CN1591816A

CN1591816A - 基板处理装置及基板处理方法

Info

Publication number: CN1591816A
Application number: CNA2004100575931A
Authority: CN
Inventors: 高木善则; 水野博喜
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Skilling Group; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2003-09-05
Filing date: 2004-08-23
Publication date: 2005-03-09
Anticipated expiration: 2024-08-23
Also published as: JP2005085881A; CN1328780C; JP4080401B2; TWI244721B; KR100591568B1; KR20050024250A; TW200518256A

Abstract

本发明提供一种即使在基板大型化的情况下也能够很好地将基板吸附到基板安置部上的同时、可以很好地将吸附在基板安置部上的基板取下的基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置，在固定面的表面上形成栅格状的多个吸附槽(75)的每一个，在栅格结点(76)处连接。栅格结点(76)中的一部分与吸附孔(72)连通。吸附孔(72)经由配管与真空泵连通连接。端缘部升降销(71a)与中央部升降销(71b)，可独立地自由升降。由此，在固定面上不必设置大量的吸附孔，就可以将方形基板(W)的下表面的整个面吸附。此外，可以从方形基板(W)的中央部附近向端缘部方向将基板吸附在固定面上。

Description

基板处理装置及基板处理方法

技术领域

本发明涉及一种对半导体基板、液晶显示装置用玻璃基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板等(下面，简称为“基板”)实施规定的处理的基板处理装置及基板处理方法，特别是涉及将基板在基板安置部上吸附及解吸时的改进。

背景技术

在现有技术中，已知有将作为处理对象的基板吸附于吸附板上实施规定的处理的基板处理装置(例如专利文献1)。此外，在现有技术中，已知有这样的装置：在利用多个固定销支撑方形基板的同时，将基板在处理板和基板交接位置之间升降(例如专利文献2)。

专利文献1为特开平10-086085号公报，

专利文献2为特开平10-064982号公报。

但是，在专利文献1的装置中，当作为吸附对象的基板进一步大型化时，吸附板也进一步大型化。在这种情况下，为了在维持基板的吸附力的同时，用良好的吸附力吸附固定基板的整个面，有必要进一步增加穿透设置在吸附板上的吸附口的数目，从而增加了吸附板的制造成本。特别是，在吸附板是用石头等加工困难的材料构成的情况下，会相应地增加加工成本。

此外，在专利文献2的装置中，配置多个支撑基板端缘部附近的支撑销，但是支撑基板中央部附近的支撑销只配置有一个。因此，当将吸附到处理板上的基板的吸附部分中的、基板中央部附近的部分从处理基板上取下的情况下，不能给予基板以均匀的向上的力，不能很好地解除吸附。

此外，在专利文献2的装置中，不能使支撑基板端缘部附近的支撑销、和支撑基板中央部附近的支撑销单独升降。因此，由于基板的弯曲状态，例如在基板朝向上方成凸状的弯曲状态的情况下，存在基板中央部附近不能与处理板接触的情况，不能很好地将基板吸附于处理板上。

而且，在专利文献1及专利文献2的装置中，在作为吸附对象的基板安置在吸附板(或者处理板)上的位置偏移的情况下，不能调整使基板的位置在规定的范围内，不能实施良好的基板处理。

此外，即使安置在吸附板上的位置位于规定的范围内，如果解除吸附时基板的位置发生偏移，则会在位置产生偏移的状态下，由搬运单元搬运到后工序的处理单元，在未对位置偏移进行调整的状态下，将基板供应给后工序的处理单元。因此，根据位置偏移的量，在该后工序的处理单元中产生基板的处理不良。

发明内容

本发明的目的是提供一种即使在基板大型化的情况下、在将基板良好地吸附到基板安置部上的同时、可以很好地取下吸附到基板安置部上的基板的基板处理装置及基板处理方法。

为了解决上述课题，本发明所述的一种基板处理装置，对基板实施规定的处理，其中，包括：吸附装置，吸附固定在基板安置部的吸附面上安置的前述基板；升降装置，在前述吸附面的位置与前述吸附面的上方的基板交接位置之间使前述基板升降，具有：第一支撑部，支撑前述基板的端缘部附近并使其升降；第二支撑部，支撑前述基板的中央部附近，独立于前述第一支撑部而自由升降，前述吸附装置包括：多个吸附槽，设置在前述吸附面上，在整体上、或者划分成多个区域而在各个区域内相互连通；多个吸附孔，与前述多个吸附槽连接的同时，贯穿前述基板安置部；排气装置，与前述多个吸附孔连通连接，对前述吸附面附近进行排气，前述多个吸附槽中，用于前述基板端缘部附近的吸附的端缘部吸附槽彼此之间的槽间隔，比用于前述基板中央部附近的吸附的中央部吸附槽彼此之间的槽间隔窄。

此外，本发明如上所述的基板处理装置，其中，前述端缘部吸附槽相互连接，前述中央部吸附槽也相互连接，另一方面，前述端部部吸附槽与前述中央部吸附槽处于非连接状态，同时，前述排气装置具有：第一排气部，与前述多个吸附孔中的连通于前述端缘部吸附槽的端缘部吸附孔连接，将前述基板的端缘部附近和前述吸附面之间的空气排出；第二排气部，与前述多个吸附孔中的连通于前述中央部吸附槽的中央部吸附孔连接，独立于前述第一排气部，将前述基板的中央部附近与前述吸附面之间的空气排出。

此外，本发明如上所述的基板处理装置，其中，在还包括：惰性气体供应装置，与前述中央部吸附孔连通，经由前述中央部吸附孔及前述中央部吸附槽向前述吸附部供应惰性气体。

此外，本发明如上所述的基板处理装置，其中，前述多个吸附槽的各自的宽度在2.0mm以下。

此外，本发明如上所述的基板处理装置，其中，前述端缘部吸附槽中的至少一个被设置在从前述吸附面中与基板外周部对应的部分起的10.0mm以内的范围内。

此外，本发明如上所述的基板处理装置，其中，前述端缘部吸附槽中的另一个，被设置在从前述吸附面中与基板外周部对应的部分起的大于10.0mm而在30.0mm以下的范围内。

此外，本发明如上所述的基板处理装置，其中，前述中央部吸附槽彼此之间的槽间隔在100.0mm以下。

此外，本发明如上所述的基板处理装置，其中，还包括：细缝喷嘴，喷出规定的处理液；移动装置，为了对固定在前述吸附面上的前述基板的整个面喷出前述处理液，使前述细缝喷嘴相对于前述基板相对移动。

此外，本发明所述的一种基板处理装置，对基板实施规定的处理，其中，包括：基板安置部；校准装置，将前述基板安置部上安置的前述基板的位置调整到规定范围内；吸附装置，将前述基板吸附固定在基板安置部的吸附面上，具有：多个吸附槽，设置在前述吸附装置的吸附部的基板侧，在整体上、或者划分成多个区域而在各个区域内相互连通；多个吸附孔，与前述多个吸附槽连接的同时，贯穿前述基板安置部；排气装置，与前述多个吸附孔连通连接，对前述吸附面附近进行排气；惰性气体供应装置，与前述多个吸附孔连通，经由前述多个吸附孔及前述多个吸附槽向前述吸附部供应惰性气体，前述多个吸附槽中，用于前述基板端缘部附近的吸附的端缘部吸附槽彼此之间的槽间隔，比用于前述基板中央部附近的吸附的中央部吸附槽彼此之间的槽间隔窄。

此外，本发明所述的一种基板处理方法，通过使支撑基板的端缘部附近的第一支撑部和支撑前述基板的中央部附近的第二支撑部可分别独立地升降的升降装置，将前述基板吸附固定在基板安置部的吸附面上，其中，包括：(a)通过前述第一支撑部和前述第二支撑部使前述基板下降、使前述基板的中央部附近到达前述吸附面的工序；(b)在前述基板的中央部附近到达前述吸附面的时刻或者即将到达之前、开始前述吸附面附近的排气处理的工序；(c)在进行前述排气处理的同时、通过前述第二支撑部使前述基板下降、使前述基板的端缘部附近到达前述吸附面的工序。

此外，本发明所述的一种基板处理方法，通过排气装置对基板安置部的吸附面附近进行排气，从而将吸附固定在前述固定面上的基板解吸，其中，包括：(a)将前述排气装置大气释放、使前述吸附面附近为大致大气压的状态的释放工序；(b)在前述释放工序之后、向前述基板下表面与前述吸附面之间供应惰性气体的工序；(c)将安置在前述基板安置部上的前述基板的位置调整到规定范围内的调整工序。

根据本发明，可以使第一支撑部和第二支撑部独立地下降。由此，可以从基板的中央附近向着端缘部方向，将基板吸附到吸附面上。因此，即使对于具有翘曲和起伏的基板，也可以在吸附面上没有挠曲地可靠吸附。

此外，根据本发明，通过使端缘部吸附槽彼此间的槽间隔比中央部吸附槽彼此间的槽间隔窄，可以提高翘曲及起伏的影响大的基板端缘部的吸附力。因此，能够在短时间内可靠地吸附基板。

此外，根据本发明，在吸附面的基本上整个面上设置有多个吸附槽。由此，不必在吸附面上设置多个吸附孔，就可以进行基板的整个面的吸附。因此，在基板安置部上无需设置多个贯通孔，可以降低制造成本。

进而，根据本发明，由于能够独立地升降第一支撑部和第二支撑部，所以，可以根据基板的翘曲状况调整第一支撑销和第二支撑销的的高度位置，可以将基板可靠地吸附到基板安置部上。

特别是，根据本发明，可以分别独立地实施基板中央部附近的吸附处理及基板端缘部附近的吸附处理。因此，可以进一步高效率地进行基板的吸附处理。

特别是，根据本发明，通过在原样吸附基板端缘部附近不变的情况下，将基板中央部附近大气释放的同时，向基板中央部附近的下表面和吸附面之间供应惰性气体，从而可以在原样吸附基板的端缘部附近的情况下，解除基板中央部附近的吸附状态。因此，可以在防止基板的位置在吸附面上偏移的同时，迅速地将基板从吸附面上除去。

此外，根据本发明，通过大气释放的同时，向基板中央部附近的下表面和吸附面之间供应惰性气体，可以解除基板的吸附状态及固定状态。因此，在利用升降装置除去基板时，可以防止由于产生基板中央部附近的剥离带电造成的对形成在基板上的配线图形的破坏。

根据本发明，即使在安置于基板安置部上的基板位置不在规定的范围内的情况下，由于可以利用校准装置调整位置，所以可以将基板吸附到规定的位置上。

此外，根据本发明，通过使端缘部吸附槽彼此间的槽间隔比中央部吸附槽彼此间的槽间隔狭窄，可以提高翘曲及起伏的影响大的基板端缘部的吸附力。因此，可以在短时间内可靠地将基板吸附。

此外，根据本发明，在吸附面的大致整个面上设置多个吸附槽。由此，在吸附面不必设置多个吸附孔，就可以进行基板的整个面的吸附。因此，无需在基板安置部上设置多个贯通孔，可以降低制造成本。

进而，根据本发明，通过在基板的下表面与吸附面之间供应惰性气体而取下吸附在吸附面上的基板时，即使在基板的位置在吸附面上偏移的情况下，也可以利用校准装置将基板的位置调整到规定的范围内。因此，在能够迅速地从吸附面上除去基板的同时，可以防止由于基板的位置偏移引起的在后工序的基板处理中发生的处理不良。

特别是，根据本发明，通过使吸附槽的宽度在2.0mm以下，可以很好地将基板吸附在吸附面上。

特别是，根据本发明，通过将端缘部吸附槽中的至少一个设置在从吸附面中与基板外周部对应的部分起的10.0mm以内的范围内，可以很好地将基板端缘部附近吸附到吸附面上。

特别是，根据本发明，通过将端缘部吸附槽中的至少一个设置在从吸附面中与基板外周部对应的部分起的10.0mm以内的范围内的同时，将前述端缘部吸附槽中的另一个，设置在从前述吸附面中与基板外周部对应的部分起的大于10.0mm、小于30.0mm的范围内，从而可以更良好地将基板端缘部附近吸附到吸附面上。

特别是，根据本发明，通过使中央部吸附槽彼此间的槽间隔在100.0mm以下，可以将基板中央部附近良好地吸附到吸附面上。

特别是，根据本发明，在从细缝喷嘴向基板的整个面上喷出处理液的基板处理中，由于能够可靠且迅速地将基板吸附到吸附面上，所以，可以很好地向基板的整个面上喷出处理液。

此外，根据本发明，可以独立地使第一支撑部和第二支撑部下降。由此，首先，(1)能够使基板的中央部附近到达吸附面而使其吸附，接着，(2)能够使基板的端缘部附近到达吸附面而使其吸附。因此，即使对于具有翘曲及起伏的基板，也可以在吸附面上没有挠曲地可靠吸附。

此外，根据本发明，即使通过向前述基板的下表面与吸附面之间供应惰性气体而使基板的位置偏移的情况下，也可以通过调整工序将基板的位置调整到规定范围内。因此，在能够将基板从吸附面上迅速解吸的同时，还可以防止由于基板的位置偏移引起的在后工序的基板处理中发生的处理不良。

附图说明

图1是表示本发明实施形式的基板处理装置的结构的一个例子的立体图；

图2是表示本发明第一实施形式的基板处理装置的结构的一个例子的俯视图；

图3是表示本发明实施形式的吸附部的结构的一个例子的俯视图；

图4是表示本发明第一实施形式的基板支撑部的结构的一个例子的侧视图；

图5是用于说明本发明第一实施形式的基板安置部中基板的吸附工序及提升工序的视图；

图6是用于说明本发明第一实施形式的基板安置部中基板的吸附工序及解吸工序的视图；

图7是用于说明本发明第一实施形式的基板安置部中基板的吸附工序及解吸工序的视图；

图8是表示本发明第二实施形式的基板支撑部的结构的一个例子的俯视图；

图9是表示本发明第二实施形式的基板安置部的结构的一个例子的侧视图；

图10是表示本发明第三实施形式的基板处理部的结构的一个例子的俯视图；

图11是用于说明本发明第三实施形式的基板安置部中基板的吸附工序及解吸工序的视图；

图12是用于说明本发明第三实施形式的基板安置部中基板的吸附工序及解吸工序的视图；

图13是用于说明本发明第三实施形式的基板安置部中基板的吸附工序及解吸工序的视图；

图14是表示本发明第三实施形式的基板处理部的结构的一个例子的俯视图。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施形式进行详细说明。

1、第一实施形式

1.1、基板处理装置的结构

图1是表示本发明实施形式的基板处理装置1的结构的一个例子的立体图。此外，图2是表示本发明实施形式的基板处理装置1的结构的一个例子的俯视图。此外，在图1和以后的各图中为了明确它们的方向关系，根据需要付与了将Z轴方向作为垂直方向、将XY平面作为水平平面的XYZ正交坐标系。

基板处理装置1，是一种将抗蚀剂涂敷到方形基板W上而在方形基板W的表面上形成抗蚀剂膜的装置，主要包括：安置处理对象基板的基板安置部3；向方形基板W上喷出抗蚀剂的细缝喷嘴41；吸附安置于基板安置部3上的方形基板W的吸附部70。

基板安置部3，具有作为吸附固定所安置的方形基板W用的固定台的功能。基板安置部3为大致长方形的石制物，其上面的固定面30及侧面被加工成平坦面。这样通过使基板安置部3为石制，可以减少基板安置部3的热膨胀，能够将方形基板W良好的吸附固定于基板安置部3上。

图3是表示本实施形式的吸附部的结构的一个例子的俯视图。此外，图4是表示本实施形式的基板支撑部的结构的一个例子的侧视图。如图2所示，吸附部70在石制的固定面30的大致中央部分，设置在基本上与水平方向平行的延伸的两个移动导轨31a之间，是用于将安置在基板安置部3上的方形基板W吸附固定在固定面30上的构件。如图3及图4所示，吸附部70主要包括：吸附孔72、吸附槽75(75a、75b)、在固定面30与基板交接位置之间使方形基板W升降的多个升降销71(71a、71b)。

吸附槽75(75a、75b)，是在吸附部70的上表面上、通过切削安置方形基板W侧的表面而形成的大致直线状的多个槽。吸附槽75设置成栅格状，在吸附时与方形基板W的下表面基本上整个面接触，槽的横截面具有大致正方形或大致长方形的形状。此外，各吸附槽75，在与之交叉的另外的吸附槽75的栅格结点76连接在一起，全部的吸附槽75在栅格结点76处连通。进而，如图3所示，吸附槽75上的栅格结点76中的一部分，与吸附孔72连通。

这里，如图4所示，吸附孔72是贯穿基板安置部3的多个通孔，部分78a的内径比部分78b的内径小。此外，各吸附孔72通过固定面30侧的开口部78c与吸附槽75上的栅格结点76连通，此外，各吸附孔72的下部，经由配管85与真空泵81连通连接。

由此，通过驱动真空泵81，可以经由吸附槽75、吸附孔72及配管85，在吸附部70的上表面附近、即吸附部70的上表面与方形基板W的下表面之间的空气排出。从而，不必在吸附部70的大致整个面上设置吸附孔72，就可以经由吸附槽75及吸附孔72将方形基板W的下表面附近排气。因此，不必在基板安置部3上设置大量的吸附孔72，就可以将方形基板W吸附到吸附部70上，可以降低基板安置部3的制造成本。这样，将设于固定面30上的吸附部70，作为吸附在基板安置部3上安置的方形基板W的吸附面而使用。

此外，在解除吸附到吸附部70上的方形基板W的吸附状态时，将真空泵81开放于大气，使吸附槽75附近与大气压大致相同，同时，使后面描述的端缘部升降销71a及中央部升降销71b的上端部上升，从而可以将方形基板W从吸附部70解吸。

这里，设定吸附槽75彼此之间的间隔，使得在方形基板W的端缘部附近形成的槽彼此的横向方向(Y轴方向)的间隔D3及纵向方向(X轴方向)的间隔D6，分别小于在方形基板W的中央部附近形成的槽彼此间的横向方向(Y方向)的间隔D2及纵向方向(X轴方向)的间隔D5(参照图3)。

此外，在形成于吸附部70的吸附槽75中，连接最外周部的四个吸附槽的环形槽(下面，也称之为“第一环形吸附槽”)75a与安置于固定面30上的规定范围内的方形基板W的外周部W1之间的距离D1、D4，分别被设定在10.0mm以下(优选在5mm以下)。进而，将从第一环形吸附槽75a看是基板中心部侧的吸附槽75的、和第一环形吸附槽的距离为D3或D6的四个吸附槽连接的环形槽(下面也称作“第二环形吸附槽”)75b，与方形基板W的外周部W1之间的距离(D1+D3)、(D4+D6)分别设定在30.0mm以下(优选为15mm以上且25mm以下)。

由此，与基板中央部附近的吸附力相比，可以加大易于受翘曲影响的基板端缘部的吸附力。因此，即使方形基板W的尺寸大型化，也能够迅速可靠地吸附在吸附部70上安置的方形基板W。

此外，在本实施形式中，为了很好地吸附在吸附部70上安置的方形基板W，并且，为了防止吸附部70中由于存在于吸附槽75内的空气的影响而在方形基板W的下表面侧产生温度分布，从而发生基板的处理不良，分别进行这样的设定：(1)吸附槽75的各自的槽宽(槽的横截面的水平宽度)在2.0mm以下(优选在0.5mm以下)，(2)与方形基板W的中央部附近对应的吸附槽75的槽间的间隔D2、D5在100.0mm以下(优选在50.0mm以下)，(3)吸附孔72的部分78a的内径在2.0mm以下(优选在0.5mm以下)。

升降销71，是在固定面30和基板交接位置之间在支撑方形基板W的同时进行升降的构件，由支撑方形基板W的端缘部附近的端缘部升降销71a和支撑方形基板W的中央部附近的中央部升降销71b构成。

端缘部升降销71a，如图3所示，在吸附部70中对应于方形基板W的端缘部的部分，具体地说，沿着第二环形吸附槽75配置有多个(在本实施形式中为16个)。此外，各端缘部升降销71a，如图4所示，插入到贯穿基板安置部3的通孔71c内而设置。此外，各端缘部升降销71a的下端部，与基部74a连接，各端缘部升降销71a的上端部被设定成基本上相同的高度。进而，基部74a与第一升降机构73a连动连接，沿着图中省略的导向部在上下方向(Z轴方向)上可升降地设置。

由此，通过驱动第一升降机构73a，各端缘部升降销71a的上端部能够在比固定面30低的位置和固定面30的上方位置之间上下移动。

中央部升降销71b，如图3所示，在吸附部70中对应于方形基板W的中央部的部分配置有多个(在本实施形式中为6个)。此外，各中央部升降销71b，与端缘部升降销71a相同，插入到贯穿基板安置部3的通孔71c中而设置(参照图4)。此外，各中央部升降销71b的上端部被设定成大致相同的高度。进而，基部74b与第二升降机构73b连动连接，沿着图中省略的导向部在上下方向(Z轴方向)上可升降地设置，该第二升降机构73b独立于第一升降机构73a而可自由驱动地设置。

由此，通过驱动第二升降机构73b，各中央部升降销71b的上端部，独立于端缘部升降销71a的上端部而能够升降，可以在比固定面30低的位置和固定面30的上方位置之间上下移动。

返回到图1及图2，在固定面30中，在隔着吸附部70的两个端部上，固定设置着沿大致水平方向平行延伸的一对移动导轨31a。移动导轨31a，和固定设置在桥接结构4的两个端部的支撑座31b一起，对桥接结构4的移动进行导向(将移动方向限定在规定的方向)，将桥接结构4支撑在固定面30的上方。

支撑座31b刚性结合于桥接结构4，如图2所示，与中央部相比，其两个侧面部的下端呈向下方伸出的形状(倒凹形)，该侧面部以从两侧夹持移动导轨31a的方式设置。由此限制了Y轴方向的移动，从而可以将桥接结构4的移动方向限定在沿着移动导轨31a的X轴方向。

设置桥接结构4，从基板安置部3的两侧部分大致水平地横跨固定面30的上方。桥接结构4，主要由以石墨纤维树脂为骨料的喷嘴支撑部40、和支撑其两端的升降机构43、44构成。这样，通过对作为桥接结构4的一部分的喷嘴支撑部40使用石墨纤维树脂制的骨料，可以使桥接结构4维持必要的强度，同时使之轻量化。因此，可以减轻为了使桥接结构4移动所需的驱动力。

如图2所示，在喷嘴支撑部40上安装有细缝喷嘴41。在沿水平Y方向延伸的细缝喷嘴41上，连接有包含向细缝喷嘴41供应药液的配管及抗蚀剂用泵的喷出装置(图中未示出)。细缝喷嘴41，利用抗蚀剂用泵送出抗蚀剂，通过在方形基板W的表面上进行扫描，在方形基板W的表面的规定区域中喷出抗蚀剂。

升降机构43、44分列在细缝喷嘴41的两侧，通过喷嘴支撑部40与细缝喷嘴41连接。升降机构43、44可使细缝喷嘴41在平移的过程中进行升降，同时也用于调整细缝喷嘴41在YZ平面内的姿势。

线性马达50、51是产生使喷嘴支撑部40沿X轴方向移动时的驱动力的构件。此外，由于设置在桥接结构4的相反侧的线性马达51和线性马达50具有基本上相同的结构，所以，这里对线性马达50进行说明。

线性马达50备有定子(stator)50a和动子50b，是这样的一种马达：利用定子50a和动子50b之间的相互电磁作用，产生使桥接结构4沿X轴方向移动用的驱动力。此外，由线性马达50产生的移动量和移动方向，可以由来自控制系统6的控制信号进行控制。定子50a固定设置在基板安置部3的侧面上，沿着桥接结构4的移动方向延伸，水平配置在比固定面30低的位置上。动子50b固定在桥接结构4侧，与定子50a非接触地相对而置。

这样，通过为了使桥接装置4移动而使用线性马达50、51，与利用步进马达和丝杠的情况相比，可以减少在装置内飞散的油等的灰尘发生量。此外，由于线性马达50、51结构比较简单，所以，可以简化基板处理装置1的结构。

控制系统6，如图1所示，在内部具有按照程序处理各种数据的运算部60、保存程序及各种数据的存储部61。此外，在前面，配备有操作者对基板处理装置1输入必要的指示用的操作部62、以及显示各种数据的显示部63。此外，控制系统6，利用图中未示出的电缆与附属于基板处理装置1的各个装置连接。因此，控制系统6，根据来自操作部62和各种传感器等的信号，能够控制工作台3、桥接结构4、升降机构43、44、以及线性马达50、51等各构成。

此外，具体地说，作为存储部61，可以采用暂时存储数据的RAM，只读用的ROM、以及磁盘装置等，也可以是移动式光磁盘及存储卡等存储介质，以及它们的读取装置等。此外，操作部62是按钮及开关类(包括键盘和鼠标等)，但也可以像触摸屏显示器那样，兼具显示部63的功能。显示部63可以采用液晶显示器及各种灯等。

1.2、基板处理装置的基板的吸附、解吸的工序

图5至图7是用于说明本实施形式的基板安置部3中的方形基板W的吸附工序及解吸工序的视图。这里，在说明将方形基板W吸附到基板安置部3的吸附部70上的工序之后，再说明解除吸附到吸附部70上的方形基板W的吸附状态、从吸附部70将方形基板W解吸的工序。

首先，针对方形基板W的吸附工序进行说明。在吸附工序中，在将方形基板W支撑在升降销71上之前的时刻，通过驱动第一升降机构73a及第二升降机构73b，将端缘部升降销71a的前端部71d及中央部升降销71b的前端部71e移动到基板交接位置。这时，控制第一升降机构73a及第二升降机构73b的移动量，使得端缘部升降销71a的前端部71d的高度位置，处于中央部升降销71b的前端部71e的高度位置的上方。

这里，前端部71d和前端部71e的相对位置关系(前端部71d与前端部71e的高低差)，由方形基板W的弯曲状态决定。例如，弯曲使得方形基板W的端缘部附近的高度位置最低(即，方形基板W的表面形状朝上(Z轴的正方向)凸出)时，与弯曲使得方形基板W的中央部附近的高度位置最低(即，方形基板W的表面形状朝下(Z轴的负方向)凸出)时相比，有必要加大前端部71d与前端部71e的高低差。

通过这样决定前端部71d与前端部71e的高低差，即使方形基板W的表面形状朝上凸出时，也可以使方形基板W下降到固定面30上，使方形基板W的中央部附近与吸附部70很好地接触。因此，能够从方形基板W下表面的中央部附近向着端缘部附近可靠地进行吸附。

其次，由图中省略的机械手或者操作者，将方形基板W支撑在升降销71上(参照图5)。这时，方形基板W，其中央部附近的高度位置比端缘部附近的高度位置低，以弯曲的状态支撑在升降销71上。

接着，控制第一升降机构73a及第二升降机构73b，将端缘部升降销71a的前端部71d的下降速度调整成和中央部升降销71b的前端部71e的下降速度基本上相同，使之下降。由此，方形基板W在保持弯曲状态不变的状态下向固定面30下降。

接着，在中央部升降销71b的前端部71e的高度位置与固定面30的高度位置大致为同一个高度、或者中央部升降销71b的前端部71e的高度位置变得低于固定面30的高度位置，方形基板W的中央部附近的下表面到达固定面30的时刻(参照图6)，停止由第二升降机构73b进行的使中央部升降销71b下降的动作，同时，驱动真空泵81。并且，这时，由于第一升降机构73a继续动作，所以，端缘部升降销71a的前端部71d继续下降。

由此，方形基板W的下表面，从中央部附近向端缘部慢慢地与吸附部70接触。而方形基板W的下表面中与吸附部70接触的部分与吸附部70之间的空气，被真空泵81排出。因此，方形基板W的下表面，从中央部附近向着端缘部被慢慢吸附到吸附部70上。其结果是，可以在短时间内将方形基板W可靠地吸附。

然后，在端缘部71a的前端部71d的高度位置与固定面30的高度位置基本上处于同一高度、或者前端部71d的高度位置比固定面30的高度位置低、方形基板W的端缘部到达固定面30的时刻(参照图7)，由第一升降机构73a进行的使端缘部升降销71a下降的动作停止。由此，方形基板W的下表面的整个面到达固定面30，利用吸附部70将方形基板W的整个面吸附，吸附处理结束。

此外，如上所述，将对应于方形基板W的端缘部附近的吸附槽75彼此的槽间隔D3、D6，设定得比对应于中央部附近的吸附槽75彼此间的槽间隔D2、D5小，方形基板W的端缘部附近与中央部附近相比更强劲地被吸附。因此，即使在容易受到弯曲影响的方形基板W的端缘部，也能够可靠地吸附。

其次，对方形基板W的解吸工序进行说明。在解吸工序中，在利用基板处理装置1完成抗蚀剂的涂敷处理之后，将真空泵真空释放。由此，空气流入与真空泵81连通连接的吸附槽75内，在方形基板W与吸附部70的连接部分中，吸附槽75部分大致成为大气压状态，解除吸附状态，但方形基板W继续被固定到吸附部70上(参照图7)。

接着，在使第二升降机构73b停止的状态下，驱动第一升降机构73a，使端缘部升降销71a的前端部71d开始上升。这时，中央部升降销71b接续停止。由此，由于方形基板W的端缘部慢慢上升，固定在吸附部70上的方形基板W的下表面从端缘部向着中央部慢慢地从吸附部70上被剥离(参照图6)。

接着，当端缘部升降销71a的前端部71d上升到规定的高度时，驱动第二升降机构73b，以使中央部升降销71b的前端部71e与端缘部升降销71a的前端部71d的移动速度大致相同的方式使前端部71e上升。这时，前端部71d继续上升。由此，方形基板W，中央部附近的高度位置比端缘部附近的高度位置低，以弯曲的状态上升。然后，固定到吸附部70上的方形基板W的下表面，从端缘部向着中央部进一步被剥离，完全解除固定状态后，将方形基板W上升到基板交接位置，解吸处理结束。

1.3、第一实施形式的基板处理装置的优点

如上所述，在第一实施形式的基板处理装置1中，可以在利用第一升降机构73a及第二升降机构73b设定端缘部升降销71a的前端部71d的高度位置处于中央部升降销71b的前端部71e的高度位置的上方的同时，使方形基板W从基板交接位置下降到固定面30。由此，可以从中央部附近向着端缘部慢慢地吸附方形基板W的下表面。因此，即使对于具有翘曲和起伏的方形基板W，也能够在固定面上没有挠曲而可靠地吸附。

此外，在第一实施形式的基板处理装置1的吸附部70中，与对应于方形基板W的中央部附近的吸附槽75彼此间的间隔D2、D5相比，将对应于端缘部附近的吸附槽75彼此的槽间隔D3、D6设定得较窄。由此，可以提高翘曲和起伏的影响大的端缘部的吸附力。因此，即使方形基板W的尺寸大型化，也能够在短时间内可靠地吸附方形基板W。

此外，在第一实施形式的基板处理装置1的吸附部70中，由于通过在吸附部70的整个面上设置与吸附孔72连通的吸附槽75，从而不必设置大量的吸附孔72就可以将方形基板W吸附到吸附部70上，所以，可以降低基板安置部3的加工成本。

进而，在第一实施形式的基板处理装置1中，即使在方形基板W的表面形状是朝上凸出的情况下，也可以根据方形基板W的弯曲状况调整前端部71d和前端部71e的高低差。因此，即使在方形基板W的表面形状是朝上(Z轴的正方向)凸出的情况下，也能够将方形基板W可靠地吸附。

2、第二实施形式

其次，说明本发明的第二实施形式。第二实施形式的吸附部170的硬件结构，与第一实施形式的吸附部70相比，主要是对应于方形基板W的端缘部附近的吸附槽、与对应于中央部附近的吸附槽是不连通的，相互独立地排出方形基板W与吸附部70之间的空气，除此点之外，与第一实施形式相同。因此，下面以该不同点为中心进行说明。此外，在下面的说明中，对于和第一实施形式的基板处理装置1的结构部件相同的结构部件，付与相同的标号。这些相同标号的结构部件，由于在第一实施形式中已经说明过，所以在本实施形式中省略其说明。

2.1、基板处理装置的结构

图8是表示本实施形式中吸附部的结构的一个例子的俯视图。此外，图9是表示本实施形式中基板支撑部的结构的一个例子的侧视图。吸附部170，和第一实施形式的吸附部70一样，设置于在固定面30上沿大致水平方向平行延伸的两个移动导轨31a之间，是用于将安置于基板安置部3上的方形基板W吸附固定在固定面30上的构件。如图8及图9所示，吸附部170，主要包括：吸附孔72(72a、72b)、吸附槽175(175a、175b)、在固定面30与基板交接位置之间使方形基板W升降的多个升降销71(71a、71b)。

吸附槽175(175a、175b)，与第一实施形式的吸附槽75同样，是在吸附部170的上表面上，通过切削方形基板W安置侧的表面而形成的大致直线状的多个的槽。吸附槽175的截面，具有大致正方形或大致长方形的形状。

吸附槽175a，如图8所示，是形成在对应于方形基板W的端缘部附近的部分上的多个槽。吸附槽175a被设置成栅格状，使得在吸附方形基板W时，与方形基板W的下表面中对应于端缘部附近的部分基本上在整个面上接触。此外，各个吸附槽175a与相交叉的吸附槽175a在栅格结点176a处连接在一起，全部吸附槽175a在栅格结点176a处连通。进而，如图8所示，吸附槽175a上的栅格结点176a中的一部分与吸附孔72a连通。

吸附槽175b，是形成在对应于方形基板W的中央部附近的部分上的多个槽。将吸附槽175b设置成栅格状，使得在吸附方形基板W时，与方形基板W的下表面中对应于中央部附近的部分基本上在整个面上接触。此外，各个吸附槽175b与相交叉的吸附槽175b在栅格结点176b处连接在一起，全部吸附槽175b在栅格结点176b处连通。进而，如图8所示，吸附槽175b上的栅格结点176b中的一部分与吸附孔72b连通。

此外，如图8所示，本实施形式的吸附部170的吸附槽175a，配置在未形成槽的具有矩形环状的分离部177的外侧，此外，吸附槽175b配置在分离部177的内侧。因此，吸附槽175a的每一个，都不与任何一个吸附槽175b连通。即，吸附槽175划分为两个部分的集合(吸附槽175a及吸附槽175b)，只在各个分区内相互连通。

如图9所示，吸附孔72a、72b，是贯穿基板安置部3的多个通孔。吸附孔72a与吸附槽175a上的栅格结点176a连通，此外，吸附孔72b与吸附槽175b上的栅格结点176b连通。进而，如图9所示，各吸附孔72a的下部，经由配管185a与真空泵181a连通，各个吸附孔72b的下部，经由配管185b与真空泵181b连通。

由此，通过驱动真空泵181a，经由吸附槽175a、吸附孔72a及配管185a，可以排出方形基板W的下表面中对应于端缘部附近的部分与吸附部70之间的空气。此外，通过驱动真空泵181b，经由吸附槽175b、吸附孔72b及配管185b，可以排出方形基板W的下表面中对应于中央部附近的部分与吸附部70之间的空气。因此，通过相互独立地驱动真空泵181a和真空泵181b，可以使方形基板W的中央部附近和端缘部附近相互独立地吸附于吸附部70上。

此外，如图9所示，吸附槽175a经由吸附孔72a、配管185a、阀182a及配管184a，或者，吸附槽175b经由吸附孔72b、配管185b、阀182b及配管184b，分别连通连接到氮气供应源83上。因此，通过打开阀182a将阀182b闭锁，从而可以从吸附槽175a向上方喷出氮气。此外，同样地通过打开阀182并将阀182a闭锁，可以从吸附槽175b向上方喷出氮气。

这里，将吸附槽175a彼此间的横向方向(Y轴方向)的间隔D3及纵向方向(X轴方向)的间隔D6，分别设定得比吸附槽175b彼此间的横向方向(Y轴方向)的间隔D2及纵向方向(X轴方向)的间隔D5小。

此外，将吸附槽175a中最外周部的四个槽连接的槽(下面，也称之为“第三环形吸附槽”)与方形基板W的外周部W1的距离D1、D4，分别设定成在10.0mm以下(优选在5mm以下)。进而，从第三环形吸附槽看是在基板中心部侧的吸附槽175a上、并将与第三环形吸附槽的距离成为D3或D6的四个槽连接的槽(下面也称之为“第四环形槽”)与方形基板W的外周部W1之间的距离(D1+D3)、(D4+D6)，分别设定在30.0mm以下(优选为15mm以上且25mm以下)。

另外，与第一实施形式一样，可以使容易受弯曲影响的基板端缘部的吸附力比基板中央部附近的吸附力大。因此，能够迅速且可靠地吸附安置于吸附部70上的方形基板W。

此外，在本实施形式中，和第一实施形式一样，为了很好地吸附安置于吸附部170上的方形基板W，另外，为了防止由于吸附部170中存在于吸附槽175内的空气的影响而在方形基板W的下表面侧产生温度分布，从而发生基板处理不良，分别进行这样的设定：(1)吸附槽175的宽度在2.0mm以下(优选在0.5mm以下)，(2)吸附槽175b的槽间间隔D2、D5在100.0mm以下(优选在50.0mm以下)，(3)吸附孔72的部分78a的内径在2.0mm以下(优选在0.5mm以下)。

2.2、由基板处理装置进行的基板的吸附、解吸工序

这里，利用图5至图7，说明在本实施形式的基板安置部3的方形基板W的吸附工序以及解吸工序。此外，本实施形式的吸附工序，与第一实施形式的吸附工序相比，其不同点在于：(1)在方形基板W的中央部附近和端缘部附近独立地进行吸附。此外，本实施形式的解吸工序，与第一实施形式的解吸工序相比，其不同点在于：(2)在解除方形基板W的中央部附近的吸附状态时，在将真空泵181b大气释放的同时，从吸附槽175b向方形基板W喷出氮气。因此，下面，主要以该不同点为中心进行说明。

首先，说明方形基板W的吸附工序。在吸附工序中，与第一实施形式一样，在将方形基板W支撑在升降销71上之前的时刻，使端缘部升降销71a的前端部71d及中央部升降销71b的前端部71e移动到基板交接位置。这时，控制第一升降机构73a及第二升降机构73b的移动量，使得端缘部升降销71a的前端部71d的高度位置，在中央部升降销71b的前端部71e的高度位置的上方。

其次，由图中省略的机械手或操作者，将方形基板W支撑在升降销71上(参照图5)。这时，方形基板W，其中央部附近的高度位置低于端缘部附近的高度位置，以弯曲的状态被支撑在升降销71上。

接着，控制第一升降机构73a及第二升降机构73b，进行调整使得端缘部升降销71a的前端部71d的下降速度和中央部升降销71b的前端部71e的下降速度基本上相同，使之下降。

接着，在中央部升降销71b的前端部71e的高度位置与固定面30的高度位置大致相同、或者中央部升降销71b的前端部71e的高度位置低于固定面30的高度位置，方形基板W的中央部附近的下表面到达固定面30的时刻(参照图6)，由第二升降机构73b进行的中央部升降销71b的下降动作停止，同时，在保持真空泵181a的停止状态的情况下，驱动真空泵181b。这时，由于第一升降机构73a继续动作，所以，端缘部升降销71a的前端部71d继续下降。

由此，方形基板W的下表面，从中央部附近开始向着端缘部慢慢地与吸附部170接触。然后，利用真空泵181b，将方形基板W的下表面中和吸附部170的吸附槽175b接触的附近与吸附部170之间的空气排出。

因此，在方形基板W的下表面中与吸附槽175b接触的部分，从中央部附近向着端缘部慢慢地被吸附到吸附部170上。即，在本实施形式中，利用不与吸附槽175a连通的、只用于方形基板W的中央部附近的吸附的吸附槽175b，就可以吸附方形基板W的中央部附近，与第一实施形式相比，可以更有效且可靠地将方形基板W的中央部附近吸附到吸附部170上。

接着，在端缘部升降销71a的前端部71d的高度位置与固定面30的高度位置基本上相同、或者端缘部升降销71a的前端部71d的高度位置低于固定面30的高度位置，方形基板W的下表面中对应于端缘部附近的部分到达固定面30的时刻，停止由第一升降机构73a进行的端缘部升降销71a的下降动作，并且，在保持真空泵181b的驱动状态的同时，开始真空泵181a的驱动。由此，利用真空泵181a，将方形基板W的的下表面中和吸附部170的吸附槽175a接触的附近与吸附部170之间的空气排出。

因此，方形基板W的下表面中与吸附槽175a接触的部分，从端缘部附近向外周部W1慢慢地被吸附到吸附部170上。即，在本实施形式中，利用只使用于方形基板W的端缘部附近的吸附槽175a，就能够吸附方形基板W的端缘部附近，与第一实施形式相比，可以更有效且可靠地将方形基板W的端缘部附近吸附到吸附部170上。

然后，方形基板W的下表面的整个面到达固定面30，通过吸附部70，方形基板W的整个面被吸附部70吸附，吸附处理结束。

其次，说明基板W的解吸工序。在解吸工序中，在用基板处理装置1进行的抗蚀剂的涂敷处理结束后，真空泵181a在维持真空状态的同时，将真空泵181b向大气开放，同时，打开阀182b(参照图9)，从吸附槽175b向方形基板W的中央部附近喷出氮气。

由此，在方形基板W的下表面中的中央部附近的吸附状态被解除，在保持方形基板W的下表面中端缘部附近的吸附状态的同时，可以解除中央部附近的固定状态。即，在原样固定方形基板W的端缘部附近的情况下，可以从吸附槽175b向上方喷出氮气，不会产生方形基板W的位置偏移，就可以解除方形基板W的中央部附近的固定状态。因此，可以迅速且可靠地解除方形基板W的中央部附近的固定状态。

此外，方形基板W的下表面中，中央部附近的固定状态，可以通过从吸附槽175b喷出氮气而解除。因此，在从吸附部70除去方形基板W时，在方形基板W的中央部附近不会产生剥离带电，不会由该剥离带电破坏配线图形。

接着，将真空泵181a大气开放，解除方形基板W的端缘部附近的吸附状态，同时，在停止第二升降机构73b的同时，驱动第一升降机构73a，开始端缘部升降销71a的前端部71d的上升。由此，由于方形基板W的端缘部慢慢上升，所以，处于固定状态的方形基板W的下表面，相对于吸附部70从端缘部向中央部慢慢被剥离(参照图6)。

接着，当端缘部升降销71a的前端部71d上升到规定高度时，开始第二升降机构73b的驱动，以中央部升降销71b的前端部71e的上升速度与端缘部升降销71a的前端部71d的上升速度大致相同的方式使前端部71e上升。这时，前端部71d继续上升。由此，方形基板W，中央部附近的高度位置低于端缘部附近的高度位置，以挠曲的状态上升。

然后，在方形基板W的下表面中对应于端缘部附近的部分的固定状态被解除，方形基板W的下表面全部的固定状态被解除之后，使方形基板W上升到基板交接位置，解吸处理结束(参照图5)。

2.3、第二实施形式的基板处理装置的优点

如上所述，在第二实施形式的基板处理装置1中，在方形基板W的下表面中，可以相互独立地将端缘部附近与中央部附近吸附到吸附部170上。因此，可以更有效地将方形基板W的中央部附近及端缘部附近吸附到吸附部70上。结果是，即使方形基板W的尺寸进一步大型化，也可以迅速且可靠地将方形基板W吸附到吸附部70上。

此外，在第二实施形式的基板处理装置1中，可以在将真空泵181a保持在真空状态的同时，将真空泵181b大气释放，同时，从对应于方形基板W的中央部附近的吸附槽175b向方形基板W的下表面喷出氮气。因此，不必使中央部升降销71b上升，就可以解除方形基板W的下表面中的中央部附近的固定状态。其结果是，可以在防止剥离带电的同时，在短时间内可靠地将方形基板W解吸。

3、第三实施形式

这里，对本发明的第三实施形式进行说明。第三实施形式的基板安置部3的硬件结构，与第一实施形式的吸附部70相比较，主要是进一步增加了调整在基板安置部3上安置的方形基板W的位置的多个校准装置210，除此之外，与第一实施形式相同。因此，下面，以这种不同点为中心进行说明。此外，在下面的说明中，对于和第一实施形式的基板处理装置1中的结构部件相同的结构部件，付与相同的标号。由于这些相同标号的结构部件在第一实施形式中已经进行过说明，所以，在本实施形式中省略其说明。

3.1、基板处理装置的结构

图10是表示本实施形式的基板安置部3的结构的一个例子的俯视图。如图10所示，校准装置210，在具有大致长方形形状的吸附部70的各个拐角部的外侧附近，各设置有一个(共计四个)。

如图10所示，各个校准装置210，主要包括：驱动部211、臂部212、支撑部213及接触部214。臂部212，通过驱动部211可沿着箭头AR1方向自由进退地设置。此外，在臂部212的端部中的吸附部70侧，安装有“コ”字形的支撑部213。进而，在支撑部213的位于吸附部70侧的前端部上，安装有通过与方形基板W的拐角部接触而微调方形基板W的位置的接触部214。由此，通过控制各个校准装置210的驱动部211、调整臂部212的突出量，可以将方形基板W的位置调整到一定的范围内。

3.2、利用基板处理装置进行的基板吸附、解吸工序

图11至图13，是用于说明本实施形式的基板安置部3中方形基板W的吸附工序及解吸工序的视图。这里，在说明将方形基板W吸附到基板安置部3的吸附部70上的工序之后，再说明吸附到吸附部70上的方形基板W的解吸工序。

其中，在利用第一升降机构73a及第二升降机构73b使方形基板W从基板交接位置下降到固定面30时，将利用图中未示出的搬运单元交接的方形基板W支撑在升降销71上的位置发生偏移时，方形基板W在固定面30上的安置位置也发生偏移，成为处理不良的原因。因此，在本实施形式的吸附处理中，通过用多个校准装置210使安置于固定面30上的方形基板W的位置处于规定的范围内，防止发生处理不良。

首先，通过驱动第一升降机构73a及第二升降机构73b，使在基板交接位置被交接的方形基板W下降到固定面30(参照图11)。这时，因为真空泵81保持在停止状态，所以方形基板W未被吸附在吸附部70上。此外，阀82继续关闭。

其次，在使真空泵81停止的状态下，打开阀82，从吸附槽75(参照图3)向方形基板W的下表面喷出氮气。这时，由于方形基板W未被吸附到吸附部70上，所以，方形基板W沿Z轴的正方形浮起(参照图12)。

接着，调整各个校准装置210的臂部212的移动量，通过使接触部214与对应的方形基板W的拐角部附近接触，对方形基板W的位置进行微调(参照图13)。这时，方形基板W由于从下面持续喷出的氮气而浮起，所以，可以在不损伤方形基板W的下表面的情况下使方形基板W的位置移动，可以使方形基板W的位置处于一定的范围内。

当方形基板W的位置的微调完毕时，关闭阀82，停止氮气的喷出，同时，驱动真空泵81，排出方形基板W的下表面与固定面30之间的气体。然后，将方形基板W的下表面的整个面吸附到吸附部70上，吸附处理结束。

其次，对方形基板W的解吸工序进行说明。在解吸过程中，在完成用基板处理装置1进行的抗蚀剂的涂敷处理后，停止真空泵81的动作，同时将真空泵81大气开放，解除方形基板W的下表面的吸附状态。

接着，打开阀82，从吸附槽75向方形基板W的下表面喷出氮气。由此，可以解除方形基板W的固定状态，但是，另一方面，由于氮气的气压的原因，方形基板W的位置有时会发生偏移。

接着，阀82继续打开，使方形基板W从固定面30浮起，同时，调整各个校准装置210的臂部212的移动量，通过使接触部214与对应的拐角部附近接触，微调方形基板W的位置(参照图13)。

其中，当由于氮气的气压的原因而方形基板W的位置发生偏移时，在基板交接位置，图中省略的搬运单元的接受基板的位置发生偏移。而有时会在从该搬运单元接受基板交接的后工序的基板处理装置中也发生方形基板W的位置偏移，成为后工序的基板处理装置中的处理不良的原因。因此，在本实施形式的解吸处理中，在喷出氮气后，利用校准装置210使方形基板W的位置处于规定的范围，从而防止在后工序的基板处理装置中发生处理不良。

当方形基板W的位置的微调完毕时，关闭阀82，停止氮气的喷出，同时，通过驱动第一升降机构73a及第二升降机构73b，使方形基板W从固定面30上升到基板交接位置，解吸处理结束。

3.3、第三实施形式的基板处理装置的优点

如上所述，在第三实施形式的基板处理装置1中，即使安置于基板安置部3上的方形基板W的位置不处于规定的范围内，由于可以利用多个校准装置210将其调整到规定的范围内，所以可以防止发生处理不良。

此外，在第三实施形式的基板处理装置1中，通过向方形基板W的下表面喷出氮气，即使在方形基板W的位置偏移的情况下，也可利用多个校准装置210将方形基板W的位置调整到规定的范围内。因此，可以防止在后工序的基板处理装置中发生处理不良。

4、变形例

上面，对本发明的实施形式进行了说明，但本发明并不局限于上述例子。

(1)在本发明的实施形式中，吸附槽75、175，分别是在吸附部70、170上形成的具有大致直线形状的槽，但并不局限于此，例如，也可以是曲线形状。

(2)在第二实施形式中，从吸附槽175a、175b向上方喷出氮气，此外，在第三实施形式中，从吸附槽75向上方喷出氮气，但并不局限于此，只要是惰性气体即可，例如，也可以是氩气或者氦气。

(3)在第二实施形式中，真空泵181a，作为动作状态，是在将方形基板W的端缘部附近保持在真空状态的同时，将真空泵181b大气释放后，从吸附槽175b喷出氮气，但并不局限于此。例如，在方形基板W的位置偏移量处于规定的范围内时，也可以在将真空泵181a及真空泵181b大气释放后，从吸附槽175b喷出氮气。

(4)此外，在第二实施形式中，在只有方形基板W的中央部附近到达固定面30时，不驱动真空泵181a，但并不局限于此，也可以和真空泵181b开始驱动的同时，开始驱动真空泵181a。在任何一个定时开始真空泵181a的驱动，对吸附所需的时间和吸附力都没有影响。

(5)在第三实施形式中，利用第一实施形式中说明的吸附部70进行方形基板W的吸附处理，但并不局限于此，也可以利用第二实施形式中说明的吸附部170吸附方形基板W。

(6)此外，在第三实施形式中，利用多个校准装置210进行方形基板W的的位置的微调，但校准装置的硬件结构并不局限于此，例如，也可以采用图14所示的校准装置310这样的硬件结构。

如图14所示，各个校准装置310与校准装置210不同，它不是配置在方形基板W的各个拐角部，而是配置在与方形基板W的侧面部相对的位置上，主要包括驱动部311及臂部312。臂部312，通过使驱动部311动作，可沿着对应的方形基板W侧面部的大致法线方向(即大致与侧面部垂直交叉的方向)自由进退。此外，为了防止方形基板W的侧面部的破损，将臂部212的吸附部70侧的前端部加工成顺滑的形状(例如，大致半圆形)。

由此，控制各个对准装置310的驱动部311，调整臂部312的突出量，通过使前端部313与方形基板W的侧面部接触，可以将方形基板W的位置调整到一定的范围内。

Claims

1、一种基板处理装置，对基板实施规定的处理，其特征在于，包括：

吸附装置，吸附固定在基板安置部的吸附面上安置的前述基板；

升降装置，在前述吸附面的位置与前述吸附面的上方的基板交接位置之间使前述基板升降，具有：第一支撑部，支撑前述基板的端缘部附近并使其升降；第二支撑部，支撑前述基板的中央部附近，独立于前述第一支撑部而自由升降，

前述吸附装置包括：

多个吸附槽，设置在前述吸附面上，在整体上、或者划分成多个区域而在各个区域内相互连通；

多个吸附孔，与前述多个吸附槽连接的同时，贯穿前述基板安置部；

排气装置，与前述多个吸附孔连通连接，对前述吸附面附近进行排气，

前述多个吸附槽中，用于前述基板端缘部附近的吸附的端缘部吸附槽彼此之间的槽间隔，比用于前述基板中央部附近的吸附的中央部吸附槽彼此之间的槽间隔窄。

2、如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

前述端缘部吸附槽相互连接，前述中央部吸附槽也相互连接，另一方面，前述端缘部吸附槽与前述中央部吸附槽处于非连接状态，同时，

前述排气装置具有：

第一排气部，与前述多个吸附孔中的连通于前述端缘部吸附槽的端缘部吸附孔连接，将前述基板的端缘部附近和前述吸附面之间的空气排出；

第二排气部，与前述多个吸附孔中的连通于前述中央部吸附槽的中央部吸附孔连接，独立于前述第一排气部，将前述基板的中央部附近与前述吸附面之间的空气排出。

3、如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：

惰性气体供应装置，与前述中央部吸附孔连通，经由前述中央部吸附孔及前述中央部吸附槽向前述吸附部供应惰性气体。

4、如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，前述多个吸附槽的各自的宽度在2.0mm以下。

5、如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，前述端缘部吸附槽中的至少一个被设置在从前述吸附面中与基板外周部对应的部分起的10.0mm以内的范围内。

6、如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，前述端缘部吸附槽中的另一个，被设置在从前述吸附面中与基板外周部对应的部分起的大于10.0mm而在30.0mm以下的范围内。

7、如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，前述中央部吸附槽彼此之间的槽间隔在100.0mm以下。

8、如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：

细缝喷嘴，喷出规定的处理液；

移动装置，为了对固定在前述吸附面上的前述基板的整个面喷出前述处理液，使前述细缝喷嘴相对于前述基板相对移动。

9、一种基板处理装置，对基板实施规定的处理，其特征在于，包括：

基板安置部；

校准装置，将前述基板安置部上安置的前述基板的位置调整到规定范围内；

吸附装置，将前述基板吸附固定在基板安置部的吸附面上，具有：多个吸附槽，设置在前述吸附装置的吸附部的基板侧，在整体上、或者划分成多个区域而在各个区域内相互连通；多个吸附孔，与前述多个吸附槽连接的同时，贯穿前述基板安置部；排气装置，与前述多个吸附孔连通连接，对前述吸附面附近进行排气；

惰性气体供应装置，与前述多个吸附孔连通，经由前述多个吸附孔及前述多个吸附槽向前述吸附部供应惰性气体，

10、如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，前述多个吸附槽的各自的宽度在2.0mm以下。

11、如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，前述端缘部吸附槽中的至少一个被设置在从前述吸附面中与基板外周部对应的部分起的10.0mm以内的范围内。

12、如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，前述端缘部吸附槽中的另一个，被设置在从前述吸附面中与基板外周部对应的部分起的大于10.0mm而在30.0mm以下的范围内。

13、如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，前述中央部吸附槽彼此之间的槽间隔在100.0mm以下。

14、如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：

细缝喷嘴，喷出规定的处理液；

15、一种基板处理方法，通过使支撑基板的端缘部附近的第一支撑部和支撑前述基板的中央部附近的第二支撑部可分别独立地升降的升降装置，将前述基板吸附固定在基板安置部的吸附面上，其特征在于，包括：

a、通过前述第一支撑部和前述第二支撑部使前述基板下降、使前述基板的中央部附近到达前述吸附面的工序；

b、在前述基板的中央部附近到达前述吸附面的时刻或者即将到达之前、开始前述吸附面附近的排气处理的工序；

c、在进行前述排气处理的同时、通过前述第二支撑部使前述基板下降、使前述基板的端缘部附近到达前述吸附面的工序。

16、一种基板处理方法，通过排气装置对基板安置部的吸附面附近进行排气，从而将吸附固定在前述固定面上的基板解吸，其特征在于，包括：

a、将前述排气装置大气释放、使前述吸附面附近为大致大气压的状态的释放工序；

b、在前述释放工序之后、向前述基板下表面与前述吸附面之间供应惰性气体的工序；

c、将安置在前述基板安置部上的前述基板的位置调整到规定范围内的调整工序。