CN1896823A - 液晶显示装置及电子设备 - Google Patents
液晶显示装置及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1896823A CN1896823A CN 200610101447 CN200610101447A CN1896823A CN 1896823 A CN1896823 A CN 1896823A CN 200610101447 CN200610101447 CN 200610101447 CN 200610101447 A CN200610101447 A CN 200610101447A CN 1896823 A CN1896823 A CN 1896823A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- liquid crystal
- electrode
- aforementioned
- layer
- phase separation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 220
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 71
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 claims description 92
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 75
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 68
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 213
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 52
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 21
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本发明提供在反射显示可得到无附色的高对比度的显示，并在透射显示中也可得到高对比度、广视场角的显示的横向电场方式的液晶显示装置。本发明的半透射反射型的液晶显示装置，在TFT阵列基板(10)的液晶层(50)侧具备像素电极(9)和共用电极(19)，通过产生于像素电极(9)和共用电极(19)之间的电场来驱动液晶层(50)，在一个子像素区域内设置有进行反射显示的反射显示区域(R)和进行透射显示的透射显示区域(T)；反射显示区域(R)的液晶层(50)的厚度比透射显示区域(T)的液晶层(50)的厚度设定得薄，在对向基板(20)的液晶层(50)侧的对应于反射显示区域(R)的区域有选择性地形成相位差层(21)。
Description
技术领域
本发明，涉及液晶显示装置及电子设备。
背景技术
作为液晶显示装置的一种形态，已知在液晶层施加基板面方向的电场而进行液晶分子的取向控制的方式(以下，称为横向电场方式。)；已知根据对液晶施加电场的电极的形态而被称为IPS(In-Plane Switching，面内开关)方式，FFS(Fringe-Field Switching，边缘场开关)方式等。并且，近年来对采用了横向电场方式的半透射反射型的液晶显示装置也正在研究之中。
【专利文献1】特开2003-344837号公报
【非专利文献1】“A Single Gap Transflective Display using afringe-field Driven Homogeneously aligned Nematic Liquid CrystalDisplay”，M.O.Choi et al.，SIDO5 DIGEST，P.719-721(2005)
【非专利文献2】“Voltage and Rubbing Angle Dependent Behavior ofthe Single Cell Gap Transflective Fringe Field Switching(FFS)Mode”，Y.H.Jeong et al.，SIDO5 DIGEST，P723-725
【非专利文献3】“Optimization of Electrode Structure For SingleGamma in a Transfliective IPS LCD”，Gak Seok Lee et al.，SIDO5DIGEST，P738-741
在上述公知文献中所记载的横向电场方式半透射反射型液晶显示装置，在专利文献1中靠液晶层，在非专利文献1、非专利文献2、非专利文献3中靠下基板侧内面相位差层来得到反射黑显示所需要的圆偏振。但是，在记载于上述公知文献的方式中，因为液晶材料、内面相位差层材料的波长分散特性的原因，而存在所谓在反射黑显示中产生附色，高对比度化困难的问题。
并且，在非专利文献1、非专利文献2、非专利文献3中，因在透射显示区域中也形成内面相位差层的关系，光学设计上，在基板外面需要相位差板，因此存在透射显示的视场角变窄等问题。
发明内容
本发明，鉴于上述现有技术的问题点而作出，目的在于提供：以反射显示得到无附色的高对比度的显示，并且在透射显示中也可得到高对比度、宽视场角的显示的横向电场方式的液晶显示装置。
本发明，为了解决上述问题，提供的液晶显示装置，具备夹持液晶层对向配置的第1基板和第2基板，在前述第1基板的前述液晶层侧具备第1电极和第2电极，通过产生于前述第1电极和前述第2电极间的电场驱动前述液晶层，并在一个子像素区域内设置进行反射显示的反射显示区域和进行透射显示的透射显示区域；其特征在于：前述反射显示区域中的前述液晶层的厚度比前述透射显示区域中的前述液晶层的厚度设定得薄；并且在前述第2基板的前述液晶层侧，至少在对应于前述反射显示区域的区域有选择性地形成相位差层。
依照该构成，能够以设置于第2基板的液晶层侧的相位差层和液晶层将来自第2基板侧的入射光变换成宽频带的圆偏振光，从而，可得到附色少的反射黑显示，能够实现高对比度的反射显示。
并且，因为在第2基板的液晶层侧的对应于反射显示区域的区域有选择性地形成相位差层，所以，在透射显示中，可以进行与透射型完全相同的光学设计，能够实现高对比度、广视场角的透射显示。
在此所说的所谓第2基板的液晶层侧的对应于反射显示区域的区域，指：在平面看时与反射显示区域平面性地重叠的第2基板的液晶层侧的区域。
而且，由于为使反射显示区域中的液晶层的厚度比透射显示区域中的液晶层的厚度薄的构成，所以能够使透射显示和反射显示的电光特性一致。
其结果，成为兼顾了透射显示、反射显示的显示质量优的液晶显示装置。
在本发明的液晶显示装置中，优选：前述反射显示区域中的前述液晶层，在非驱动时对于入射光产生大致λ/4的相位差；前述相位差层对于入射光产生大致λ/2的相位差。
通过如此地进行构成，能够将来自第2基板侧的入射光变换成更宽频带的圆偏振光，能够实现反射显示的更高对比度化。
在本发明的液晶显示装置中，还能够为叠层前述相位差层和树脂层而对液晶层厚进行调整的构成。通过为如此的构成，与需要使利用层厚进行的相位差调整优先的相位差层的膜厚无关，能够通过前述树脂层厚得到正确的液晶层厚，能够成为高对比度的液晶显示装置。
在本发明的液晶显示装置中，还能够为前述第1电极及第2电极，具备多条带状电极的构成。即，前述第1电极及第2电极，能够采用在同层平面性地相邻进行对向的构成的电场产生(横向电场)方式。例如，能够为下述电极结构：第1电极及第2电极都为平面看大致梳状的电极；并且构成它们的梳齿部分的带状电极，互相啮合地配置。
在本发明的液晶显示装置中，还能够为前述第1电极是平面大致整面状的电极，前述第2电极具备多条带状电极的构成。即，能够为下述构成：使前述第1电极为平面整面状的电极；并在该整面状的电极之上形成电介质膜，在该电介质膜之上，形成平面看大致呈梳状的第2电极。
在通过上述构成形成的半透射反射型的液晶显示装置中，虽然用于进行反射显示的反射层可部分性地设置于子像素区域内，但是因为如此的反射层，通常，由金属膜所形成，所以若将第1电极及第2电极和前述反射层设置于同一基板上，则在形成于第1电极及第2电极之间的电场中有可能产生畸变。相对于此，使第1电极为整面状的电极，即使将前述反射层设置于如此的整面状的电极的附近，上述电场的畸变也不会产生。从而，通过采用上述电极形态，能够使液晶显示装置的结构简单化，制造也变得容易。
在本发明的液晶显示装置中，还能够为下述构成：在前述第2基板的前述液晶层侧，设置具有对应于前述子像素区域的平面区域的色材层，该色材层，具有：对应于前述透射显示区域的第1色材区域和对应于前述反射显示区域的第2色材区域，在该第2色材区域形成部分性地去除前述色材层而成的凹部；在前述色材层之上，设置至少对前述色材层的凹部进行平坦化的平坦化层，在该平坦化层之上形成前述相位差层。
依照该构成，对透射显示区域和反射显示区域设置分别调整了色度的色材层，能够使透射显示和反射显示的视感一致，而且，因为在通过平坦化层对伴随于色度调整所形成的色材层上的凹凸进行了平坦化的基础上，形成相位差层，所以能够使相位差层的厚度的不均匀和构成相位差层的液晶性高分子的取向紊乱难以发生。由此，能够成为可得到更高对比度的显示的液晶显示装置。
其次，本发明的电子设备，其特征在于：具备先前记载的本发明的液晶显示装置。依照该构成，可提供具备高对比度、广视场角的显示部的电子设备。
附图说明
图1是第1实施方式的液晶显示装置的电路构成图。
图2(a)是第1实施方式的液晶显示装置100的任意1个子像素区域中的平面构成图；图2(b)是表示图2(a)中的光学轴配置的图。
图3是沿图2的A-A’线的部分剖面构成图。
图4(a)是表示第1实施方式的TFT阵列基板10的概略剖面结构(B-B’剖面结构)的说明图；图4(b)为第1实施方式的液晶显示装置100的电光特性的测定结果。
图5(a)是第2实施方式的液晶显示装置200的任意1个子像素区域中的平面构成图；图5(b)是表示图5(a)中的光学轴配置的图。
图6是沿图5的D-D’线的部分剖面构成图。
图7(a)是表示第2实施方式的TFT阵列基板10的概略剖面结构(F-F’剖面结构)的说明图；图7(b)为第2实施方式的液晶显示装置200的电光特性的测定结果。
图8是第3实施方式的液晶显示装置的部分剖面构成图。
图9是表示电子设备的一例的立体构成图。
图10是第4实施方式的液晶显示装置的平面构成图。
图11是沿图10的G-G’线的部分剖面构成图。
图12是第5实施方式的液晶显示装置的平面构成图。
图13是沿图12的H-H’线的部分剖面构成图。
符号说明
100、200、300、400、500液晶显示装置，10 TFT阵列基板，20对向基板，10A、20A 基板主体，101 数据线驱动电路，102 扫描线驱动电路，30 TFT，3a 扫描线，3b 电容线，6a 数据线，6b 源电极，9像素电极，9a 基干部，9b 接触部，9c 带状电极(分支部电极)，21 相位差层，19 共用电极，19a 主线部，19c 带状电极(分支部电极)，22 滤色器(色材层)，22a 开口部(凹部)，29 反射层，131 电容电极，132 漏电极，70 存储电容。
具体实施方式
第1实施方式
以下，参照附图对本发明的第1实施方式的液晶显示装置进行说明。本实施方式的液晶显示装置，是采用了通过对于液晶施加基板面方向的电场(横向电场)并控制取向而进行图像显示的横向电场方式之中、被称为FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关)方式的方式的液晶显示装置。
并且本实施方式的液晶显示装置，是在基板之上具备有滤色器的彩色液晶显示装置，以出射R(红)、G(绿)、B(蓝)的各色光的3个子像素构成1个像素。从而，将成为构成显示的最小单位的显示区域称为“子像素区域”，而将由一组(R、G、B)子像素所构成的显示区域称为“像素区域”。
图1，是矩阵状地形成的构成本实施方式的液晶显示装置的多个子像素区域的电路构成图。图2(a)是液晶显示装置100的任意1个子像素区域中的平面构成图。图2(b)是表示(a)图中的光学轴配置的图。图3是沿图2(a)的A-A’线的部分剖面构成图。
还有，在各图中，为了使各层和各构件在附图中为可以识别的程度的大小，使比例尺在各层和各构件中各不相同而表示。
如在图3中所示地，本实施方式的液晶显示装置100，是半透射反射型的液晶显示装置，其具备：夹持液晶层50对向配置的TFT阵列基板(第1基板)10及对向基板(第2基板)20，和配设于TFT阵列基板10的外侧(与液晶层50相反侧)的背光源(照明装置)90；如在图2及图3中所示地，在1个子像素区域内划分形成有透射显示区域T和反射显示区域R(对应于反射层29的形成区域)。
如在图1中所示地，在矩阵状地形成的构成液晶显示装置100的图像显示区域的多个子像素区域，分别形成像素电极9和用于对像素电极9进行开关控制的TFT30，从数据线驱动电路101延伸的数据线6a电连接于TFT30的源。数据线驱动电路101，通过数据线6a将图像信号S1、S2、...、Sn供给到各像素。前述图像信号S1～Sn既可以按该顺序线顺序地供给，也可以对于相邻的多条数据线6a彼此间，按组供给。
并且，对TFT30的栅，电连接从扫描线驱动电路102延伸的扫描线3a，从扫描线驱动电路102以预定的定时脉冲性地供给到扫描线3a的扫描信号G1、G2、...、Gm，按该顺序以线顺序施加到TFT30的栅。像素电极9，电连接于TFT30的漏。通过为开关元件的TFT30根据扫描信号G1、G2、...、Gm的输入而仅在一定期间成为导通状态，从数据线6a所供给的图像信号S1、S2、...、Sn以预定的定时写入到像素电极9。
通过像素电极9写入到液晶的预定电平的图像信号S1、S2、...、Sn，在像素电极9和通过液晶与其对向的共用电极之间被保持一定期间。在此，为了防止所保持的图像信号泄漏掉，与形成于像素电极9和共用电极之间的液晶电容相并联地连接存储电容70。存储电容70设置于TFT30的漏和电容线3b之间。
如在图2(a)中所示地，在液晶显示装置100的子像素区域，设置：平面看大致呈梳状的、在Y轴方向(数据线/供给信号的布线的延伸方向)上具有长度方向的像素电极(第1电极)9，和与像素电极9平面性地重叠所配置的、平面大致整面状的共用电极(第2电极)19。在子像素区域的图示左上的角部(或者相邻的子像素区域之间)，竖立设置用于保持为以预定间隔使TFT阵列基板10和对向基板20进行分离了的状态的柱状衬垫40。
像素电极9包括：延伸于Y轴方向的多条(在图示中为5条)带状电极(分支部电极)9c、以这些多条带状电极9c的图示上侧(+Y侧)的各端部的一方使之电连接(短路)而延伸于X轴方向(扫描线3a的延伸方向/与上述布线相正交的方向)的基干部9a、和从基干部9a的X轴方向中央部延伸到+Y侧的接触部9b。
共用电极19，形成得覆盖在图2(a)中所示的部分性地设置于子像素区域内的反射层29。在本实施方式的情况下，共用电极19为由ITO(铟锡氧化物)等的透明导电材料构成的导电膜；反射层29，由铝或银等的光反射性的金属膜、叠层了折射率不相同的电介质膜(SiO2和TiO2等)的电介质叠层膜(电介质镜)构成。
还有，共用电极19，除了如本实施方式那样地形成得覆盖反射层29的构成之外，还能够采用平面性地划分为由透明导电材料构成的透明电极、和由光反射性的金属材料构成的反射电极的构成，即，由在反射显示区域和透射显示区域之间(边界部)相互电连接的、对应于透射显示区域所配置的透明电极和对应于反射显示区域所配置的反射电极所构成。在该情况下，前述透明电极和反射电极构成使电场产生于其与像素电极9之间的共用电极，另一方面前述反射电极还作为该子像素区域的反射层发挥作用。
在子像素区域，形成延伸于Y轴方向的数据线6a，延伸于X轴方向的扫描线3a，和相邻于扫描线3a而与扫描线3a平行地延伸的电容线3b。在对应于数据线6a和扫描线3a的交叉部的附近设置TFT30。TFT30具备：部分性地形成于扫描线3a的平面区域内的由非晶硅构成的半导体层35，和与半导体层35平面性地重叠一部分所形成的源电极6b及漏电极132。扫描线3a以与半导体层35平面性地重叠的位置作为TFT30的栅电极发挥作用。
TFT30的源电极6b，形成为从数据线6a分支而延伸于半导体层35的平面看大致L形；漏电极132，延伸于-Y侧而与平面看大致矩形状的电容电极131电连接。在电容电极131之上，像素电极9的接触部9b从-Y侧进出而配置，通过设置于两者平面性地重叠的位置的像素接触孔45而使电容电极131和像素电极9电连接。并且电容电极131配置于电容线3b的平面区域内，在该位置形成以在厚度方向对向的电容电极131和电容线3b作为电极的存储电容70。
看一下在图3中所示的图2(a)的剖面结构(A-A’剖面结构)，液晶显示装置100，具备在互相对向配置的TFT阵列基板(第1基板)10和对向基板(第2基板)20之间夹持有液晶层50的构成，液晶层50通过沿着TFT阵列基板10和对向基板20进行对向的区域的边缘端所设置的密封材料(图示略)而密封于前述两基板10、20间。在TFT阵列基板10的背面侧(图示下面侧)，设置着具备有导光板91和反射板92的背光源(照明装置)90。
TFT阵列基板10，以由玻璃或石英、塑料等构成的基板主体10A作为基体，在基板主体10A的内面侧(液晶层50侧)，形成扫描线3a及电容线3b，覆盖扫描线3a及电容线3b而形成栅绝缘膜11。
在栅绝缘膜11之上，形成非晶体硅的半导体层35，一部分搭上半导体层35那样地形成源电极6b和漏电极132。在漏电极132的图示右侧一体地形成电容电极131。半导体层35，通过栅绝缘膜11与扫描线3a对向配置，在该对向区域扫描线3a构成TFT30的栅电极。电容电极131通过栅绝缘膜11与电容线3b对向配置，在电容电极131和电容线3b进行对向的区域，形成以栅绝缘膜11作为电介质膜的存储电容70。
覆盖半导体层35、源电极6b、漏电极132、及电容电极131，形成第1层间绝缘膜12，在第1层间绝缘膜12上的一部分区域形成反射层29。覆盖反射层29和第1层间绝缘膜12，形成由ITO等的透明导电材料构成的共用电极19。
从而，本实施方式的液晶显示装置100，在图2中所示的1个子像素区域内之中，在内含像素电极9的平面区域和形成有共用电极19的平面区域重叠了的平面区域之中的、除了反射层29的形成区域之外的区域，成为对从背光源90入射并透射液晶层50的光进行调制而进行显示的透射显示区域T。并且，平面性地重叠了内含像素电极9的平面区域和形成有反射层29的平面区域的区域，成为对从对向基板20的外侧入射并透射液晶层50的光进行反射、调制而进行显示的反射显示区域R。
覆盖共用电极19而形成由氧化硅等构成的第2层间绝缘膜13，在第2层间绝缘膜13之上形成由ITO等的透明导电材料构成的像素电极9。
并且，覆盖像素电极9、第2层间绝缘膜13而形成由聚酰亚胺或硅氧化物等构成的取向膜18。
贯通第1层间绝缘膜12及第2层间绝缘膜13而形成到达电容电极131的像素接触孔45，通过在该像素接触孔45内埋设像素电极9的接触部9b的一部分，使像素电极9和电容电极131电连接。对应于上述像素接触孔45的形成区域在共用电极19也设置开口部，成为在该开口部的内侧使像素电极9和电容电极131电连接，并且使共用电极19和像素电极9不会短路那样的构成。
另一方面，对向基板20，以玻璃或石英、塑料等构成的基板主体20A作为基体，在基板主体20A的内面侧(液晶层50侧)，设置滤色器22，在滤色器22之上的对应于反射显示区域R的区域有选择性地形成相位差层21，覆盖相位差层21、及滤色器22，形成由聚酰亚胺或硅氧化物等构成的取向膜28。
相位差层21，在本实施方式的情况下，对于透射光产生大致1/2波长(λ/2)的相位差，是设置于基板主体20A的内面侧的所谓的内面相位差层。相位差层21，例如，能够通过在将高分子液晶的溶液或液晶性单体的溶液涂敷于取向膜上、并使之干燥固化时，使之取向于预定方向的方法而形成。相位差层21对于透射光产生的相位差，能够通过为其构成材料的液晶性高分子的种类、相位差层21的层厚进行调整。
滤色器22，虽然以对应于各子像素的显示色的色材层作为主体，但是也可以在相应子像素区域内划分出色度不相同的多于或等于2个的区域。例如，能够采用分别地设置为对应于透射显示区域T的平面区域所设置的第1色材区域，和对应于反射显示区域R的平面区域所设置的第2色材区域的构成。该情况下，通过使第1色材区域的色度比第2色材区域的色度大，能够防止在显示光仅对滤色器22进行1次透射的透射显示区域T和进行2次透射的反射显示区域R中显示光的色度不相同，使透射显示和反射显示的视感一致。
并且，在基板主体10A、20A的外面侧，分别配设偏振板14、24。在偏振板14和基板主体10A之间，及偏振板24和基板主体20A之间，能够设置1片或多片相位差板(光学补偿板)。
本实施方式的液晶显示装置中的各光学轴的配置，示于图2(b)中。TFT阵列基板10侧的偏振板14的透射轴153，和对向基板20侧的偏振板24的透射轴155相互正交地配置，前述透射轴153配置为对于Y轴形成右旋约15°的角度的朝向。并且，取向膜18、28，以平面看在相同方向上实施摩擦处理，其方向，是在图2(b)中所示的摩擦方向151，与对于Y轴方向形成右旋约15°的角度的偏振板14的透射轴153平行。摩擦方向151，虽然并不限定于在图2(b)中所示的方向，但是为与产生于像素电极9和共用电极19之间的电场的主方向157进行交叉的方向(不一致的方向)。在本实施方式中，前述电场的方向157，平行于X轴方向。相位差层21配置为其滞相轴158与偏振板14的透射轴形成左旋约68°的角度的朝向。还有，在上述中，虽然为了方便，以取向膜18、28附近的液晶层50中的液晶的初始取向方向作为摩擦方向，但是作为取向膜18、28并不限定于通过摩擦处理来对液晶分子的取向的方向初始性地进行规定，例如，也可以为通过光取向、或者斜向蒸镀法而规定初始的液晶分子的取向方向的取向膜。
在具备上述构成的液晶显示装置100中，因为在滤色器22上的对应于反射显示区域R的区域有选择性地设置相位差层21，所以在反射显示区域R中液晶层50的厚度按相位差层21的量变薄。即，相位差层21，不仅作为内面相位差层，还作为使透射显示区域T的液晶层厚和反射显示区域R的液晶层厚不相同的液晶层厚调整单元而发挥作用。
在此，图4(a)，是表示TFT阵列基板10的概略剖面结构(B-B’剖面结构)的说明图；图4(b)，为液晶显示装置100的电光特性的测定结果。还有，在图4(b)中表示将最大透射率、最大反射率归一化为1后的透射率、反射率。在图4(b)中所示的测定结果，是在图4(a)中所示的TFT阵列基板10的构成中，以从基干部9a互相平行分支状延伸的带状电极(分支部电极)9c的线宽w1为3μm，以相邻的带状电极9c、9c的间隔w2为5μm，以第2层间绝缘膜13的膜厚d1为0.5μm，以相对介电常数ε为7的情况下的结果。
还有，透射显示区域T中的液晶层厚(单元间隙)为3.5μm，反射显示区域R中的液晶层厚为1.4μm(相位差层21的膜厚为2.1μm)。并且液晶的相对介电常数，为ε∥＝10，ε⊥＝4；Δn为0.1。
如在图4(b)中所示地，在本实施方式的液晶显示装置中，在通常用于液晶驱动的电压范围(0V～5V)中，得到在透射显示、反射显示的双方伴随于施加电压的增加而透射率/反射率基本一致地增加的倾向，对应于电压的透射率变化和反射率变化也大致一致。从而，依照本实施方式的液晶显示装置，能够实现在白显示、黑显示、及中间灰度显示的任何显示中都兼顾到反射显示质量和透射显示质量的显示器件。
在进行反射显示的液晶显示装置中，在进行光学设计上反射黑显示时，需要使到达反射层29的外光在全部的可见波长为大致圆偏振光。此时，若到达反射层29的外光为椭圆偏振光则在黑显示中产生附色，难以得到高对比度的反射显示。
因此在本实施方式的液晶显示装置中，仅在滤色器22上的对应于反射显示区域R的区域形成相位差层21，并使反射显示区域R中的液晶层厚为1.4μm(Δn·d＝140nm)那样地构成。由此，可以通过偏振板24和相位差层21和反射显示区域R内的液晶层50产生宽频带圆偏振，使到达反射层29的外光在全部的可见波长变成大致圆偏振光，能够得到高对比度的反射显示。
并且，在本实施方式的液晶显示装置中，因为仅在滤色器22上的对应于反射显示区域R的区域形成相位差层21，所以对于透射显示区域T，可以进行与采用了现有的横向电场方式的透射型液晶显示装置完全相同的光学设计。其结果，能够实现高对比度、广视场角的透射显示。
如此地依照本实施方式的液晶显示装置，因为仅在滤色器22上的对应于反射显示区域R的区域有选择性地设置相位差层21，所以即使在改变透射显示区域T和反射显示区域R的面积比(比例)的情况下，也不用改变电极的结构，而仅通过对反射层29的形成区域、及相位差层21的形成区域进行改变就能够容易地相对应。
另外，虽然在本实施方式中将反射层29配置于TFT阵列基板10侧，但是即使将反射层29配置于对向基板20侧、并将相位差层21配置于TFT阵列基板侧也可得到同样的特性。
第2实施方式
其次，参照附图对本发明的第2实施方式进行说明。图5(a)是液晶显示装置200的任意的1个子像素区域中的平面构成图；图5(b)是表示(a)图中的光学轴配置的图。图6是沿图5(a)的D-D’线的部分剖面构成图。
本实施方式的液晶显示装置200，具备与第1实施方式的液晶显示装置100大致相同的基本构成，与液晶显示装置100的不同，在于像素电极9和共用电极19都形成为平面看大致梳状，构成它们的梳齿部分的棒状地延伸的带状电极(分支部电极)互相啮合地配置于同层之点。还有，在图5、图6、及图7中，对与从图1到图4中所示的液晶显示装置100相同的构成要素附加相同的符号。
如在图5(a)中所示地，在液晶显示装置200的子像素区域，设置：形成平面看大致梳状的在Y轴方向为长度方向的像素电极(第1电极)9，和形成平面看大致梳状而延伸于-Y方向的共用电极(第2电极)19。在子像素区域的图示左上的角部，竖立设置用于保持为以预定间隔使TFT阵列基板10和对向基板20进行分离了的状态的柱状衬垫40。
像素电极9，具备：延伸于Y轴方向的多条(在图示中为3条)带状电极(分支部电极)9c、在这些多条带状电极9c的图示下侧(-Y侧)的各端部的一方使其分别电连接(短路)而延伸于X轴方向的基干部9a、和从基干部9a的X轴方向中央部延伸到-Y侧的接触部9b。
共用电极19，具有：与前述像素电极9的带状电极9c交替地配置、与带状电极9c平行(Y轴方向)地延伸的多条(在图示中为2条)的带状电极19c，和在这些带状电极19c的+Y侧的各端部(与上述带状电极的一方相反侧的端部)使其分别电连接而延伸于X轴方向的主线部19a。共用电极19，为跨排列于X轴方向的多个子像素区域而延伸的平面看大致梳状的电极构件。
在图5(a)中所示的子像素区域，通过在延伸于Y轴方向的3条像素电极9的带状电极9c，和配置于这些带状电极9c之间的2条共用电极19的带状电极19c之间施加电压，使XY面方向(基板面方向)的电场(横向电场)作用于该子像素区域的液晶而进行驱动。
在图5(a)中所示的子像素区域，形成：延伸于Y轴方向的数据线6a，延伸于X轴方向的扫描线3a，和在与扫描线3a相反侧的子像素区域的边缘部与扫描线3a平行地延伸的电容线3b。在数据线6a和扫描线3a的交叉部的附近设置TFT30。TFT30具备：部分性地形成于扫描线3a的平面区域内的由非晶体硅构成的半导体层35，和与半导体层35平面性地重叠一部分所形成的源电极6b及漏电极132。扫描线3a以与半导体层35平面性地重叠的位置作为TFT30的栅电极发挥作用。
TFT30的源电极6b，形成为从数据线6a分支而延伸于半导体层35的平面看大致L形；漏电极132，在其-Y侧的端部与连接布线131a电连接。连接布线131a，向子像素区域的-X侧的边端延伸，进而沿该边端在Y轴方向上延伸，其前端部与设置于扫描线3a相反侧的子像素边端的电容电极131电连接。电容电极131，为与电容线3b平面性地重叠所形成的平面看大致矩形状的导电构件，在电容电极131之上，像素电极9的接触部9b平面性地重叠而配置，在两者重叠的位置处，设置使电容电极131和像素电极9电连接的像素接触孔45。并且在电容电极131和电容线3b平面性地重叠的区域，形成以在厚度方向对向的电容电极131和电容线3b作为电极的存储电容70。
其次，看一下在图6中所示的剖面结构(D-D’剖面结构)，在互相对向所配置的TFT阵列基板10和对向基板20之间夹持有液晶层50。TFT阵列基板10，以玻璃或石英、塑料等的透光性的基板主体10A作为基体，在基板主体10A的内面侧(液晶层50侧)，形成扫描线3a及电容线3b，覆盖扫描线3a及电容线3b，形成由氧化硅等的透明绝缘膜构成的栅绝缘膜11。
在栅绝缘膜11之上，形成非晶体硅的半导体层35，一部分搭上半导体层35那样地设置源电极6b和漏电极132。漏电极132，与连接布线131a及电容电极131一体地形成。半导体层35，通过栅绝缘膜11与扫描线3a对向配置，扫描线3a以该对向区域构成TFT30的栅电极。电容电极131，形成于通过栅绝缘膜11与电容线3b对向配置的位置处，以电容电极131和电容线3b作为电极，形成以被两者夹持的栅绝缘膜11作为电介质膜的存储电容70。
覆盖半导体层35、源电极6b、漏电极132、及电容电极131，形成由氧化硅等构成的第1层间绝缘膜12，在第1层间绝缘膜12上的一部分形成反射层29。
从而，本实施方式的液晶显示装置200，在图5中所示的1个子像素区域内之中的，内含像素电极9、共用电极19的平面区域和反射层29的形成区域重叠的区域，成为反射、调制从对向基板20的外侧入射并透射液晶层50的光而进行显示的反射显示区域R。并且，在内含像素电极9、共用电极19的平面区域，反射层29的非形成区域成为透射显示区域T。
覆盖第1层间绝缘膜12、反射层29而形成由氧化硅等构成的第2层间绝缘膜13，在第2层间绝缘膜13上形成由ITO等的透明导电材料构成的像素电极9、共用电极19。
并且，覆盖像素电极9、共用电极19、第2层间绝缘膜13而形成由聚酰亚胺或硅氧化物等构成的取向膜18。
贯通第1层间绝缘膜12及第2层间绝缘膜13而形成到达电容电极131的像素接触孔45，通过在该像素接触孔45内埋设像素电极9的接触部9b的一部分，使像素电极9和电容电极131电连接。
另一方面，对向基板20，以玻璃或石英、塑料等构成的基板主体20A作为基体，在基板主体20A的内面侧(液晶层50侧)，设置滤色器22。在滤色器22上的对应于反射显示区域R的区域形成相位差层21，覆盖相位差层21、滤色器22，形成由聚酰亚胺或硅氧化物等构成的取向膜28。
相位差层21，在本实施方式的情况下，对于透射光产生大致1/2波长(λ/2)的相位差，是所谓的内面相位差层。相位差层21，例如，能够通过在将高分子液晶的溶液或液晶性单体的溶液涂敷于取向膜上、使之干燥固化时，使之取向为预定方向的方法而形成。相位差层21对于透射光产生的相位差，能够通过为其构成材料的液晶性高分子的种类、相位差层21的层厚进行调整。
滤色器22，虽然以对应于各子像素的显示色的色材层作为主体，但是也可以在该子像素区域内划分为色度不相同的多于或等于2个的区域。例如，能够采用划分为：对应于透射显示区域T的平面区域所设置的第1色材区域，和对应于反射显示区域R的平面区域所设置的第2色材区域的构成。该情况下，通过使第1色材区域的色度比第2色材区域的色度大，能够防止在显示光仅对滤色器22进行1次透射的透射显示区域T、和进行2次透射的反射显示区域R中的显示光的色度不相同，使透射显示和反射显示的视感一致。
并且，在基板主体10A、20A的外面侧，分别配设偏振板14、24。在偏振板14和基板主体10A之间，及偏振板24和基板主体20A之间，能够设置1片或多片相位差板(光学补偿板)。
本实施方式的液晶显示装置中的各光学轴的配置，示于图5(b)中。TFT阵列基板10侧的偏振板14的透射轴153，和对向基板20侧的偏振板24的透射轴155相互正交地配置，前述透射轴153配置为对于Y轴形成右旋约15°的角度的朝向。并且，取向膜18、28，以平面看在相同方向上实施摩擦处理，其方向，是在图5(b)中所示的摩擦方向151，与对于Y轴方向形成约15°的角度的偏振板14的透射轴153平行。摩擦方向151，虽然并不限定于在图5(b)中所示的方向，但是为与形成于像素电极9和共用电极19之间的横向电场的主方向157进行交叉的方向(不一致的方向)。在本实施方式中，前述横向电场的方向157，平行于X轴方向。相位差层21配置为其滞相轴158与偏振板14的透射轴形成左旋68°的角度的朝向。还有，在上述中为了方便而取了摩擦方向，该摩擦方向表示与取向膜接触的位置的液晶分子的初始取向方向，但是并不限定于通过摩擦处理初始性地规定的液晶分子的取向方向，例如，还包括通过光取向、或者斜向蒸镀法而规定的初始的液晶分子的取向方向。
在具备上述构成的液晶显示装置200中，因为在滤色器22上的对应于反射显示区域R的区域有选择性地设置相位差层21，所以在反射显示区域R中液晶层50的厚度按相位差层21的量变薄。
在此，图7(a)，是表示TFT阵列基板10的概略剖面结构(F-F’剖面结构)的说明图；图7(b)，为液晶显示装置200的电光特性的测定结果。还有，在图7(b)中表示将最大透射率、最大反射率归一化为1后的透射率、反射率。在图7(b)中所示的测定结果，是在图7(a)中所示的TFT阵列基板10的构成中，以带状电极9c、19c的线宽w1为3μm，以相邻的带状电极9c、19c的间隔w2为5μm的情况下的结果。
还有，透射显示区域T中的液晶层厚(单元间隙)为3.5μm，反射显示区域R中的液晶层厚为1.4μm(相位差层21为2.1μm)。并且液晶的相对介电常数，为ε∥＝10，ε⊥＝4；Δn为0.1。
如在图7(b)中所示地，在本实施方式的液晶显示装置中，在通常用于液晶驱动的电压范围(0V～5V)中，得到在透射显示、反射显示的双方伴随于施加电压的增加而透射率/反射率基本一致地增加的倾向，对应于电压的透射率变化和反射率变化也大致一致。从而依照本实施方式的液晶显示装置，能够实现在白显示、黑显示、及中间灰度显示的任何显示中都兼顾到反射显示质量和透射显示质量的显示器件。
在进行反射显示的液晶显示装置中，在进行光学设计上反射黑显示时，需要使到达反射层29的外光在全部的可见波长为大致圆偏振光。此时，若到达反射层29的外光为椭圆偏振光则在黑显示中产生附色，难以得到高对比度的反射显示。
因此在本实施方式的液晶显示装置中，在滤色器22上的对应于反射显示区域R的区域形成相位差层21，并使反射显示区域R中的液晶层厚为1.4μm(Δn·d＝140nm)那样地构成。由此，可以通过偏振板24、相位差层21和反射显示区域R内的液晶层50产生宽频带圆偏振，使到达反射层29的外光在全部的可见波长变成大致圆偏振光，能够得到高对比度的反射显示。
并且，在本实施方式的液晶显示装置中，因为在滤色器22上的对应于反射显示区域R的区域有选择性地形成相位差层21，所以在透射显示区域T中，可以进行与采用了现有的横向电场方式的透射型液晶显示装置完全相同的光学设计。其结果，能够实现高对比度、广视场角的透射显示。
如此地依照本实施方式的液晶显示装置，因为仅在滤色器22上的对应于反射显示区域R的区域有选择性地设置相位差层21，所以即使在改变透射显示区域T和反射显示区域R的面积比(比例)的情况下，也不用改变电极的结构，而仅通过对反射层29的形成区域、及相位差层21的形成区域进行改变就能够容易地相对应。
另外，虽然在本实施方式中将反射层29配置于TFT阵列基板10侧，但是即使将反射层29配置于对向基板20侧并将相位差层21配置于TFT阵列基板侧，也可得到同样的特性。
第3实施方式
其次，参照图8对本发明的第3实施方式进行说明。本实施方式的液晶显示装置300具备与第1实施方式的液晶显示装置同样的基本构成，其不同仅为在滤色器22上的对应于反射显示区域R的区域叠层有树脂层23和相位差层21之点。从而，因为1个子像素区域中的平面构成图、光学轴配置等与第1实施方式完全相同所以进行省略。并且，在图8中，对与从图1到图4中所示的液晶显示装置100相同的构成要素附加相同的符号，并省略详细的说明。
图8为本实施方式的液晶显示装置300的部分剖面构成图。在同图中所示的剖面结构，相当于在第1实施方式中在图3中所示的剖面结构，相当于沿在图2中所示的A-A’线的位置的剖面结构。在本实施方式中，采用相对介电常数ε∥＝10、ε⊥＝4；Δn为0.07的液晶来构成液晶层50。因此，为了通过偏振板24、相位差层21和反射显示区域R内的液晶层50产生宽频带圆偏振而需要使反射显示区域R中的液晶层厚为2.0μm(Δn·d＝140nm)。另一方面，在透射显示区域T中，也为了确保充分的明亮度而需要将透射显示区域T中的液晶层厚设定为5μm。从而，虽然必须使反射显示区域R中的液晶层厚比透射显示区域T中的液晶层厚薄3.0μm，但是在使相位差层21的厚度为3.0μm的情况下，相位差层21的相位差从透射光的λ/2波长偏离较大，产生不了宽频带圆偏振光。其结果，在反射黑显示中产生附色，降低对比度。
因此如本实施方式那样地，通过为在滤色器22上的对应于反射显示区域R的区域叠层树脂层23和相位差层21的构成，能够在相位差层21对于透射光产生大致1/2λ波长的相位差，并且使反射显示区域R的液晶层厚比透射显示区域T的液晶层厚薄3.0μm，其结果，能够得到与第1实施方式、第2实施方式同样的特性。
从而，依照本实施方式的液晶显示装置300，能够提高设计的自由度。
另外，在本实施方式中，虽然为在滤色器22上的对应于反射显示区域R的区域，叠层有选择性地形成的树脂层23和相位差层21的构成，但是也可以为改变进行叠层的顺序，在滤色器22上的对应于反射显示区域R的区域将相位差层21和树脂层23按该顺序叠层的构成。
而且，虽然在本实施方式中将反射层29配置于TFT阵列基板10侧，但是即使将反射层29配置于对向基板20侧并将相位差层21配置于TFT阵列基板侧，也可得到同样的特性。
第4实施方式
其次，参照图10及图11对本发明的第4实施方式进行说明。
本实施方式的液晶显示装置400是具备有与第1实施方式的液晶显示装置同样的基本构成的FFS方式的液晶显示装置，其不同，仅为对向基板20中的滤色器22的构成、及在滤色器22上设置平坦化层25之点。从而，因为液晶显示装置的光学轴配置与第1实施方式完全相同所以进行省略。并且，在图10及图11中，对与从图1到图4中所示的液晶显示装置100相同的构成要素附加相同的符号，并省略详细的说明。
如在图10中所示地，对应于液晶显示装置400的子像素区域设置滤色器(色材层)22，在滤色器22中，设置将子像素区域在X轴方向上进行横断的带状的开口部22a。开口部22a，关于Y轴方向而设置于反射显示区域R的中央部。开口部22a的Y轴方向的宽度，为反射显示区域R的Y轴方向的宽度的约1/5左右。从而本实施方式的滤色器22，具有：由对应于透射显示区域T的不具有开口部的色材层构成的第1色材区域，和由对应于反射显示区域R的具备有开口部的色材层构成的第2色材区域。而且，在具有开口部22a的第2色材区域，相比较于对应于透射显示区域T的第1色材区域而在区域整体的色度变低，由此能够使将对滤色器22进行了2次透射的光用于显示的反射显示的视感与透射显示一致起来。
看一下在图11中所示的剖面结构，在为对向基板(第2基板)20的基体的基板主体20A的内面侧设置滤色器22，覆盖该滤色器22而形成平坦化层25。进而，平坦化层25，填充于起因于滤色器22的开口部22a所形成的基板主体20A上的凹部内而填埋该凹部，其结果，平坦化层25的液晶层50侧的面形成平坦面，并在该平坦面上形成相位差层21。平坦化层25，例如能够通过丙烯酸或硅氧化物等形成。
在具备上述构成的本实施方式的液晶显示装置400中，用于对反射显示区域R中的滤色器22的色度进行调整而设置开口部22a，进而在通过平坦化层25对起因于开口部22a的基板上的凹凸进行平坦化之后，形成相位差层21。相位差层21，因为相位差值会根据其厚度而发生变化，所以若不设置平坦化层25而形成相位差层21，则相位差层21的膜厚在对应于开口部22a的位置处变厚，对于透射光的相位差变得不均匀，并且还容易产生构成相位差层21的液晶性高分子的取向紊乱，而成为对比度下降的原因。
相对于此，而在本实施方式中，因为在通过平坦化层25对起因于开口部22a的凹凸进行平坦化的基础上，而形成相位差层21，所以能够容易地形成具有预期的相位差的相位差层21，能够得到高对比度的显示。
并且，作为滤色器22，虽然对每子像素区域形成不同颜色种类的色材层，但是有时也会按各色材层使其厚度各不相同，在直接将相位差层21形成于滤色器22上的情况下，也有可能在具备有颜色种类不相同的滤色器22的子像素间使得相位差层21向液晶层50的突出高度不相同。因此如果为通过本实施方式的平坦化层25对子像素区域内的滤色器22表面的凹凸进行平坦化、并对产生于子像素间的凹凸也进行平坦化的构成，则能够对还作为液晶层厚调整单元起作用的相位差层21的前述突出高度进行均匀化，容易得到高对比度的显示。
对本实施方式的液晶显示装置400，进行了与第1实施方式的液晶显示装置100同样的电光特性的测定，得到与在图4(b)中所示的液晶显示装置100的结果相同的结果，能够实现在白显示、黑显示、及中间灰度显示的任何显示中都兼顾到反射显示质量和透射显示质量的显示器件。
还有，在本实施方式中，作为滤色器22的开口部22a，虽然对设置将子像素区域在X轴方向上进行横断的带状物的情况进行了说明，但是作为开口部22a的平面形状，并不限于此而能够采用各种形状。例如，能够为在反射显示区域R内的色材层中设置有矩形状、多边形状、或者圆形的开口部的构成。
并且，在本实施方式中，虽然对用于对对应于反射显示区域R的第2色材区域的色度进行调整而有选择性地形成开口部22a的情况进行了说明，但是作为该色度的调整单元，例如，可列举：使第2色材区域中的色材层厚，比第1色材区域中的色材层厚薄的构成；或在第2色材区域形成色度与第1色材区域不相同的色材层的构成；或者，在子像素区域形成多于或等于3色的色材区域通过它们的混色得到预期的色度的构成。在采用上述任一构成的情况下，都会在滤色器22的表面形成因色材层厚的不同引起的凹凸，而有可能在直接将相位差层21形成于滤色器22上时得不到预期的相位差。另外，即使在反射显示区域R的区域内滤色器22的表面是平坦的，也因为本发明的相位差层21还作为根据其膜厚使液晶层50的层厚在透射显示区域T和反射显示区域R不相同的液晶层厚调整单元而起作用，所以有可能在形成不同的颜色种类的色材层的子像素间，使相位差层21向液晶层50侧的突出高度变得不均匀。因此如本实施方式那样地，如果设置覆盖滤色器22的平坦化层25、在该平坦化层25上形成相位差层21，则不仅相位差层21自身的厚度，就连相位差层21向液晶层50的突出高度也能够在子像素间均匀，能够在显示区域整体得到高对比度的显示。
第5实施方式
其次，参照图12及图13对本发明的第5实施方式进行说明。
本实施方式的液晶显示装置500，是具备有与第2实施方式的液晶显示装置200同样的基本构成的IPS方式的液晶显示装置，其不同，仅为对向基板20的滤色器22的构成、及在滤色器22上设置平坦化层25之点。从而，因为液晶显示装置的光学轴配置等与第2实施方式完全相同所以进行省略。并且，在图12及图13中，对与从图5到图7中所示的液晶显示装置200相同的构成要素附加相同的符号，并省略详细的说明。
如在图12中所示地，对应于液晶显示装置500的子像素区域设置滤色器(色材层)22，在滤色器22中，设置将子像素区域在X轴方向上进行横断的带状的开口部22a。开口部22a，关于Y轴方向而设置于反射显示区域R的中央部。开口部22a的Y轴方向的宽度，为反射显示区域R的Y轴方向的宽度的约1/5左右。从而本实施方式的滤色器22，具有：由对应于透射显示区域T的不具有开口部的色材层构成的第1色材区域，和由对应于反射显示区域R的具备有开口部的色材层构成的第2色材区域。而且，在具有开口部22a的第2色材区域，相比较于对应于透射显示区域T的第1色材区域而在区域整体的色度变低，由此能够使将对滤色器22进行了2次透射的光用于显示的反射显示的视感与透射显示一致起来。
看一下在图13中所示的剖面结构，在为对向基板(第2基板)20的基体的基板主体20A的内面侧设置滤色器22，覆盖该滤色器22而形成平坦化层25。进而，平坦化层25，填充于起因于滤色器22的开口部22a所形成的基板主体20A上的凹部内而填埋该凹部，其结果，平坦化层25的液晶层50侧的面形成平坦面，并在该平坦面上形成相位差层21。平坦化层25，例如能够通过丙烯酸或硅氧化物等形成。
在具备了上述构成的本实施方式的液晶显示装置500中，与第4实施方式的液晶显示装置400同样，因为也在通过平坦化层25对起因于开口部22a的凹凸进行平坦化的基础上而形成相位差层21，所以能够容易地形成具有预期的相位差的相位差层21，能够得到高对比度的显示。
并且，作为滤色器22，虽然对每子像素区域形成不同颜色种类的色材层，但是有时也会按各色材层使其厚度各不相同，在直接将相位差层21形成于滤色器22上的情况下，也有可能在具备有颜色种类不相同的滤色器22的子像素间使相位差层21向液晶层50的突出高度不相同。因此如果为通过本实施方式的平坦化层25对子像素区域内的滤色器22表面的凹凸进行平坦化、并对产生于子像素间的凹凸也进行平坦化的构成，则能够对还作为液晶层厚调整单元起作用的相位差层21的前述突出高度进行均匀化，容易得到高对比度的显示。
对本实施方式的液晶显示装置500，进行了与第2实施方式的液晶显示装置200同样的电光特性的测定，得到与在图7(b)中所示的液晶显示装置200的结果相同的结果，能够实现在白显示、黑显示、及中间灰度显示的任何显示中都兼顾到反射显示质量和透射显示质量的显示器件。
还有，在本实施方式中，作为滤色器22的开口部22a，虽然对设置在X轴方向上将子像素区域进行横断的带状物的情况进行了说明，但是作为开口部22a的平面形状，并不限于此而能够采用各种各样的形状。例如，能够为在反射显示区域R内的色材层设置有矩形状、多边形状、或者圆形的开口部的构成。
并且，在本实施方式中，虽然对为了对对应于反射显示区域R的第2色材区域的色度进行调整、而有选择性地形成开口部22a的情况进行了说明，但是作为该色度的调整单元，例如，可列举：使第2色材区域中的色材层厚，比第1色材区域中的色材层厚薄的构成；或在第2色材区域形成色度与第1色材区域不相同的色材层的构成；或者，在子像素区域形成多于或等于3色的色材区域而通过它们的混色得到预期的色度的构成。在采用上述任何一种构成的情况下，都会在滤色器22的表面形成因色材层厚的不同引起的凹凸，而有可能在直接将相位差层21形成于滤色器22上时得不到预期的相位差。另外，即使在反射显示区域R的区域内滤色器22的表面是平坦的，也因为本发明的相位差层21还作为根据其膜厚使液晶层50的层厚在透射显示区域T和反射显示区域R不相同的液晶层厚调整单元而起作用，所以有可能在形成不同的颜色种类的色材层的子像素间使相位差层21向液晶层50侧的突出高度变得不均匀。因此如本实施方式那样地，如果设置覆盖滤色器22的平坦化层25，在该平坦化层25上形成相位差层21，则不仅相位差层21自身的厚度，就连相位差层21向液晶层50的突出高度也能够在子像素间均匀，能够在显示区域整体得到高对比度的显示。
电子设备
图9，是为在显示部具备有本发明的液晶显示装置的电子设备的一例的便携电话机的立体构成图，该便携电话机1300，具备本发明的液晶显示装置作为小尺寸的显示部1301，具备多个操作按钮1302、受话口1303及送话口1304而构成。
上述实施方式的液晶显示装置，并不限于上述便携电话机，能够合适地用作电子书、个人计算机、数字静止相机、液晶电视、取景器型或监视器直视型的磁带录像机、汽车导航装置、呼机、电子笔记本、计算器、文字处理机、工作站、电视电话、POS终端、具备有触摸面板的设备等等的图像显示单元，在任何一种电子设备中，都能够得到高对比度、广视场角的透射显示及反射显示。
Claims (8)
1.一种液晶显示装置，其具备夹持液晶层而对向配置的第1基板和第2基板，在前述第1基板的前述液晶层侧具备第1电极和第2电极，通过产生于前述第1电极和前述第2电极之间的电场来驱动前述液晶层，并在一个子像素区域内设置有进行反射显示的反射显示区域和进行透射显示的透射显示区域；其特征在于：
前述反射显示区域中的前述液晶层的厚度比前述透射显示区域中的前述液晶层的厚度设定得薄；
并且在前述第2基板的前述液晶层侧，至少在对应于前述反射显示区域的区域有选择地形成有相位差层。
2.按照权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
前述反射显示区域中的前述液晶层，在非驱动时对于入射光产生大致λ/4的相位差。
3.按照权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于：
前述相位差层，对于入射光产生大致λ/2的相位差。
4.按照权利要求1～3中的任何一项所述的液晶显示装置，其特征在于：
使前述相位差层与树脂层进行叠层来调整液晶层厚。
5.按照权利要求3或4所述的液晶显示装置，其特征在于：
前述第1电极和前述第2电极，具备多条带状电极。
6.按照权利要求3或4所述的液晶显示装置，其特征在于：
前述第1电极是平面大致整面状的电极；
前述第2电极，具备多条带状电极。
7.按照权利要求1～5中的任何一项所述的液晶显示装置，其特征在于：
在前述第2基板的前述液晶层侧，设置有具有对应于前述子像素区域的平面区域的色材层，该色材层，具有：对应于前述透射显示区域的第1色材区域和对应于前述反射显示区域的第2色材区域，在该第2色材区域形成有部分性地去除前述色材层而成的凹部；
在前述色材层上，设置有至少对前述色材层的凹部进行平坦化的平坦化层，在该平坦化层上形成有前述相位差层。
8.一种电子设备，其特征在于：
具备权利要求1～7中的任何一项所述的液晶显示装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005207015 | 2005-07-15 | ||
| JP207015/2005 | 2005-07-15 | ||
| JP016017/2006 | 2006-01-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1896823A true CN1896823A (zh) | 2007-01-17 |
| CN100485477C CN100485477C (zh) | 2009-05-06 |
Family
ID=37609369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2006101014473A Expired - Fee Related CN100485477C (zh) | 2005-07-15 | 2006-07-13 | 液晶显示装置及电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100485477C (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101266355B (zh) * | 2007-03-12 | 2010-06-02 | 爱普生映像元器件有限公司 | 液晶装置及电子设备 |
| CN102103287A (zh) * | 2009-12-21 | 2011-06-22 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示装置 |
| CN101324720B (zh) * | 2007-06-14 | 2011-12-21 | 索尼公司 | 液晶装置和电子设备 |
| CN101907802B (zh) * | 2007-01-29 | 2012-06-20 | 京东方显示器科技公司 | 边缘场切换模式液晶显示器及其制造方法 |
| CN103852939A (zh) * | 2012-12-05 | 2014-06-11 | 三星显示有限公司 | 液晶显示器装置 |
| CN101290422B (zh) * | 2007-04-19 | 2014-07-02 | 株式会社日本显示器西 | 液晶装置、液晶装置的制造方法以及电子设备 |
| CN105278167A (zh) * | 2015-09-11 | 2016-01-27 | 武汉华星光电技术有限公司 | 液晶显示模组及终端 |
| CN103984175B (zh) * | 2013-02-08 | 2017-03-01 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 半穿透式半反射式液晶显示器及其制造方法 |
| CN109387964A (zh) * | 2017-08-02 | 2019-02-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
-
2006
- 2006-07-13 CN CNB2006101014473A patent/CN100485477C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101907802B (zh) * | 2007-01-29 | 2012-06-20 | 京东方显示器科技公司 | 边缘场切换模式液晶显示器及其制造方法 |
| CN101266355B (zh) * | 2007-03-12 | 2010-06-02 | 爱普生映像元器件有限公司 | 液晶装置及电子设备 |
| CN101290422B (zh) * | 2007-04-19 | 2014-07-02 | 株式会社日本显示器西 | 液晶装置、液晶装置的制造方法以及电子设备 |
| CN101324720B (zh) * | 2007-06-14 | 2011-12-21 | 索尼公司 | 液晶装置和电子设备 |
| CN102103287A (zh) * | 2009-12-21 | 2011-06-22 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示装置 |
| CN102103287B (zh) * | 2009-12-21 | 2014-10-08 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示装置 |
| CN103852939A (zh) * | 2012-12-05 | 2014-06-11 | 三星显示有限公司 | 液晶显示器装置 |
| CN103984175B (zh) * | 2013-02-08 | 2017-03-01 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 半穿透式半反射式液晶显示器及其制造方法 |
| CN105278167A (zh) * | 2015-09-11 | 2016-01-27 | 武汉华星光电技术有限公司 | 液晶显示模组及终端 |
| CN109387964A (zh) * | 2017-08-02 | 2019-02-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
| US11093068B2 (en) | 2017-08-02 | 2021-08-17 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Touch control array substrate and touch control display apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100485477C (zh) | 2009-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100343745C (zh) | 视角控制元件及其制造方法、液晶显示装置、电子设备 | |
| JP4039444B2 (ja) | 液晶表示装置及び電子機器 | |
| CN2684227Y (zh) | 液晶显示装置和电子设备 | |
| CN1293416C (zh) | 液晶显示装置及电子设备 | |
| CN1877403A (zh) | 液晶装置及电子设备 | |
| CN1841135A (zh) | 液晶装置及电子设备 | |
| US8330930B2 (en) | Liquid crystal display device having column spacer receiving members formed of the same material as a material of one of the pair of electrodes for applying an electric field to the liquid crystal material | |
| CN1896823A (zh) | 液晶显示装置及电子设备 | |
| CN101055396A (zh) | 液晶显示装置和电子设备 | |
| CN1869773A (zh) | 液晶装置及电子设备 | |
| CN1896845A (zh) | 液晶装置及电子设备 | |
| CN1510462A (zh) | 液晶显示装置和电子设备 | |
| CN1527101A (zh) | 液晶装置、其驱动方法以及电子设备 | |
| CN1841155A (zh) | 液晶显示装置 | |
| CN1743923A (zh) | 液晶显示装置和电子设备 | |
| CN1743922A (zh) | 液晶显示装置、电子设备 | |
| US7907245B2 (en) | In-plane switching mode liquid crystal display capable of improving an aperture ratio and fabrication method thereof | |
| CN1335943A (zh) | 反射型及半透射反射型液晶装置以及电子设备 | |
| CN1734330A (zh) | 电光装置、电光装置的制造方法及电子设备 | |
| CN1746751A (zh) | 液晶显示装置和电子设备 | |
| CN1605900A (zh) | 液晶显示装置和电子设备 | |
| CN1603896A (zh) | 液晶显示装置和电子设备 | |
| US8786790B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| CN1641424A (zh) | 液晶显示装置和电子设备 | |
| CN100343742C (zh) | 液晶显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: NANKAI UNIVERSITY Free format text: FORMER OWNER: SANYO EPSON IMAGING DEVICES CO. Effective date: 20100727 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: NAGANO PREFECTURE, JAPAN TO: TOKYO, JAPAN |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20100727 Address after: Tokyo, Japan Patentee after: Sony Corp. Address before: Nagano Patentee before: Sanyo Epson Imaging Devices Co. |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: NIPPON DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SONY CORPORATION Effective date: 20121115 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20121115 Address after: Aichi Patentee after: Japan display West Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Patentee before: Sony Corp. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090506 Termination date: 20190713 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |