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CN1815671A - 等离子显示面板装置 - Google Patents

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CN1815671A
CN1815671A CNA2006100047094A CN200610004709A CN1815671A CN 1815671 A CN1815671 A CN 1815671A CN A2006100047094 A CNA2006100047094 A CN A2006100047094A CN 200610004709 A CN200610004709 A CN 200610004709A CN 1815671 A CN1815671 A CN 1815671A
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Abstract

本发明涉及一种等离子显示面板。该等离子显示面板包括形成于前基板中的黑色矩阵,和在后基板上与该黑色矩阵相对形成并且分隔像素单元的第一隔离条。该第一隔离条具有比黑色矩阵的宽度更宽的宽度。即使在粘合基板的过程中出现不对准,该黑色矩阵也不会伸进放电空间内。因此,能够降低不良率,并且能够提高画面质量。

Description

等离子显示面板装置
技术领域
本发明涉及等离子显示面板装置,尤其是,为提高对比度而使黑色矩阵形成于前基板上且使隔离条形成后基板上。
背景技术
通常,等离子显示面板装置包括放电单元,其在其中形成有隔离条的后基板和与该后基板相对的前基板之间形成。当每个放电单元内的惰性气体因高频电压而放电时产生真空紫外线,等离子显示面板装置由此通过光发射荧光体来实现图象显示。
图1是在普通的等离子显示面板中所形成的电极的平面图。图2是该普通的等离子显示面板的放电单元的截面图。
通过多个隔离条24划分放电空间,在与前基板10相对的后基板18上形成放电单元。
在后基板18上形成寻址电极12X。在前基板10上成对地形成扫描电极12Y和维持电极12Z。如图1所示,寻址电极12X与扫描电极12Y和维持电极12Z交叉。图2所示的前基板10转过了90°。
在其中形成有寻址电极12X的后基板18上形成用于积累壁电荷的介电层22。
在介电层22上形成隔离条24,在这些隔离条之间形成放电空间。隔离条24防止因放电而产生的紫外线以及可见光泄漏到相邻的放电单元内。在介电层22和隔离条24的表面涂有荧光体26。
在放电空间内注入惰性气体。荧光体26受到气体放电期间所产生的紫外线激发,因此产生红色、绿色和蓝色可见光之一。
在前基板10上形成的扫描电极12Y和维持电极12Z中每一个都包括透明电极12a和总线电极12b。扫描电极12Y和维持电极12Z与寻址电极12X交叉。在前基板10上还形成介电层14和覆盖扫描电极12Y和维持电极12Z的保护膜16。
如上构造的放电单元由位于寻址电极12X和扫描电极12Y之间的相对放电(counter discharge)所选择,然后由位于扫描电极12Y和维持电极12Z之间的表面放电维持其放电,因而辐射出可见光。
扫描电极12Y和维持电极12Z中每一个都包括透明电极12a和总线电极12b,总线电极12b的宽度比透明电极的小,并且在透明电极的一侧边缘形成。
图3示出用于驱动普通等离子显示面板的一帧的设置。
参照图3,该等离子显示面板由时分成几个子场的一帧驱动,为了实现图象的灰度等级,这几个子场具有不同的发射次数。每个子场包括用于初始化位于放电单元内的壁电荷的复位周期、用于选择扫描线并且在所选扫描线内选择放电单元的寻址周期、和用于根据产生维持放电的次数实现灰度等级的维持周期。
在包括复位周期、寻址周期和维持周期的这些子场内所实现的灰度等级在一帧期内累积。如果要求用256灰度等级来显示图象,那么与1/60秒对应的帧周期(16.67ms)分成8个子场(SF1到SF8),如图3所示。每个子场用2n(n=0,1,2,3,4,5,6,7)的灰度等级表示。
利用如图3所示的驱动方法来显示图象的等离子显示面板通过将施加到每个电极的波形优化或者通过使前基板10变黑来提高对比率(contrast ratio)。为此,图4示出其中形成有黑色矩阵(BM)的放电单元结构的截面图。
参照图4,黑色矩阵17在前基板10的上介电层14以及与隔离条24相对的保护膜16之间形成。
也即,在前基板10上形成黑色矩阵17,使得它与隔离条24重叠且平行于寻址电极X。因此,该黑色矩阵能够提高对比率同时不会覆盖在每个放电单元内光透射通过的显示区域。
相关技术中的黑色矩阵17形成为与分隔放电单元的隔离条具有基本相等的宽度。当将前基板10和后基板18组合时,如果对准不一致,前基板10或者后基板18偏离右边或者左边。因此,黑色矩阵17就不会与隔离条24完全重合,并且覆盖了放电空间,结果产生画面质量劣化的问题。
发明内容
因而,本发明以上述问题来考虑,本发明的目的是为提高对比度而提供形成于前基板上的黑色矩阵和形成于后基板上的隔离条。
依照本发明一方面的等离子显示面板包括形成于前基板内的黑色矩阵,以及第一隔离条,其在后基板上与黑色矩阵相对地形成并且分隔像素单元。第一隔离条具有的宽度比黑色矩阵的更宽。
第一隔离条的宽度可以设在80μm到100μm范围内,并且黑色矩阵的宽度可以设在30μm到50μm范围内。黑色矩阵可以设在第一隔离条的边缘位置。这时,第一隔离条可以具有为黑色矩阵的宽度1.5到3倍,优选地为1.5到2倍的宽度。
在第一隔离条之间可以形成分隔各个放电单元的一个或者多个第二隔离条。这时,第一隔离条和第二隔离条可以与在后基板内形成的数据电极平行。
第一隔离条的宽度可以设置得比第二隔离条的更宽,并且可以为第二隔离条的宽度的1.5到2.5倍。第二隔离条的宽度可以设在40μm到60μm范围内。
此外,可以在与第二隔离条相对的、除了在与第一隔离条相对的位置形成的第一黑色矩阵之外的位置进一步形成第二黑色矩阵。第一黑色矩阵的宽度可以比第二黑色矩阵的宽度更宽。
因此,根据本发明,与黑色矩阵相对的隔离条的宽度形成得比黑色矩阵的要宽。因此,即使在工艺中出现不重合,黑色矩阵也不会伸进放电空间内。
附图说明
图1是在一般等离子显示面板内形成的电极的平面图;
图2是一般等离子显示面板的放电单元的截面图;
图3示出驱动一般等离子显示面板的帧的结构;
图4是其中形成有黑色矩阵(BM)的放电单元结构的截面图;
图5是依照第一实施例的等离子显示面板的放电单元的截面图;
图6是依照第一实施例的等离子显示面板的电极的平面图;
图7是依照第二实施例的等离子显示面板的放电单元的截面图;
图8是依照第二实施例的等离子显示面板的电极的平面图;
图9是依照第三实施例的等离子显示面板的放电单元的截面图;
图10是依照第三实施例的等离子显示面板的电极的平面图;
图11是示出依照本发明的形成黑色矩阵的位置的视图。
具体实施方式
现在参照附图结合实施例描述依照本发明的隔离条结构和具有黑色矩阵结构的等离子显示面板。
依照本发明的等离子显示面板的实施例可以有多个。因此,本发明不限于在本说明书中所描述的实施例。
图5和图6是关于本发明第一实施例中的隔离条结构和具有黑色矩阵结构的等离子显示面板的视图。在图5中,在前基板上形成的黑色矩阵与将像素单元分隔的第一隔离条相对,并且第一隔离条的宽度形成得比黑色矩阵的更宽。图5所示的结构不会减小放电空间的纵横比(aspect ratio)。
在前基板60中形成上电极62。层叠一个介电层64,以覆盖上电极62。然后在介电层64上形成黑色矩阵67A。形成一个保护膜66以覆盖黑色矩阵67A。
在后基板68上形成寻址电极X,后基板以对着前基板60的方式形成放电空间。层叠一个介电层72,以覆盖寻址电极X。此外,在介电层72中形成隔离条74A、74B,它们分隔放电空间和R、G和B子像素。在这种情况下,隔离条74A、74B包括分隔像素单元的第一隔离条74A和分隔子像素的第二隔离条74B。
如图中所示,寻址电极X与上电极62交叉。黑色矩阵67A平行于寻址电极X。
如图6所示,上电极62是扫描电极62Y和维持电极62Z。扫描电极62Y和维持电极62Z的每一个都包括透明电极62a和金属总线电极62b,该金属总线电极62b具有的宽度比透明电极的小,并且在透明电极的一侧边缘处形成。
透明电极62a通常由金属例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或者氧化铟锡锌(ITZO)形成。金属总线电极62b通常由金属例如铬(Cr)形成,并且在透明电极62a上形成。金属总线电极62b起到减小因透明电极62a具有高电阻而导致的电压降的作用。
介电层64、72形成为围绕着形成于前基板60和后基板68上的电极62Y、62Z和X。因气体放电所形成的壁电荷在介电层64、72上积累。
保护膜66由氧化镁(MgO)形成,起到了防止因为在等离子放电期间产生的溅射而导致介电层64受损害的作用,并且还增加了二次电子的发射效率。因此,介电层64、72和保护膜66起到降低点火电压的作用。
隔离条74A、74B连同前基板60以及后基板68一起提供放电空间,并且起到防止因气体放电产生的紫外线以及可见光泄漏到相邻的放电单元内的作用。此外,虽然描述了本实施例中的隔离条是沿平行于寻址电极X的方向(纵向)形成的第一隔离条74A和第二隔离条74B,但是也能够沿与寻址电极X交叉的横向形成。
放电空间中填充有例如He、Ne、Ar、Xe或者Kr用于气体放电的惰性气体,混合它们的放电气体,或者能够通过放电产生紫外线的受激准分子气体。
此外,在隔离条74A、74B或者放电空间内的介电层72上涂布有荧光体层76R、76G和76B,它们由在等离子放电期间产生的紫外线激发,以产生红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)中的任一种可见光。
第一隔离条74A是分隔像素单元的隔离条。一个像素单元78包括分别产生R、G或B可见光的子像素78R、78G和78B。此外,第二隔离条74B是分隔子像素78R、78G和78B的隔离条。
第一隔离条74A和第二隔离条74B具有不同的宽度。第一隔离条的宽度(a)形成得比第二隔离条的宽度(b)要宽。第二隔离条74B的宽度(b)形成为在40μm到60μm范围内,而第一隔离条74A的宽度(a)形成为在80μm到100μm范围内。此外,第一隔离条的宽度(a)形成为比第二隔离条的宽度(b)大1.5到2.5倍。
黑色矩阵67A在第一隔离条74A和前基板60之间形成,第一隔离条74A具有比第二隔离条74B的宽度更大的宽度,如上所述。
这里,黑色矩阵67A可以在前基板60的任何一层上形成。例如,黑色矩阵67A能够形成于前基板60的外部,在前基板60和上介电层64之间,在上介电层64和保护膜66之间,在保护膜66的外部等等。黑色矩阵67A的形成位置可以考虑制造工艺、制造效率、制造成本等因素来决定。
前基板60内的黑色矩阵67A具有比第一隔离条74A的宽度(a)窄的宽度(a1),因此它不会覆盖放电空间,并且它在根本不会偏离于第一隔离条74A的位置形成。在这时,黑色矩阵67A的宽度(a1)设置在30μm到50μm范围内。
此外,第一隔离条74A的宽度(a)形成为比黑色矩阵的宽度(a1)大1.5到3倍。根据形成隔离条74A、74B或者黑色矩阵67A的制造技术,第一隔离条74A的宽度(a)可以形成为比黑色矩阵的宽度(a1)大1.5到2倍。
图7和图8是关于本发明的第二实施例的隔离条结构和具有黑色矩阵结构的等离子显示面板的视图。在图7中,第一黑色矩阵67A与分隔像素单元的第一隔离条74A相对。第二黑色矩阵67B与分隔子像素的第二隔离条74B相对。第一隔离条74A的宽度(a)形成得比第一黑色矩阵67A的宽度(a2)要宽。第二隔离条74B的宽度(b)形成的比第二黑色矩阵67B的宽度(b2)要宽。图7所示的这种结构不会降低放电空间的纵横比。
在这种情况下,第一隔离条74A和第二隔离条74B以与第一实施例同样的方式来形成。第一隔离条的宽度(a)形成为80μm到100μm,而第二隔离条的宽度(b)形成为40μm到60μm。此外,第一隔离条的宽度(a)形成为第二隔离条的宽度(b)的大致1.5到2.5倍。
第一黑色矩阵67A具有比第一隔离条74A的宽度窄的宽度,因此它们根本不会偏离于第一隔离条,与第一实施例方式相同。此时,第一黑色矩阵的宽度(a2)设置在30μm到50μm的范围内。
以类似的方式,第二黑色矩阵67B具有比第二隔离条74B的宽度(b)窄的宽度,并且在根本不会偏离于第二隔离条74B的位置形成。在这时,第二黑色矩阵74B的宽度(b2)设置在20μm到40μm的范围内。
因此,依照本发明第二实施例的第一黑色矩阵67A的宽度(a2)形成得比第二黑色矩阵67B的宽度(b2)要宽。第二黑色矩阵67B是附加形成的。结果,存在一个优点是相比于第一实施例能够增强对比率。
图9和图10是关于本发明的第三实施例的隔离条结构和具有黑色矩阵结构的等离子显示面板的视图。在图9中,第一黑色矩阵67A与分隔像素单元的第一隔离条74A相对。第三黑色矩阵67C与第一黑色矩阵67A交叉。
也即,第一黑色矩阵67A与第一隔离条74A相对,平行于寻址电极X(纵向)形成。第三黑色矩阵67C与第三隔离条74C相对,平行于维持电极62Z或者扫描电极62Y(横向)形成。
第一黑色矩阵67A具有比第一隔离条的宽度(a)窄的宽度,并且在根本不会偏离于第一隔离条74A的位置形成,与第一实施例的方式相同。在此时,第一黑色矩阵67A的宽度(a3)设置在30μm到50μm范围内。
以相同的方式,第三黑色矩阵67C具有比第三隔离条74C的宽度(c)窄的宽度,并且在根本不会偏离于第三隔离条74C的位置形成。在此时,第三隔离条74C的宽度(c)设置在80μm到100μm范围内,并且第三黑色矩阵67C的宽度(c3)设置在30μm到50μm范围内。
因此,根据本发明的第三实施例,第三黑色矩阵67C与第一黑色矩阵67A交叉。其优点在于与第一实施例相比提高了对比率。
图11示出在粘合前基板和后基板时的黑色矩阵和第一隔离条。
在粘合其中形成有黑色矩阵的前基板和其中形成有隔离条的后基板的过程中,在将前基板和后基板对准的同时,前基板和后基板之一往往在右边和左边方向波动几μm或者几十μm。
在这种情况下,在相关技术的等离子显示面板中,隔离条和与隔离条相对的黑色矩阵具有基本相等的宽度。在隔离条和黑色矩阵没有对准的情况下,黑色矩阵部分地被放电空间遮蔽。然而,在本发明中,如图11(b)所示,与黑色矩阵67A相对的第一隔离条74A的宽度形成得比黑色矩阵67A的宽度要宽。因此,即使出现不重合,该黑色矩阵也不会遮住放电空间。
此外,在本发明中,一些隔离条74A、74B,更具体地说,分隔像素单元78的第一隔离条74A(不是整个隔离条)形成得较宽。因此,放电空间的减小得以最小化,并且因不对准造成的不良率得以减小。
此外,第一隔离条74A不限于分隔像素单元的隔离条,而是可以包括分隔子像素组或者像素单元组的预定单元的隔离条。
尽管前面的描述是参照优选实施例进行的,但是可以理解,本领域普通技术人员可以在不脱离本发明和所附权利要求的精神和范围的前提下对本发明进行各种变化和修改。

Claims (20)

1.一种等离子显示面板,包括:
形成于前基板中的黑色矩阵;和
第一隔离条,它们在后基板上与黑色矩阵相对地形成,并且分隔像素单元,
其中该第一隔离条具有的宽度比黑色矩阵的宽度更宽。
2.如权利要求1所述的等离子显示面板,其中在第一隔离条之间形成有分别分隔子像素的一个或者多个第二隔离条。
3.如权利要求2所述的等离子显示面板,其中该第一隔离条的宽度比该第二隔离条的宽度要宽。
4.如权利要求3所述的等离子显示面板,其中第二隔离条的宽度设置在40μm到60μm的范围内。
5.如权利要求3所述的等离子显示面板,其中该第一隔离条具有的宽度为第二隔离条的宽度的1.5到2.5倍。
6.如权利要求3所述的等离子显示面板,其中该黑色矩阵设在第一隔离条的边缘处。
7.如权利要求1所述的等离子显示面板,其中第一隔离条包括与在后基板中形成的数据电极平行的隔离条和与该数据电极交叉的隔离条。
8.如权利要求7所述的等离子显示面板,其中该黑色矩阵分别对着与该数据电极平行的隔离条和与该数据电极交叉的隔离条形成。
9.如权利要求1所述的等离子显示面板,其中该第一隔离条的宽度被设置在80μm到100μm的范围内。
10.如权利要求1所述的等离子显示面板,其中该黑色矩阵的宽度被设置在30μm到50μm范围内。
11.如权利要求1所述的等离子显示面板,其中该第一隔离条具有的宽度为该黑色矩阵的宽度的1.5到3倍。
12.如权利要求1所述的等离子显示面板所述,其中该第一隔离条具有的宽度为该黑色矩阵的宽度的1.5到2倍。
13.一种等离子显示面板,包括:
形成于前基板中的第一黑色矩阵;
在后基板上与第一黑色矩阵相对形成的第一隔离条,该后基板与前基板组合形成放电空间,该第一隔离条分隔像素单元;和
第二隔离条,其设在第一隔离条之间,用以分隔子像素,并且具有比第一隔离条的宽度窄的宽度。
14.如权利要求13所述的等离子显示面板,其中第二黑色矩阵在前基板上与第二隔离条相对的位置形成。
15.如权利要求14所述的等离子显示面板,其中该第一黑色矩阵具有比第二黑色矩阵的宽度宽的宽度。
16.如权利要求13所述的等离子显示面板,其中该第一隔离条的宽度为第二隔离条的宽度的1.5到2.5倍。
17.如权利要求13所述的等离子显示面板,其中该第一隔离条的宽度设置在80μm到100μm范围内,并且第二隔离条的宽度被设置在40μm到60μm的范围内。
18.一种等离子显示面板,包括:
形成于前基板中的黑色矩阵;和
隔离条,其在与前基板相对的后基板中形成并且分隔单元,
其中至少一个与黑色矩阵相对的隔离条的宽度比该黑色矩阵的宽度要宽。
19.如权利要求18所述的等离子显示面板,其中至少一个与该黑色矩阵相对的隔离条的宽度为其余隔离条的宽度的1.5到2.5倍。
20.如权利要求18所述的等离子显示面板,其中至少一个与该黑色矩阵相对的隔离条的宽度被设置在80μm到100μm的范围内。
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