置A对基体(本例中为衬底)S形成硅粒的例子，尤其说明仅将氢气用作等离子体形成用气体时的例子。
将真空室1内的压力维持在0.1巴～10.0巴的范围进行硅粒形成。真空室内压力在图中省略示出，但可由连接该室的压力传感器得知。
首先，在形成硅粒前，先用排气装置7启动从室1排气。将排气装置7中的传导阀(未示出)调整成考虑室1内所述硅粒形成时的压力0.1巴～10.0巴的排气量。
由于排气装置的运转，室1内的压力减小到预定的压力或低于该预定压力时，启动从供气装置5往室1内导入氢气，同时还从电源4对电极3施加高频功率，使导入的氢气变成等离子体。
在发射光谱仪8从这样产生的等离子体算出发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)后，决定高频功率的大小(考虑成本等，例如为1000瓦～8000瓦左右)、氢气导入量、室1内的压力等，使得该强度比的值接近≥0.1且≤10.0的范围、接近≥0.1且≤3.0或≥0.1且≤0.5的范围更好的预定值(基准发光强度比)。
又，决定高频功率的大小，使电极3上施加的高频功率的功率密度(外加功率(瓦)/真空室容积(升))纳入5瓦/升～100瓦/升或5瓦/升～50瓦/升。
这样决定硅粒形成条件后，按照该条件进行硅粒的形成。
形成硅粒中，在室1的衬底架2上设置硅粒形成对象基体(本例中为衬底)S，用加热器2H将该衬底加热到小于等于500℃、例如400℃的温度。一面用排气装置7的运转将室1内维持为形成硅粒用的压力，一面从供气装置5将氢气导入到室1内，并从电源4对放电电极3施加高频功率，使导入的氢气变成等离子体。
于是，产生等离子体发光中波长288纳米处的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484纳米处的氢原子发光强度Hβ的比(Si(288纳米)/Hβ)为≥0.1且≤10.0的范围(接近≥0.1且≤3.0或≥0.1且≤0.5的范围更好)的所述基准发光强度比或实质上为该基准发光强度比的等离子体。然后，用该等离子体对室1的顶壁内壁面等的硅溅射靶30进行化学溅射(反应性溅射)，从而在衬底S的表面形成呈现结晶性的粒径小于等于20纳米的硅粒。
<在装置A用氢气和硅烷类气体形成硅粒>
上文说明的硅粒形成中，不用供气装置6的硅烷类气体，仅用氢气，但也可在供气装置5往真空室1内导入氢气的同时，从供气装置6导入硅烷类气体，以形成硅粒。采用硅烷类气体和氢气时，即使省略硅溅射靶30，也能形成硅粒。
采用硅烷类气体的情况下，不拘使用或不使用硅溅射靶，均产生等离子体发光中波长288纳米处的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484纳米处的氢原子发光强度Hβ的比(Si(288纳米)/Hβ)为≥0.1且≤10.0的范围(接近≥0.1且≤3.0或≥0.1且≤0.5的范围更好)的等离子体。不采用硅溅射靶30时，根据该等离子体也能在衬底S的表面形成呈现结晶性的粒径小于等于20纳米的硅粒。
采用硅溅射靶30时，兼用等离子体造成的室1的顶壁内壁面等的硅溅射靶30的化学溅射，能在衬底S的表面形成呈现结晶性的粒径小于等于20纳米的硅粒。
总而言之，为了形成硅粒，将真空室1内的压力维持在0.1巴～10.0巴范围，由发射光谱仪8算出发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)，并决定该强度比的值为≥0.1且≤10.0的范围(≥0.1且≤3.0或≥0.1且≤0.5的范围更好)的预定值(基准发光强度比)或实质上为该基准发光强度比的高频功率大小、氢气和硅烷类气体各自的导入量、室1内的压力等。
对高频功率大小而言，还可将其定成电极3上施加的高频功率的功率密度(外加功率(瓦)/真空室容积(升))纳入5瓦/升～100瓦/升或5瓦/升～50瓦/升，并根据这样决定的硅粒形成条件进行硅粒的形成。
可将硅烷类气体与氢气往真空室1内的导入流量比(硅烷类气体流量/氢气流量)取为1/200～1/30的范围。例如，可将硅烷类气体的导入流量取为1sccm～5sccm，将硅烷类气体导入流量(sccm)/真空室容积(升)取为1/200～1/30。将硅烷类气体导入流量取为1sccm～5sccm时，作为适当的氢气导入量，可示出150sccm～200sccm的例子。
上文说明的硅粒形成装置A采用平板状电容耦合型电极作为电极，但也可采用电感耦合型电极。电感耦合型电极的情况下，该电极可采用棒状、卷曲状等各种形状的电极。采用的数量等为任意。采用电感耦合型电极的情况下，采用硅溅射靶时，将该电极配置在室内的场合或配置在室外的场合，都能将该硅溅射靶沿全部或部分室内壁面配置，或独立配置在室内，或采用这两种配置。
装置A中省略对真空室1进行加热的装置(带式加热器、通过热媒加热的加热套等)，但为了促进硅溅射靶的溅射，也可通过用此加热装置对室1加热，将硅溅射靶加热到大于等于80℃。
<真空室内压等的其它控制例>
上文说明的硅粒形成中，一面参照发射光谱仪8求出的发射光谱强度比一面以手动操作进行输出可变电源4的输出、氢气供给装置5的氢气供给量(或氢气供给装置5的氢气供给量和硅烷类气体供给装置6的硅烷类气体供给量)、以及排气装置7的排气量等的控制，
然而，如图3所示，也可将发射光谱仪8的运算部83求出的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)输入到控制部80。然后，作为此控制部80，也可采用组成如下的控制部：判断从运算部83输入的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)是否预定的基准发光强度比，如果偏离基准发光强度比，可控制所述输出可变电源4的输出、氢气供给装置5的氢气供给量、硅烷类气体供给装置6的硅烷类气体供给量以及排气装置7的排气量中的至少一个，使其接近基准发光强度比。
作为此控制部80的具体例，可举出通过控制排气装置7的传导阀控制该排气装置7的排气量，从而将真空室1内的气压控制成达到接近所述基准发光强度比。
在这种情况下，可对输出可变电源4的输出、氢气供给装置5的氢气供给量(或氢气供给装置5的氢气供给量和硅烷类气体供给装置6的硅烷类气体供给量)、以及排气装置7的排气量采用取得基准发光强度比或接近该比的值的用预先实验求出的电源输出、氢气供给量(或氢气供给量和硅烷类气体供给量)和排气量，作为初始值。
决定该初始值时，也决定排气装置7的排气量，使真空室1内的压力内容0.1巴～10.0巴的范围。
决定电源4的输出，使电极3上施加的高频功率的功率密度纳入5瓦/升～100瓦/升或5瓦/升～100瓦/升。
又，采用氢气和硅烷类气体两者作为形成等离子体用的气体时，将这些气体往真空室1内的导入流量比(硅烷类气体流量/氢气流量)定在1/200～1/30的范围。例如，将硅烷类气体的导入流量取为1sccm～5sccm，将(硅烷类气体导入流量(sccm)/真空室容积(升))定在1/200～1/30的范围。
于是，可对电源4的输出、氢气供给装置5的氢气供给量(或氢气供给装置5的氢气供给量和硅烷类气体供给装置6的硅烷类气体供给量)后来也维持这些初始值，并且控制部80控制排气装置7的排气量，以接近达到基准发光强度比。
<硅溅射靶的其它例>
上文说明的硅粒形成中，作为硅溅射靶，后来在真空室1内装配市场上能购得的靶。然而，通过采用下面的不暴露于外部气体的硅溅射靶，可形成进一步抑制非预定杂质的混入的硅粒。
即，所述装置A中，最初真空室1内尚未配置基体S就导入氢气和硅烷类气体，从电源4对这些气体施加高频功率，使其成为等离子体后，利用该等离子体在真空室1的内壁形成硅膜。此硅膜形成中，最好用外部加热器对室壁加热。然后，在该室1内配置基体S，并将该内壁上的硅膜作为溅射靶，如已阐述的那样，用来自氢气的等离子体对该靶进行化学溅射，从而在衬底S上形成硅粒。
在这种用作硅溅射靶的硅膜的形成中，为了形成质量好的硅膜，其形成也以将等离子体的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)维持在≥0.1且≤10.0的范围为佳，维持在≥0.1且≤3.0或≥0.1且≤0.5的范围更好。
作为别的方法，也可采用下面的方法。
即，如图4中概略示出那样，将形成硅溅射靶用的真空室10设置成通过门阀V以密封地断开外部的状态连接所述真空室1。
在室10的支架2’上配置靶衬底100，一面由排气装置7’从该真空室内排气，将该真空室内压维持于规定的成膜压，一面从氢气供给装置5’和硅烷类气体供给装置6’往该室内分别导入氢气和硅烷类气体。进而，通过从输出可变电源4’经匹配盒41’对室内电极3’施加高频功率，使这些气体形成等离子体。利用该等离子体在用加热器2’加热的靶衬底100上形成硅膜。
然后，开通门阀V，用输送装置T将形成硅膜的靶衬底100送入真空室1内，放在室1内的台架SP上。接着，使输送装置T后退后，将门阀V关断成密封，在室1内将形成该硅膜的靶衬底100当作硅溅射靶，用所述的任一种方法在配置在室1内的衬底S上形成硅粒。
图5示出此靶衬底100与电极3(或3’)、室10内的加热器2H’、室1内的台架SP、衬底S等的位置关系。不限于此关系，但如图5所示，为了取得大面积的硅溅射靶，这里的靶衬底100是弯曲成门形的衬底。输送装置T能将该衬底100输送得不碰撞电极等。输送装置T只要是能将衬底SP送入并放到真空室1内的即可，例如可采用具有支持衬底100且能伸缩的支架的装置。
往室10中的靶衬底上形成硅膜时，为了形成质量良好的硅膜，其形成也以将等离子体的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)维持在≥0.1且≤10.0的范围为佳，维持在≥0.1且≤3.0或≥0.1且≤0.5的范围更好。
这时，可与所述装置A中用氢气和硅烷类气体在衬底S上形成硅粒时相同地控制真空室10中的电源4’的输出、来自氢气供给装置5’的氢气供给量、来自硅烷类气体供给装置6’的硅烷类气体供给量、以及排气装置7’的排气量。可手动控制，也可用控制部自动控制。
对输送装置而言，也可在真空室10与真空室1之间，配置设有输送装置的真空室，并将设有输送装置的室设置成通过门阀分别连接室10和室1。
<实验例>
(1)实验例1
使用图1所示类型的硅粒形成装置，其中不采用硅溅射靶，用氢气和甲硅烷气直接在衬底上形成硅粒。硅粒形成条件如下。
衬底：用氧化膜(SiO2)覆盖的硅圆
室容量：180升
高频电源：60兆赫、6千瓦
功率密度：33瓦/升
衬底温度：400℃
室内压：0.6巴
硅烷导入量：3sccm
氢导入量：150sccm
Si(288纳米)/Hβ：0.5
硅粒形成后，用透射电子显微镜(TEM)进行观测时，可确认分别独立形成且分布均匀地形成高密度状态的粒径一致的硅粒。从TEM图像测量50个硅粒的粒径并求出其平均值时，确认该值为7纳米，形成粒径小于等于20纳米的硅粒，进而言之，形成粒径小于等于10纳米的硅粒。硅粒的密度为约1.4×1012个/平方厘米。图5以图解方式示出衬底S上形成硅粒Si D的硅粒结构体。
(2)实验例2
使用图1所示类型的硅粒形成装置，使用氢气和甲硅烷气，而且兼用硅溅射靶，直接在衬底上形成硅粒。硅粒形成条件如下。
硅溅射靶：非晶硅溅射靶
衬底：用氧化膜(SiO2)覆盖的硅圆
室容量：180升
高频电源：60兆赫、4千瓦
功率密度：22瓦/升
衬底温度：400℃
室内压：0.6巴
硅烷导入量：1sccm
氢导入量：150sccm
Si(288纳米)/Hβ：0.3
硅粒形成后，用透射电子显微镜(TEM)进行观测时，可确认分别独立形成且分布均匀地形成高密度状态的粒径一致的硅粒。从TEM图像测量50个硅粒的粒径并求出其平均值时，确认该值为10纳米，形成粒径小于等于20纳米的硅粒。硅粒的密度为约1.0×1012个/平方厘米。
(3)实验例3
使用图1所示类型的硅粒形成装置，但不采用硅烷气，而用氢气和硅溅射靶，直接在衬底上形成硅粒。硅粒形成条件如下。
硅溅射靶：单晶硅溅射靶
衬底：用氧化膜(SiO2)覆盖的硅圆
室容量：180升
高频电源：60兆赫、4千瓦
功率密度：22瓦/升
衬底温度：400℃
室内压：0.6巴
氢导入量：100sccm
Si(288纳米)/Hβ：0.2
硅粒形成后，用透射电子显微镜(TEM)进行观测时，可确认分别独立形成且分布均匀地形成高密度状态的粒径一致的硅粒。从TEM图像测量50个硅粒的粒径并求出其平均值时，确认该值为5纳米，形成粒径小于等于20纳米的硅粒，进而言之，形成粒径小于等于10纳米的硅粒。硅粒的密度为约2.0×1012个/平方厘米。
(4)实验例4
使用图1所示类型的硅粒形成装置，首先在真空室1的内壁形成硅膜，接着将该硅膜作为溅射靶，形成硅粒。硅膜形成条件和硅粒形成条件如下。
硅膜形成条件
室内壁面积：约3平方米
室容量：440升
高频电源：13.56兆赫、10千瓦
功率密度：23瓦/升
室内壁温度：80℃(用设在室内部的加热器对室进行加热)
室内压：0.67巴
甲硅烷导入量：100sccm
氢导入量：150sccm
Si(288纳米)/Hβ：2.0
硅粒形成条件
衬底：用氧化膜(SiO2)覆盖的硅圆
室容量：440升
高频电源：13.56兆赫、5千瓦
功率密度：11瓦/升
室内壁温度：80℃(用设在室内部的加热器对室进行加热)
衬底温度：430℃
室内压：0.67巴
氢导入量：150sccm(不使用甲硅烷气)
Si(288纳米)/Hβ：1.5
硅粒形成后，用透射电子显微镜(TEM)进行观测时，可确认分别独立形成且分布均匀地形成高密度状态的粒径一致的硅粒。小的硅粒为5纳米～11纳米，大的硅粒为9纳米～11纳米。从TEM图像测量50个硅粒的粒径并求出其平均值时，确认该值为8纳米，实质上形成粒径小于等于10纳米的硅粒。硅粒的密度为约7.3×1011个/平方厘米。
(5)实验例5
使用图1所示类型的硅粒形成装置，首先按实验例4的硅膜形成条件在真空室1的内壁形成硅膜，接着将该硅膜作为溅射靶，形成硅粒。硅粒形成条件除室内压力为1.34巴、(Si(288纳米)/Hβ)为2.5外，其它与实验例4相同。
硅粒形成后，用透射电子显微镜(TEM)进行观测时，可确认分别独立形成且分布均匀地形成高密度状态的粒径一致的硅粒。从TEM图像测量50个硅粒的粒径并求出其平均值时，确认该值为10纳米，实质上形成粒径小于等于10纳米的硅粒。硅粒的密度为约7.0×1011个/平方厘米。
(6)实验例6
使用图1所示类型的硅粒形成装置，首先按实验例4的硅膜形成条件在真空室1的内壁形成硅膜，接着将该硅膜作为溅射靶，形成硅粒。硅粒形成条件除室内压力为2.68巴、Si(288纳米)/Hβ为4.6外，其它与实验例4相同。
硅粒形成后，用透射电子显微镜(TEM)进行观测时，可确认分别独立形成且分布均匀地形成高密度状态的粒径一致的硅粒。从TEM图像测量50个硅粒的粒径并求出其平均值时，确认该值为13纳米，实质上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。硅粒的密度为约6.5×1011个/平方厘米。
(7)实验例7
使用图1所示类型的硅粒形成装置，首先按实验例4的硅膜形成条件在真空室1的内壁形成硅膜，接着将该硅膜作为溅射靶，形成硅粒。硅粒形成条件除室内压力为6.70巴、(Si(288纳米)/Hβ)为8.2外，其它与实验例4相同。
硅粒形成后，用透射电子显微镜(TEM)进行观测时，可确认分别独立形成且分布均匀地形成高密度状态的粒径一致的硅粒。从TEM图像测量50个硅粒的粒径并求出其平均值时，确认该值为16纳米，实质上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。硅粒的密度为约6.1×1011个/平方厘米。
工业上的实用性
本发明能用于形成用作单一电子器件等的电子器件材料和发光材料等的微小粒径的硅粒。

Claims (35)

1、一种硅粒形成方法，其特征在于，包含以下工序：
通过在真空室内导入硅烷类气体和氢气并对这些气体施加高频功率使该真空室内产生等离子体后，利用该等离子体在该真空室的内壁形成硅膜的硅膜形成工序；以及
通过在内壁形成硅膜的所述真空室内配置硅粒形成对象基体并往该真空室内导入溅射用气体并且对该气体施加高频功率使该真空室内产生等离子体后，用该等离子体进行以所述硅膜为溅射靶的化学溅射，从而在该基体上形成硅粒的硅粒形成工序。
2、如权利要求2中所述的硅粒形成方法，其特征在于，包含以下工序：
通过在第1真空室内配置靶衬底又在该第1真空室内导入硅烷类气体和氢气并对这些气体施加高频功率使该第1真空室内产生等离子体后，利用该等离子体在该靶衬底上形成硅膜，从而取得硅溅射靶的溅射靶形成工序；以及
从所述第1真空室将所述溅射靶形成工序得到的硅溅射靶以不接触外部气体的方式送入第2真空室加以配置，又同时在该第2真空室内配置硅粒形成对象基体后往该第2真空室内导入溅射用气体并通过对该气体施加高频功率使该第2真空室内产生等离子体，并且用该等离子体对所述硅溅射靶的硅膜进行化学溅射，从而在该基体上形成硅粒的硅粒形成工序。
3、如权利要求1或2中所述的硅粒形成方法，其特征在于，
所述硅粒形成工序中，在配置所述硅粒形成对象基体的真空室内导入氢气作为所述溅射用气体，通过对该氢气施加高频功率使该真空室内产生等离子体，并用该等离子体对所述硅膜进行化学溅射，以小于等于500℃的低温直接在所述基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。
4、如权利要求3中所述的硅粒形成方法，其特征在于，
所述硅粒形成工序中，直接在所述基体上形成粒径小于等于10纳米的硅粒。
5、如权利要求1至4中任一项所述的硅粒形成方法，其特征在于，
所述等离子体是等离子体发光中波长288纳米的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484纳米的氢原子发光强度Hβ的比(Si(288纳米)/Hβ)小于等于10.0的等离子体。
6、如权利要求5中所述的硅粒形成方法，其特征在于，
所述发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)小于等于3.0。
7、一种硅粒形成方法，其特征在于，
通过在配置硅溅射靶和硅粒形成对象基体的真空室内导入氢气，并对该氢气施加高频功率使该真空室内产生等离子体发光中波长288纳米的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484纳米的氢原子发光强度Hβ的比(Si(288纳米)/Hβ)小于等于10.0的等离子体，用该等离子体对所述硅溅射靶进行化学溅射，从而以小于等于500℃的低温直接在所述基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。
8、如权利要求7中所述的硅粒形成方法，其特征在于，
所述发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)小于等于3.0。
9、如权利要求7或8中所述的硅粒形成方法，其特征在于，
直接在所述基体上形成粒径小于等于10纳米的硅粒。
10、一种硅粒形成方法，其特征在于，
通过在配置硅粒形成对象基体的真空室内导入硅烷类气体和氢气，并对这些气体施加高频功率使该真空室内产生等离子体发光中波长288纳米的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484纳米的氢原子发光强度Hβ的比(Si(288纳米)/Hβ)小于等于10.0的等离子体，并用该等离子体以小于等于500℃的低温直接在所述基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。
11、如权利要求10中所述的硅粒形成方法，其特征在于，
所述发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)小于等于3.0。
12、如权利要求10或11中所述的硅粒形成方法，其特征在于，
直接在所述基体上形成粒径小于等于10纳米的硅粒。
13、如权利要求10、11或12中所述的硅粒形成方法，其特征在于，
在所述真空室内配置硅溅射靶，兼用所述等离子体造成的该靶的化学溅射。
14、如权利要求7、8、9或13中所述的硅粒形成方法，其特征在于，
作为所述硅溅射靶，采用在溅射靶形成用真空室内配置靶衬底后通过往该真空室内导入硅烷类气和氢气并对这些气体施加高频功率使该真空室内产生等离子体且利用该等离子体在该靶衬底上形成硅膜而取得的硅溅射靶，并将该硅溅射靶从该溅射靶形成用真空室以不接触外部空气的方式送入并配置到配置所述硅粒形成对象基体的真空室内进行使用。
15、如权利要求7、8、9、13或14中所述的硅粒形成方法，其特征在于，
作为所述硅溅射靶，采用磷(P)、硼(B)和锗(Ge)各自的含量均抑制到小于10ppm的硅溅射靶。
16、如权利要求7、8、9、13或14中所述的硅粒形成方法，其特征在于，
作为所述硅溅射靶，采用电阻率为0.001欧姆厘米～50欧姆厘米的硅溅射靶。
17、如权利要求7、8、9、13至16中任一项所述的硅粒形成方法，其特征在于，
沿所述真空室内壁配置所述硅溅射靶，并通过加热该真空室，将该硅溅射靶加热到大于等于80℃。
18、如权利要求10至13中任一项所述的硅粒形成方法，其特征在于，
所述硅烷类气体与氢气对所述真空室内的导入流量比(硅烷类气体流量/氢气流量)为1/200～1/30。
19、如权利要求10至13中任一项所述的硅粒形成方法，其特征在于，
所述硅烷类气体的导入流量为1sccm～5sccm，(硅烷类气体导入流量(sccm)/真空室容积(升))为1/200～1/30。
20、如权利要求1至19中任一项所述的硅粒形成方法，其特征在于，
用配置在所述真空室内并以含有硅或铝的电绝缘膜覆盖的电极，进行对导入到所述真空室内的气体施加高频功率。
21、如权利要求1至20中任一项所述的硅粒形成方法，其特征在于，
所述等离子体形成时的所述真空室内压力为0.1帕～10.0帕。
22、如权利要求1至21中任一项所述的硅粒形成方法，其特征在于，
用配置在所述真空室内的并且同时对所述基体垂直配置的电容耦合型电极，进行对导入到所述真空室内的气体施加高频功率。
23、如权利要求1至21中任一项所述的硅粒形成方法，其特征在于，
用电感耦合型电极，进行所述对导入到所述真空室内的气体施加高频功率。
24、如权利要求1至23中任一项所述的硅粒形成方法，其特征在于，
所述高频功率的频率是13兆赫～100兆赫。
25、如权利要求1至24中任一项所述的硅粒形成方法，其特征在于，
所述高频功率的功率密度(外加功率(瓦)/真空室容积(升：L))是5瓦/升～100瓦/升。
26、一种硅粒结构体，其特征在于，
具有利用权利要求1至25中任一项所述的硅粒形成方法形成的硅粒。
27、一种硅粒形成装置，其特征在于，包含
具有支持硅粒形成对象基体的支架的真空室；
往该真空室内供给氢气的氢气供给装置；
往该真空室内供给硅烷类气体的硅烷类气体供给装置；
从该真空室内排气的排气装置；
对该真空室内所述氢气供给装置供给的氢气和所述硅烷类气体供给装置供给的硅烷类气体施加高频功率，并形成在该真空室内壁形成硅膜用的等离子体的第1高频功率施加装置；
该硅膜形成后对该真空室内所述氢气供给装置供给的氢气施加高压，并形成将该硅膜当作溅射靶进行化学溅射用的等离子体的第2高频功率施加装置；以及
求出该真空室内等离子体发光中的波长288纳米的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484纳米的氢原子发光强度Hβ的比Si((288纳米)/Hβ)的等离子发射光谱仪。
28、如权利要求27中所述的硅粒形成装置，其特征在于，
还具有控制部，该控制部在所述第1高频功率施加装置和第2高频功率施加装置中至少第2高频功率施加装置形成等离子体中，对所述等离子体发射光谱仪求出的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)与根据小于等于10.0的范围规定的基准发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)进行比较后，控制该第2高频功率施加装置的电源输出、所述氢气供给装置往所述真空室内的氢气供给量和所述排气装置的排气量中的至少一个，使得所述真空室内的等离子体的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)接近该基准发光强度比。
29、一种硅粒形成装置，其特征在于，包含
具有支持溅射靶衬底的支架的第1真空室；
往该第1真空室内供给氢气的第1氢气供给装置；
往该第1真空室内供给硅烷类气体的硅烷类气体供给装置；
从该第1真空室内排气的第1排气装置；
对该第1真空室内所述第1氢气供给装置供给的氢气和所述硅烷类气体供给装置供给的硅烷类气体施加高频功率，并在所述溅射靶衬底上形成用于形成硅膜的等离子体的第1高频功率施加装置；
设置成以密封地隔开外部的状态连接所述第1真空室，并具有支持硅粒形成对象基体的支架的第2真空室；
往该第2真空室内供给氢气的第2氢气供给装置；
从该第2真空室内排气的第2排气装置；
对该第1真空室内所述第2氢气供给装置供给的氢气施加高频功率，并形成对所述溅射靶上的硅膜进行化学溅射用的等离子体的第2高频功率施加装置；
求出该第2真空室内等离子体发光中的波长288纳米的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484纳米的氢原子发光强度Hβ的比(Si(288纳米)/Hβ)的等离子发射光谱仪；以及
将形成硅膜的所述溅射靶衬底以不接触外部气体的方式从所述第1真空室送入并配置到第2真空室的输送装置。
30、如权利要求29中所述的硅粒形成装置，其特征在于，
还具有控制部，该控制部在所述第2高频功率施加装置形成等离子体中，对所述等离子体发射光谱仪求出的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)与根据小于等于10.0的范围规定的基准发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)进行比较后，控制该第2高频功率施加装置的电源输出、所述第2氢气供给装置往所述第2真空室内的氢气供给量和所述第2排气装置的排气量中的至少一个，使得所述第真空室内的等离子体的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)接近该基准发光强度比。
31、一种硅粒形成装置，其特征在于，包含
具有支持硅粒形成对象基体的支架的真空室；
配置在该真空室内的硅溅射靶；
往该真空室内供给氢气的氢气供给装置；
从该真空室内排气的排气装置；
对该真空室内所述氢气供给装置供给的氢气施加高频功率，并且形成对该溅射靶进行化学溅射用的等离子体的高频功率施加装置；以及
求出该真空室内等离子体发光中的波长288纳米的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484纳米的氢原子发光强度Hβ的比(Si(288纳米)/Hβ)的等离子发射光谱仪。
32、如权利要求31中所述的硅粒形成装置，其特征在于，
还具有控制部，该控制部对所述等离子体发射光谱仪求出的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)与根据小于等于10.0的范围规定的基准发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)进行比较后，控制所述高频功率施加装置的电源输出、所述氢气供给装置往所述真空室内的氢气供给量和所述排气装置的排气量中的至少一个，使得所述真空室内的等离子体的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)接近该基准发光强度比。
33、一种硅粒形成装置，其特征在于，包含
具有支持硅粒形成对象基体的支架的真空室；
往该真空室内供给氢气的氢气供给装置；
往该真空室内供给硅烷类气体的硅烷类气体供给装置；
从该真空室内排气的排气装置；
对该真空室内所述氢气供给装置供给的氢气和所述硅烷类气体供给装置供给的硅烷类气体施加高频功率，并形成用于形成硅粒的等离子体的高频功率施加装置；以及
求出该真空室内等离子体发光中的波长288纳米的硅原子发光强度Si(288纳米)与波长484纳米的氢原子发光强度Hβ的比(Si(288纳米)/Hβ)的等离子发射光谱仪。
34、如权利要求33中所述的硅粒形成装置，其特征在于，
还具有控制部，该控制部对所述等离子体发射光谱仪求出的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)与根据小于等于10.0的范围规定的基准发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)进行比较后，控制所述高频功率施加装置的电源输出、所述氢气供给装置往所述真空室内的氢气供给量、所述硅烷类气体供给装置往所述真空室内的硅烷类气体供给量和所述排气装置的排气量中的至少一个，使得所述真空室内的等离子体的发光强度比(Si(288纳米)/Hβ)接近该基准发光强度比。
35、如权利要求27至34中任一项所述的硅粒形成装置，其特征在于，
所述等离子体发射光谱仪具有
检测出等离子体发光中的波长288纳米处的硅原子发光强度Si(288纳米)的第1检测部；
检测出等离子体发光中的波长484纳米处的氢原子发光强度Hβ的第2检测部；以及
求出第1检测部检测出的发光强度Si(288纳米)与第2检测部检测出的发光强度Hβ的比(Si(288)/Hβ)的运算部。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100814453B1 (ko) * 2004-03-26 2008-03-17 닛신덴키 가부시키 가이샤 결정성 실리콘 박막의 형성방법 및 장치
CN1934913B (zh) * 2004-03-26 2010-12-29 日新电机株式会社 等离子体发生装置
KR100852266B1 (ko) * 2004-03-26 2008-08-14 닛신덴키 가부시키 가이샤 실리콘막 형성장치
JP4529855B2 (ja) 2005-09-26 2010-08-25 日新電機株式会社 シリコン物体形成方法及び装置
JP4434115B2 (ja) 2005-09-26 2010-03-17 日新電機株式会社 結晶性シリコン薄膜の形成方法及び装置
JP5410780B2 (ja) * 2009-02-18 2014-02-05 富士フイルム株式会社 成膜方法、成膜装置、圧電体膜、圧電素子、及び液体吐出装置
CN102044544B (zh) * 2009-10-13 2012-12-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 具有浮动栅的非易失性存储器及其形成方法
JP5388954B2 (ja) 2010-06-14 2014-01-15 キヤノン株式会社 発光素子及びその製造方法
JP5606264B2 (ja) * 2010-10-22 2014-10-15 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
JP5475843B2 (ja) * 2012-07-12 2014-04-16 富士フイルム株式会社 成膜方法、成膜装置、圧電体膜、圧電素子、及び液体吐出装置
JP6101977B2 (ja) 2013-03-13 2017-03-29 学校法人沖縄科学技術大学院大学学園 アモルファス半導体量子ドットの金属誘起ナノ結晶化
JP6395333B2 (ja) * 2014-04-25 2018-09-26 須賀　唯知 基板接合装置および基板接合方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5968921A (ja) * 1982-10-12 1984-04-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜の形成方法
JPS59179152A (ja) * 1983-03-31 1984-10-11 Agency Of Ind Science & Technol アモルファスシリコン半導体薄膜の製造方法
JPS60241214A (ja) * 1984-05-16 1985-11-30 Stanley Electric Co Ltd アモルフアスシリコン膜の生成法
JPS62241214A (ja) * 1986-03-19 1987-10-21 神保電器株式会社 遅れスイツチ
JPS62243761A (ja) 1986-04-16 1987-10-24 Nissin Electric Co Ltd スパツタリング用タ−ゲツト
JP3137760B2 (ja) * 1992-09-18 2001-02-26 科学技術振興事業団 多結晶半導体薄膜の製造法
JPH06228746A (ja) * 1993-02-05 1994-08-16 Tokyo Tungsten Co Ltd 高融点金属スパッタターゲット
JPH09102596A (ja) * 1995-10-04 1997-04-15 Fujitsu Ltd 量子ドットの製造方法及び量子ドット装置
JP3007579B2 (ja) * 1995-12-28 2000-02-07 スタンレー電気株式会社 シリコン薄膜の製造方法
US5952061A (en) 1996-12-27 1999-09-14 Stanley Electric Co., Ltd. Fabrication and method of producing silicon films
JPH1174204A (ja) * 1997-06-30 1999-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体薄膜の製造方法およびその装置
CN1096493C (zh) * 1997-09-29 2002-12-18 中国科学技术大学 粉末多孔硅及其水热制备方法
JP4041579B2 (ja) * 1998-04-01 2008-01-30 株式会社ルネサステクノロジ プラズマ処理の終点検出方法及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JP3812232B2 (ja) * 1998-10-23 2006-08-23 日新電機株式会社 多結晶シリコン薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP3807127B2 (ja) * 1998-11-10 2006-08-09 日新電機株式会社 シリコン系薄膜の形成方法
JP2001332497A (ja) * 2000-05-25 2001-11-30 Toyota Central Res & Dev Lab Inc シリコン膜の製造方法およびそれにより得られるシリコン膜
KR100384892B1 (ko) * 2000-12-01 2003-05-22 한국전자통신연구원 에르븀이 도핑된 실리콘나노점의 형성 방법
JP4169145B2 (ja) * 2002-08-28 2008-10-22 日本電信電話株式会社 半球状シリコン微結晶の形成方法
FR2847567B1 (fr) 2002-11-22 2005-07-01 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation par cvd de nano-structures de materiau semi-conducteur sur dielectrique, de tailles homogenes et controlees
JP2004006851A (ja) * 2003-04-28 2004-01-08 Oki Electric Ind Co Ltd 金属シリサイド配線用スパッタターゲットおよびこのスパッタターゲットの製造方法
KR20050002987A (ko) * 2003-06-30 2005-01-10 주식회사 하이닉스반도체 실리콘 나노 도트 형성방법
KR100814453B1 (ko) 2004-03-26 2008-03-17 닛신덴키 가부시키 가이샤 결정성 실리콘 박막의 형성방법 및 장치
CN1934913B (zh) 2004-03-26 2010-12-29 日新电机株式会社 等离子体发生装置
KR100852266B1 (ko) 2004-03-26 2008-08-14 닛신덴키 가부시키 가이샤 실리콘막 형성장치

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