CN1580180A - 铜（ⅰ）磷光材料的有机电致发光器件的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及带有抗衡离子的四配位一价铜配合物做为磷光材料在有机电致发光器件中的应用。采用自身非掺杂溶液成膜或与高分子主体材料共混溶液成膜两种方法将铜(I)配合物引入发光层，通过在发光层中搀杂载流子传输材料，或在发光层以外引人单独的载流子传输层构造单层或多层器件，实现有机电致发光器件从红色到绿色的高效发光。
Description
技术领域
本发明属于带有抗衡离子的四配位一价铜配合物作为磷光材料在有机电致发光器件中的应用。
技术背景
有机电致发光器件的工作原理是基于空穴和电子分别从正负电极注入，在发光层复合形成激子，激子辐射衰减发光。根据自旋统计理论，单线态激子与三线态激子各占25％和75％。不同于只能利用单线态能量的有机小分子荧光材料，过渡金属有机配合物磷光材料由于具有很强的自旋—轨道偶合作用，可以充分利用包括单线态和三线态在内的所有能量形式，突破25％的能量限制，大幅度提高了有机电致发光器件的效率，即利用过渡金属有机配合物磷光材料可使有机电致发光器件的内部量子效率达到100％。
但在具体的器件实施上，如果将磷光材料象大多数的荧光材料那样单独作发光层，会由于浓度淬灭而导致发光效率低下，甚至不发光。通常的做法是将磷光材料以低浓度掺杂在具有载流子传输性和能级比磷光材料高的主体材料中，通过激子将能量从主体材料传递到磷光材料，实现磷光材料的高效发光。在电致磷光器件发光层的制备工艺上，现在一般采用真空蒸镀法成膜和溶液旋涂法成膜这两种方法。与真空蒸镀法成膜比，溶液旋涂法成膜更经济、简便，适合制备大面积显示屏，尽管目前采用溶液旋涂成膜的器件的性能还不如采用真空蒸镀法成膜的器件，这种成膜方法已成为今后有机电致发光器件发展的趋势。对于采用溶液旋涂成膜的电磷光器件，可以采用单层结构，即在两电解之间只有发光层；也可采用多层结构进一步优化，即在旋完的发光层上再蒸镀上一至两层的空穴阻挡层及电子传输层，最后才是金属电极。
在电磷光材料的选择上，目前用到的主要有Ir(III)、Pt(II)、Os(II)、Re(I)等重金属的配合物，其中以基于Ir(III)配合物的器件性能最为突出。
相对于第五、第六周期的贵重金属，第四周期过渡金属元素资源丰富，廉价易得，而且毒性较小。铜(I)配合物是第四周期过渡金属元素配合物的典型代表，早在二十多年前对其光致发光性能就进行了广泛和系统的研究。但是文献中关于铜(I)配合物的电致磷光研究极少，仅有吉林大学在1999年开展过其初步研究(Advanced Materials，11，852-857，1999)。他们采用一种铜(I)的四核配合物做磷光染料，搀杂在聚乙烯基咔唑主体材料中，制备的多层器件在发光亮度为50cd/m2的情况下外量子效率只有0.1％，还未展示出作为电致磷光材料应用的优越性。
发明内容
本发明的目的是提供一种铜(I)磷光材料的有机电致发光器件的制备方法。
本发明采用自身非掺杂溶液成膜或与高分子主体材料共混溶液成膜两种方法将铜(I)配合物引入发光层，通过在发光层中搀杂载流子传输材料，或在发光层以外引人单独的载流子传输层构造单层或多层器件，实现有机电致发光器件从绿色到红色的高效发光。与其它磷光材料显著不同的是，本发明采用的铜(I)磷光材料以非掺杂作为发光层使用，也可获得高的器件效率，在发光亮度为100cd/m2的情况下电流效率最高可达29cd/A。
本发明选取的铜(I)配合物均为单核四配位结构，具有如下两种基本类型：
结构通式I中
代表以氮为配位原子的二齿配体，可以是如下配体中的一种：
式中X为氧或硫原子；R1可以是氢、三氟甲基、碳原子数1-8的烷基或碳原子数1-10的烷氧基；R2、R3可以是氢、苯基、苯氧基、苯基乙炔基、咔唑基、碳原子数1-8的烷基或碳原子数1-10的烷氧基；R4可以是氢或甲基；R5可以是氢、苯基或碳原子数1-8的烷基；R1、R2、R3、R4、R5还可被进一步取代，对可被取代基在多个位置取代的配体，最多只宜在其中的两处被同时取代；
代表二(2-二苯基膦基)苯基醚或两个单独的三苯基膦配体，可以是如下四组配体中的一组：
式中R1可以是氢、N，N’-二苯胺基、咔唑基、碳原子数1-8的烷基或碳原子数1-10的烷氧基；R2可以是碳原子数1-8的烷基或碳原子数1-10的烷氧基，R1、R2还可被进一步取代；Ac-为抗衡负离子，为ClO4 -、BF4 -或FP6 -；配体
及抗衡负离子Ac-三者可任意组合；
结构通式II中
代表2，9位取代的1，10-菲咯啉配体，配合物分子中的两
配体可以相同，也可不同，分属以下两种情况：
结构式1中：R1可以是苯基、三氟甲基、苯基乙炔基、碳原子数1-8的烷基或碳原子数1-10的烷氧基；R2可以是氢、苯基、苯氧基、苯基乙炔基、咔唑基、碳原子数1-8的烷基或碳原子数1-10的烷氧基；结构式2中：R3、R4可以是氢、碳原子数1-8的烷基或碳原子数1-10的烷氧基，R3、R4可以相同，也可不同；R1、R2、R3、R4还可被进一步取代；Ac-为抗衡负离子，为ClO4 -、BF4 -或FP6 -；
所有Cu(I)配合物都通过配体交换法从带负离子酸根的四乙腈合铜间接制得。
器件的发光层采用溶液旋涂成膜法制备，工艺如下：将铜(I)配合物溶解于CH2Cl2溶液，在转速1500转/分钟的条件下旋涂在经聚噻吩衍生物(PEDOT)修饰或未经其修饰的ITO玻璃表面，真空干燥；用于旋涂的铜(I)配合物溶液的浓度范围为20mg/ml-100mg/ml；还可在铜(I)配合物的CH2Cl2溶液中加入高分子主体材料，共混旋涂制备发光层，所选取的高分子主体材料为通用聚酯或具有载流子传输特性的功能聚合物：聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚苯、聚乙烯基咔唑、聚咔唑或聚芴；铜(I)配合物与高分子主体材料在CH2Cl2溶液中的重量比为1∶0.15-100；通过调节混合溶液的浓度，将发光层的厚度控制在100±30nm；铜(I)配合物与高分子主体材料共混制备的发光层中还可进一步掺入小分子载流子传输材料：2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)、1，3，5-三(2-N-苯基苯并咪唑基)苯(TPBI)、3-(4-二苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)、N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺(TPD)、N，N’-双(1-奈基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺(NPD)或4，4-N，N-二咔唑联苯(CBP)；小分子载流子传输材料不限于此，可以是任何带三芳胺基、咔唑基或噁二唑基的小分子；小分子载流子传输材料与高分子主体材料在CH2Cl2溶液中的重量比为1∶0.3-3。
在器件组装上，旋涂完发光层后可直接蒸镀金属电极，制成单层器件；也可用真空蒸镀法在金属电极与发光层之间进一步引入一至两层具有空穴阻挡或电子传输功能的有机小分子层，构造多层器件。
附图说明
附图1是器件ITO/PEDOT/为实施例所对应的配合物分子式4/Ca/Al的电流效率及功率效率图，器件存在类似发光电化学池(LEC)的响应时间延迟现象，本图对应的是器件稳定后的状态。
附图2是器件ITO/PEDOT/配合物为实施例所对应的分子式4/Ca/Al的电压-亮度图，器件存在响应时间延迟现象，本图对应的是器件稳定后的状态。
附图3是器件ITO/PEDOT/PVK：配合物为实施例所对应的分子式42/TPBI/LiF/Al的电流效率图，通电后器件瞬间起亮。
附图4是器件ITO/PEDOT/PVK：配合物为实施例所对应的分子式42/TPBI/LiF/Al的电压-亮度图，通电后器件瞬间起亮。
具体实施方式
各实施例所对应的分子式如下：
实施例1：以配合物1/PVK为发光层的多层器件
器件结构为：ITO/PEDOT/发光层/BCP/Alq3/LiF/Al。组装条件为：在转速3000转/分钟的条件下在清洁的ITO玻璃表面旋涂上一层导电高分子——聚噻吩衍生物(PEDOT)，随后在120℃下干燥30分钟。将PVK(聚乙烯基咔唑)和配合物1在CH2Cl2溶液中配成重量比为100/1的溶液，在转速1500转/分钟的条件下旋涂在经PEDOT修饰的玻璃电极表面。在高真空的条件下干燥2小时后，依次蒸镀上10nm的BCP(2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉)，50nm的Alq3(8-羟基喹啉铝)、1nm的LiF以及100nm的金属铝。多层器件性能如下：启动电压10V，最大亮度1000cd/m2，最大电流效率2.5cd/A，最大发光峰位543nm。
实施例2：以配合物2/PVK/PBD为发光层的单层器件
器件结构为：ITO/PEDOT/发光层/Ca/Al。组装条件为：将PVK、PBD(2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑)和配合物2在CH2Cl2溶液中配成重量比为100/40/2的溶液，在转速1500转/分钟的条件下旋涂在经PEDOT修饰的ITO玻璃电极表面。在高真空的条件下干燥2小时后，蒸镀上1nm的金属钙和100nm的金属铝。单层器件性能如下：启动电压10V，最大亮度1200cd/m2，最大电流效率2.8cd/A，最大发光峰位555nm。
实施例3：以配合物3/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物2的重量比为100/2，其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压11V，最大亮度1400cd/m2，最大电流效率3.2cd/A，最大发光峰位525nm。
实施例4：以配合物4为发光层的非掺杂单层器件
器件结构为：ITO/PEDOT/发光层/Ca/Al。组装条件为：将配合物4在CH2Cl2中配成60mg/ml的溶液，在转速1500转/分钟的条件下旋涂在旋涂在经PEDOT修饰的ITO玻璃电极表面。在高真空的条件下干燥2小时后，真空蒸镀上1nm的金属钙和100nm的金属铝。单层器件性能如下：启动电压3V，最大亮度5000cd/m2，最大电流效率28cd/A，最大发光峰位524nm，存在响应时间延迟现象，参见附图1，2。
实施例5：以配合物4为发光层的非掺杂单层器件
器件结构为：ITO/发光层/Al。组装条件为：将配合物4在CH2Cl2中配成100mg/ml的溶液，在转速1500转/分钟的条件下旋涂在清洁过的ITO玻璃电极表面。在高真空的条件下干燥2小时后，真空蒸镀上100nm的金属铝。单层器件性能如下：启动电压5V，最大亮度1800cd/m2，最大电流效率8cd/A，最大发光峰位524nm，存在响应时间延迟现象。
实施例6：以配合物5/PMMA为发光层的多层器件
器件结构为：ITO/PEDOT/发光层/Ca/Al。组装条件为：将聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和配合物4在CH2Cl2溶液中配成重量比为15/85的溶液，在转速1500转/分钟的条件下旋涂在经PEDOT修饰的ITO玻璃电极表面。在高真空的条件下干燥2小时后，真空蒸镀上1nm的金属钙和100nm的金属铝。单层器件性能如下：启动电压4V，最大亮度6000cd/m2，最大电流效率29cd/A，最大发光峰位525nm，存在响应时间延迟现象。
实施例7：以配合物6/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物6的重量比为100/5。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压16V，最大亮度600cd/m2，最大电流效率2.3cd/A，最大发光峰位505nm。
实施例8：以配合物7/PVK为发光层的双层器件
器件结构为：ITO/PEDOT/发光层/TPBI/LiF/Al。组装条件为：将PVK和配合物1在CH2Cl2溶液中配成重量比为100/60的溶液，在转速1500转/分钟的条件下旋涂在经PEDOT修饰的ITO玻璃电极表面。在高真空的条件下干燥2小时后，依次蒸镀上60nm的1，3，5-三(2-N-苯基苯并咪唑基)苯(TPBI)、1nm的LiF以及100nm的金属铝。双层器件性能如下：启动电压11V，最大亮度3900cd/m2，最大电流效率14cd/A，最大发光峰位535nm。
实施例9：以配合物8/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物8的重量比为100/10。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压12V，最大亮度2800cd/m2，最大电流效率5.5cd/A，最大发光峰位545nm。
实施例10：以配合物9/PVK/PBD为发光层的单层器件
单层器件发光层中PVK、PBD与配合物9的重量比为100/40/10。其它组装条件同实施例2。单层器件性能如下：启动电压11V，最大亮度3600cd/m2，最大电流效率7.0cd/A，最大发光峰位545nm。
实施例11：以配合物10/PS为发光层的双层器件
器件结构为：ITO/PEDOT/发光层/TPBI/LiF/Al。组装条件为：将PS(聚苯乙烯)和配合物10在CH2Cl2溶液中配成重量比为1/3的溶液，在转速1500转/分钟的条件下旋涂在经PEDOT修饰的玻璃电极表面。在高真空的条件下干燥2小时后，依次蒸镀上60nm的TPBI、1nm的LiF以及100nm的金属铝。双层器件性能如下：启动电压6V，最大亮度1800cd/m2，最大电流效率5cd/A，最大发光峰位515nm。
实施例12：以配合物11/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物11的重量比为100/10。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压8V，最大亮度2300cd/m2，最大电流效率3.9cd/A，最大发光峰位515nm。
实施例13：以配合物12为发光层的非掺杂单层器件
器件结构为：ITO/发光层/Ca/Al。组装条件为：将配合物12在CH2Cl2中配成20mg/ml的溶液，在转速1500转/分钟的条件下旋涂在清洁过的ITO玻璃表面。在高真空的条件下干燥2小时后，真空蒸镀上1nm的金属钙和100nm的金属铝。单层器件性能如下：启动电压5V，最大亮度500cd/m2，最大电流效率2cd/A，最大发光峰位519nm，存在响应时间延迟现象。
实施例14：以配合物13/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物13的重量比为100/5。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压17V，最大亮度700cd/m2，最大电流效率1.5cd/A，最大发光峰位525nm。
实施例15：以配合物14/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物14的重量比为100/10。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压10V，最大亮度800cd/m2，最大电流效率3.0cd/A，最大发光峰位538nm。
实施例16：以配合物15/PVK/PBD为发光层的单层器件
单层器件发光层中PVK、PBD与配合物15的重量比为100/50/10。其它组装条件同实施例2。单层器件性能如下：启动电压11V，最大亮度3700cd/m2，最大电流效率12cd/A，最大发光峰位535nm。
实施例17：以配合物16/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物16的重量比为100/5。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压11V，最大亮度2900cd/m2，最大电流效率5.5cd/A，最大发光峰位560nm。
实施例18：以配合物17/PS/TAZ为发光层的单层器件
单层器件发光层中PS(聚苯乙烯)、TAZ(3-(4-二苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-1，2，4-三唑)与配合物17的重量比为30/30/40。其它组装条件同实施例2。单层器件性能如下：启动电压15V，最大亮度500cd/m2，最大电流效率1.0cd/A，最大发光峰位563nm。
实施例19：以配合物18/PVK为发光层的双层器件
器件结构为：ITO/PEDOT/发光层/TAZ/LiF/Al。组装条件为：将PVK和配合物18在CH2Cl2溶液中配成重量比为100/20的溶液，在转速1500转/分钟的条件下旋涂在经PEDOT修饰的玻璃电极表面。在高真空的条件下干燥2小时后，依次蒸镀上50nm的TAZ、1nm的LiF和100nm的金属铝。双层器件性能如下：启动电压13V，最大亮度1100cd/m2，最大电流效率3.0cd/A，最大发光峰位560nm。
实施例20：以配合物19/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物19的重量比为100/10。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压12V，最大亮度4700cd/m2，最大电流效率13cd/A，最大发光峰位515nm。
实施例21：以配合物20/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物20的重量比为100/5。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压13V，最大亮度800cd/m2，最大电流效率1.9cd/A，最大发光峰位564nm。
实施例22：以配合物21/PVK为发光层的双层器件
多层器件发光层中PVK与配合物21的重量比为100/10。其它组装条件同实施例8。双层器件性能如下：启动电压14V，最大亮度2300cd/m2，最大电流效率4.5cd/A，最大发光峰位564nm。
实施例23：以配合物22/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物22的重量比为100/10。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压14V，最大亮度500cd/m2，最大电流效率1.2cd/A，最大发光峰位546nm。
实施例24：以配合物23/PVK/PBD为发光层的单层器件
单层器件发光层中PVK、PBD与配合物23的重量比为100/40/10。其它组装条件同实施例2。单层器件性能如下：启动电压12V，最大亮度600cd/m2，最大电流效率1.2cd/A，最大发光峰位528nm。
实施例25：以配合物24/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物24的重量比为100/10。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压12V，最大亮度300cd/m2，最大电流效率0.4cd/A，最大发光峰位558nm。
实施例26：以配合物25/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物25的重量比为100/10。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压11V，最大亮度100cd/m2，最大电流效率0.3cd/A，最大发光峰位611nm。
实施例27：以配合物26/PC为发光层的单层器件
单层器件发光层中聚碳酸酯(PC)和配合物26的重量比为25/75。其它组装条件同实施例6。单层器件性能如下：启动电压3V，最大亮度4900cd/m2，最大电流效率18cd/A，最大发光峰位525nm，存在响应时间延迟现象。
实施例28：以配合物27/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物27的重量比为100/10。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压12V，最大亮度900cd/m2，最大电流效率1.5cd/A，最大发光峰位635nm。
实施例29：以配合物28/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物28的重量比为100/10。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压14V，最大亮度300cd/m2，最大电流效率0.4cd/A，最大发光峰位623nm。
实施例30：以配合物29/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物29的重量比为100/10。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压14V，最大亮度600cd/m2，最大电流效率0.7cd/A，最大发光峰位625nm。
实施例31：以配合物30/PMMA/CBP为发光层的多层器件
多层器件发光层中PMMA、CBP(4，4-N，N-二咔唑联苯)与配合物30的重量比为10/10/1。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压9V，最大亮度1000cd/m2，最大电流效率2.2cd/A，最大发光峰位545nm。
实施例32：以配合物31/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物31的重量比为100/5。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压10V，最大亮度700cd/m2，最大电流效率1.6cd/A，最大发光峰位540nm。
实施例33：以配合物32/PMMA/PBD为发光层的单层器件
单层器件发光层中PMMA、PBD与配合物32的重量比为1/2/2。其它组装条件同实施例2。单层器件性能如下：启动电压7V，最大亮度1800cd/m2，最大电流效率2.7cd/A，最大发光峰位540nm。
实施例34：以配合物33/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物33的重量比为100/10。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压11V，最大亮度400cd/m2，最大电流效率0.8cd/A，最大发光峰位598nm。
实施例35：以配合物34/PVK为发光层的双层器件
双层器件发光层中PVK与配合物34的重量比为100/10。其它组装条件同实施例8。双层器件性能如下：启动电压11V，最大亮度300cd/m2，最大电流效率0.6cd/A，最大发光峰位602nm。
实施例36：以配合物35/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物35的重量比为100/10。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压14V，最大亮度600cd/m2，最大电流效率0.8cd/A，最大发光峰位635nm。
实施例37：以配合物36/PVK/PBD为发光层的单层器件
多层器件发光层中PVK、PBD与配合物36的重量比为100/40/10。其它组装条件同实施例2。单层器件性能如下：启动电压16V，最大亮度500cd/m2，最大电流效率0.5cd/A，最大发光峰位640nm。
实施例38：以配合物37/PF为发光层的单层器件
单层器件发光层中PF(聚芴)与配合物37的重量比为100/10。其它组装条件同实施例2。单层器件性能如下：启动电压16V，最大亮度600cd/m2，最大电流效率0.4cd/A，最大发光峰位645nm。
实施例39：以配合物38/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物38的重量比为100/10。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压17V，最大亮度200cd/m2，最大电流效率0.2cd/A，最大发光峰位655nm。
实施例40：以配合物39/PVK为发光层的双层器件
双层器件发光层中PVK与配合物39的重量比为100/10。其它组装条件同实施例19。双层器件性能如下：启动电压17V，最大亮度500cd/m2，最大电流效率0.4cd/A，最大发光峰位645nm。
实施例41：以配合物40/PVK为发光层的多层器件
多层器件组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压16V，最大亮度200cd/m2，最大电流效率0.2cd/A，最大发光峰位660nm。
实施例42：以配合物41/PVK为发光层的多层器件
多层器件发光层中PVK与配合物41的重量比为100/10。其它组装条件同实施例1。多层器件性能如下：启动电压16V，最大亮度1000cd/m2，最大电流效率1.2cd/A，最大发光峰位625nm。
实施例43：以配合物42/PVK为发光层的双层器件
双层器件发光层中PVK与配合物42的重量比为100/10。其它组装条件同实施例8。双层器件性能如下：启动电压14V，最大亮度1400cd/m2，最大电流效率1.8cd/A，最大发光峰位625nm，参见附图1，2。
Claims (1)
1.一种铜(I)磷光材料的有机电致发光器件的制备方法，选取的铜(I)配合物均为单核四配位结构，具有如下两种基本类型：
结构通式I中
代表以氮为配位原子的二齿配体，可以是如下配体中的一种：
式中X为氧或硫原子；R1可以是氢、三氟甲基、碳原子数1-8的烷基或碳原子数1-10的烷氧基；R2、R3可以是氢、苯基、苯氧基、苯基乙炔基、咔唑基、碳原子数1-8的烷基或碳原子数1-10的烷氧基；R4可以是氢或甲基；R5可以是氢、苯基或碳原子数1-8的烷基；R1、R2、R3、R4、R5还可被进一步取代，对可被取代基在多个位置取代的配体，最多只宜在其中的两处被同时取代；
代表二(2-二苯基膦基)苯基醚或两个单独的三苯基膦配体，可以是如下四组配体中的一组：
式中R1可以是氢、N，N’-二苯胺基、咔唑基、碳原子数1-8的烷基或碳原子数1-10的烷氧基；R2可以是碳原子数1-8的烷基或碳原子数1-10的烷氧基，R1、R2还可被进一步取代；Ac-为抗衡负离子，为ClO4 -、BF4 -或FP6 -；配体
及抗衡负离子Ac-三者可任意组合；
结构通式II中
代表2，9位取代的1，10-菲咯啉配体，配合物分子中的两
配体可以相同，也可不同，分属以下两种情况：
结构式1中：R1可以是苯基、三氟甲基、苯基乙炔基、碳原子数1-8的烷基或碳原子数1-10的烷氧基；R2可以是氢、苯基、苯氧基、苯基乙炔基、咔唑基、碳原子数1-8的烷基或碳原子数1-10的烷氧基；结构式2中：R3、R4可以是氢、碳原子数1-8的烷基或碳原子数1-10的烷氧基，R3、R4可以相同，也可不同；R1、R2、R3、R4还可被进一步取代；Ac-为抗衡负离子，为ClO4 -、BF4 -或FP6 -；
所有Cu(I)配合物都通过配体交换法从带负离子酸根的四乙腈合铜间接制得；
器件的发光层采用溶液旋涂成膜法制备，工艺如下：将铜(I)配合物溶解于CH2Cl2溶液，在转速1500转/分钟的条件下旋涂在经聚噻吩衍生物(PEDOT)修饰或未经其修饰的ITO玻璃表面，真空干燥；用于旋涂的铜(I)配合物溶液的浓度范围为20mg/ml-100mg/ml；还可在铜(I)配合物的CH2Cl2溶液中加入高分子主体材料，共混旋涂制备发光层，所选取的高分子主体材料为聚酯或具有载流子传输特性的功能聚合物：聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚苯、聚乙烯基咔唑、聚咔唑或聚芴；铜(I)配合物与高分子主体材料在CH2Cl2溶液中的重量比为1∶0.15-100；通过调节混合溶液的浓度，将发光层的厚度控制在100±30nm；铜(I)配合物与高分子主体材料共混制备的发光层中还可进一步掺入小分子载流子传输材料：2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)、1，3，5-三(2-N-苯基苯并咪唑基)苯(TPBI)、3-(4-二苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)、N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺(TPD)、N，N’-双(1-奈基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺(NPD)或4，4-N，N-二咔唑联苯(CBP)；小分子载流子传输材料，可以是任何带三芳胺基、咔唑基或噁二唑基的小分子；小分子载流子传输材料与高分子主体材料在CH2Cl2溶液中的重量比为1∶0.3-3。
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