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CN1296633A - 阴极射线管发光屏组件的制造方法 - Google Patents

阴极射线管发光屏组件的制造方法 Download PDF

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CN1296633A
CN1296633A CN99804937A CN99804937A CN1296633A CN 1296633 A CN1296633 A CN 1296633A CN 99804937 A CN99804937 A CN 99804937A CN 99804937 A CN99804937 A CN 99804937A CN 1296633 A CN1296633 A CN 1296633A
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Abstract

本发明涉及CRT面板盘(12)内表面上具有光吸收矩阵(23)的发光屏组件(22)的制造方法,在光吸收矩阵(23)中有多个尺寸大体相等的开口。选色极24与内表面相距距离Q。该方法包括在面板盘内表面上提供其溶解度在曝光时可改变的第一光致抗蚀剂层(50)的步骤。使第一光致抗蚀剂层对来自相对于中心光源位置0对称设置的两个光源位置+G和－G的光曝光。然后,去除光致抗蚀剂层的更可溶的区域(54),用光吸收材料(58)进行涂敷和显影,去除其上有光吸收材料的第一光致抗蚀剂层的不太可溶的区域(52)。光吸收材料的第一保护带(60)保留在面板盘内表面上。分别使用第二和第三光致抗蚀剂层(70和90)以及两个非对称设置的光源位置+B、－B和+R、－R,重复两次以上该工艺方法,产生第二和第三保护带(80和100)。

Description

阴极射线管发光屏组件的制造方法
本发明涉及阴极射线管(CRT)的包括光吸收矩阵的发光屏组件的制造方法，特别涉及使用其开口宽度基本大于制得的矩阵开口宽度的选色极制备矩阵的方法。
图1表示其上具有屏组件22的常规CRT的荫罩2和观看面极18。荫罩2包括多个矩形开口4，图中仅示出一个开口。屏组件22包括具有矩形开口的光吸收矩阵23，在矩形开口中分别设置发射蓝、绿和红光的荧光线B、G和R。三种发光颜色的荧光体和它们之间的矩阵线或保护带(guardband)包括具有大约0.84mm(33密耳)的宽度或屏节距P的三元组。以下用RB表示发射红和蓝光的荧光线之间的保护带，用RG表示发射红和绿光的荧光线之间的保护带，用BG表示发射蓝和绿光的荧光线之间的保护带。对于常规荫罩2来说，荫罩开口4的宽度a不大于三元组宽度P的三分之一。在对角线尺寸为51cm(20英寸)的CRT中，荫罩开口4的宽度a在约0.23mm(9密耳)的数量级，形成于矩阵中的开口的最终宽度b约为0.18mm(7密耳)。矩阵23在相邻荧光线之间的保护带宽度c约为0.1mm(4密耳)。最好采用1971年1月26日授予Mayaud的美国专利3558310中所述的工艺方法将矩阵23形成在观看面板18上。简要地说，在观看面板上配置其溶解度可因光而改变的适当光致抗蚀剂膜。通过荫罩2中的开口4使光致抗蚀剂对来自普通三合一(three-in-one)曝光台(未示出)的紫外光曝光。在每次曝光之后，将灯移动到曝光台中的不同位置，以再现来自CRT电子枪的电子束入射角。典型地，如图2所示，用6、7和8表示的三束电子束的位置间隔大约5.38mm(212密耳)的距离Xo。要求从三个不同的灯位置进行三次曝光，以完成矩阵曝光处理。然后，用水冲洗被曝光的膜，去除具有较高溶解度的膜区域，从而露出面板盘(faceplate panel)的裸露区域。接着，用现有技术中公知的那种黑色矩阵浆料涂敷面板盘内表面，当干燥时，该浆料粘附到面板盘的露出区域上。最后，去除覆盖被保留膜的矩阵材料以及保留膜区域，留下面板盘的前述露出区域上的矩阵层。再参照图1，在荫罩开口的宽度a与矩阵开口的宽度b之间的差被称为“印刷减小(print down)”。这样，在图1的常规荫罩型CRT中，荫罩开口的宽度约为0.23mm，矩阵开口的宽度约为0.18mm，典型的“印刷减小”约为0.05mm(2密耳)。荫罩型CRT的缺点是：在屏幕中心，荫罩几乎截取电子束电流的约18-22％；即，据说荫罩仅具有大约18-22％的透过率。这样，荫罩2中开口4的面积约为罩面积的18-22％。因为没有与荫罩2有关的聚焦场，所以屏组件22的相应部分被电子束激励。
为了增加选色极的透过率而不增加屏幕被激励部分的尺寸，需要偏转后聚焦选色结构。这种结构的聚焦特性允许较大孔径的开口，用以获得比普通荫罩大的电子束透过率。这种结构中的一种，即单轴张力聚焦罩，披露于1997年7月8日授予R.W.Nosker等人的美国专利5646478中。使用例如张力聚焦罩之类的偏转后聚焦选色极的缺点是：不能采用形成矩阵的常规方法，因为现有方法仅提供大约0.05mm(2密耳)的“印刷减小”。对于美国专利5646478的张力聚焦罩来说，屏组件的三元组间隔P与具有常规荫罩的CRT的相同，因而矩阵开口宽度约为0.18mm。可是，如后所述，对于张力聚焦罩型CRT来说，需要大约0.37mm(14.5密耳)的“印刷减小”。用上述常规矩阵处理方法不能实现“印刷减小”的这种高程度。此外，对于张力聚焦罩型CRT来说，利用例如上述美国专利3558310所教导的常规三合一曝光台工艺方法形成的任何矩阵开口图形都将导致因“Q”间隔误差使轰击在发射蓝和红光的荧光体上的电子束误着屏。尺寸“Q”是选色极与面板内表面之间的距离。典型的“Q”间隔误差在+/-5％的数量级，即由面板厚度或曲率与理想尺寸的偏差引起的荫罩-屏幕间隔上的变化。因此，需要一种新的制备矩阵的方法，该方法对于非常大的“印刷减小”也能处理同时没有电子束的误着屏。
本发明涉及阴极射线管面板盘内表面上具有光吸收矩阵的发光屏组件的制造方法，在光吸收矩阵中有多个尺寸大体相等的开口。该管具有与面板盘内表面相距距离Q的选色极。该方法包括在面板盘内表面上提供其溶解度在曝光时可改变的第一光致抗蚀剂层的步骤。使第一光致抗蚀剂层对来自相对于中心光源位置0设置于两个对称光源位置的灯的光曝光。曝光选择地改变第一光致抗蚀剂层被照区域的溶解度，产生较高溶解度的区域和较低溶解度的区域。去除较高溶解度的区域，露出面板盘内表面的区域，同时保留较低溶解度区域。用光吸收材料的组合物覆盖面板盘内表面和第一光致抗蚀剂层的保留区域。去除第一光致抗蚀剂层的保留区域和其上的光吸收材料，从而露出面板盘内表面的部分同时保留粘附于面板盘内表面的光吸收材料的第一保护带。利用第二和第三光致抗蚀剂层重复该工艺方法。用相对于中心光源位置0设置于另外的非对称光源位置的灯，通过选色极进行第二和第三光致抗蚀剂层的曝光。随后涂敷光吸收材料并去除被选择的区域，露出面板盘内表面的部分同时保留粘附于面板盘内表面的光吸收材料的第二和第三保护带。然后，在面板盘内表面的露出部分上淀积荧光材料，完成屏组件。
附图中：
图1是展示“印刷减小”的CRT常规荫罩和屏组件的一部分的放大剖面图；
图2表示CRT内三束电子束的位置B、G和R；
图3是按照本发明制备的彩色CRT的局部轴向剖切的平面图；
图4是图3的CRT的张力聚焦罩和屏组件的一部分的放大剖面图；
图5是用于图3的CRT中的张力聚焦罩和框架的平面图；
图6表示制造工艺方法的第一步骤，其中一部分CRT面板盘具有设置于其内表面的第一光致抗蚀剂层；
图7表示来自第一灯位置+G和第二灯位置-G的光通过张力聚焦罩照射第一光致抗蚀剂层的区域；
图8是图7中圆8内区域的放大图，表示本工艺方法的第二步骤，其中在第一光致抗蚀剂层中产生较高溶解度和较低溶解度的区域；
图9表示该工艺方法的第三步骤，其中去除第一光致抗蚀剂层的较高溶解度的区域并留下保留的较低溶解度的区域；
图10表示该工艺方法的第四步骤，其中在面板盘内表面和第一光致抗蚀剂层的较低溶解度的保留区域上涂敷光吸收材料的组合物；
图11表示该工艺方法的第五步骤，其中去除较低溶解度的保留区域和其上的光吸收材料，从而露出面板盘内表面的部分同时保留粘附于面板盘内表面的光吸收材料的第一保护带；
图12表示该制造工艺方法的第六步骤，其中在CRT面板盘内表面的露出部分和第一保护带上设置第二光致抗蚀剂层；
图13表示来自第三灯位置+B和第四灯位置-B的光通过张力聚焦罩照射第二光致抗蚀剂层的区域；
图14是图13的圆14内区域的放大图，表示该工艺方法的第七步骤，其中在第二光致抗蚀剂层中产生较高溶解度和较低溶解度的区域；
图15表示该工艺方法的第八步骤，其中去除第二光致抗蚀剂层的较可溶的区域，露出所述面板盘的所述内表面的区域，同时留下所述第二光致抗蚀剂层的较低溶解度的保留区域；
图16表示该工艺方法的第九步骤，其中在面板盘内表面和第二光致抗蚀剂层的较低溶解度的保留区域上涂敷光吸收材料的组合物；
图17表示该工艺方法的第十步骤，其中去除较低溶解度的保留区域和其上的光吸收材料，露出面板盘内表面的部分，同时保留粘附于面板盘内表面的光吸收材料的第二保护带；
图18表示该工艺方法的第十一步骤，其中在CRT面板盘内表面的露出部分和第一以及第二保护带上设置第三光致抗蚀剂层；
图19表示来自第五灯位置+R和第六灯位置-R的光通过张力聚焦罩然照射第三光致抗蚀剂层的区域；
图20是图19的圆20内区域的放大图，表示本工艺方法的第十二步骤，其中在第三光致抗蚀剂层中产生较高溶解度和较低溶解度的区域；
图21表示本工艺方法的第十三步骤，其中去除第三光致抗蚀剂层的更可溶的区域，露出所述面板盘的所述内表面的区域同时留下较低溶解度的保留区域；
图22表示该工艺方法的第十四步骤，其中在面板盘内表面和第三光致抗蚀剂层的较低溶解度的保留区域上涂敷光吸收材料的组合物；
图23表示该工艺方法的第十五步骤，其中去除较低溶解度的保留区域和其上的光吸收材料，露出面板盘内表面的部分和粘附于面板盘内表面的光吸收材料的第三保护带；
图24表示保护带和荧光体开口如何随“Q”间距改变而改变；和
图25是作为Q误差的函数的保护带宽度、荧光体开口宽度和荧光屏误着屏的曲线。
图3表示具有玻壳11的阴极射线管10，玻壳11包括用矩形锥体15连接的矩形面板盘12和管颈14。锥体具有从阳极钮16延伸到管颈14的内导电涂层(未示出)。面板盘12包括圆柱形观看面板18和利用玻璃熔料密封到锥体15上的周边凸缘或侧壁20。三色荧光屏组件22装于观看面板18的内表面上。屏组件22是线性屏，如图4所示，具有按三个一组(三元组)排列的发射蓝、绿和红光的荧光体，各三元组包括由光吸收矩阵23的保护带分开的三种颜色中的每一种颜色的荧光线。按相对于屏组件22的预定间距，将例如张力聚焦罩之类的多孔选色极24可拆卸地安装在面板盘12内。该距离被称为“Q”间距。用图3中虚线所示意表示的电子枪26同轴地装入管颈14内，产生和引导三束一字形电子束(示于图2中)沿会聚路径通过张力聚焦罩24到达屏组件22。电子枪是常规的，可以是现有技术中公知的任何适当的枪。
CRT 10被设计与外部磁偏转线圈，例如在锥体-管颈结合处附近所示的线圈30一起使用。当被激励时，线圈30使三束电子束受到磁场的作用，使电子束在屏组件22上扫描出水平和垂直矩形光栅。
正如现有技术中所知的，铝层(未示出)覆盖屏组件22，提供对其的电接触以及反射表面，该反射表面将从荧光体发射的光通过观看面极18射向外部。如图5所示，最好由厚约为0.05mm(2密耳)且包括两条长边和两条短边的低碳钢矩形薄板形成张力聚焦罩24。张力聚焦罩的两条长边平行于罩的中心长轴X，两条短边平行于罩的中心短轴Y。参见图4和5，张力聚焦罩24包括有孔部分，有孔部分包含被平行于罩短轴Y的狭缝(slot)33隔开的大量第一细长线束(strand)32。
在本发明第一实施例中，例如，在对角线尺寸为68cm(27英寸)的CRT中，被定义为第一线束32和相邻狭缝33的横向尺寸的罩节距约为0.85mm(33.5密耳)。如图4所示，各第一线束32的横向尺寸或宽度d约为0.36mm(14密耳)，各狭缝33的宽度a′约为0.49mm(19.5密耳)。狭缝33从张力聚焦罩的相邻一个长边延伸到其相邻的另一长边。分别具有约为0.025mm(1密耳)的直径的多个第二线束34大体垂直于第一线束32取向并在它们之间间隔绝缘器36。用于张力聚焦罩24的框架38包括图5中所示的四个主构件、两个抗扭力构件(torsion members)40和41、以及两个侧边构件42和43。两个抗扭力构件40和41平行于长轴X并且彼此平行。张力聚焦罩24的长边焊接在对罩24提供所需张力的两个抗扭力构件40和41之间。返回到图4，形成于观看面板18上的屏22包括光吸收矩阵23，光吸收矩阵23具有其中设置发射B、G和R光的荧光线的矩阵开口。相应的矩阵开口具有约为0.173mm(6.8密耳)的最佳或理想宽度b。各矩阵线或保护带的最佳宽度c约为0.127mm(5密耳)，各荧光体三元组的宽度或屏节距P约为0.91mm(35.8密耳)。对于本实施例，张力聚焦罩24与面板盘12内表面的中心相隔距离Q约为15.1mm(593.3密耳)。
图6-23示出用于制造矩阵23的新工艺方法，其中使用其罩狭缝33宽于罩线束24的张力聚焦罩24。在清洗面板盘12之后，利用常规装置，在其内表面上配置负作用(negative acting)光致抗蚀剂材料，形成第一光致抗蚀剂层50。如图7和8所示，在曝光台(未示出)内，来自至少两个光源位置+G和-G的光通过张力聚焦罩24对第一光致抗蚀剂层50曝光。第一光源位置+G相对于中心光源位置0位于约为1.78mm(70mm)的距离ΔX处。第二光源位置-G对称地位于距中心光源位置0约为-1.78mm(-70mm)的距离-ΔX处。光源位置+G和-G距第一光致抗蚀剂层50的纵向间距约为280.86mm(11.0573英寸)。如图8所示，在张力聚焦罩24与其上配置第一光致抗蚀剂层50的面板内表面之间的Q间距约为15.1mm(593.3密耳)。从光源位置+G和-G发射的光选择地改变第一光致抗蚀剂层50的被照区域的溶解度，从而产生较低溶解度的区域52。由罩线束32屏蔽的第一光致抗蚀剂层50的区域没有改变并且构成较高溶解度的区域54。如图9所示，用水显影光致抗蚀剂，于是去除较高溶解度的区域和露出较高溶解度区域下面的面板盘12内表面的区域56，同时保留具有较低溶解度的第一光致抗蚀剂层50的那些区域52。
如图10所示，用光吸收材料58的组合物覆盖露出的区域56和保留的较低溶解度的区域52。光吸收材料58粘附于露出区域56中的面板盘12的内表面上。最好，光吸收材料是可从Acheson ColloidsCo.,Port Huron,MI购买的石墨组合物。然后，利用现有技术中公知的化学消化剂水溶液，去除第一光致抗蚀剂层的保留区域52和其上的光吸收材料。如图11所示，第一保护带60和光吸收材料的边界62粘附于面板盘12的内表面。
参照图12，通过在面板盘12的内表面上提供负作用光致抗蚀剂材料，再次重复该工艺方法，形成第二光致抗蚀剂层70。如图13和14所示，在曝光台(未示出)内，第二光致抗蚀剂70通过张力聚焦罩24对来自至少两个光源位置+B和-B的光曝光。第三光源位置+B相对于中心光源位置0非对称地位于设置于大约8.99mm(354密耳)的距离2X1-ΔX处。第四光源位置-B非对称地位于距中心光源位置0大约为-3.61mm(-142密耳)的距离-X1+ΔX处。光源位置+B和-B距第二光致抗蚀剂70的纵向间距保持约为280.86mm(11.0573英寸)的距第一光致抗蚀剂50的纵向间距。如图14所示，在张力聚焦罩24与其上设置第二光致抗蚀剂层70的面板内表面之间的Q间距保持在大约15.1mm(593.3密耳)。从光源位置+B和-B发射的光选择地改变第二光致抗蚀剂层70被照区域的溶解度，从而产生较低溶解度的区域72。由罩线束32屏蔽的第二光致抗蚀剂层70的区域没有改变并且构成较高溶解度的区域74。如图15所示，用水显影光致抗蚀剂，于是去除较高溶解度的区域和露出较高溶解度区域下面的面板盘12内表面的区域76，同时保留具有较低溶解度的第二光致抗蚀剂层70的那些区域72。
如图16所示，用光吸收材料78的组合物覆盖在先形成的露出的区域76和保留的较低溶解度的区域72。光吸收材料78粘附于在先形成的露出区域76中的面板盘12内表面上。然后，利用现有技术中公知的化学消化剂水溶液，去除第二光致抗蚀剂层的保留区域72和其上的光吸收材料。如图17所示，新形成的第二保护带80和先前形成的第一保护带60保留在面板盘12的内表面上。
参照图18，通过在面板盘12内表面上提供负作用光致抗蚀剂材料，第三次重复该工艺方法，形成第三光致抗蚀剂层90。如图19和20所示，在曝光台(未示出)内，第三光致抗蚀剂90通过张力聚焦罩24对来自至少两个光源位置+R和-R的光曝光。第五光源位置+R相对于中心光源位置0非对称地设置于大约为3.61mm(142密耳)的距离X2-ΔX处。第六光源位置-R非对称地设置于距中心光源位置0大约为-8.99mm(-354密耳)的距离-2X2+ΔX处。光源位置+R和-R距第三光致抗蚀剂层90的纵向间距保持在大约280.86mm(11.0573英寸)。如图20所示，在张力聚焦罩24与其上设置第三光致抗蚀剂层90的面板内表面之间的Q间距保持在大约15.1mm(593.3密耳)。如图20所示，从光源位置+R和-R发射的光选择性地改变第三光致抗蚀剂层90的被照区域的溶解度，于是产生较低溶解度的区域92。由罩线束32屏蔽的第三光致抗蚀剂层90的区域没有改变并且构成较高溶解度的区域94。如图21所示，用水显影光致抗蚀剂，从而去除较高溶解度的区域和露出较高溶解度区域下面的面板盘12内表面的区域96，同时保留具有较低溶解度的第三光致抗蚀剂层90的那些区域92。
如图22所示，用光吸收材料98的组合物覆盖在先形成的露出的区域96和在面板盘12内表面上的较低溶解度的保留区域92。光吸收材料98粘附于在先形成的露出区域96中的面板盘12内表面上。然后，利用现有技术中公知的化学消化剂水溶液，去除第三光致抗蚀剂层的保留区域92和其上的光吸收材料。如图23所示，新形成的第三保护带100和先前形成的第一保护带60和第二保护带80保持在面板盘12的内表面上。
图24中示出本工艺方法的优点。如果Q间距改变，例如因从张力聚焦罩到面板盘内表面的距离改变，那么R、B和B矩阵开口也改变，但尺寸保持相等。如果因前述“Q误差”，Q间距改变-5％，那么各矩阵开口的宽度从0.173mm(6.8密耳)的理想尺寸增加到大约0.189mm(7.46密耳)，保护带改变如下：保护带60的宽度从0.127mm(5密耳)的理想尺寸增加到大约0.139mm(5.49密耳)，而保护带80和100的宽度从0.127mm(5密耳)的理想尺寸减小到大约0.0945mm(3.72密耳)。可是，如果Q间距改变+5％，那么各矩阵开口的宽度减小到大约0.156mm(6.14密耳)，但保护带尺寸改变如下：保护带60的宽度减小到0.115mm(4.51密耳)，同时保护带80和100的宽度增加到0.160mm(6.28密耳)。这些结果图示于图25中。
在形成矩阵之后，用适当方法淀积荧光屏元，该方法例如披露于1996年10月3日授予Gorog等人的美国专利5455133中。本方法调节矩阵开口和保护带的尺寸，以考虑Q间距的改变。可是，如图25所示，作为本方法的结果，轰击红、蓝和绿荧光体的电子束没有误着屏。
本发明还可应用于较细节距的张力聚焦罩。例如，其中张力聚焦罩的罩节距为0.65mm(25.6密耳)和第一线束宽度为0.3mm(11.8密耳)，相应的屏节距为0.68mm(25.8密耳)。各矩阵开口的最佳宽度b约为0.132mm(5.2密耳)，矩阵线宽度c约为0.094mm(3.7密耳)。对于本实施例的张力聚焦罩24，中心Q间距约为11.14mm(449密耳)。
此外，如果张力聚焦罩24的罩节距为0.41mm(16.1密耳)且第一线束宽度为0.2mm(7.8密耳)，相应的屏节距为0.42mm(16.5密耳)。各矩阵开口的宽度b约为0.066mm(2.6密耳)，矩阵线宽度c约为0.074mm(2.9密耳)。在本实施例的张力聚焦罩24中，中心Q间距约为7.4mm(291.5密耳)。

Claims (3)

1．一种CRT面板盘12内表面上具有光吸收矩阵23的发光屏组件22的制造方法，在光吸收矩阵23中有多个尺寸大体相等的开口，该CRT带有与所述面板盘的所述内表面相距距离Q的选色极24，所述方法包括下列步骤：
a)在面板盘12内表面上提供其溶解度在曝光时可改变的第一光致抗蚀剂层50；
b)使所述第一光致抗蚀剂层50对来自相对于中心光源位置0对称设置的至少两个光源位置+G和-G的光曝光，以选择地改变所述第一光致抗蚀剂层50被照区域的溶解度，从而产生具有较高溶解度的区域54和具有较低溶解度的区域52，
c)去除具有较高溶解度的所述第一光致抗蚀剂层50的区域54，于是露出所述面板盘12的所述内表面的区域56，同时保留较低溶解度的所述区域52；
d)用光吸收材料58的组合物覆盖所述区域56和所述保留的区域52；
e)去除所述保留区域52和其上的光吸收材料，从而露出所述面板盘12的所述内表面的部分同时保留粘附于所述面板盘的所述内表面上的所述光吸收材料的第一保护带60；
f)分别利用第二和第三光致抗蚀剂层70和90和另外非对称设置的光源位置+B、-B和+R、-R，再重复步骤a)至e)两次以上，露出所述面板盘的所述内表面的部分，产生所述光吸收材料的第二和第三保护带80和100；和
g)在面板盘内表面的露出部分上淀积荧光材料。
2．一种CRT面板盘12内表面上具有光吸收矩阵23的发光屏组件22的制造方法，在光吸收矩阵23中有多个尺寸大体相等的开口，该CRT带有与所述面板盘的所述内表面相距距离Q的选色极24，所述方法包括下列步骤：
在所述面板盘12的所述内表面上提供其溶解度在曝光时可改变的第一光致抗蚀剂层50；
使所述第一光致抗蚀剂层50通过所述选色极24对来自相对于中心光源位置0对称设置的至少两个光源位置+G和-G的光曝光，以选择地改变所述第一光致抗蚀剂层50的被照区域的溶解度，从而产生具有较高溶解度的区域54和具有较低溶解度的区域52，
去除具有较高溶解度的所述第一光致抗蚀剂层50的区域54，从而露出在所述较高溶解度的所述区域54下面的所述面板盘12的所述内表面的区域56，同时保留较低溶解度的所述第一光致抗蚀剂层50的那些区域52；
用光吸收材料58的组合物覆盖所述面板盘12的所述内表面和所述第一光致抗蚀剂层50的所述保留区域52，该光吸收材料58粘附于所述面板盘12的所述内表面上；
去除所述第一光致抗蚀剂层50的所述保留区域52和其上的光吸收材料58，从而露出所述面板盘12的所述内表面的部分同时保留粘附于所述面板盘的所述内表面上的所述光吸收材料的第一保护带60；
在所述面板盘12的所述内表面的所述露出部分和粘附于所述面板盘的所述内表面上的所述光吸收材料的保留的第一保护带60上提供其溶解度在曝光时可改变的第二光致抗蚀剂层70；
使所述第二光致抗蚀剂70通过所述选色电极24对来自至少两个非对称设置的源位置+B和-B的光曝光，以选择地改变所述第二光致抗蚀剂层70被照区域的溶解度，从而在所述第二光致抗蚀剂层中产生较高溶解度的区域74和较低溶解度的区域72；
去除所述第二光致抗蚀剂层70的较高溶解度的区域74，从而露出所述较高溶解度区域74下面的所述面板盘12的所述内表面的区域76，同时保留所述第二光致抗蚀剂层70的较低溶解度的区域72；
用光吸收材料78的组合物涂敷所述面板盘12的所述内表面和所述第二光致抗蚀剂层70的保留区域72，该光吸收材料78粘附于所述面板盘12的所述内表面上；
去除所述第二光致抗蚀剂层70的所述保留区域72和其上的光吸收材料78，从而露出所述面板盘12的所述内表面的部分，同时保留粘附于所述面板盘12的所述内表面上的所述光吸收材料的第二保护带80；
在所述面板盘的所述内表面的所述露出部分和粘附于所述面板盘12的所述内表面的所述光吸收材料的保留的第一和第二保护带60、80上，提供其溶解度在曝光时可改变的第三光致抗蚀剂层90；
使所述第三光致抗蚀剂层90通过所述选色电极24对来自至少两个不同的非对称设置的源位置+R和-R的光曝光，以选择地改变所述第三光致抗蚀剂层90被照区域的溶解度，从而在所述第三光致抗蚀剂层90中产生较高溶解度的区域94和较低溶解度的区域92；
去除所述第三光致抗蚀剂层90的具有较高溶解度的区域94，从而露出较高溶解度的所述区域94之下的所述面板盘12的所述内表面的区域96，同时保留所述第三光致抗蚀剂层90的较低溶解度的那些区域92；
用光吸收材料98的组合物涂敷所述面板盘12的所述内表面和所述第三光致抗蚀剂层90的保留区域92，该光吸收材料98粘附于所述面板盘12的所述内表面；
去除所述第三光致抗蚀剂层90的所述保留区域92和其上的光吸收材料98，从而露出所述面板盘12的所述内表面的部分，同时保留粘附于所述面板盘12的所述内表面上的所述光吸收材料的第三保护带100；和
然后，在所述面板盘12的所述内表面的露出部分上淀积荧光材料G、B和R。
3．一种CRT面板盘12内表面上具有光吸收矩阵23的发光屏组件22的制造方法，光吸收矩阵23具有在其间有尺寸大体相等的开口的多个保护带60、80和100，该CRT带有其开口33基本上大于所述矩阵中的开口的张力罩24，所述张力罩24与所述面板盘12的所述内表面相距距离Q，所述方法包括下列步骤：
在面板盘12内表面上提供其溶解度在曝光时可改变的第一光致抗蚀剂层50；
使所述第一光致抗蚀剂层50通过所述张力罩24对来自相对于中心光源位置0对称设置的至少两个光源位置+G和-G的光曝光，其中所述光源位置被设置在第一位置ΔX和第二灯位置-ΔX，以选择地改变所述第一光致抗蚀剂层50被照区域的溶解度，从而在所述第一光致抗蚀剂层50中产生具有较高溶解度的区域54和具有较低溶解度的区域52，
去除具有较高溶解度的所述第一光致抗蚀剂层50的区域54，从而露出在所述较高溶解度的所述区域54下面的所述面板盘12的所述内表面的区域56，同时保留较低溶解度的所述第一光致抗蚀剂层50的那些区域52；
用光吸收材料58的组合物覆盖所述面板盘12的所述内表面和所述第一光致抗蚀剂层50的所述保留区域52，该光吸收材料58粘附于所述面板盘12的所述内表面上；
去除所述第一光致抗蚀剂层50的所述保留区域52和其上的光吸收材料58，从而露出所述面板盘12的所述内表面的部分同时保留粘附于所述面板盘的所述内表面上的所述光吸收材料的第一保护带60；
在所述面板盘12的所述内表面的所述露出部分和粘附于所述面板盘的所述内表面上的所述光吸收材料的保留的第一保护带60上提供其溶解度在曝光时可改变的第二光致抗蚀剂层70；
使所述第二光致抗蚀剂70通过所述张力罩24对至少两个来自相对于所述中心光源位置0非对称设置的光源位置+B和-B的光曝光，其中所述光源设置于第三位置-X1+ΔX和第四位置2X1-ΔX，以选择地改变所述第二光致抗蚀剂层70的被照区域的溶解度，从而在所述第二光致抗蚀剂层70中产生较高溶解度的区域74和较低溶解度的区域72；
去除所述第二光致抗蚀剂层70的较高溶解度的区域74，从而露出所述较高溶解度区域74下面的所述面板盘12的所述内表面的区域76，同时保留所述第二光致抗蚀剂层70的较低溶解度的区域72；
用光吸收材料78的组合物涂敷所述面板盘12的所述内表面和所述第二光致抗蚀剂层70的保留区域72，该光吸收材料78粘附于所述面板盘12的所述内表面上；
去除所述第二光致抗蚀剂层70的所述保留区域72和其上的光吸收材料78，从而露出所述面板盘12的所述内表面的部分，同时保留粘附于所述面板盘12的所述内表面上的所述光吸收材料的第二保护带80；
在所述面板盘的所述内表面的所述露出部分和粘附于所述面板盘12的所述内表面的所述光吸收材料的保留的第一和第二保护带60、80上，提供其溶解度在曝光时可改变的第三光致抗蚀剂层90；
使所述第三光致抗蚀剂90通过所述张力罩24对来自至少两个相对于所述中心光源位置0非对称地设置的源位置+R和-R的光曝光，其中该光源位置设置于第五灯位置X2-ΔX和第六灯位置-2X2+ΔX，以选择地改变所述第三光致抗蚀剂层90被照区域的溶解度，从而在所述第三光致抗蚀剂层90中产生较高溶解度的区域94和较低溶解度的区域92；
去除所述第三光致抗蚀剂层90的具有较高溶解度的区域94，从而露出较高溶解度的所述区域94之下的所述面板盘12的所述内表面的区域96，同时保留所述第三光致抗蚀剂层90的较低溶解度的那些区域92；
用光吸收材料98的组合物涂敷所述面板盘12的所述内表面和所述第三光致抗蚀剂层90的保留区域92，该光吸收材料98粘附于所述面板盘12的所述内表面；
去除所述第三光致抗蚀剂层90的所述保留区域92和其上的光吸收材料98，从而露出所述面板盘12的所述内表面的部分，同时保留粘附于所述面板盘12的所述内表面上的所述光吸收材料的第三保护带100；和
然后，在所述面板盘12的所述内表面的露出部分上淀积荧光材料发蓝、绿和红光的荧光体。
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