CN1487365A - 基底固定件以及器件制造方法 - Google Patents

Abstract

一种将小晶片装配到适于接收较大晶片的光刻装置上去的基底固定件，包括一个具有结点图案的较大硅片，其中在该图案上放置小晶片，用来对小晶片进行定位的定位插脚，以及由夹具环以及磁体构成的夹具，其中该磁体同较大晶片相连在一起。

Description

基底固定件以及器件制造方法

技术领域

本发明涉及一种基底固定件，例如可以用在一种光刻投射装置，其中包括：

-一个辐射系统，用来提供投射辐射光束；

-一个支撑结构，用来支撑构图部件，该构图部件用于根据所希望的图案对投射光束进行构图；

-一个基底台，用来固定基底；以及

-一个投射系统，用来向基底的靶部投射带图案的光束。

以及制造器件的方法。

背景技术

这里所采用的术语“构图部件”应该被更广义地解释为一种能够向一个入射的辐射光束赋予带图案的截面的部件，其中所述图案相应于将要在基底的靶部中形成的图案；术语“光阀”也可以在上下文中使用。一般的，所述的图案相应于在靶部中生成的器件中的特定功能层，例如集成电路或其它器件(参见下文)。该构图部件的例子包括：

-一个掩模。掩模的概念在光刻印刷技术中是众所周知的，它包括掩模类型例如双重的、交替相移以及衰减相移，还有各种混合掩模类型。辐射光束中这种掩模的布置导致了掩模上的有选择透射(在可透射掩模的情况下)或者辐射的反射(在反射掩模的情况下)。在存在掩模的情况下，支撑结构一般都是掩模台，该平台可以确保该掩模被固定在输入的辐射光束中所希望的位置上，并且如果需要的话可以相对于光束进行移动。

-一个可编程镜象阵列。该装置的一个例子就是具有粘弹性控制层和反射表面的矩阵-可寻址表面。该装置的基本原理就是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射成为衍射光，而非寻址区域将入射光反射成为非衍射光。假用适当的滤波器，可以将该非衍射光从反射光束中滤掉，而只剩下衍射光；在这种方式中，根据矩阵-可寻址表面的寻址图案将该光束组成图案。可编程镜象阵列的另一个实施例采用了小镜像矩阵排列，其中的每一个都可以通过采用合适的局部电场或者采用压电激励装置来沿着轴倾斜。再次，该镜像为矩阵-可寻址，因此已寻址的镜像将不同方向的输入辐射光束反射为不可寻址的镜像；在这种方式下，根据矩阵-可寻址镜像的寻址图案将反射光束组成图案。所需的矩阵寻址可以由合适的电场装置来执行。在下面所述的两种情况下，构图部件可以包括一个或多个可编程镜象阵列。从例如美国申请US5296891、US5523193、以及PCT申请WO98/38597和WO98/33096中可以搜集到更多的关于镜像阵列的信息，这些文献可以在这里用作参考。在可编程镜象阵列的情况下，所述支撑结构可以具体化为例如一个框架或者平台，它们可以根据需要是固定的或可移动的。

-一个可编程LCD阵列。在美国申请US5229872中给出了这种结构的一个实例。同上面一样，这种情况下的支撑结构可以具体化为例如一个框架或者平台，它们可以根据需要是固定的或可移动的。

为简便起见，该正文的其它部分在某一位置可以指定其本身包括一个掩模以及掩模台；可是，在该例中讨论的一般原则将会出现在此后构图部件的更广阔的上下文中。

例如，光刻投射装置可以用在集成电路(IC)的制造过程中。在这种情况下，构图部件将会生成相应于IC各层的电路图案，并且将该图案成像在基底(硅片)的靶部上(例如包括一个或多个模)，其中该基底已经被覆盖上了一层辐射敏感材料(保护层)。一般的，单晶片会包括相邻靶部的整个网络，其中通过投射系统依次对该靶部进行照射，一次一个。在该装置中，通过采用掩模台上的掩模来画图，可以在两种不同类型的机器上出现差异。在一种类型的光刻投射装置中，通过一次就将整个掩模图案暴露在靶部中来对靶部进行照射；在另一装置中——一般指步进扫描装置——通过在一个给定的参考方向(“扫描”方向)上用投射光束对掩模图案进行同步扫描来照射靶部，同时沿着与该方向平行或不平行的方向扫描基底台；一般的，由于该投射系统将会得到一个放大因数(一般小于1)，扫描基底台的速度V将会是扫描掩模台的M倍。从例如US6046792中可以搜集到更多的关于光刻装置的信息，在这里仅用作参考。

在使用光刻投射装置的制造过程中，图案(例如掩模中的)被成像在一个基底上，该基底至少部分的覆盖了一层辐射敏感材料(保护层)。在成像步骤之前，该基底可以经过多个处理过程，例如涂底漆、覆盖保护层以及软焙干。在曝光之后，可以对该基底进行多种处理，例如所呈图案的后曝光焙干(post-exposure，简称PEB)、显影、硬焙干以及测量/检查。该系列处理过程是对一个器件例如IC的各个层进行成形的基础。这种形成图案的层也可以进行各种处理例如蚀刻、离子注入(掺杂)、喷涂金属、氧化、化学-机械抛光等等，所有的这些都是为了完成一层。如果需要有多层，则需要为每个新层重复整个处理过程或其中的一些变体。最后，在基底(晶片)上将会有一排器件。接着可以采用例如切割或锯开来将他们彼此之间分开，由此，各个器件可以被装配到一个载体上、连接至插脚等等。例如可以从由Peter van Zant所著，1997年McGrawHill Publishing Co.出版的第三版“Microchip Fabrication：A Practical Guide toSemiconductor Procesing”，ISBN0-07-067250-4，中获得关于该处理过程的信息，在这里仅用作参考。

为简便起见，下文中的投射系统尤指“透镜”；可是，该术语应该被更广义的解释为包括各种类型的投射系统，例如该系统可以包括折射光学、反射光学以及反折射的。该辐射系统也可以包括根据这些指定类型进行操组的部件，用来引导、整形以及控制改辐射投射光束，并且这些部件也可以指下面全部或特殊的“透镜”。进一步，该光刻装置也可以具有两个或更多的基底台(和/或两个或更多的掩模台)。在该“多级”装置中，可以并行的使用附加平台，或者在一个或多个平台上进行预备步骤，而同时一个或多个其它平台正在被用于曝光。例如，在US5969441以及WO98/40791中就描述了双级光刻装置，在这里仅用作参考。

用于制造半导体器件的硅片具有标准大小-150mm、200mm、300mm(或者用寸来指它们的大小-6”、8”、12”)，并且由于越来越多的器件可以在一个晶片上制造，因此其中较大的尺寸被更加普遍的使用，降低了晶片交换步骤的数量并增加了生产量。光刻装置以及其它的在半导体制造过程中使用的设备都被指定为与这些标准的晶片大小相配套。一般的，一种光刻装置只接收一个标准大小的晶片。尽管一般来说会优先选择较大的晶片，可以在一些特殊的领域，也需要在一些比上述的标准大小还要小、薄的晶片上进行制造。可是制造或者采用光刻装置来适应这些小、薄的晶片也是很不经济的。

上面讨论的硅片类型通常都很薄的(例如100-350μm，例如140μm)并且由于这个原因使其在保持其自身重量的情况下尽量弯曲。当在一个步进器工具上进行曝光时，要求晶片在每个微米单位之内都是平的。进一步，晶片的优点就是在处理的过程中保持平坦，因此该晶片能够在紧密的空间内移动而不会发生碰撞。还进一步，当由自动仪器进行处理时，弯曲的晶片会增加其它的问题，例如由于它们是很脆的，因此当晶片弯曲时就会很难在真空固定件中有良好的接触。因此很希望晶片在位于光刻装置中的任何时候都保持其平面性。

发明内容

本发明的一个目的就是提供一个转接件，用来支撑相当小的基底并允许该晶片成像在具有适于接收较大基底的基底台的光刻装置上和/或在适于更大基底的其它基底处理设备中进行处理。

本发明的进一步的目的就是提供一种用来获得晶片平面的装置。

本发明的固定件可以同基底一块使用，例如硅片和其它非磁性材料的基底。

根据本发明中的基底固定件实现了这个以及其它的发明目的，该基底固定件包括一个可由光刻装置接收、具有第一额定大小的板件，以及一个夹具，用来固定具有第二额定大小的基底，所述第二额定大小小于所述第一额定大小。

最好是该夹具适于固定环绕在其基本全部外围的基底。这就在向晶片传输真空的板件上设有孔的情况下，允许晶片保持基本平面性并确保与真空系统的良好接触。

通过将较小的基底夹紧到较大的板件上，其中较大的板件具有额定大小，从而可以通过光刻装置或其他基底处理设备对较小的基底进行处理，而不需要对其进行修改。

该板件最好在平面上大致为圆形并且可具有一个或多个平面或槽口。该板件包括具有标准尺寸的硅片，该硅片与夹具附和在一起。另一方面，该板件可以由Zerodur(TM)或者其它的低热膨胀非磁性材料构成。

第一额定大小最好为150mm、200mm、300mm或更大。第二额定大小可以为100mm或更小。该各种情况下的额定大小为板件或基底的额定直径，而不考虑任何平面以及槽口。该基底以及固定件并不要求是圆的，但可以是另一种形状例如正方形。在这种情况下，额定大小为最大的尺寸。

该板件最好具有一个或多个定位插脚，以便于在所述基底紧靠在一块时，该基底位于所述板件的预定位置和/或方向上。在板件具有一个或多个平面或槽口并且固定件与具有一个或多个平面或槽口的基底一块使用时，最好对位置插脚进行定位，以便于基底的平面或槽口位于预定的，最好是相应的，朝着板件的平面或槽口的方向。

该夹具最好包括一个磁性材料环以及多个固定在板件上的磁体，其中该环具有类似但小于所述基底外部轮廓的内部轮廓。这种设置可以保证即使是有外力应用到基底上，也能保持基底的平面性，同时使得基底固定件的总厚度也保持很小。

在优选实施例中，板件在所示基底位于的区域内提供了一个很好的结点图案。该结点图案可以防止被压基底中很少范围重量变化。

根据本发明的另一方面，提供了一个装置制造方法，包括以下步骤：

-提供一个基底，该基底至少有一部分被一层辐射敏感材料覆盖；

-使用辐射系统提供投射辐射光束；

-使用构图部件向投射光束在截面上赋予图案；

-将带图案的辐射光束投射到导辐射敏感材料层的靶部，

在所述提供基底的步骤中还包括以下子步骤：

-将所述基底夹在具有比该基底更大额定大小的板件上；以及

-将所述夹有基底的板件载入至所述光刻装置。

虽然可以在使用根据本发明制造IC的装置时在该文中产生特定的基准，可以很容易理解的是该装置也可以有许多其它的应用。例如，它可以用于制造集成光学系统，用于磁畴存储器的制导及监测模式，液晶显示控制板，薄膜磁头等等。技术人员可以理解的是，在各个应用的上下文中，本文中的“刻度片”、“晶片”或“模”应该被视为分别由更常用的述语“掩模”、“基底”以及“靶部”所代替。

该文中，术语“辐射”以及“光束”通常包括所有的电磁辐射，包括紫外线辐射(例如，其波长为365、248、193、157或126nm)以及EUV(远紫外辐射，例如其波长范围为5-20nm)，还有粒子束流，例如离子束或电子束。

附图说明

下面参照附图通过几个例子对本发明的实施例进行描述，在附图中：

图1为其中采用了本发明实施例的光刻投射装置；

图2为根据本发明实施例的基底固定件与基底一块的分解图；

图3为图2中夹有基底的基底固定件的部分截面图；

图4为基底平面图，其中示出了当基底被固定在图2中的基底固定件上时能够被成像以及测量的部分；

图5为用于将基底安装到图2中的基底固定件上去的工具的透视图；以及

图6为从下面看到的晶片处理工具的透视图。

在图中，相应的参考标记表示相应的部分。

具体实施方式

光刻装置

图1简要的说明了其中采用了本发明实施例的典型光刻投射装置。该装置包括：

·一个辐射系统Ex，IL，用来提供辐射透影光束PB(例如DUV辐射)，其中在这种特别情况下还包括一个辐射源LA；

·一第一目标台(掩模台)MT，其具有用于固持一个掩模MA(例如，刻度片)的掩模支持座，并且连接到用于相对结构PL准确地定位掩模的第一定位装置；

·一第二目标台(基底台)WT，其中包括用于固定基底W(例如，保护涂层硅片)的基底固定件，并且与用来精确的为基底以及部件进行定位的第二定位装置相连；

·一个投射系统(“透镜”)PL(例如折射透镜系统)，用于在基底W的靶部C(例如包括一个或多个模)上对掩模MA的受辐照部分进行成像。

正如这里所述，该装置为透射型的(例如具有一个透射掩模)。但是，一般的，它也可以是反射型的(例如具有一个反射掩模)。另一方面，该装置也可以采用另一种类型的构图部件，例如上面所指出的可编程镜像阵列。

该源LA(例如一个受激准分子激光器)产生一个辐射光束。该光束直接或者在经过调节部件例如光束扩展器Ex之后被输入到一个照明系统(照明器)IL中。该照明器IL可以包括调整部件AM，用来在该光束中设置亮度分布的外部和/或内部径向范围(一般分别指外σ以及内σ)。另外，它一般还包括各种其它部件，例如积分器IN以及电容器CO。通过这种方式，在掩模MA上反射回来的光束PB在它的截面上具有预期的均匀以及亮度分布。

关于图1需要指出的是源LA可以位于光刻投射装置的外壳中(例如，经常是源LA为水银灯的情况)，但是它也可以远离光刻投射装置，其中所生成的辐射光束被导入到该装置中(例如，在适当定向镜像的帮助下)；后者经常为源LA为受激准分子激光器的情况。

该光束PB接着会遮断被固定在掩模台MT上的掩模MA。在经过了掩模MA之后，该光束PB通过将其聚焦到基底W靶部C的透镜PL。在第二定位装置(以及干涉测量装置IF)的帮助下，能够精确的对基底台WT进行移动，例如以便于在光束PB的路径上定位不同的靶部C。类似的，第一定位装置可以被用来根据光束PB的路径对掩模MA进行精确定位，例如在掩模库中机械取回掩模MA之后，或者在扫描期间。一般的，目标台MT、WT的移动都是在长冲程模块(粗略定位)以及短冲程模块(精确定位)的协助下完成的，这并没有在图1中详细解释。可是，在晶片步进器的情况下(与步进-扫描装置相反)，该掩模台MT可以只与一个短冲程传动装置相连，或者被固定。

上述的装置可以用在两种不同的模式：

1.在步进模式中，掩模台MT基本上保持静止，并且一口气(也就是一“闪”)就将一个完整的掩模图像投射在靶部C上。该基底台WT沿着x和/或y的方向移动，因此光束PB会照射到不同的靶部；

2.在扫描模式中，除了给定的靶部C在某一“闪”没有曝光之外，基本上采用了相同的情况。取代它的是，该掩模台MT可以在一个给定的方向上(被称为“扫描方向”，例如y方向)以速度v移动，因此终止该投射光束PB来扫描掩模图像；同时，该基底台WT也一块沿着相同或相反的方向以速度V＝Mv移动，其中M为透镜PL的焦距(一般的，M＝1/4或1/5)。通过这种方式，

可以曝光相当大的靶部C，而不必损害分辨率。

这种光刻装置适用于具有特定大小，例如额定直径150mm、200mm或300mm，以及例如具有一个或两个平板或槽口的圆周形状的基底(晶片)。尤其是，该基底台适于接收这种晶片并具有合适大小以及形状的结点图案，并使得插脚适于预定的基底的平面或槽口。其中很普通的是，基底被真空的固定在基底台上，该真空管口将覆盖基底的整个区域，以确保有一个均匀的夹力来避免基底变形。还有，该投射系统的焦点平面以及各种传感器例如校准和水平传感器都被设定为一个特定水平，并且被限制于在与基底垂直的平面内移动的基底台适于对某一特定水平给定厚度的基底上表面进行定位。如果使用太薄或是太厚的基底时，该基底台就无法有效的调整其位置，以便于将该基底的上表面位于投射系统以及各种传感器的焦点上。

基底固定件

图2为根据本发明实施例的基底固定件与基底一块的分解图。该基底固定件10包括一个板件11，它将定位插脚12、13以及永久磁铁14固定在一起，其中定位插脚12、13以及永久磁铁14，再加上夹具环15就构成了一个稳固的将基底W固定的夹具。还提供了一个结点图案来支撑该基底W。

举一个例子进行说明，该基底固定件10就是要保证额定直径100mm(4”)并且厚140μm的基底能够在一个光刻投射装置或是其它基底处理装置中对其进行处理，其中其它的基底处理装置适于处理额定直径150mm(6”)并且厚500μm的基底。在使其规格适合光刻投射装置的基底台WT的同时还使得该基底具有一个合适的高度，这样该基底固定件10就可以确保该由于其自身过薄而相当易弯并高度弯曲的基底W在曝光时保持平面。这可以通过基底W被全部或基本上全部环绕在其外围的夹具环15以及很好地足以防止了短范围高度变化的结点图案所夹持来实现。该夹具环可以防止基底在处理晶片步进器中的基底固定件时移动基底W。在曝光卡盘上，该真空系统可以被用作同时夹持基底固定件10以及基底W。这可以通过使用穿过板件11底部的孔来实现，其中该板件11将基底固定件10中的真空传送到基底W的下面。

从图4中可以更清楚地看到，该基底W具有一个第一平面F1，也可以具有第二平面F2。该定位插脚12(实际上有两个插脚)被固定为平面F1紧靠着它们以便于将基底W正确地固定在基底固定件10上，其中该固定件10依次具有一个用于将基底固定件10固定在基底台WT上的平面17。该定位插脚13紧靠着另一个平面F2晶片边沿上的一个点，以便于实现正确的定位。该夹具环15可以在其底面具有凹槽，以便于适用于定位插脚12、13和/或磁体14。

可以理解的是，该定位插脚12、13以及平面F1、F2、17并不需要保证将该基底定位在将要被执行的光刻处理的覆盖条件之内，而是只需要将在其上面具有校准标的基底W定位在光刻装置校准系统的捕获范围之内。在其它的实施例中，该基底W可以具有不同数量和/或排列的平板和/或槽口，同时，该光刻装置也可以适用于接收有不同数量和/或排列的平板和/或槽口的基底。在这种情况下，基底固定件上的定位插脚12、13也应该这样定位以便于为了正确的对基底进行定位而与基底固定件上的任何平板和/或槽口相互啮合，同时，该板件11也应该具有与光刻投射装置的基底台的任何定位装置都能相互啮合的平板和/或槽口。该定位插脚12、13使晶片W定位在板件11的平面中，同时该结点图案也使其定位在平面方向之外。

在该实施例中，板件11包括一个标准的150mm(6”)硅片，定位插脚12、13是铁氧体不锈钢的并通过环氧树脂被粘贴到板件11上。该磁体14为镀有NiP的永久磁体NdFeB，并且该夹具环由两层铁氧体不锈钢构成。两层铁氧体不锈钢的使用可以保证凹槽能够接收很容易提供的磁体和/或定位插脚。在该环上生成的通孔或切口只构成了较低的层；这比在一个薄环上形成遮蔽孔容易多了。还有，某一层可以由根据其磁性选择的钢制成，而其它的层可以由根据其力量选择的钢制成。当然，也可以采用一层来做夹具，这样就可以保证夹具的最小重量。

从图3中可以看出，如果尝试着在夹具环内部圆周的距离d₁内投射一个图像，则夹具环15的高度T将会阻碍该投射光束PB。距离S₁的精确值取决于厚度T以及投射透镜PL的数值孔径(NA)，而这就确定了投射光束的最外侧光线的角度。无法成像的环面宽度等于S₁和夹具环15与晶片W之间的重叠部分的最大宽度O_max的总和。通过选择合适的T和O_max，基底无法成像部分的宽度，这也可被视为夹具环的阴影，可以同一般的3mm边缘垫片相比较。在具有轴上水平测量的光刻装置中，该水平测量传感器(leveling sensor)光束LS-B具有比投射光束更薄的倾斜角度。这就意味着从夹具环到水平测量传感器光束LS-B之间的阴影S_LB会更宽并且无法测量晶片表面较大部分的垂直位置。这一问题可以通过从在基底W的内部部分生成的水平测量中进行外推而得以避免。在图4中，成像区用交叉的平行线画出的阴影示出并且水平测量传感器光束的阴影边界也由虚线示出。

图5中示出了将晶片W加载到基底固定件10中去的加载工具20。该加载工具含有一个平台21，在该平台上放置着板件11，例如可以通过晶片处理自动机(图5中未示出)或手工来进行。该平台21具有一个定位棒22，其中该定位棒22啮合于板件11的平面17以确保正确的定位。一旦该板件11定位正确，则该晶片W被放置到结点图案并紧靠位置插脚。这个也可以由晶片处理自动仪器或手工进行。该晶片W因此被真空夹持，以便于将其固定住。期间，该夹具环15被真空固定在环形真空卡盘23上。该环形卡盘23在凸出上具有定位孔24，其中当环形真空卡盘23被倒转并降低至平台21上时，该定位孔与平台定位插脚25相互啮合，因此，该夹具环被正确地定位在基底W上。接着释放真空并移除环形卡盘，使得夹具环由磁体14固定到板件11。该基底固定件11以及固定好的基底W可以通过例如晶片处理自动仪器被传送至光刻装置中去。

晶片处理自动仪器

上面指出的晶片处理自动仪器(就是众所周知的晶片处理工具)可以用来将板件11正确的定位在平台21上，也可以用来将基底W正确的定位在板件11上。由于人工处理会导致晶片W的污染并且会导致不如使用自动仪器那么精确定位，因此晶片处理自动仪器会优于人工处理。

图6为从下面看到的晶片处理工具30实施例的透视图。该工具包括中央平坦凹槽区31以及从中央平坦凹槽区31延伸出来的外围区域32。该实施例中的外围区域32被分成三个部分A、B、C，并且能够使晶片的边缘呈现真空。在该实施例中，使用在外围区域32中形成的圆周开槽33来呈现真空。外围区域32的部分A、B小于部分C。在该实施例中，每个部分A、B都横跨大约30°的圆周范围，而部分C横跨大约160°的圆周范围。

图6中所示出的三个外部区域A、B、C都可以通过工具侧面的孔与真空设备接头34相连，该接头依次与真空汞系统等相连。

最好对外部区域32中的真空沟槽(或者更一般的为空腔)33进行定位，这样就能够保证只有晶片的外沿能够同工具相接触。该凹进去的中央区域31可以防止晶片同工具的任何其它部分相接触。从图6中可以看出，在工具的圆周的某一位置有两个缺口35、36并且这就允许该晶片能够被压靠在晶片固定件表面的固定点上。例如，对于具有平面F1和F2的晶片，该工具30能够在缺口36中暴露出来的平面F1与一个缺口35中暴露出来的平面F2之间夹住该晶片，并且这也能够帮助将晶片设置为紧贴在板件11之上。该缺口35和36也能够在视觉上确定该晶片紧靠者基准插脚12、13。

该工具最好由塑料材料制成，因为这种材料比较容易制造并确不会伤害晶片表面。Polycetal例如聚氧甲烯(polyoxymethylene，简称POM)就非常合适。

该工具的优点就是它允许晶片从顶部而不是底部进行处理。这就可以通过使用外部真空腔来实现不与晶片可用中央部分相接触。该工具可以在各种无法或不希望从下面处理晶片的情况下使用。例如：

-一个晶片需要被定位在一个用于一后面工具的空间的表面上；

-必须将晶片从它所粘住或者其上没有用于标准工具的空间的表面上移除；

-在晶片的后面存在器件或其它敏感部件。

指定给该工具的外部真空腔允许以可靠的方式来处理非常脆、薄的晶片。进一步，还发现工具本身也能够帮助整平弯曲的晶片，这就使得后面的晶片定位非常简单并且更可靠。

虽然上面对本发明的特定实施例进行了描述，但是可以理解的是本发明也可以由除上述以外的其它方式实现。本发明并不仅限于说明书。

Claims (14)

1.一种基底固定件，包括：一个可由光刻装置接收、具有第一额定大小的板件，以及一个用于固定具有第二额定大小的基底的夹具。

2.根据权利要求1的基底固定件，其特征在于所述的夹具适于将具有第二额定大小的所述基底基本上固定在它的外围。

3.根据权利要求1或2的基底固定件，其特征在于第二基底的无法成像部分在使用中为大约3mm宽的外围部分。

4.根据权利要求1、2或3的基底固定件，其特征在于所述板件包括一个具有标准额定尺寸的硅片，夹具同该硅片相连在一起。

5.根据权利要求1、2、3或4的基底固定件，其特征在于所述板件基本上在平面上是圆形的并且任选地具有一个或多个平板或槽口；

6.根据权利要求5的基底固定件，其特征在于所述第一额定大小为150mm、200mm或300mm或更大，并且所述第二额定大小为100mm或更小。

7.根据前面任何一个权利要求之一的基底固定，其特征在于所述板件具有一个或多个定位插脚，固定为当所述基底反面相接时，该基底就被定位在所述板件的一个预定位置和/或方向。

8.根据权利要求7的基底固定件，为了使用具有一个或多个的平板或槽口基底，其特征在于所述板件具有一个或多个平板或槽口，并且所述定位插脚被定位使得该基底的平板或槽口位于相对于板件平板或槽口的预定、最好是相应的方向。

9.根据前面任何一个权利要求之一的基底固定件，其特征在于所述夹具包括一个磁性材料环，该磁性材料的内部周线类似并小于所述基底的外部周线，并且有多个磁体被固定在板件上。

10.根据前面任何一个权利要求之一的基底固定件，其特征在于所述板件在放置所述基底的区域内具有精密结点图案。

11.一种操作根据权利要求1-10中任何一个基底固定件的方法，该方法包括：

-在一个平台上定位所述板件；

-将基底放置在所述板件的正确方向上；

-在卡盘上定位所述夹具；

-降低所述卡盘至所述平台以便于将所述夹具正确的定位在所述基底上，并因此所述基底夹持在所述板件上。

12.根据权利要求11的方法，其特征在于所述降低步骤包括：

-在所述平台上具有插脚的所述卡盘中定位多个孔，以便于对准所述夹具、基底以及板件。

13.一种器件制造方法，包括步骤：

-提供一个基底，该基底至少有一部分被一层辐射敏感材料覆盖；

-使用辐射系统提供投射辐射光束；

-使用构图部件向投射光束在截面中赋予图案；

-将带图案的辐射光束投射到辐射敏感材料层的靶部，

其特征在于在所述提供基底的步骤中还包括以下子步骤：

-将所述基底夹持在具有比该基底更大额定大小的板件上；以及

-所述具有基底的板件载入至所述光刻装置。

14.一种根据权利要求13的器件制造方法，其特征在于所述夹持步骤包括将所述基底夹持在其基本上全部外围。

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