[go: up one dir, main page]

CN1692498A - 摄像装置及其制造方法 - Google Patents

摄像装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1692498A
CN1692498A CNA2003801006541A CN200380100654A CN1692498A CN 1692498 A CN1692498 A CN 1692498A CN A2003801006541 A CNA2003801006541 A CN A2003801006541A CN 200380100654 A CN200380100654 A CN 200380100654A CN 1692498 A CN1692498 A CN 1692498A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor substrate
back side
light
fop
cavity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2003801006541A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100409446C (zh
Inventor
小林宏也
村松雅治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Publication of CN1692498A publication Critical patent/CN1692498A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100409446C publication Critical patent/CN100409446C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
    • H01J37/224—Luminescent screens or photographic plates for imaging; Apparatus specially adapted therefor, e. g. cameras, TV-cameras, photographic equipment or exposure control; Optical subsystems specially adapted therefor, e. g. microscopes for observing image on luminescent screen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/804—Containers or encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/50—Encapsulations or containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2443—Scintillation detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2445—Photon detectors for X-rays, light, e.g. photomultipliers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/15165—Monolayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

该发明涉及具有在FOP与CCD读取部接合时难以静电破坏的构造的摄像装置等，该摄像装置具有：在与作为光入射面的背面相对的前面上设置有CCD读取部的半导体基板；具有固定半导体基板的空腔的封装；覆盖空腔的上部开口的盖子；与半导体基板接合的FOP；和电气布线。盖子具有用于将FOP插入空腔内的引导口，半导体基板中与设置有CCD读取部的区域相对应的部分进行薄型化。另外，半导体基板固定在该底面上，使得CCD读取部和空腔底面相对，另一方面，FOP的射出端面在从引导口插入空腔内的状态，与半导体基板的薄型化部分光学结合。

Description

摄像装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种组装有CCD读取部的摄像装置和其制造方法。
背景技术
在透射型电子显微镜中，适用装入了作为观察和记录电子束图像的部件而由电荷耦合元件所构成的电荷读取部(下面称为CCD读取部)的摄像装置。由于CCD读取部能够将图像记录为电子信息，所以近些年来这样的装入CCD读取部的摄像装置得到广泛的普及。
作为已有的摄像装置，已经知道例如特开2000-324400号公报所记载那样的摄像装置。该摄像装置如图1那样，具有：闪烁器107、半导体基板109、纤维光学板108(下面称为FOP)、CCD读取部用控制部110和计算机111等。所述闪烁器107如果照射电子束就发光。所述半导体基板109配置在闪烁器107之下，具有用于摄像二维光图像的CCD读取部。所述FOP108配置在闪烁器107和半导体基板109之间，为了将光图像搬送到半导体基板109而与半导体基板109光学结合。所述CCD读取部用的控制部110控制CCD读取部。另外，所述计算机111装入CCD读取部，将摄像数据变换为图像，显示该变换图像。
而且，在图1中，101是电子枪，102是照射透镜系统，103是试料，104、105是物镜系统，106是荧光板，112是电子束遮挡板，115a、115b是电子束遮挡部件，200是由FOP108和半导体基板109构成的电子束摄像装置。
发明内容
发明者们对于上述现有技术进行讨论，结果发现下面这样的问题。即，在特开2000-324400号公报所记载的现有的摄像装置中，相对闪烁器107所发出的光，由透明粘合剂等光学结合FOP108的光射出端面和半导体基板109。但是，在接合FOP108和半导体基板109的工序中，成品率没有提高到一定水平以上。
发明者们对应该进一步提高该成品率进行了深刻研究，结果发现在接合FOP108和半导体基板109的工序中，会产生CCD读取部的静电破坏。即，可明白，作为绝缘材料的FOP108在处理过程中由于静电而带电，在FOP108和半导体基板109接合的瞬间，从FOP108向CCD读取部流动过剩电流，从而引起CCD读取部的静电破坏。
本发明是为了解决上述那样的问题作出的，其目的在于提供一种摄像装置和其制造方法，其具有在FOP和CCD读取部接合时难于静电破坏的构造。
本发明的摄像装置，包括：半导体基板，其具有由检测入射光的电荷耦合元件构成的电荷读取部(CCD读取部)；纤维光学板(FOP)，光射出端面与该半导体基板光学结合。所述半导体基板具有：作为光入射面的背面；设置有检测从该背面到达的光的CCD读取部的、与该背面相对的前面。而且，所述FOP是其光射出端面与半导体基板的背面接合，即，从FOP射出的光在从背面通过半导体基板后，到达设置在前面的CCD读取部。
在本发明的摄像装置中，由于所述那样的FOP和CCD读取部不直接接触，所以在FOP和半导体基板接合时，来自FOP的过剩电流不直接流动到CCD读取部，可有效地抑制CCD读取部的静电破坏。
在所述半导体基板的背面中的与设置有CCD读取部的前面区域对应的部分，接合FOP的光射出端面。该情况下，FOP的光射出端面和形成有CCD读取部的区域，将半导体基板夹在其间而重叠，所以从该FOP射出的光图像能够不剩余地由CCD读取部摄像。
所述半导体基板在背面中与设置有CCD读取部的区域相对应的部分形成凹槽，具有设置有该CCD读取部的区域的厚度比其它区域的厚度薄的构造。在该薄型化的部分嵌入FOP的一部分，由此半导体基板的背面和FOP的光射出端面接合。通过该构成，在从FOP射出的光直到由CCD读取部所检测而通过的半导体基板的厚度变薄，能够高灵敏度地检测更短波长的光。另外，通过形成薄型化的部分，在将FOP与半导体基板接合时可容易地定位。
优选，所述半导体基板的前面接合保护板，使得覆盖CCD读取部整体。通过该构成，保护CCD读取部不被污染等，同时机械地加强了半导体基板。
接着，本发明的摄像装置还可以具有半导体基板、封装、FOP、盖、电气布线。
所述半导体基板具有：作为光入射面的背面；和设置有由检测从该背面到达的光的电荷耦合元件所构成的CCD读取部的、与该背面相对的前面。该半导体基板在背面中的与设置有CCD读取部的区域对应的部分形成凹槽，具有配置着该CCD读取部的区域的厚度比剩余区域的厚度薄的构造。所述封装具有收纳半导体基板的空腔，使得该半导体基板的前面向着该空腔的底部而固定着该半导体基板。所述FOP至少一部分收纳在封装的空腔中，其光射出端面与半导体基板的背面接合。所述盖覆盖封装的空腔的上部开口。另外，为了FOP的至少一部分插入该空腔内，该盖具有引导口。而且，所述电气布线将从CCD读取部输出的电荷信号取出到封装外部。具体地说，该电气布线至少包括基板电极、封装侧布线、封装侧电极。基板侧电极设置在半导体基板的前面。封装侧布线设置在空腔底面，通过凸起与该基板侧电极电连接。封装侧电极设置在空腔的内壁上，通过接合线与封装侧布线电连接。
象以上这样，在本发明的摄像装置中，FOP的光射出端面与CCD读取部不直接接触，在将FOP与半导体基板接合时，过剩电流没有流到CCD读取部，所以可有效地抑制CCD读取部的静电破坏。
所述FOP其一部分嵌入在半导体基板的背面所形成的薄型化部分(凹槽)处，所以FOP的光射出端面与CCD读取部的距离缩短，能够高灵敏度地检测更短波长的光。另外，通过形成薄型化的部分，在FOP与半导体基板接合时容易定位。此外，由于能够缩短用于将所述CCD读取部的电荷信号取出到外部的电气布线，所以减少了布线电容，信号波形没有减弱。
此外，本发明的摄像装置，还可以具有半导体基板、封装、FOP、电气布线。
所述半导体基板具有：作为光入射面的背面；设置有由检测从该背面到达的光的电荷耦合元件构成的CCD读取部的、与该背面相对的前面，该半导体基板在背面中的与设置有CCD读取部的区域相对应的部分形成凹槽，具有配置着该CCD读取部的区域的厚度比剩余区域的厚度薄的构造。所述封装具有收纳半导体基板的空腔，同时，开口部分具有：由底盖覆盖的一方的面；与该一方的面相对、在开口部分安装具有引导口的引导部件的另一方的面。而且，在该封装中，在收纳着半导体基板的状态，固定该半导体基板，使得CCD读取部和底盖相对。所述FOP从引导部件的引导口至少一部分收纳在封装的空腔内。该FOP的光射出端面与半导体基板的背面中的厚度薄的区域接合。而且，所述电气布线将从CCD读取部输出的电荷信号向封装外部取出。具体地说，该电气布线至少包括基板侧电极、封装侧电极，基板侧电极设置在半导体基板的前面，封装侧电极设置在封装的内壁上，通过接合线与基板侧电极电连接。
象以上这样，所述FOP是其一部分嵌入在半导体基板的背面所形成的薄型部(凹槽)处，所以，缩短了FOP的光射出端面和CCD读取部的距离，能够高灵敏度地检测更短波长。另外，通过在半导体基板的背面形成薄型部，在将FOP与半导体基板接合时容易定位。另外，在封装的其他开口部分安装的引导部件上，设置引导口，该引导口具有在将FOP的至少一部分插入空腔内时作为基准部件的功能，在将FOP与半导体基板接合时容易定位。
由于所述布线构造能够缩短用于将CCD读取部的电荷信号向封装外部取出的电气布线，所以可减小布线电容，信号波形也没有减弱。
本发明的摄像装置的制造方法，分别准备半导体基板和FOP，将FOP的光射出端面与该半导体基板的背面接合。
所述半导体基板，象上述那样，具有：作为光入射面的背面；设置有由检测从该背面到达的光的电荷耦合元件构成的CCD读取部的、与该背面相对的前面。
象以上那样，在本发明的摄像装置的制造方法中，在接合FOP和半导体基板的工序中，CCD读取部和FOP的光射出端面不直接接触，防止了从FOP向CCD读取部流动过剩电流，而且，抑制了CCD读取部的静电破坏，提高了摄像装置的制造成品率。
而且，本发明的各个实施例通过下面的详细说明和附图能够更充分地理解。这些实施例仅仅是为了例示而表示，不应该考虑为限定本发明。
另外，本发明的应用范围由下面的详细说明可明白。但是，详细说明和特定事例表示了本发明的较佳实施例，仅仅是为了例示而表示，可明白，在本发明的思想和范围内的各种变形和改进，根据该详细说明，普通技术人员可明白。
附图说明
图1是表示现有的包含有摄像装置的电子显微镜的构造的图。
图2是表示本发明的摄像装置的第一实施例的截面构造的图。
图3A～图3D是用于说明第一实施例的摄像装置的制造方法的工艺图(其1)。
图4A～图4C是用于说明第一实施例的摄像装置的制造方法的工艺图(其2)。
图5是表示本发明的摄像装置的第二实施例的截面构造的图。
图6A～图6D是用于说明第二实施例的摄像装置的制造方法的工艺图(其1)。
图7A～图7D是用于说明第二实施例的摄像装置的制造方法的工艺图(其2)。
图8A～图8B是用于说明第二实施例的摄像装置的制造方法的工艺图(其3)。
图9是表示本发明的摄像装置的第三实施例的截面构造的图。
图10A～图10D是用于说明第三实施例的摄像装置的制造方法的工艺图(其1)。
图11A～图11D是用于说明第三实施例的摄像装置的制造方法的工艺图(其2)。
图12是用于说明第三实施例的摄像装置的制造方法的工艺图(其3)。
具体实施方式
下面，使用图2、3A～4C、5、6A～8B、9、11A～11D和12来详细说明本发明的摄像装置和其制造方法。而且，对图面的说明中的相同部位、相同元件赋予相同的符号，省略了重复说明。
(第一实施例)
图2是表示本发明的摄像装置的第一实施例的截面构造的图。在该第一实施例的摄像装置1中，具有CCD读取部4a的半导体基板4收纳在封装2的空腔2h中，半导体基板4和FOP5光学结合。
摄像装置1包括：封装2，具有由底面部2a和侧壁部2b所包围的空腔2h；覆盖该空腔2的开口的盖3；半导体基板4，在前面侧形成有CCD读取部4a，由硅等构成；FOP5，与该半导体基板4接合；电气布线6，将从CCD读取部输出的电荷信号向封装2的外部取出。
在盖3上形成用于将FOP5的至少一部分插入空腔2h中的引导口3a。
半导体基板4，通过在背面的与设置CCD读取部4a的前面区域对应的区域进行薄型化，形成薄型部4b。另外，该半导体基板4通过凸起6a固定到底面部2a，使得CCD读取部4a和底面部2a相对。
FOP5从引导口3a插入到空腔2h中，其一部分嵌入到薄型部4b中，从而FOP5的光射出端面5a与薄型部4b光学结合。
电气布线6包括设置在半导体基板4的前面的基板侧电极6b、设置在封装2的底面部2a上的封装侧布线6e、设置在侧壁部2b的台阶2c上的封装侧电极6c。
这里，基板侧电极6b和封装侧布线6e，利用倒装式接合通过设置在基板侧电极6b上的凸起6a电连接，封装侧布线6e和封装侧电极6c，通过接合线6d电连接(引线接合)。
另外，在将FOP5插入空腔2h内时具有作为基准部件之功能的引导部件7，包围引导口3a地配置在盖3上。而且，该摄像装置1的主要部分相当于图1所示的透射型电子显微镜的电子摄像装置200，FOP5的光入射端面5b与闪烁器等光学结合。
这里，优选，封装2和盖3由陶瓷等绝缘性材料形成。另外，优选，FOP5的光射出端面5a和半导体基板4的薄型部4b，由对闪烁器的发光波长是透明的、室温固化型的粘合剂(硅树脂)来光学结合。另外，优选，为了提高对短波长光的灵敏度，薄型部4b的厚度是10～30μm左右。
优选，所述CCD读取部4a具有与FOP5的光射出端面5a相同的平面形状，使得能够不剩余地检测在FOP5传播的光图像。FOP5的光射出端面5a具有正确地嵌入薄型部4b的形状，在半导体基板4的背面，在与形成CCD读取部4a的区域对应的部分，接合光射出端面5a。
此外，引导口3a是将FOP5的一部分插入空腔2h内时的入口，所以至少具有光射出端面5a以上的尺寸。另外，引导口3a周围所配置的引导部件7是在将FOP5的一部分插入空腔2h内时规定方向、将FOP5的光射出端面5a引导到薄型部4b的部件，所以，优选其壁面的尺寸精度为规定值以上。例如，FOP5的光射出端面5a具有35.7mm×8.7mm的尺寸，引导口3a具有35.9mm×8.9mm的开口尺寸。
象上述那样，该第一实施例的摄像装置1具有FOP5和CCD读取部4a不直接接触的构造，在FOP5与半导体基板4接合时，既使从FOP5向半导体基板4流动过剩电流，也可抑制CCD读取部4a的静电破坏。
另外，FOP5接合的薄型部4b的厚度仅仅是10～30μm左右，所以CCD读取部4a也能够检测从光射出端面5a射出的短波长的光。通过使得FOP5的光射出端面5a在没有缝隙的状态嵌入的方式形成薄型部4b，在将FOP5与半导体基板4接合时容易进行定位。
由于引导部件7具有在将FOP5的至少一部分插入空腔2h内时作为基准部件的功能，所以能够将FOP5正确插入到半导体基板4的薄型部4b中。另外，由于缩短了为了将CCD读取部4a的电荷信号向外部取出的电气布线6，所以电气布线6的布线电容变小，来自CCD读取部4a的信号波形没有减弱。
接着，说明例如该第一实施例的摄像装置1在为了摄像透射型电子显微镜(参照图1)的透过电子束像而适用时的操作。
电子束首先入射到设置在FOP5的光入射端面5b侧的闪烁器上，从闪烁器发出的光从光入射端面5b向着光射出端面5a传送到FOP5内。
从FOP5的光射出端面5a射出的光，从背面(没有形成CCD读取部4a的面)通过薄型部4b，到达设置在半导体基板4的前面侧的CCD读取部4a。到达CCD读取部4a的光进行光电变换，作为电荷积蓄到CCD读取部4a内。然后，该积蓄的电荷基于CCD控制信号依次读出。从CCD读取部4a读出的电荷信号由计算机等变换为图像。
接着，使用图3A～3D和图4A～图4C来说明摄像装置1的制造方法。
首先，在前面侧形成CCD读取部4a的半导体基板4(图3A)在形成有CCD读取部4a的区域的背面形成薄型部4b(图3B)。具体地说，使得成为薄型部4b的部分露出，周边区域由光致抗蚀剂等保护，通过各向异性蚀刻等将半导体基板4从背面进行薄型化，直到薄型部4b到达规定的厚度(10～30μm)。
而且，在半导体基板4的基板侧电极6b处形成由Au构成的凸起6a(图3C)。接着，该半导体基板4载置在陶瓷制成的封装2中，使得CCD读取部4a与底面部2a相对，凸起6a和封装侧布线6e倒装式接合，半导体基板4固定到封装2中(图3D)。
封装侧布线6e和设置在侧壁2b的台阶2c上的封装侧电极6c，通过接合线6d电连接(图4A)。之后，在规定位置安装了引导部件7的盖3安装到封装2上。(图4B)。
FOP5沿着引导部件7，通过在盖3上所形成的引导口3a插入封装2内部。此时，FOP5的光输出端面5a与薄型部4b光学结合(图4C)。最后，FOP5和引导口3a的缝隙由树脂密封，得到该第一实施例的摄像装置1。
象以上那样，如果根据第一实施例的摄像装置1的制造方法，在FOP5与半导体基板4接合的工序(图4C)中，由于FOP5的光射出端面5a与CCD读取部4a不直接接触，所以，既使FOP5带电，也没有从FOP5向CCD读取部4a直接流动过剩电流。为此，可抑制CCD读取部4a的静电破坏，提高了摄像装置1的制造成品率。
(第二实施例)
下面，使用图5来说明本发明的摄像装置的第二实施例的构成。该第二实施例的摄像装置20具有与所述第一实施例大致相同的构造，但是，不同之处在于，在封装2的空腔2h内收纳了用于冷却CCD读取部4a的珀耳帖元件8、在半导体基板4的前面(形成CCD读取部4a的面)上粘合保护板9、引导部件12兼作第一实施例的盖3(图2)。而且，该第二实施例的摄像装置20的主要部分，相当于图1所示的电子束摄像装置200，能够适用到图1的透射型电子显微镜等中。
摄像装置20具有：封装2、珀耳帖元件8、半导体基板4、保护板9、凸起6a、辅助基板10、树脂11、电气布线6。
所述封装2具有由底面部2a和侧壁部2b所包围的空腔2h。所述珀耳帖元件8在底面部2a和发热面8b相接的状态固定到底面部2a上。配置所述半导体基板4，使得形成CCD读取部4a的前面面对珀耳帖元件8的冷却面8a。所述保护板9与半导体基板4的前面粘合，使得覆盖形成CCD读取部4a的区域。在该前面的周边部设置凸起6a。所述辅助基板10是与凸起6a连接、插设在该凸起6a和冷却面8a之间的基板，粘合在冷却面8a的端部附近。所述树脂11填充保护板9和冷却面8a之间的空间。而且，所述电气布线6将从CCD读取部4a输出的电荷信号向封装2的外部取出。
在半导体基板4的背面中与形成CCD读取部4a的前面区域相对应的部分进行薄型化(薄型部4b)。另外，从作为封装2的盖的引导部件12的引导口12a将FOP5的一部分插入空腔2h中，FOP5的光射出端面5a与薄型部4b光学结合。
来自CCD读取部4a的电荷信号，通过基板侧电极6b、凸起6a、在辅助基板10上形成的电路、和连接辅助基板10和设置在侧壁部2b的台阶2c上的封装侧电极6c的接合线6d而读出。另外，在辅助基板10和半导体基板4之间的间隙中，填充凸起保护树脂13。
这里，优选，封装2由陶瓷等绝缘性材料形成。另外，FOP5的光射出端面5a和半导体基板4的薄型部4b，优选，通过对闪烁器的发光波长透明的、室温固化型的粘合剂(硅树脂)等光学结合。
优选，为了提高对短波长光的灵敏度，薄型化的薄型部4b的厚度是10～30μm左右。
优选，为了能够不剩余地检测在FOP5内传送的光图像，CCD读取部4a具有与FOP5的光射出端面5a相同的形状。另外，FOP5的光射出端面5a优选具有可正确嵌入薄型部4b的形状。
由于引导口12a是规定了将FOP5插入封装2的内部时的方向、将FOP5的光射出端面5a导向薄型部4b的部件，所以，优选，其壁面的尺寸精度为规定值以上。
另外，辅助基板10只要能够支持半导体基板4就可，不特别限定材质。作为辅助基板10的材料，例如适用硅、玻璃、塑料等比较硬的材料。辅助基板10具有将来自CCD读取部4a的电荷信号传播到接合线6d的功能，所以优选在辅助基板10的表面设置适当的电气布线。
为了促进珀耳帖元件8的冷却面8a和CCD读取部4a之间的热交换，优选，例如树脂11由环氧树脂构成。另外，保护板9保护CCD读取部4a免于污染，同时，为了机械加强半导体基板4，优选，例如保护板9由玻璃构成。
象以上这样，该第二实施例的摄像装置20具有FOP5和CCD读取部4a不直接接触的构造。为此，在FOP5与半导体基板4接合时，既使从FOP5向半导体基板4流动过剩电流，也可以抑制CCD读取部4a的静电破坏。
另外，由于接合FOP5的薄型部4b的厚度仅10～30μm左右，所以CCD读取部4a也能够检测从光射出端面5a射出的短波长的光。通过形成薄型部4b，使得FOP5的光射出端面5a以没有缝隙的状态嵌入，从而在将FOP5与半导体基板4接合时容易定位。
引导部件12具有在将FOP5的至少一部分插入空腔2h内时作为基准部件的功能，所以FOP5能够与半导体基板4的薄型部4b正确接合。另外，由于在半导体基板4的形成有CCD读取部4a的前面接触玻璃等保护板9，所以可保护CCD读取部4a免于污染等，同时，可机械加强半导体基板。
此外，由于通过珀耳帖元件8来冷却CCD读取部4a，所以可提高CCD读取部4a的S/N比。另外，由于缩短了用于将CCD读取部4a的电荷信号向外部取出的电气布线6，所以可减小电气布线6的布线电容，来自CCD读取部4a的信号波形没有减弱。
接着，使用图6A～6D、图7A～7D和图8A～8B来说明该第二实施例的摄像装置20的制造方法。
首先，在前面侧形成CCD读取部4a的半导体基板4(图6A)，在背面中的与形成有CCD读取部4a的区域对应的部分形成薄型部4b(图6B)。而且，在半导体基板4的基板侧电极6b处形成由Au构成的凸起6a(图6C)。
如果形成凸起6a，就倒装式接合半导体基板4和辅助基板10(图6D)。之后，为了保护凸起6a，在半导体基板4和辅助基板10的间隙中填充硅树脂等凸起保护树脂13(图7A)。
在形成有CCD读取部4a的半导体基板4的前面，贴附由玻璃薄板等构成的保护板9，在由辅助基板10和保护板9形成的空间中填充由环氧树脂等构成的树脂11(图7B)。
此外，在安装在封装2的底面部2a上的珀耳帖元件8的冷却面8a上，通过包含Ag填料的环氧树脂等，粘结辅助基板10和树脂11(图7C)。通过这样，半导体基板4收纳在空腔2h内。接着，通过由Au构成的接合线6d，辅助基板10和设置在侧壁部2b的台阶2c上的封装侧电极6c之间电连接(图7D)。
如果将FOP5插入空腔2h内时成为基准部件的引导部件12嵌入封装2中，就在半导体基板4的薄型部4b涂覆由对闪烁器的光具有透明性质的硅树脂等构成的室温固化型粘合剂(图8A)。然后，FOP5的一部分从引导部件12的引导口12a插入空腔2h内，FOP5的光射出端面5a和薄型部4b光学结合(图8B)。之后，由树脂密封FOP5和引导口12a的缝隙，由此得到该第二实施例的摄像装置20。
象以上这样，如根据该第二实施例的摄像装置20的制造方法，在FOP5与半导体基板4接合的工序(图8B)中，光射出端面5a和CCD读取部4a没有直接接触，既使FOP5带电，从FOP5到CCD读取部4a也没有直接流动过剩电流。为此，可抑制CCD读取部4a的静电破坏，提高摄像装置的制造成品率。
(第三实施例)
下面，使用图9来说明本发明的摄像装置的第三实施例的构成。
该第三实施例的摄像装置30中，封装2的形状与第一实施例是不同的。该第三实施例的封装2在相对的两个面上具有开口。下面，将在封装2的底面所形成的开口部分称为底面开口2g，将在封装2的上端面所形成的开口部分称为顶板开口2f。另外，该第三实施例中，底面开口2g由底盖2d覆盖，半导体基板4与该底盖2d连接。在形成有CCD读取部4a的半导体基板4的前面接触保护板9，这一点与第一实施例不同。
而且，该第三实施例的摄像装置30的主要部分相当于图1所示的电子束摄像装置200，能够适用于图1的透射型电子显微镜等。
在摄像装置30中，封装2在相对的2个面上具有开口2f、2g。换言之，封装2由顶板2e和侧壁部2b所构成，在底面上没有底地形成底面开口2g。另外，在封装2的上端面上，设置有在中央部形成顶板开口2f的顶板2e。
该封装2的底面开口2g由底盖2d覆盖，在前面侧形成有CCD读取部4a的半导体基板4固定到该底盖2d上，由此收纳在封装2的空腔内。另外，FOP5的至少一部分从顶板开口2f插入封装2内部，与半导体基板4接合。此外，摄像装置30具有将从CCD读取部4a输出的电荷信号向封装2的外部取出的电气布线6。
半导体基板4的背面中的与形成有CCD读取部4a的前面区域对应的部分进行薄型化(薄型部4b)。CCD读取部4a和底盖2d相互相对地通过保护板9固定到底盖2d上，具有包围顶板开口2f的周围那样的开口的隔板14，配置在半导体基板4和顶板2e之间。
在封装2的顶板开口2f中安装具有引导口7a的引导部件7，FOP5的至少一部分从该引导口7a插入封装2内，其光射出端面5a与薄型部4b光学结合。
电气布线6包括：设置在半导体基板4的前面的基板侧电极6b、设置在侧壁部2b的台阶2c上的封装侧电极6c，这些基板侧电极6b和封装侧电极6c通过接合线6d电连接。
象以上这样，该第三实施例的摄像装置30具有FOP5和CCD读取部4a不直接接触的构造。为此，在FOP5与半导体基板4接合时，既使从FOP5向半导体基板4流动过剩电流，也可抑制CCD读取部4a的静电破坏。
另外，接合FOP5的薄型部4b的厚度仅10～30μm左右，所以，CCD读取部4a也能够检测从光射出端面5a射出的短波长的光。通过使得FOP5的光射出端面5a以没有间隙的状态嵌入的方式形成薄型部4b，在将FOP5与半导体基板4接合时容易定位。
由于在半导体基板4的形成CCD读取部4a的前面接触玻璃等保护板9，所以可保护CCD读取部4a免于污染等，同时机械地加强了半导体基板。
此外，由于缩短了用于将CCD读取部4a的电荷信号向外部取出的电气布线6，所以布线电容变小，信号波形没有减弱。
由于在半导体基板4的背面和封装2的顶板2e之间配置隔板14，所以两者的间隔可保持一定。
接着，使用图10A～10D、图11A～11D和图12来说明该第三实施例的摄像装置30的制造方法。
首先，在前面侧形成有CCD读取部4a的半导体基板4(图10A)中，在背面中与形成有CCD读取部4a的前面区域相对应的部分，形成薄型部4b(图10B)。接着，用于固定半导体基板4的陶瓷制的隔板14，由包括Ag填料的环氧树脂粘结到封装2的顶板2e上(图10C)。
以CCD读取部4a向下的状态将半导体基板4通过包含Ag填料的环氧树脂等粘结到隔板14上(图10D)。之后，作为玻璃等薄板的保护板9由环氧树脂等粘结到半导体基板4的前面，使得覆盖形成有CCD读取部4a的区域(图11A)。
接着，设置在半导体基板4的前面(形成有CCD读取部4a的面)上的基板侧电极6b和设置在侧壁部2b的台阶2c上的封装侧电极6c，通过接合线6d电连接(图11B)。
陶瓷制的底盖2d通过硅树脂等构成的室温固化型粘合剂，粘结到封装2和保护板9上(图11C)。通过这样，底盖2d和保护板9变为能够导热的状态，能够通过底盖9冷却CCD读取部4a。
在薄型部4b上涂覆由硅树脂构成的室温固化型粘合剂，同时，在将FOP5的一部分插入封装2内时作为定位部件而发挥作用的引导部件7，安装在设置在顶板2e上的开口2f中(图11D)。之后，FOP5从引导部件7的引导口7a插入封装2内，FOP5的光射出端面5a和薄型部4b光学结合(图12)。之后，FOP5和引导口7a的缝隙由树脂密封，得到该第三实施例的摄像装置30。
象以上这样，如根据该第三实施例的摄像装置30的制造方法，在FOP5与半导体基板4接合的工序(图12)中，由于光射出端面5a和CCD读取部4a没有直接接触，既使FOP5带电，从FOP5到CCD读取部4a也没有直接流动过剩电流。为此，可抑制CCD读取部4a的静电破坏，提高了摄像装置的制造成品率。
从以上本发明的说明，可理解，可将本发明进行各种变形。不能认为这样的变形脱离了本发明的思想和范围，对于所有的本领域普通技术人员显而易见的改进，都包括在下面的权利要求的范围内。
产业上的可利用性
如根据以上这样的本发明，得到了摄像装置和其制造方法，其具有在FOP和CCD读取部接合时难于静电破坏CCD读取部的构造。另外，由于接合FOP的薄型部的半导体基板的厚度仅10～30μm左右，所以该CCD读取部也能够检测从光射出端面射出的短波长的光。另外，通过形成半导体基板的薄型部，使得FOP的光射出端面不松弛地嵌入，在将该FOP与半导体基板接合时容易定位。

Claims (7)

1.一种摄像装置，其特征在于，包括：
半导体基板，其具有：作为光入射面的背面、和设置有由检测从该背面到达的光的电荷耦合元件构成的电荷读取部的、与该背面相对的前面；和
纤维光学板，其具有与所述半导体基板的所述背面接合的光射出端面。
2.根据权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
所述纤维光学板的所述光射出端面，与所述半导体基板的所述背面中的与设置有所述电荷读取部的区域对应的部分接合。
3.根据权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
所述半导体基板具有设置有所述电荷读取部的区域的厚度比其它区域的厚度还薄的构造，而且，
所述纤维光学板的光射出端面与所述半导体基板的厚度变薄的部分接合。
4.根据权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
在所述半导体基板的前面接合保护板，使得覆盖所述电荷读取部。
5.一种摄像装置，其特征在于，包括：
半导体基板，其具有作为光入射面的背面、设置有由检测从该背面到达的光的电荷耦合元件构成的电荷读取部的、与该背面相对的前面，该半导体基板具有配置有该电荷读取部的区域的厚度比其它区域的厚度还薄的构造；
封装，其具有收纳所述半导体基板的空腔，以该半导体基板的前面与该空腔底部相对的方式固定该半导体基板；
纤维光学板，具有在至少一部分收纳在所述封装的空腔中的状态下，与所述半导体基板的所述背面接合的光射出端面；
盖子，覆盖所述封装的空腔的上部开口，具有用于将所述纤维光学板的至少一部分插入该空腔内的引导口；和
电气布线，用于将从所述电荷读取部输出的电荷信号向所述封装外部取出，包括：设置在所述半导体基板的前面的基板侧电极；设置在所述空腔底面上的、通过设置在所述基板侧电极上的凸起与该基板侧电极电连接的封装侧布线；以及设置在所述空腔的内壁上的、由接合线与所述封装侧布线电连接的封装侧电极。
6.一种摄像装置，其特征在于，包括：
半导体基板，其具有作为光入射面的背面、设置有由检测从该背面到达的光的电荷耦合元件构成的电荷读取部的、与该背面相对的前面，该半导体基板具有配置有该电荷读取部的区域的厚度比其它区域的厚度还薄的构造；
封装，其具有收纳所述半导体基板的空腔，同时，具有由底盖覆盖开口部分的一个面、和与该一个面相对的、在开口部分安装具有引导口的引导部件的另一个面，在收纳所述半导体基板的状态下，以使得所述电荷读取部和所述底盖相对的方式固定该半导体基板；
纤维光学板，从所述引导部件的引导口其至少一部分收纳在所述封装的空腔内，其光射出端面与所述半导体基板的背面中的厚度薄的区域接合；和
电气布线，用于将从所述电荷读取部输出的电荷信号向所述封装外部取出，包括：设置在所述半导体基板的前面的基板侧电极；设置在所述封装的内壁上的、通过接合线与所述基板侧电极电连接的封装侧电极。
7.一种摄像装置的制造方法，其特征在于，包括：
准备半导体基板，该半导体基板具有：作为光入射面的背面、和设置有由检测从该背面到达的光的电荷耦合元件构成的电荷读取部的、与该背面相对的前面；
准备纤维光学板；而且
将所述纤维光学板的光射出端面与所述半导体基板的所述背面接合。
CNB2003801006541A 2002-10-09 2003-10-08 摄像装置及其制造方法 Expired - Lifetime CN100409446C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002296543A JP4227389B2 (ja) 2002-10-09 2002-10-09 撮像装置及びその製造方法
JP296543/2002 2002-10-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1692498A true CN1692498A (zh) 2005-11-02
CN100409446C CN100409446C (zh) 2008-08-06

Family

ID=32089240

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2003801006541A Expired - Lifetime CN100409446C (zh) 2002-10-09 2003-10-08 摄像装置及其制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7550811B2 (zh)
EP (2) EP1883111B1 (zh)
JP (1) JP4227389B2 (zh)
CN (1) CN100409446C (zh)
AU (1) AU2003272948A1 (zh)
DE (1) DE60335283D1 (zh)
WO (1) WO2004034471A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102637571A (zh) * 2011-02-14 2012-08-15 Fei公司 用于带电粒子显微术中的检测方法
CN104303303A (zh) * 2012-05-18 2015-01-21 浜松光子学株式会社 固体摄像装置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SI3091011T1 (en) * 2006-04-07 2018-06-29 Vertex Pharmaceuticals Incorporated Modulators of ATP conveyor belt conveyors
KR100800476B1 (ko) * 2006-07-11 2008-02-04 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법과 반도체 모듈 및 그제조방법
US7675131B2 (en) * 2007-04-05 2010-03-09 Micron Technology, Inc. Flip-chip image sensor packages and methods of fabricating the same
DE102008001675A1 (de) * 2008-05-09 2009-11-12 Robert Bosch Gmbh Kameramodul mit verbessertem Kühlkonzept
JP2010093752A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Sony Corp 固体撮像素子及び信号処理システム
JP2010093754A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Sony Corp 固体撮像素子及び信号処理システム
DE102009009602A1 (de) * 2008-10-27 2010-04-29 Ifg - Institute For Scientific Instruments Gmbh Spektralauflösende elektronische Röntgenkamera
JP5464133B2 (ja) * 2010-11-29 2014-04-09 株式会社島津製作所 撮像装置の製造方法
US9046426B1 (en) * 2012-06-15 2015-06-02 The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration Modular apparatus and method for attaching multiple devices
JP6083554B2 (ja) * 2012-08-07 2017-02-22 国立大学法人静岡大学 撮像モジュール
JP5600722B2 (ja) * 2012-11-02 2014-10-01 株式会社堀場製作所 放射線検出器、放射線検出装置、及びｘ線分析装置
JP6300442B2 (ja) * 2013-01-18 2018-03-28 オリンパス株式会社 光伝送モジュールおよび撮像装置
JP2015096882A (ja) * 2013-11-15 2015-05-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および投射型表示装置
JP6285577B2 (ja) * 2015-01-15 2018-02-28 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 撮像検出器モジュールアセンブリ
JP2020088066A (ja) 2018-11-20 2020-06-04 キヤノン株式会社 電子部品および機器
US11355659B2 (en) 2019-11-27 2022-06-07 Xintec Inc. Chip package and manufacturing method thereof

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62189883A (ja) * 1986-02-17 1987-08-19 Matsushita Electronics Corp 固体撮像装置
US4760031A (en) * 1986-03-03 1988-07-26 California Institute Of Technology Producing CCD imaging sensor with flashed backside metal film
JPH06196680A (ja) * 1992-12-22 1994-07-15 Hamamatsu Photonics Kk 半導体エネルギー検出器とその製造方法
JPH09199699A (ja) * 1996-01-12 1997-07-31 Hitachi Ltd 薄膜イメージセンサ
JPH11188033A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Hamamatsu Photonics Kk 歯科用ｘ線像撮像装置および歯科用ｘ線像撮像装置用モジュール
JP4005704B2 (ja) * 1998-07-14 2007-11-14 浜松ホトニクス株式会社 Ｘ線パネルセンサ
JP2000324400A (ja) 1999-05-13 2000-11-24 Hitachi Ltd 電子線像撮像装置及び電子顕微鏡
JP4562875B2 (ja) * 2000-07-17 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102637571A (zh) * 2011-02-14 2012-08-15 Fei公司 用于带电粒子显微术中的检测方法
CN104303303A (zh) * 2012-05-18 2015-01-21 浜松光子学株式会社 固体摄像装置
CN104303303B (zh) * 2012-05-18 2017-04-12 浜松光子学株式会社 固体摄像装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1557885A4 (en) 2005-12-28
EP1557885A1 (en) 2005-07-27
CN100409446C (zh) 2008-08-06
WO2004034471A1 (ja) 2004-04-22
EP1557885B1 (en) 2010-12-08
US7550811B2 (en) 2009-06-23
JP4227389B2 (ja) 2009-02-18
EP1883111A3 (en) 2008-12-10
US20060240586A1 (en) 2006-10-26
EP1883111A2 (en) 2008-01-30
DE60335283D1 (de) 2011-01-20
AU2003272948A1 (en) 2004-05-04
EP1883111B1 (en) 2015-04-22
JP2004134527A (ja) 2004-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1692498A (zh) 摄像装置及其制造方法
CN1218203C (zh) 光学模块及其制造方法、半导体装置以及光传递装置
US6784409B2 (en) Electronic device with encapsulant of photo-set resin and production process of same
CN1259024C (zh) 用于指纹识别的半导体装置
CN1225111C (zh) 小型摄像模块
US20080252771A1 (en) Camera module with compact packaging of image sensor chip and method of manufacturing the same
US7796188B2 (en) Compact image sensor package and method of manufacturing the same
US10714526B2 (en) Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
CN108293088B (zh) 光学装置及光学装置的制造方法
CN101065844A (zh) 固体摄像装置及其制造方法
WO2019198318A1 (ja) 撮像装置、電子機器、および撮像装置の製造方法
CN101056358A (zh) 相机模块
CN102239685A (zh) 照相机模块
CN108140648A (zh) 固态成像器件封装和制造方法，及电子装置
US10986292B2 (en) Solid-state image pickup device and electronic apparatus to increase yield
CN102025924A (zh) 固态成像装置和数字照相机
CN101211896A (zh) 影像感测模块
US9111826B2 (en) Image pickup device, image pickup module, and camera
JP2011120269A (ja) 撮像モジュールおよびその製造方法、電子情報機器
JP2011100903A (ja) 電子素子モジュールおよびその製造方法、電子素子ウエハモジュールおよびその製造方法、並びに電子情報機器
KR101109278B1 (ko) 고체 촬상 장치
WO2023032260A1 (ja) 半導体装置および電子機器
CN1893206A (zh) 半导体激光单元及光拾取装置
JP2006251577A (ja) カメラモジュール
EP4235769A1 (en) Imaging device, electronic apparatus, and method for manufacturing imaging device

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20080806