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CN1761371A - 有机电致发光器件及其制造方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制造方法 Download PDF

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CN1761371A
CN1761371A CNA2005101125965A CN200510112596A CN1761371A CN 1761371 A CN1761371 A CN 1761371A CN A2005101125965 A CNA2005101125965 A CN A2005101125965A CN 200510112596 A CN200510112596 A CN 200510112596A CN 1761371 A CN1761371 A CN 1761371A
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organic electroluminescence
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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件及其制造方法。在第一基板上形成阵列元件并在第二基板上形成电致发光二极管。该阵列元件和电致发光二极管通过衬垫料电连接在一起。隔离体将子像素分为第一区域和第二区域。在电致发光二极管中，阳极电极整个形成于第一和第二区域上。在第一和第二区域其中之一的阳极电极上形成有机电致发光层和阴极电极。

Description

有机电致发光器件及其制造方法
本申请要求2004年10月12日提交的韩国专利申请81269/2004的权益，在此引用其全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件，并尤其涉及一种可以提高发光效率和孔径比的有机电致发光器件及其制造方法。
背景技术
新型平板显示器件(FPD)其中之一为有机电致发光器件。由于有机电致发光器件为自发光显示器件，其和LCD比较具有高对比度和宽视角的优点。此外，由于有机电致发光器件不需要背光组件，因此其重量轻而且外形薄。而且，该有机电致发光器件可以降低功耗。
此外，可以在低直流电压下驱动有机电致发光器件并且该器件具有快速的响应时间。由于有机电致发光器件的所有元件均由固体材料形成，因此其耐外界碰撞性能很好。该器件还可以用于较宽的温度范围内并制造成本低廉。
具体地，采用沉积装置和封装装置可以很容易地制造有机电致发光器件。因此，该有机电致发光器件的制造方法和制造装置比LCD和PDP的制造方法和制造装置更简单。
通过不需要单独开关元件的无源矩阵模式驱动现有技术的有机电致发光器件。在无源矩阵模式中，扫描线和信号线彼此交叉从而以矩阵形式限定像素。为了驱动像素，根据时间顺序驱动扫描线。因此，为了产生所需的平均亮度，该无源矩阵电致发光器件提供相当于平均亮度和线数量的乘积的瞬时亮度。
然而，在有源矩阵模式中，作为开关元件以打开/关断像素的薄膜晶体管(TFT)设置于各子像素中。按照子像素对连接到TFT的第一电极开启和关闭，而面向第一电极的第二电极为公共电极。
在有源矩阵中，由于将施加到像素的电压充入到存储电容(CST)中，电压一直施加到输入下一帧信号。因此，在当前帧周期内可以连续驱动有机电致发光器件而和扫描线数量无关。
如果以有源矩阵模式驱动有机电致发光器件，即使在施加低电流时也可以获得均匀的亮度。因此，有源矩阵型有机电致发光器件具有低功耗、高清晰度和大尺寸的优点。
以下，将详细说明有源矩阵型有机电致发光器件的基本结构和操作特性。
图1为现有技术的有源矩阵型有机电致发光器件的电路图。
参照图1，在第一方向上形成扫描线2。在与第一方向交叉的第二方向上形成信号线3和电源线4并且以预定距离彼此隔开。通过扫描线2、信号线3和电源线4限定一个子像素区。
在扫描线2和信号线3的交叉部分形成用作寻址元件的开关TFT 5。将存储电容CST 6连接到开关TFT 5和电源线4。将用作电流源元件的驱动TFT 7连接到存储电容CST和电源线4上。电致发光二极管8与驱动TFT 7连接。
在向电致发光二极管8的有机发光材料施加正向电流时，由于用作空穴提供层的阳极和用作电子提供层的阴极之间的P-N结的作用，电子和空穴移动并复合。此时，发出光线。
有机电致发光器件根据电致发光二极管8的发光方向分为顶部发光型有机电致发光器件和底部发光型有机电致发光器件。
图2为现有技术底部发光型有机电致发光器件的示意性截面图。在图2中，为了简便仅示出一个包括红、绿和蓝子像素的像素区域。
参照图2，第一基板10和第二基板30彼此相对设置。通过密封图案40封装第一和第二基板10和30的边缘部分。在子像素单元中第一基板10的透明基板上形成TFT T。第一电极12与TFT T连接。在TFT T和第一电极12上形成有机电致发光层14并且对应于第一电极12设置该发光层。该有机电致发光层14包含具有红、绿和蓝色的发光材料。在有机电致发光层14上形成第二电极16。
该第一和第二电极12和16用于向有机电致发光层14施加电场。
由于密封图案40，第二电极16和第二基板30彼此间隔预定距离。因此，在第二基板30的内表面还可以设置吸收剂(未示出)和半透明胶带(未示出)。该吸收剂吸收由外界侵入的湿气，并且该半透明胶带将吸收剂粘着在第二基板30上。
在底部发光型结构中，当第一电极12和第二电极16分别用作阳极和阴极时，该第一电极12有透明导电材料形成并且第二电极16由低功函的金属形成。
在这种条件下，有机电致发光层14包括顺序形成于第一电极12上的空穴注入层14a、空穴传输层14b、发光层14c、电子传输层14d。
发光层14c具有用于各子像素的红、绿和监色滤色片。
图3为在图2所示的底部发光型有机电致发光器件中一个子像素区域的放大截面图。
参照图2，在透明基板1上顺序形成半导体层62、栅极68以及源极80和漏极82，从而限定了TFT区域。延伸自电源线(未示出)的电源电极72和电致发光二极管E分别连接到源极80和漏极82。
电容电极64设置于对应于电源电极72的下部。在电源电极72和电容电极64之间夹入介电层。对应于这些层的区域为存储电容区域。
除了电致发光二极管E，形成于TFT区域和存储电容区域的元件均为阵列元件A。
该电致发光二极管E包括第一电极12、第二电极16以及夹在第一和第二电极12和16之间的有机电极发光层14。电致发光二极管E设置于发射自发光光线的区域。
这样，在现有技术的有机电致发光器件中，阵列元件(A)和电致发光二极管(E)层迭于同一基板上。
图4为制造现有技术有机电致发光器件的方法的流程图。
参照图4，在第一基板上形成阵列元件(st1)。该第一基板为透明基板。该阵列元件包括扫描线、与扫描线垂直并与扫描线间隔预定距离的信号线、电源线、形成于扫描线和信号线交叉部分的开关TFT以及连接到开关TFT上的驱动TFT。
形成作为电致发光二极管的第一部分的第一电极并将该第一电极连接到驱动TFT(st2)。在各子像素中构图第一电极。
在第一电极上形成作为电致发光二极管第二部分的有机电致发光层(st3)。当第一电极用作阳极时，该有机电致发光层包括以一定下述次序顺序层迭的空穴注入层、空穴传输层、发光层以及电子传输层。
在有机电致发光层上形成作为电致发光二极管的第三部分的第二电极(st4)。该第二电极作为基板上的公共电极形成。
采用第二基板封装第一基板(st5)。该第二基板保护第一基板不受外界碰撞并防止由于外界空气的入侵损坏有机电致发光层。吸收剂可以包括在第二基本的内表面。
这样，通过将形成有阵列元件和有机电致发光二极管的基板粘接到用于封装的单独基板上制造底部发光型有机电致发光器件。在这种情况下，有机电致发光器件的产量由阵列元件的产量和有机电致发光二极管的产量的乘积决定。因此，整个工序的产量受到后工序的限制，即，形成有机电致发光二极管的工序。例如，尽管可以形成优良的阵列元件，但是如果在形成厚度为1000的薄膜的有机电致发光层时外界颗粒或其他因素产生缺陷，则该相应的有机电致发光器件被定为缺陷级。
因此，损失了花费在非缺陷阵列元件上的费用和材料成本，导致产量降低。
此外，底部发光型有机电致发光器件由于封装具有高稳定性和自由度，但是在孔径比方面具有一定局限性。因此，底部发光型有机电致发光器件很难应用于高清晰产品中。同时，在顶部发光型有机电致发光器件的情况，TFT的设计很容易并且孔径比很高。因此，其在产品寿命方面具有一定的优势。但是，由于阴极设置于有机电致发光层上，因此材料的选择受到限制。因此，限制了透光率并降低了发光效率。
发明内容
仅作为介绍，在一个实施方式中的有机电致发光器件包括：彼此以预定距离间隔的第一基板和第二基板；位于第一基板上包括对应于子像素的开关TFT(薄膜晶体管)的阵列元件；位于第二基板上对应于子像素设置的第一电极；位于第一电极上用于将子像素分为第一区域和第二区域的隔离体；在第一区域的第一电极上形成的有机电致发光层和第二电极；以及用于电连接第二区域的第一电极和阵列元件的衬垫料。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，其包括：彼此以预定距离间隔的第一和第二基板；位于第一基板上包括对应于子像素的开关TFT(薄膜晶体管)的阵列元件，该子像素被分为第一区域和第二区域；在第二基板上对应子像素形成的电致发光二极管；以及用于电连接阵列元件和电致发光二极管的衬垫料。
在本发明的再一方面，提供了一种有机电致发光器件的制造方法，该制造方法包括：在第一基板上形成包括相对应于子像素的TFT(薄膜晶体管)阵列元件，该子像素分为第一区域和第二区域；在第二基板上形成对应于子像素的第一电极；在第一电极上形成隔离体以将子像素分为第一区域和第二区域；在第一和第二区域其中之一的第一电极上形成有机电致发光层；在有机电致发光层上形成第二电极；电连接第一基板的阵列元件和第二基板的第一电极；并将第一基板粘结到第二基板上。
可以理解上述的概括性描述和以下的详细说明均为示例性的和解释性的并旨在提供进一步如权利要求所述的本发明的解释。
附图说明
包含用来提供本发明进一步理解并结合进来组成本申请一部分的附图，其示出了本发明的实施方式，并和说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1所示为现有技术的有源矩阵型有机电致发光器件的电路图；
图2所示为现有技术底部发光型有机电致发光器件的示意性截面图；
图3所示为在图2所示的底部发光型有机电致发光器件中一个子像素区域的放大截面图；
图4所示为制造现有技术有机电致发光器件的方法的流程图；
图5所示根据本发明第一实施方式的双板型有机电致发光器件的示意性截面图；
图6A到6E所示为根据本发明实施方式的双板型有机电致发光器件制造方法的截面图；
图7A和7B所示为在制造有机电致发光层中使用的阴罩的示图；
图8A到8E所示为根据本发明实施方式的有机电致发光器件制造方法的截面图；
图9所示为用于说明根据本发明实施方式的双板型有机电致发光器件第二基板的一个子像素的平面图；以及
图10所示为在根据本发明第二实施方式的双板型有机电致发光器件中一个子像素的截面图。
具体实施方式
现在详细说明本发明的实施方式，其实施例在附图中示出。在整个附图中尽可能使用同样的附图标记表示相同或相近的部件。
图5根据本发明第一实施方式的双板型有机电致发光器件的一个子像素的示意性截面图。为了方便，以下的说明将集中于一个子像素。
参照图5，第一和第二基板110和130彼此间隔预定距离。在第一基板110的透明基板100的内表面形成阵列元件120并且在第二基板130的透明基板101的内表面形成电致发光二极管E。通过密封图案140封装第一和第二基板110和130。
该有机电致发光器件包括阴极区域和阳极区域。在阳极区域，第一基板110的阵列元件120和导电衬垫料114彼此电连接。
在阴极区域形成电致发光二极管E。该电致发光二极管E包括第一电极132、第二电极138a，以及夹在二者之间的有机电致发光层136。因此，当将电压施加给第一电极132和第二电极138a时，在第一和第二电极132和138a之间形成电场。由于存在该电场，有机电致发光层136发光。
在现有技术中，由于阵列元件和电致发光二极管形成在一起，从而降低了孔径比和发光效率。此外，复杂的工序导致产率降低。
相反，根据本发明，阵列元件120和电致发光二极管E形成于不同基板110和130。因此，降低了工序中的缺陷率，从而提高了产品收率。而且，由于有机电致发光器件的形成和阵列元件无关，因此提高了有机电致发光器件的容限，进而提高孔径比和发光效率。
第一电极132通过导电衬垫料114与连接到第一基板110的阵列元件120的驱动TFT T的漏极112的接触电极128电接触。
电致发光二极管E包括用作公共电极的第一电极132、设置于第一电极132子像素边缘的隔离体134、设置于隔离体134内侧的有机电致发光层136，以及根据各子像素构图的第二电极138a。
第一电极132形成于阴极区域和阳极区域上，同时有机电致发光层136和第二电极138a形成于阴极区域。
有机电致发光层136包括依次层迭的第一载流子传输层136a、发光层136b，以及第二载流子传输层136c。该第一和第二载流子传输层136a和136c用于向发光层136b注入或传输电子和空穴。
根据阳极电极和阴极电极的排列确定第一载流子传输层136a和第二载流子传输层136c。例如，当发光层136由高分子化合物形成并且第一和第二电极132和138a分别配置为阳极电极和阴极电极时，与第一电极132接触的第一载流子传输层136a具有空穴注入层和空穴传输层的层迭结构。此外，与第二电极138a接触的第二载流子传输层136c具有电子注入层和电子传输层的层迭结构。
在隔离体134上保留第二电极图案。
阵列元件120包括驱动TFT T。为了向电致发光二极管E提供电流，在各子像素中第二电极138a和TFT T连接的位置设置柱状导电衬垫料114。
与普通LCD的衬垫料不同，导电衬垫料114的主要功能为电连接基板110的TFT和第一电极132而不是保持盒间隙。由于在两个基板之间存在预定柱状高度，因此在此简单的称之为衬垫料。
现在将更详细的说明导电衬垫料114和TFT T的连接部分。在TFT区域形成钝化层124。该钝化层124包括漏接触孔115d以暴露出漏极112的一部分。通过漏接触孔115d在第一钝化层124上形成漏极112。在形成有暴露出漏极112的连接接触孔127的第二钝化层126上，连接电极128通过连接接触孔127连接到漏极112。导电衬垫料114设置在连接电极128上。
导电衬垫料114可以充分地连接到TFT T的源极111或漏极112。
可以通过在构图后的衬垫料上沉积导电材料138b形成导电衬垫料114并电连接第一电极132和连接电极128，所述构图后的衬垫料采用无机或有机材料。然而，本发明不限于此。即，采用由导电材料形成的衬垫料可以实现电连接。
导电衬垫料114选自导电材料，优选的为具有可塑性和低电阻率的金属材料。
在第二基板130上形成有机电致发光层136后，在阳极区域的第一电极132上形成导电衬垫料114。此外，可以在形成阵列元件120的工序中在连接电极128上形成导电衬垫料114。该TFT T相当连接到第一电极132的驱动TFTT。
根据本发明的实施方式，该有机电致发光器件为将来自有机电致发光层136的光发射给第二基板130的顶部发光型。因此，优选的第一电极选自具有透射属性的导电材料，而第二电极138a选择不透明的金属材料。
具有阵列元件120的第一基板110包括位于透明基板100和半导体层108之间的缓冲层106。在缓冲层106上该半导体层108由多晶硅形成，并且在半导体层108上形成栅绝缘层122。
通过向半导体层108的两侧掺杂杂质离子形成源和漏杂质区域108s和108d。在源和漏杂质区域108s和108d之间形成有源层108a。在半导体层108的中心部分上方的栅绝缘层122上形成栅极113。在栅极113上形成第一钝化层124。在第一钝化层124和栅绝缘层122上形成源和漏接触孔115s和115d。形成源极111和漏极112以通过源和漏接触孔115s和115d与源和漏杂质区域108s和108d接触。在源极111和漏极112上形成由绝缘材料形成的第二钝化层126。在第二钝化层126上形成连接接触孔127以暴露出漏极112的一部分。在第二钝化层126上形成连接电极128。该连接电极128通过连接接触孔127电连接到漏极112。该连接电极128与导电衬垫料114接触使得该连接电极128电连接到用作第二基板130的阳极电极的第一电极132。
同时，位于第一基板110和第二基板130之间的空间可以填充惰性气体或者绝缘液体。
尽管在图中未示出，该阵列元件还包括扫描线、信号线和与扫描线交叉并以预定距离彼此间隔的电源线、设置于扫描线和信号线的重叠部分的开关TFT，以及存储电容。
图6A到6E为根据本发明实施方式的双板型有机电致发光器件制造方法的截面图。
参照图6A，在形成有电致发光二极管E的第二基板130中，在各子像素中的透明基板101上形成第一电极132。
该第一电极132由透明导电材料形成。该第一电极132可以由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化锌(IZO)、和/或氧化铟锡锌(ITZO)形成。
参照图6B，在第一电极132上形成堤133和隔离体134，堤133由绝缘材料形成并分割阴极区域和阳极区域。在堤133上以倒锥形图案形成隔离体134。
由于存在隔离体134，第二电极138a可以形成在各子像素的阴极区域中。
隔离体134形成在子像素边缘以及阴极区域和阳极区域的边缘。该隔离体134将各子像素彼此分开并分割阴极区域和阳极区域。
参照图6C，在第二基板130上顺序形成用于有机电致发光层136的材料以覆盖阴罩160，在该阴罩160中透射部分160a和遮光部分160b交替重复。
图7A到7B为在形成有机电致发光层136中使用的阴罩160的示图。
参照图7A，在阴罩160中，透射部分160a和遮光部分160b形成一个子像素。每隔一个子像素形成该透射部分160a。
因此，当通过采用阴罩160在子像素的阴极区域形成有机电致发光层136时，沿一个方向移动该阴罩160。
在图7B所示的阴罩160中，形成透射部分160a使得像素的阴极区域完全打开。
透射部分160a对应于子像素中的阴极区域并且遮光部分160b对应于阳极区域。
具体地，有机电致发光层136包括顺序层迭的第一载流子传输层136a、发光层136b，以及第二载流子传输层136c。第一和第二载流子传输层136a和136c用于向发光层136b注入电子或空穴，或者用于传输电子或空穴。
通过阳极电极和阴极电极的排列确定第一和第二载流子传输层136a和136c。例如，当发光层136由高分子化合物形成并且第一和第二电极132和138a分别配置为阳极电极和阴极电极时，与第一电极132接触的第一载流子传输层136a具有空穴注入层和空穴传输层的层迭结构。此外，与第二电极138a接触的第二载流子传输层136c具有电子注入层和电子传输层的层迭结构。
因为具有透射部分160a和遮光部分160b的阴罩，有机电致发光层136仅形成在阴极区域。
参照图6D，衬垫料114在暴露阳极区域的第一电极132上由有机材料或者无机材料形成。另外，衬垫料114也可以在形成有机电致发光层136之前形成，例如，可以在图6B所示形成隔离体134之后形成。
参照图6E，在第二基板130的整个表面上涂敷导电材料，并对该导电材料进行构图。该导电材料为诸如ITO、IZO和ITZO的透明导电材料。
在倒锥形隔离体134上形成第二电极138a。在由隔离体134分离的阴极区域中的有机电致发光层136上形成第二电极138a。
构图后的导电材料138b形成在阳极区域的衬垫料114上以形成电连接到第一电极132的导电衬垫料114。
在双板型有机电致发光器件中，以水平结构形成用作阴极电极和阳极电极的第一和第二电极132和138a。
这样，将第二基板130分为阴极区域和阳极区域。该阳极区域通过导电衬垫料114电连接到第一基板110的阵列元件120上。
通过导电衬垫料114施加的信号可以在夹有有机电致发光层136的第一和第二电极132和138a之间形成电场。
图8A到8E所示为形成其上形成有阵列元件的基板的工序的截面图。
参照图8A，第一基板110包括位于透明基板100和半导体层108之间的缓冲层106。
该半导体层108由在缓冲层106上的多晶硅形成。
参照图8B，在半导体层108上形成栅绝缘层122。在半导体层108的中心部分形成栅极113。
参照图8C，采用栅极作为掩模，通过向半导体层108的两侧掺杂杂质离子形成源和漏杂质区域108s和108d。在源和漏杂质区域108s和108d之间形成有源层108a。
参照图8D，在栅极113上形成第一钝化层124。在第一钝化层124和栅绝缘层122上形成源和漏接触孔115s和115d，使得源和漏接触孔115s和115d贯穿第一钝化层124和栅绝缘层122暴露出源和漏杂质区域108s和108d。形成源和漏极111和112以通过源和漏接触孔115s和115d与源和漏杂质区域108s和108d接触。
参照图8E，在源和漏极111和112上形成第二钝化层126。在第二钝化层126上形成连接接触孔127以暴露出漏极112的一部分。在第二钝化层126上形成连接电极128。连接电极128贯穿连接接触孔127电连接到漏极112上。
连接电极128与导电衬垫料114接触使得连接电极128连接到用作第二基板130的阳极电极的第一电极132上。
第一和第二基板110和130彼此相对设置。第一和第二基板110和130的边缘部分通过密封图案140封装。
同时，在第一基本110和第二基板130之间的空间填充惰性气体或者绝缘液体。
由于阵列元件和电致发光二极管形成在不同基板上，因此，该电致发光二极管不会受到阵列元件产率的影响，从而提高了生产管理的效率。
此外，如果屏幕配置为顶部发光型，可以在不必考虑孔径比的情况下设计TFT，从而提高了工序效率并提供高孔径比/高分辨率。由于以双面板型形成电致发光二极管，可以有效阻挡外界空气，从而提高产品的稳定性。
此外，由于在阵列元件中采用具有高电荷迁移率的多晶硅形成低温多晶硅(LTPS)TFT，因此可以保证底部基板的可靠性。因此，可以应用于大尺寸基板。
应用到本发明的有机电致发光器件的TFT除了上栅型晶体管外还可以应用各种类型的TFT。
图9为用于说明根据本发明实施方式的双板型有机电致发光器件的第二基板的一个子像素的平面图。
参照图9，在第二基板130的一个子像素上以水平结构形成阴极区域C和阳极区域A。通过将第一电极132与导电衬垫料114电连接形成阳极区域A。
在阴极区域C顺序层迭第一电极132、有机电致发光层136以及第二电极138a。通过堤133和隔离体134分离阴极区域C和阳极区域A。
因此，第一电极132通过贯穿隔离体134底部可以在阴极区域C和阳极A上作为一个整体形成。
图10为在根据本发明第二实施方式的双板型有机电致发光器件中一个子像素的截面图。
这里将省略和图5一样的元件的说明，并且还将省略类似参考标记的说明。
参照图10，设置第一和第二基板210和230彼此间隔预定距离。在第一基板210的透明基板200的内表面形成阵列元件220。在第二基板230的透明基板210的内表面形成电致发光二极管E。通过密封图案240封装第一和第二基板210和230的边缘。
将第二基板230分为阴极区域和阳极区域。通过导电衬垫料214将阳极区域电连接到第一基板210的阵列元件220上。
在阴极区域形成电致发光二极管E。通过在第一电极232和第二电极238之间夹有有机电致发光层236形成电致发光二极管E。因此，施加给第一和第二电极232和238的电压在第一和第二电极232和238之间形成电场。在电场的作用下，光从有机电致发光层236发出。
如上所述，在单个基板上以水平结构形成用作阴极电极和阳极电极的第一和第二电极232和238。
用作阳极电极的第一电极232与阵列元件220的驱动TFT T的漏极212电接触或者与连接到驱动TFT T的连接电极图案电接触。
该阵列元件220包括TFT。为了向电致发光二极管提供电流，将该柱状导电衬垫料214设置在各子像素中第二电极238和TFT T连接的位置。
该TFT T对应于连接到第一电极232的驱动TFT T。
在该TFT中，在透明基板200上形成栅极213，在栅极213上形成栅绝缘层222。在栅极213所在的栅绝缘层222上形成非晶硅(a-Si)的有源层208。在有源层208的两侧采用其中掺杂有杂质的非晶硅形成欧姆接触层207。形成源极211和漏极212以和欧姆接触层207接触并且两电极彼此间隔预定距离。在源极211和漏极212上形成钝化层224。该钝化层224包括暴露出漏极212一部分的漏接触孔227。在钝化层224上形成连接电极228使得接触电极228通过漏接触孔227和漏极212接触。该连接电极228与导电衬垫料214接触并电连接到用作第二基板230的阳极的第一电极232。
同时，第一基板210和第二基板230之间的空间I可以填充惰性气体或绝缘液体。
尽管在附图中未示出，该阵列元件220还包括扫描线、信号线和与扫描线交叉并与扫描线彼此间隔预定距离的电源线、设置于扫描线和信号线的交迭部分的开关TFT，以及存储电容。
如上所述，由于在不同的基板上形成阵列元件和电致发光二极管，因此，电致发光二极管不会受到阵列元件产率的影响，从而提高了生产管理的效率。
此外，如果屏幕为顶部发光型，可以在不考虑孔径比的情况下设计TFT，从而提高工序效率并提供高孔径比/高分辨率。
而且，由于在阵列元件中采用具有高电荷迁移率的多晶硅形成LTPS TFT，因此可以保证底部基板的可靠性。因此，其可以应用于大尺寸基板。
显然，对于熟悉本领域的技术人员来说可以对本发明进行各种改进和变型。因而，本发明意在覆盖落入由所附权利要求及其等效物限定的本发明的改进和变型。

Claims (43)

1、一种有机电致发光器件，包括：
彼此间隔预定距离的第一和第二基板；
阵列元件，位于第一基板上包括对应于子像素的开关薄膜晶体管；
位于第二基板上对应于子像素设置的第一电极；
隔离体，位于第一电极上用于将子像素分离为第一区域和第二区域；
在第一区域的第一电极上形成的有机电致发光层和第二电极；以及
衬垫料，用于电连接第二区域的第一电极和阵列元件。
2、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括用于封装第一和第二基板边缘的密封图案。
3、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述开关薄膜晶体管还包括：
在第一基板上形成的缓冲层；
位于缓冲层上包含多晶硅的半导体层；
在半导体层上形成的栅绝缘层和栅极；
在栅极上形成的第一钝化层；以及
在半导体层上形成的源极和漏极，所述源极和漏极贯穿栅绝缘层和第一钝化层。
4、根据权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括：
在源极和漏极上形成的第二钝化层；以及
贯穿第二钝化层并连接到漏极的连接电极。
5、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述开关薄膜晶体管包括：
在第一基板形成的栅极；
在栅极上形成的栅绝缘层；
位于栅绝缘层上包含非晶硅的半导体层；以及
在半导体基板上形成的源极和漏极并且两电极彼此间隔预定距离。
6、根据权利要求5所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括：
在源极和漏极上形成的钝化层；以及
贯穿钝化层并连接到漏极上的连接电极。
7、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述衬垫料包括导电材料。
8、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述衬垫料包括有机或者无机材料以及在上述材料表面上形成的导电材料。
9、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一和第二电极包括透明导电电极材料。
10、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一和第二电极的一个包括透明导电电极材料而所述第一和第二电极的另一个包括不透明导电电极材料。
11、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述衬垫料接触开关薄膜晶体管的漏极和第一电极。
12、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述衬垫料形成在所述第一和第二基板其中之一上。
13、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述隔离体具有倒锥形图案。
14、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光层和第二电极与隔离体隔开预定距离。
15、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括与有机电致发光层的边缘接触的绝缘堤，设置于堤上的隔离体使得所述隔离体不与有机电致发光层接触。
16、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括在邻近子像素的第一电极上形成的绝缘堤，该绝缘堤隔离所述邻近子像素第一电极。
17、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述衬垫料形成在第一电极上。
18、一种有机电致发光器件，包括：
彼此以预定距离间隔的第一和第二基板；
阵列元件，位于第一基板上包括对应于子像素的开关薄膜晶体管，所述子像素被分为第一区域和第二区域；
位于第二基板上对应于子像素形成的电致发光二极管；以及
用于电连接阵列元件和电致发光二极管的衬垫料。
19、根据权利要求18所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括在第一基板上形成的隔离体，所述隔离体将子像素分为第一区域和第二区域。
20、根据权利要求18所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电致发光二极管包括：
在第一基板上的第一和第二区域上方形成的第一电极；
在第一和第二区域其中之一的第一电极上形成的有机电致发光层；以及
在有机电致发光层上形成的第二电极。
21、根据权利要求18所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述衬垫料电连接阵列元件的电极和电致发光二极管的电极。
22、根据权利要求21所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述衬垫料形成在第一区域和第二区域其中之一。
23、根据权利要求21所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述衬垫料包括有机或者无机材料以及在上述材料表面上形成的导电材料，所述导电材料与电致发光二极管的电极接触。
24、根据权利要求20所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括与有机电致发光层的边缘接触的绝缘堤。
25、根据权利要求18所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括用于分开相邻子像素的绝缘堤。
26、根据权利要求18所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述衬垫料形成在第二基板上。
27、一种有机电致发光器件的制造方法，该制造方法包括：
在第一基板上形成包括对应于子像素的薄膜晶体管的阵列元件；
在第二基板上形成对应于子像素的第一电极；
在第一电极上形成隔离体以将子像素分为第一区域和第二区域；
在第一和第二区域其中之一的第一电极上形成有机电致发光层；
在有机电致发光层上形成第二电极；
电连接第一基板的阵列元件和第二基板的第一电极；以及
将第一基板粘结到第二基板上。
28、根据权利要求27所述的制造方法，其特征在于，所述形成阵列元件的步骤包括：
在第一基板上形成缓冲层；
在缓冲层上采用多晶硅形成半导体层；
在半导体层上形成栅绝缘层和栅极；
在栅极上形成第一钝化层；以及
贯穿所述栅绝缘层和第一钝化层并在半导体层上形成源极和漏极。
29、根据权利要求28所述的制造方法，其特征在于，还包括：
在漏极上形成的第二钝化层；以及
形成贯穿第二钝化层且连接到漏极的连接电极。
30、根据权利要求27所述的制造方法，其特征在于，所述形成阵列元件的步骤包括：
在第一基板上形成栅极和栅绝缘层；
在栅绝缘层上采用非晶硅形成半导体层；以及
在半导体层上形成彼此间隔预定距离的源极和漏极。
31、根据权利要求30所述的制造方法，其特征在于，还包括：
在源极和漏极上形成钝化层；以及
形成贯穿钝化层且连接到漏极上的连接电极。
32、根据权利要求27所述的制造方法，其特征在于，在所述形成第二电极的步骤之前还包括在第一电极上形成由有机材料或无机材料构成的衬垫料。
33、根据权利要求31所述的制造方法，其特征在于，还包括在所述衬垫料上涂敷导电材料。
34、根据权利要求33所述的制造方法，其特征在于，在所述衬垫料上的导电材料不覆盖有机电致发光层。
35、根据权利要求27所述的制造方法，其特征在于，在所述形成第二电极的步骤之后还包括在第二电极上形成由导电材料构成的导电衬垫料。
36、根据权利要求27所述的制造方法，其特征在于，所述形成的有机电致发光层的步骤包括：
在第二基板上设置掩模，该掩模具有透射部分和遮光部分；以及
通过掩模的透射部分在第二基板的第一部分上沉积有机电致发光材料。
37、根据权利要求36所述的制造方法，其特征在于，还包括在第二基板的第一部分上沉积有机电致发光材料后移动所述掩模，并且通过掩模的透射部分在第二基板的第二部分上沉积有机电致发光材料。
38、根据权利要求36所述的制造方法，其特征在于，在所述在第二基板上沉积有机电致发光材料的步骤之前还包括形成绝缘堤，并沉积有机电致发光材料使得所述有机电致发光材料与堤的边缘接触。
39、根据权利要求38所述的制造方法，其特征在于，还包括在堤上形成隔离体使得所述隔离体不与有机电致发光材料接触。
40、根据权利要求27所述的制造方法，其特征在于，所述第一和第二电极其中之一包括透明导电电极材料，并且第一和第二电极中的另一个包括不透明导电电极材料。
41、根据权利要求27所述的制造方法，其特征在于，在所述形成隔离体的步骤之前还包括形成绝缘堤。
42、根据权利要求41所述的制造方法，其特征在于，还包括形成隔离体或者堤至少之一使得隔离体或堤至少之一隔离邻近子像素的第一电极。
43、根据权利要求27所述的制造方法，其特征在于，在所述形成有机电致发光材料的步骤之前还包括形成隔离体。
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