CN119620458A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本揭露提供一种显示装置，其具有穿透区以及反射区。穿透区对应第一子像素，反射区对应第二子像素。上述的显示装置包括背光模块、液晶模块以及抗反射层。液晶模块设置于背光模块上，且包括第一基板、元件层以及反射层。元件层设置于第一基板上，且包括第一晶体管以及第二晶体管，其中，所述第一晶体管用以驱动所述第一子像素，所述第二晶体管用以驱动所述第二子像素。反射层设置于元件层上且对应反射区设置。抗反射层设置于液晶模块上。本揭露提供的显示装置的形成工艺较简易且具有较高的工艺良率，和/或可展现较佳的光学表现。

Description

显示装置

技术领域

本揭露涉及一种显示装置，尤其涉及一种半穿反显示装置。

背景技术

在现有的半穿反显示装置中，一般会在反射区中设置凸块结构(bump)以调整相应视角角度的反射率和/或反射区与穿透区之间具有的液晶盒间隙(cell gap)的相对关系，而使半穿反显示装置可具有较佳的光学表现；然而，凸块结构的形成工艺困难，且形成的每一凸块结构的尺寸很难都相同，因此影响了半穿反显示装置的工艺良率。

另外，现有的半穿反显示装置是利用相同的信号来驱动设置于反射区与穿透区的子像素；然而，使反射区与穿透区得到较佳光学表现的所需信号并不相同，使得半穿反显示装置中的反射区与穿透区难以同时展现较佳的光学表现。

发明内容

本揭露提供一种显示装置，其的形成工艺较简易且具有较高的工艺良率，和/或可展现较佳的光学表现。

根据本揭露的一些实施例提供的显示装置，其具有穿透区以及反射区。穿透区对应第一子像素，反射区对应第二子像素。上述的显示装置包括背光模块、液晶模块以及抗反射层。液晶模块设置于背光模块上，且包括第一基板、元件层以及反射层。元件层设置于第一基板上，且包括第一晶体管以及第二晶体管，其中，所述第一晶体管用以驱动所述第一子像素，所述第二晶体管用以驱动所述第二子像素。反射层设置于元件层上且对应反射区设置。抗反射层设置于液晶模块上。

为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

包含附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。

图1为本揭露第一实施例的显示装置的剖面示意图；

图2A为本揭露第一实施例的液晶模块的俯视示意图；

图2B为依据图2A的剖线A1-A1’的一实施例的俯视示意图；

图2C为依据图2A的剖线B1-B1’的一实施例的俯视示意图；

图3A为本揭露第二实施例的液晶模块的俯视示意图；

图3B为依据图3A的剖线A2-A2’的一实施例的俯视示意图；

图3C为依据图3A的剖线B2-B2’的一实施例的俯视示意图；

图4A为依据图3A的剖线A2-A2’的另一实施例的俯视示意图；

图4B为依据图3A的剖线B2-B2’的另一实施例的俯视示意图；

图5A为本揭露第三实施例的液晶模块的俯视示意图；

图5B为依据图5A的剖线A3-A3’的一实施例的俯视示意图；

图5C为依据图5A的剖线B3-B3’的一实施例的俯视示意图；

图6A为本揭露第四实施例的液晶模块的剖面示意图；

图6B为图6A中的一实施例的液晶模块的电路图；

图7为本揭露第二实施例的显示装置的剖面示意图；

图8为本揭露第三实施例的显示装置的剖面示意图；

图9为本揭露第四实施例的显示装置的剖面示意图。

具体实施方式

现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。

本揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。因此，当本揭露的描述中使用术语“包括”、“含有”和/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在。

本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。在附图中，各附图绘示的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。

当相应的构件(例如膜层或区域)被称为“在另一个构件上”时，它可以直接在另一个构件上，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为“直接在另一个构件上”时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为“在另一个构件上”时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。

术语“等于”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。

说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。

须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

本揭露中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上元件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上元件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、其他适合的元件，或上述元件的组合，但不限于此。

在本揭露中，厚度、长度、宽度与面积的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面图像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。若第一值等于第二值，其隐含着第一值与第二值之间可存在着约10％的误差；若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。

本揭露的显示装置可为非自发光型显示装置或自发光型显示装置，且可为一种双面显示装置。显示装置可例如包括二极管、液晶(liquid crystal)、发光二极管(lightemitting diode，LED)、量子点(quantum dot，QD)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他适合的显示介质或上述的组合。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organiclight emitting diode，OLED)、微型发光二极管(micro-LED、mini-LED)、次毫米发光二极管(mini-LED)或量子点发光二极管(QDLED)，但不以此为限。需注意的是，显示装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，显示装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。显示装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统等周边系统。

图1为本揭露第一实施例的显示装置的剖面示意图。

请参照图1，本实施例的显示装置10包括背光模块BL、液晶模块Ce以及抗反射层AR。在本实施例中，显示装置10可为一种半穿反显示装置，但本揭露不以此为限。

背光模块BL可例如包括反射片(未示出)、导光板(未示出)、光源(未示出)、扩散片(未示出)、增亮膜(未示出)以及其馀合适的构件，其中反射片、导光板、扩散片与增亮膜可例如以此顺序层叠，但本揭露不以此为限。光源例如用以提供光线至液晶模块Ce。在一些实施例中，光源可为侧入式光源或直下式光源，本揭露不以此为限。导光板例如具有高透光性，且可例如用于引导光线行进的方向。详细地说，光源提供的光线可例如在导光板中传递而被提供至液晶模块Ce中。反射片例如具有高反射率，以可例如用于将通过导光板的光线再次反射回导光板中，借此增加光线在液晶模块Ce中的使用效率。扩散片例如用于扩散来自导光板的光线，并例如具有高透光性和/或用于遮瑕。基于此，液晶模块Ce可接收到来自扩散片的均匀化的光线，使得液晶模块Ce可具有相对宽的可视角度(viewing angle)。增亮膜可例如包括棱镜片(Prism Sheet)、反射式偏光增亮膜(Dual Brightness EnhancementFilm；DBEF)、或其组合，其可例如用于提升来自导光板的光线的利用效率。

液晶模块Ce可例如是一种半穿反液晶显示模块，其中液晶模块Ce的详细构造将于以下的实施例中陈述。

抗反射层AR例如设置于液晶模块Ce上。抗反射层AR可例如用于减少来自外界的环境光线在显示装置表面的反射率，增加液晶模块Ce内的反射层的反射效益，以提升显示装置10显示的图像品质，其中抗反射层AR减少来自外界的环境光线的反射率的方式可如下所述，但本揭露不以此为限。抗反射层可包含交互堆叠的高折射率子层与低折射率子层。举例而言，当来自外界的环境光线照射自抗反射层AR时，会产生经抗反射层AR远离液晶模块Ce的表面AR_S1反射的第一反射光、经抗反射层AR中其馀膜层之间的界面(可例如是抗反射层AR中高折射率子层与低折射率子层之间的界面)反射的第二反射光，其中第一反射光与第二反射光具有实质相反的相位，使得第一反射光与第二反射光之间将产生破坏性的干涉而降低经抗反射层AR反射的总反射光的振幅，以达到降低反射率的效果。

在本实施例中，抗反射层AR可包括抗反射膜(未示出)与盖板(未示出)的组合。举例而言，抗反射层AR可通过将抗反射膜贴附至盖板上而形成；或者抗反射层AR可通过先将抗反射材料涂布至盖板上后固化成抗反射膜而形成。在一些实施例中，盖板的材料可包括玻璃、塑胶或其组合，其中盖板的材料可包括铝硅酸盐玻璃、锂铝硅酸盐玻璃、钠钙硅酸盐玻璃、铝硅酸盐玻璃、石英玻璃或其馀具有透光性的玻璃，或者盖板的材料可包括树脂、压克力或其馀合适的塑胶材料。盖板可例如包括防尘、抗刮上及防水气侵入等效果减少以减少外界环境对显示装置10的内部的构件的影响，且可例如具有透光性。在本实施例中，盖板具有特定的雾度，使得抗反射层AR可例如具有大于或等于30％(≥30％)的雾度。举例来说，抗反射层AR的雾度可为30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％或前述数值之间的任意数值或任意数值组成的数值范围，但本揭露不以此为限。通过此设计，显示装置10的亮度可在各视角的分布均匀，而在较宽的视角下仍可具有相对高的亮度，即，抗反射层AR的设置可有效地提升显示装置10的光学表现，进而使消费者得到较佳的视觉感受。上述的雾度的定义可例如是光线经抗反射层AR散射后的散射光通量与光线经抗反射层AR的总光通量(即，散射光通量与准直光通量的总和)的百分比。

在一些实施例中，显示装置10还包括下偏光层P1、上偏光层P2以及相位差膜PD1。

下偏光层P1例如设置于背光模块BL与液晶模块Ce之间。在一些实施例中，下偏光层P1可具有三明治结构或叠层结构。举例而言，下偏光层P1可具有偏光子(未示出)以及设置在偏光子的相对两表面上的两层保护层(未示出)，但本揭露不以此为限。在另一些实施例中，下偏光层P1可仅具有偏光子以及设置在偏光子(未示出)以及设置在偏光子的一表面上的保护层(未示出)。偏光子可例如是具有透光、光偏折等特性的薄膜，其中偏光子的材料可例如是聚乙烯醇(polyvinyl alcohol；PVA)，但本揭露不以此为限。保护层可例如是用以支撑与保护偏光子，以增加下偏光层P1的机械强度，其中保护层的材料可例如是聚乙烯醇三醋酸纤维素(tri-acetyl cellulose；TAC)、聚甲基丙烯酸甲酯(压克力)或聚对苯二甲酸乙二酯，但本揭露不以此为限。

上偏光层P2例如设置于抗反射层AR与液晶模块Ce之间，其中上偏光层P2的结构与材料可例如与下偏光层P1的结构与材料相同或相似，于此不再赘述。

相位差膜PD1例如设置于下偏光层P1与液晶模块Ce之间。在一些实施例中，相位差膜PD1可包括半波片(half-wave plate；HWP)、四分之一波片(quarter-wave plate；QWP)或其组合。在一些实施例中，四分之一波片设置于下偏光层P1与液晶模块Ce之间，半波片可设置于四分之一波片与下偏光层P1之间或不设置，但本揭露不以此为限。相位差膜PD1可例如用于调整光线的偏振状态。

在一些实施例中，显示装置10中的液晶模块Ce可例如包括以下的态样。但本揭露不以此为限。

图2A为本揭露第一实施例的液晶模块的俯视示意图，图2B为依据图2A的剖线A1-A1’的一实施例的俯视示意图，且图2C为依据图2A的剖线B1-B1’的一实施例的俯视示意图。

请参照图2A、图2B以及图2C，在本实施例中，液晶模块Ce1包括基板SB1、元件层CIL以及反射层RL。从另一个角度来看，显示装置10例如具有多个子像素PX，其中位于反射区RR的子像素为子像素PX1，且位于穿透区TR的子像素为子像素PX2，子像素PX1以及子像素PX2可具有相同的颜色。子像素PX1及子像素PX2彼此相邻，例如，在第一方向d1上相邻，但本揭露不以此为限。子像素PX1及子像素PX2可例如通过交错的扫描线SL及数据线DL而定义。

基板SB1可例如为可挠基板或不可挠基板。基板SB1的材料可例如包括玻璃、塑胶或其组合。举例而言，基板SB1的材料可包括石英、蓝宝石(sapphire)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚醯亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)或其他适合的材料或上述材料的组合，本揭露不以此为限。

元件层CIL可例如包括有至少一层导电层与至少一层绝缘层。在本实施例中，元件层CIL包括晶体管TFT、扫描线SL、共用电线CL、数据线DL、存储电极SC、第一绝缘层PV1以及第二绝缘层PV2，但本揭露不以此为限。

晶体管TFT例如设置于基板SB1上。在本实施例中，晶体管TFT包括用以驱动子像素PX1的晶体管TFT1以及用以驱动子像素PX2的晶体管TFT2，其中晶体管TFT1包括有栅极G1、源极S1、漏极D1以及半导体层SE1，且晶体管TFT2包括有栅极G2、源极S2、漏极D2以及半导体层SE2，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，半导体层SE1以及半导体层SE2的材料包括低温多晶硅(low temperature polysilicon，LTPS)、金属氧化物(metal oxide)或非晶硅(amorphous silicon，a-Si)，或前述的组合，但本揭露不以此为限。举例而言，半导体层SE1以及半导体层SE2的材料可包含但不限于非晶硅、多晶硅、锗、化合物半导体(例如氮化镓、碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟)、合金半导体(例如SiGe合金、GaAsP合金、AlInAs合金、AlGaAs合金、GaInAs合金、GaInP合金、GaInAsP合金)，或前述的组合。半导体层SE1以及半导体层SE2的材料亦可包含但不限于金属氧化物，例如铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌氧化物(IGZTO)、或包含多环芳香族化合物的有机半导体，或前述的组合。栅极G1在基板SB1的法线方向n上例如至少部分地与半导体层SE1重叠，栅极G2在基板SB1的法线方向n上例如至少部分地与半导体层SE2重叠。源极S1与漏极D1例如彼此分离，且源极S2与漏极D2亦例如彼此分离。源极S1与漏极D1(或源极S2与漏极D2)可复盖至少部分的半导体层SE1(或半导体层SE2)并与半导体层SE1(或半导体层SE2)电性连接。值得说明的是，晶体管TFT为本领域技术人员所周知的任一种底部栅极型薄膜晶体管。然而，本实施例虽然是以底部栅极型薄膜晶体管为例，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，晶体管TFT可例如为顶部栅极型晶体管、双栅极型晶体管或其他适合的晶体管。

扫描线SL例如设置于基板SB1上，且例如朝第一方向d1延伸，但本揭露不以此为限。扫描线SL与晶体管TFT的栅极G例如属于同一导电层，且可例如与晶体管TFT的栅极G电性连接，以例如用于提供来自栅极驱动器(未示出)的扫描信号给相应的晶体管TFT使其开启。在本实施例中，扫描线SL与晶体管TFT1以及晶体管TFT2电性连接，且可通过提供给栅极驱动器的时序信号来决定开启晶体管TFT1和/或晶体管TFT2。基于此，晶体管TFT1以及晶体管TFT2是通过相同的扫描线SL控制，且设置于同一颜色的的子像素PX1与子像素PX2之间，如图2A所示出。然而，本揭露不以此为限。在其他的实施例中，晶体管TFT1以及晶体管TFT2可与不同的扫描线SL电性连接，使得晶体管TFT1位于相邻的子像素PX1与子像素PX2之间，而晶体管TFT2位于相邻的子像素PX1与子像素PX2之间。

共用线CL例如设置于基板SB1上，且亦例如朝第一方向d1延伸，但本揭露不以此为限。共用线CL与晶体管TFT的栅极G例如属于同一导电层，且在基板SB1的法线方向n上例如与存储电极SC至少部分地重叠，以例如形成存储电容Cst。在本实施例中，同一共用线CL在基板SB1的法线方向n上与存储电极SC1以及存储电极SC2至少部分地重叠，以各自形成存储电容Cst1以及存储电容Cst2。然而，本揭露不以此为限。在其他的实施例中，存储电极SC1以及存储电极SC2可在基板SB1的法线方向n上与不同的共用线CL至少部分地重叠。

数据线DL例如设置于基板SB1上，且例如朝第二方向d2延伸，其中第二方向d2例如与第一方向d1正交，但本揭露不以此为限。数据线DL与晶体管TFT的源极S以及漏极D例如属于同一导电层，且可例如与晶体管TFT的源极S电性连接，以例如用于提供来自源极驱动器SD的数据信号给相应的晶体管TFT，使其驱动相应的子像素PX。在本实施例中，数据线DL包括数据线DL1以及数据线DL2，其中数据线DL1与晶体管TFT1的源极S1电性连接，且数据线DL2与晶体管TFT2的源极S2电性连接，以各自提供相应的数据信号给晶体管TFT1以及晶体管TFT2。然而，本揭露不以此为限。在另一些实施例中，可通过同一数据线DL提供相应的数据信号给晶体管TFT1以及晶体管TFT2。

存储电极SC例如设置于基板SB1上，且与晶体管TFT的源极S以及漏极D例如属于同一导电层。在一些实施例中，存储电极SC与漏极D连接，但本揭露不以此为限。在本实施例中，存储电极SC包括存储电极SC1以及存储电极SC2，其中存储电极SC1可与共用线CL形成存储电容Cst1以存储输入至子像素PX1的信号，且存储电极SC2可与共用线CL形成存储电容Cst2以存储输入至子像素PX2的信号，但本揭露不以此为限。

值得说明的是，上述的晶体管TFT的栅极G、扫描线SL以及共用线CL例如各自属于第一导电层M1的部分，且上述的晶体管TFT的源极S与漏极D、数据线DL以及存储电极SC例如各自属于第二导电层M2的部分。

第一绝缘层PV1例如设置于基板SB1上。在本实施例中，第一绝缘层PV1可设置于第一导电层M1与基板SB1之间，且至少部分地复盖第一导电层M1。第一绝缘层PV1的材料可例如为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料(例如：聚四氟乙烯、聚醯亚胺、聚对二甲苯、苯并环丁烯或其馀合适的材料)或上述的组合，但本揭露不以此为限。第一绝缘层PV1可例如具有单层结构或多层结构。举例而言，第一绝缘层PV1可为单层结构，且可作为晶体管TFT的栅绝缘层的用途，但本揭露不以此为限。

第二绝缘层PV2例如设置于第一绝缘层PV1上。在本实施例中，第二绝缘层PV2可至少部分地复盖第二导电层M2。在本实施例中，第二绝缘层PV2包括开口PV2_OP1以及开口PV2_OP2，其中开口PV2_OP1以及开口PV2_OP2各自暴露出部分的存储电极SC1以及部分的存储电极SC2。第二绝缘层PV2的材料可例如为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料(例如：聚四氟乙烯、聚醯亚胺、聚对二甲苯、苯并环丁烯或其馀合适的材料)或上述的组合，但本揭露不以此为限。第二绝缘层PV2可例如具有单层结构或多层结构。举例而言，第二绝缘层PV2可为多层结构，且可作为使部分的第一导电层M1与部分的第二导电层M2电性绝缘和/或部分的第二导电层M2与其馀导电层电性绝缘的用途，但本揭露不以此为限。

反射层RL例如设置于元件层CIL上，且例如对应反射区RR设置。详细地说，反射层RL可例如在基板SB1的法线方向n上定义出显示装置10的反射区RR以及穿透区TR(即，在基板SB1的法线方向n上未设置反射层RL的区域)。在一些实施例中，反射层RL的材料可例如包括光反射率高的材料，其例如包括金属(铬、金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌或其馀合适金属)、上述合金、上述金属氧化物、上述金属氮化物或上述的组合或者其他导电材料。基于此，当环境光线进入显示装置10后可被反射层RL反射。在本实施例中，反射层RL设置于第二绝缘层PV2上，但本揭露不以此为限。

在本实施例中，液晶模块Ce1中的反射区RR的液晶盒间隙RR_CG1与穿透区TR的液晶盒间隙TR_CG1实质相同，但本揭露不以此为限。

在一些实施例中，液晶模块Ce1还包括源极驱动器SD、基板SB2、液晶盒LC、像素电极层PE、遮光图案BM、光转换层CF以及共用电极层CE。

源极驱动器SD例如设置于基板SB1上。在本实施例中，源极驱动器SD可包括源极驱动器SD1以及源极驱动器SD2。源极驱动器SD1例如与数据线DL1电性连接，以使反射区RR例如接收数据信号DS1，且源极驱动器SD2例如与数据线DL2电性连接，以使穿透区TR例如接收数据信号DS2，其中数据信号DS1与数据信号DS2不同。

基板SB2例如在基板SB1的法线方向n上与基板SB1对向地设置，其中基板SB2包括的材料可例如与基板SB1包括的材料相同或相似，于此不再赘述。在一些实施例中，基板SB2可通过框胶(未示出)而与基板SB1接合，但本揭露不以此为限。

液晶盒LC例如设置于基板SB1与基板SB2之间。在一些实施例中，液晶盒LC中的液晶分子可例如通过电压的改变而排列。举例而言，在显示装置10未驱动时，液晶分子可根据设置在基板SB1上的配向层(未示出)以及设置在基板SB2上的配向层(未示出)的摩擦方向(例如第一方向d1)而排列。相对地，在显示装置10驱动时，液晶分子可根据两电极之间的电压大小而具有相对应的倾斜方向。在一些实施例中，液晶盒LC可包括电场控制双折射型(electrically controlled birefringence；ECB)的液晶分子、垂直配向型(verticalalignment；VA)的液晶分子、扭转向列型(twisted nematic；TN)的液晶分子或其馀合适的液晶分子，但本揭露不以此为限。

像素电极层PE例如设置于元件层CIL上。在本实施例中，像素电极层PE设置于第二绝缘层PV2上，且包括像素电极层PE1以及像素电极层PE2。像素电极层PE1可例如通过开口PV2_OP1与晶体管TFT1的漏极D1电性连接，且像素电极层PE2可例如通过开口PV2_OP2与晶体管TFT2的漏极D2电性连接。在本实施例中，像素电极层PE包复反射层RL。详细地说，设置用以定义反射区RR的反射层RL可例如被像素电极层PE1包复。通过此设计，反射层RL可减少被外界的水气和/或氧气影响的可能性，借此可使显示装置10在反射区RR可具有较佳的光学表现。像素电极层PE1的形成方法可例如包括进行以下步骤，但本揭露不以此为限。首先，利用溅镀法等合适的工艺在第二绝缘层PV2上形成像素电极层PE11；接着，在像素电极层PE11上形成反射层RL后，在像素电极层PE11上形成像素电极层PE12，其中像素电极层PE12复盖反射层RL，使得由像素电极层PE11与像素电极层PE12组成的像素电极层PE1可包复反射层RL。从另一个角度来看，像素电极层PE12位于反射层RL的上表面以及侧表面上，且像素电极层PE11位于反射层RL的底表面上。在一些实施例中，像素电极层PE的材料可包括金属氧化物导电材料(例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物)，但本揭露不以此为限。

遮光图案BM例如设置于基板SB2上。在一些实施例中，遮光图案BM设置于基板SB2面对基板SB1的表面上，但本揭露不以此为限。遮光图案BM的材料可例如是黑色树脂或反射性较低的金属材料，借此遮蔽不欲被使用者看到的显示装置10内部的元件以及走线，以提升显示装置10的显示效果。

光转换层CF例如设置于基板SB2上。在一些实施例中，光转换层CF设置于基板SB2面对基板SB1的表面上，但本揭露不以此为限。光转换层CF包括滤光层、量子点、荧光(fluorescence)材料、磷光(phosphor)材料、散射粒子、其他合适材料或上述组合。光转换层CF可转换不同波长或不同颜色的光、或过滤不同波长或不同颜色的光。光转换层CF可例如包括有红色转换图案CF1、绿色转换图案CF2或是蓝色转换图案CF3，借此使显示装置10具有彩色的显示画面，但本揭露不以此为限。

共用电极层CE例如设置于基板SB2上。在一些实施例中，共用电极层CE设置于基板SB2面对基板SB1的表面上，但本揭露不以此为限。在本实施例中，共用电极层CE设置于基板SB2与液晶盒LC之间，以用于和像素电极层PE一起驱动液晶盒LC中的液晶分子。举例而言，在驱动本实施例的显示装置10时，可利用电压提供单元(未示出)向像素电极层PE以及共用电极层CE提供电压以驱动液晶盒LC中的液晶分子，其中向像素电极层PE施加第一电压，且向共用电极层CE施加第二电压。上述的第一电压与第二电压之间的电压差的绝对值可决定液晶盒LC中的液晶分子具有的倾斜角，借此可改变液晶分子的折射率，以使本实施例的显示装置10可显示画面。在一些实施例中，共用电极层CE的材料可与像素电极层PE的材料相同或相似，于此不再赘述。在一些实施例中，共用电极层CE及像素电极PE皆设置于基板SB1上，并提供电压以驱动液晶分子偏转。举例来说，可应用于边缘电场开关(fringe fieldSwitching；FFS)技术、横向面板开关(in plane Switching；IPS)技术。

图3A为本揭露第二实施例的液晶模块的俯视示意图，图3B为依据图3A的剖线A2-A2’的一实施例的俯视示意图，且图3C为依据图3A的剖线B2-B2’的一实施例的俯视示意图。须说明的是，图3A至图3C的实施例可沿用图2A至图2C的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。

请参照图3A至图3C，本实施例的液晶模块Ce2与上述的液晶模块Ce1的主要差异在于：液晶模块Ce2还包括平坦层PL。

平坦层PL例如设置于第二绝缘层PV2与反射层RL之间。即，用以定义反射区RR的反射层RL设置于平坦层PL上，因此，本实施例的显示装置10中的反射区RR的液晶盒间隙RR_CG2与穿透区TR的液晶盒间隙TR_CG2不同，使得显示装置10具有双重液晶盒间隙(dualcell gap)。在本实施例中，反射区RR的液晶盒间隙RR_CG2小于穿透区TR的液晶盒间隙TR_CG2。举例而言，反射区RR的液晶盒间隙RR_CG2可为穿透区TR的液晶盒间隙TR_CG2的二分之一，以使显示装置10的反射区RR以及穿透区TR可显示相同的灰阶画面。

在一些实施例中，平坦层PL包括开口PL_OP，其中开口PL_OP与第二绝缘层PV2的开口PV2_OP1连通以一起暴露出部分的存储电极SC1。平坦层PL的材料可例如为有机材料(例如：聚四氟乙烯、聚醯亚胺、聚对二甲苯、苯并环丁烯或其馀合适的材料)，但本揭露不以此为限。

图4A为依据图3A的剖线A2-A2’的另一实施例的俯视示意图，且图4B为依据图3A的剖线B2-B2’的另一实施例的俯视示意图。须说明的是，图4A至图4B的实施例可沿用图3A至图3C的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。

请参照图4A至图4B，本实施例的液晶模块Ce3与上述的液晶模块Ce2的主要差异在于：平坦层PL设置于基板SB2上。

详细地说，平坦层PL例如设置于共用电极层CE与液晶盒LC之间。在本实施例中，平坦层PL对应于反射层RL设置，因此，本实施例的显示装置10中的反射区RR的液晶盒间隙RR_CG3与穿透区TR的液晶盒间隙TR_CG3不同。在本实施例中，反射区RR的液晶盒间隙RR_CG3小于穿透区TR的液晶盒间隙TR_CG3。举例而言，反射区RR的液晶盒间隙RR_CG3可为穿透区TR的液晶盒间隙TR_CG3的二分之一，以使显示装置10的反射区RR以及穿透区TR可显示相同的灰阶画面。

图5A为本揭露第三实施例的液晶模块的俯视示意图，图5B为依据图5A的剖线A3-A3’的一实施例的俯视示意图，且图5C为依据图5A的剖线B3-B3’的一实施例的俯视示意图。须说明的是，图5A至图5C的实施例可沿用图3A至图3B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。

请参照图5A至图5C，本实施例的液晶模块Ce4与上述的液晶模块Ce2的主要差异在于：液晶模块Ce4具有较大的反射区RR’。

在本实施例中，平坦层PL’除了开口PL’_OP1之外还包括暴露出像素电极层PE2的开口PL’_OP2，其中设置于平坦层PL’上的反射层RL’可围绕像素电极层PE2设置，使得反射层RL’可定义出相对大的反射区RR’。在本实施例中，反射区RR’的液晶盒间隙RR’_CG与穿透区TR’的液晶盒间隙TR’_CG不同。在本实施例中，反射区RR’的液晶盒间隙RR’_CG小于穿透区TR’的液晶盒间隙TR’_CG。举例而言，反射区RR’的液晶盒间隙RR’_CG可为穿透区TR’的液晶盒间隙TR’_CG的二分之一，以使显示装置10的反射区RR’以及穿透区TR’可显示相同的灰阶画面。

图6A为本揭露第四实施例的液晶模块的剖面示意图，且图6B为图6A中的一实施例的液晶模块的电路图。须说明的是，图6A至图6B的实施例可沿用图2A至图2B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。

请参照图6A至图6B，本实施例的液晶模块Ce5与上述的液晶模块Ce1的主要差异在于：液晶模块Ce5的晶体管TFT1以及晶体管TFT2通过同一条数据线DL提供相应的数据信号。

在本实施例中，晶体管TFT1以及晶体管TFT2各自接收的数据信号DS1以及数据信号DS2来自相同的源极驱动器SD’。详细地说，源极驱动器SD’可例如包括多工器MUX，其中多工器MUX可例如根据时序信号CLK1提供对应的数据信号DS1给对应反射区的晶体管TFT1，以使晶体管TFT1驱动位于反射区的子像素；相对地，多工器MUX亦可例如根据时序信号CLK2提供对应的数据信号DS2给对应穿透区的晶体管TFT2，以使晶体管TFT2驱动位于穿透区的子像素。

在本实施例中，显示装置10还可包括时序控制器TCON以及伽玛电压产生单元Gamma。时序控制器TCON例如与源极驱动器SD’电性连接，其中时序控制器TCON可例如提供时序信号CLK1以及时序信号CLK2至源极驱动器SD’，以使源极驱动器SD’可在不同的时段提供对应的数据信号。伽玛电压产生单元Gamma例如与源极驱动器SD’电性连接，其中伽玛电压产生单元Gamma可例如提供不同的伽玛电压至源极驱动器SD’，使得源极驱动器SD’产生相应的数据信号，借此使显示装置10显示的画面可更符合消费者的需求。

另外，在本实施例中，扫描线SL包括扫描线SL1以及扫描线SL2，其中扫描线SL1与晶体管TFT1的栅极G1电性连接，且扫描线SL2与晶体管TFT2的栅极G2电性连接，以各自提供相应的扫描信号给晶体管TFT1以及晶体管TFT2。在本实施例中，共用线CL包括共用线CL1以及共用线CL2，其中共用线CL1在基板SB1的法线方向n上与存储电极SC1至少部分地重叠，以形成存储电容Cst1，且共用线CL2在基板SB1的法线方向n上与存储电极SC2至少部分地重叠，以形成存储电容Cst2。

图7为本揭露第二实施例的显示装置的剖面示意图。须说明的是，图7的实施例可沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。

请参照图7，本实施例的显示装置20与上述的显示装置10的主要差异在于：显示装置20还包括相位差膜PD2。

相位差膜PD2例如设置于上偏光层P2与液晶模块Ce之间。相位差膜PD2可包括半波片(half-wave plate；HWP)、四分之一波片(quarter-wave plate；QWP)或其组合。在一些实施例中，相位差膜PD2包括半波片以及四分之一波片，其中，四分之一波片设置于上偏光层P2与液晶模块Ce之间，半波片可设置于四分之一波片与上偏光层P2之间，但本揭露不以此为限。

图8为本揭露第三实施例的显示装置的剖面示意图。须说明的是，图8的实施例可沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。

请参照图8，本实施例的显示装置30与上述的显示装置10的主要差异在于：显示装置30还包括扩散层DF。

扩散层DF例如设置于上偏光层P2与液晶模块Ce之间。扩散层DF可例如用于扩散来自液晶模块Ce的光线。在本实施例中，扩散层DF具有10％～80％的雾度，举例来说，扩散层DF的雾度可为10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％或前述数值之间的任意数值或任意数值组成的数值范围，但本揭露不以此为限。通过此设计，显示装置30的亮度可在各视角的分布均匀，而在较宽的视角下仍可具有相对高的亮度，即，扩散层DF的设置可有效地提升显示装置30的光学表现，进而使消费者得到较佳的视觉感受。上述的雾度的定义可例如是光线经扩散层DF散射后的散射光通量与光线经扩散层DF的总光通量(即，散射光通量与准直光通量的总和)的百分比。

基于扩散层DF的设置，本实施例的抗反射层AR’可不具有雾度，但本揭露不以此为限。

图9为本揭露第四实施例的显示装置的剖面示意图。须说明的是，图9的实施例可沿用图8的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。

请参照图9，本实施例的显示装置40与上述的显示装置30的主要差异在于：显示装置40还包括相位差膜PD2。

相位差膜PD2例如设置于上偏光层P2与扩散层DF之间。相位差膜PD2的结构可例如与显示装置20的相位差膜PD2的结构相同或相似，于此不再赘述。

综上所述，本揭露的一些实施例提供的半穿反显示装置包括具有雾度的抗反射层或者抗反射层与具有雾度的扩散层的组合，因此，半穿反显示装置的亮度可在各视角的分布均匀，而在较宽的视角下仍可具有相对高的亮度。基于此，本揭露的一些实施例提供的半穿反显示装置可具有较佳的光学表现。再者，通过在半穿反显示装置中设置具有雾度的抗反射层或者设置抗反射层与具有雾度的扩散层的组合，本揭露的一些实施例提供的半穿反显示装置可不在反射区中形成多个凸块结构，借此可降低工艺难度和/或提高工艺良率。

在本揭露的另一些实施例提供的半穿反显示装置中，各自设置于反射区与穿透区中的子像素可通过独立的信号驱动，使得半穿反显示装置中的反射区与穿透区皆可展现较佳的光学表现。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，具有穿透区以及反射区，所述穿透区对应第一子像素，所述反射区对应第二子像素，其特征在于，包括：

背光模块；

液晶模块，设置于所述背光模块上，包括：

第一基板；

元件层，设置于所述第一基板上，且包括第一晶体管以及第二晶体管，其中，所述第一晶体管用以驱动所述第一子像素，所述第二晶体管用以驱动所述第二子像素；以及

反射层，设置于所述元件层上，且对应所述反射区设置；以及

抗反射层，设置于所述液晶模块上。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其更包括扩散层，所述扩散层设置于所述液晶模块与所述抗反射层之间。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述抗反射层具有雾度，所述雾度大于或等于30％。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述液晶模块更包括像素电极层，所述像素电极层设置于所述元件层上，且所述像素电极层包复所述反射层。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述液晶模块包括：

液晶盒；以及

第二基板，其中所述第二基板上设置有光转换层，且所述液晶盒设置于所述第一基板与所述第二基板之间。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述液晶盒具有对应所述反射区的第一液晶盒间隙及对应所述穿透区的第二液晶盒间隙，且所述第一液晶盒间隙小于所述第二液晶盒间隙。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一晶体管接收第一数据信号，所述第二晶体管接收第二数据信号，且所述第一数据信号与所述第二数据信号不同。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述第一数据信号以及所述第二数据信号各自来自第一数据线与第二数据线，且所述第一数据线以及所述第二数据线各自接收来自第一源极驱动器与第二源极驱动器的所述第一数据信号与所述第二数据信号。

9.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述第一数据信号以及所述第二数据信号来自相同的源极驱动器，所述源极驱动器包括多工器，所述多工器根据第一时序信号提供所述第一数据信号给所述穿透区，且所述多工器根据第二时序信号提供所述第二数据信号给所述反射区。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述源极驱动器更电连接至时序控制器，所述时序控制器提供所述第一时序信号以及所述第二时序信号。