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CN119404151A - 用于晶片对准传感器的多个离轴照射束的设计 - Google Patents

用于晶片对准传感器的多个离轴照射束的设计 Download PDF

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CN119404151A
CN119404151A CN202380049269.6A CN202380049269A CN119404151A CN 119404151 A CN119404151 A CN 119404151A CN 202380049269 A CN202380049269 A CN 202380049269A CN 119404151 A CN119404151 A CN 119404151A
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CN
China
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illumination
axis
beams
axis illumination
Prior art date
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Application number
CN202380049269.6A
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English (en)
Inventor
K·U·索博列夫
K·肖姆
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ASML Holding NV
Original Assignee
ASML Holding NV
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Publication date
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7065Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
    • GPHYSICS
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

描述了一种通过使用玻璃板来产生离轴照射束的对准系统的新方法。将一对玻璃板插入到对准系统以产生一对离轴照射束。离轴照射束穿过孔径光阑。具有多个全反射镜的透射光学器件将射束朝向物镜反射。此后,物镜将射束聚焦到衬底上的对准标记上。然后,检测并分析衍射射束以确定衬底的对准。玻璃板对准系统的紧凑性显著减小了光学系统的占位空间。

Description

用于晶片对准传感器的多个离轴照射束的设计
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年6月24日提交的并且其全部内容通过引用并入本文的美国申请63/355,220的优先权。
技术领域
本公开涉及一种可以用于例如光刻设备的对准系统。
背景技术
光刻设备是将期望图案施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下,图案形成装置(其可替代地被称为掩模或掩模版)可以被用来生成与IC的个别层相对应的电路图案,并且该图案可以被成像到具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括管芯的一部分、一个或几个管芯)上。一般而言,单个衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。已知光刻设备包括所谓的步进器,其中通过在一次曝光中将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分;以及所谓的扫描仪,其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过射束扫描图案同时平行或反平行于该方向同步扫描衬底来照射每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转印到衬底。另一光刻系统是干涉光刻系统,其中没有图案形成装置,而是将光束分成两个射束,并且通过使用反射系统使得这两个射束在衬底的目标部分处干涉。干涉使得在衬底的目标部分处形成线。
在光刻操作期间,不同的处理步骤可能需要在衬底上依序形成不同的层。因而,可能需要相对于在其上形成的现有图案以高度的准确性定位衬底。通常,可以包括衍射光栅的对准标记被放置在要对准衬底上,并且参考第二物体定位。光刻设备可以使用对准系统用于检测对准标记的位置并且用于使用对准标记来对准衬底以确保从掩模进行准确曝光。
对准系统通常具有它们自己的照射系统,该照射系统可以被用来在对准测量期间照射对准标记。确定对准通常包括:确定一个对准标记(或多个标记)和/或其他目标在半导体器件结构的层中的位置。对准通常通过使用辐射照射对准标记并且比较从对准标记反射的不同衍射阶的辐射的特性进行确定。类似技术被用来测量套刻和/或其他参数。当前对准传感器具有投影到衬底(例如,晶片)上的单个测量照射斑。单个照射斑用于多个对准参数的测量、相位和强度检测。电流传感器串行测量量测标记。因此,给定衬底上的所测量的标记的数目受到生产量考虑的限制。
可以使用离轴照射束来执行对准。当照射束不与衬底垂直时,它们被认为是离轴照射束。离轴照射束与轴上照射束形成对比,该轴上照射束源自与衬底垂直的光轴的中心。离轴照射有助于使用现有物镜系统检测更为精细的节距对准标记。结果,可以为客户增加工艺窗口。
发明内容
公开了产生离轴照射束的新颖系统和方法。如果与基于光栅的离轴照射相比较,使用玻璃板设计的离轴照射可以节省光学系统内的空间。与用于基于光栅的照射的光的色散光谱相反,使用玻璃板照射可以产生不同波长的共线射束。可以微调玻璃板,从而更好地控制离轴照射束。
根据一个实施例,一种对准照射系统包括照射源;至少一对玻璃板;具有至少一个反射镜的透射光学器件,该透射光学器件被配置为反射从玻璃板接收的辐射;以及物镜,该物镜被配置为将来自透射光学器件的光朝向要被照射的物体聚焦。每个玻璃板具有能够反射或部分反射和透射来自照射源的照射束的多个斑点反射镜。
在一个实施例中,光学系统反射和折射照射束以产生离轴照射束的对。在一个实施例中,每对中的离轴照射束彼此同相。
在一个实施例中,每对中的离轴照射束的光程差可以通过使用玻璃板驱动电机使每对中的一个玻璃板相对于另一玻璃板倾斜而被控制。
在一个实施例中,离轴照射束对于不同的波长的具有小的颜色分离或共线。在一个实施例中,离轴照射束的所有颜色的照射角度都相同。
在一个实施例中,离轴照射束或轴上照射束的光谱成分可以通过将薄膜涂层添加到斑点反射镜上而被控制。
在一个实施例中,离轴照射束通过将薄膜涂层添加到斑点反射镜上而被偏振。在一个实施例中,离轴照射束为非偏振的。
在一个实施例中,定位在玻璃板和透射光学器件之间的孔径板阻挡不需要的辐射。在一个实施例中,孔径板阻挡轴上照射束而允许离轴照射束穿过。在一个实施例中,孔径板阻挡离轴照射束而允许轴上照射束穿过。在一个实施例中,孔径板允许轴上照射束和离轴照射束穿过。
在一个实施例中,多个斑点反射镜包括金属或电介质或其组合。
在一个实施例中,至少一对玻璃板恰好包括两个玻璃板。在一个实施例中,两个玻璃板产生一对离轴照射束。
在一个实施例中,至少一对玻璃板包括四个玻璃板以产生两对离轴照射束。
在一个实施例中,对准系统测量物体的对准。对准照射系统和可调孔径光阑可以被插入到对准系统中以产生离轴照射束的对。
根据一个实施例,一种对准系统包括照射源;至少一对玻璃板;孔径光阑;具有至少一个反射镜的透射光学器件,该透射光学器件被配置为反射从玻璃板接收的辐射;物镜,该物镜被配置为将来自透射光学器件的光朝向要被照射的物体聚焦;用于保持物体的载物台;以及干涉仪,该干涉仪被配置为测量物体上的标记。每个玻璃板具有能够反射或部分反射和透射来自照射源的照射束的多个斑点反射镜。
根据一个实施例,一种用于使用对准照射系统进行对准的方法包括:照射来自照射源的照射束;使用至少一对玻璃板来反射来自照射源的照射束;使用具有至少一个反射镜的透射光学器件来反射从玻璃板接收的辐射;以及使用物镜来将来自透射光学器件的光朝向要被照射的物体聚焦。每个玻璃板具有多个斑点反射镜。
根据一个实施例,一种用于使用对准照射系统进行对准的方法包括:照射来自照射源的照射束;使用至少一对玻璃板来反射或部分反射和透射来自照射源的照射束;使用孔径光阑对从玻璃板接收的辐射进行过滤;使用具有至少一个反射镜的透射光学器件来反射从孔径光阑接收的辐射;使用物镜将来自透射光学器件的光朝向由载物台保持的要被照射的物体聚焦;以及使用干涉仪测量物体上的标记。每个玻璃板具有多个斑点反射镜。
下文参考附图对本发明的其他特征和优点以及本发明的各种实施例的结构和操作进行详细描述。注意,本发明不限于本文中所描述的特定实施例。本文中所提出的这些实施例仅用于说明的目的。基于本文中所包含的教导,对于相关领域的技术人员而言,其他实施例将是显而易见的。
附图说明
并入本文并且形成说明书的一部分的附图图示了本发明,并且与说明书一起进一步用于解释本发明的原理,并且使得相关领域的技术人员能够制造和使用本发明。
图1是使用基于光栅的照射结构的对准系统的示意性图示。
图2A是根据本公开的一个实施例的反射光刻设备的示意性图示。
图2B是根据本公开的一个实施例的透射光刻设备的示意性图示。
图2C是根据本公开的一个实施例的反射光刻设备的更详细的示意性图示。
图3A是根据本公开的一个实施例的光刻单元的示意性图示。
图3B是根据本公开的一个实施例的检查系统的示意性图示。
图3C是根据本公开的一个实施例的量测技术的示意性图示。
图3D是根据本公开的一个实施例的检查系统的辐射照射斑和量测目标之间的关系的示意性图示。
图4是根据本公开的一个实施例的对准系统的示意性图示。
图5是根据本公开的一个实施例的具有一对离轴照射束的对准系统的光学系统的示意性图示。
图6是根据本公开的一个实施例的具有两对离轴照射束的对准系统的光学系统的俯视图。
图7是根据本公开的一个实施例的具有两对离轴照射束的对准系统的光学系统的侧视图。
图8是根据本公开的一个实施例的具有两对离轴照射束的对准系统的光学系统的旋转视图。
具体实施方式
图1示出了使用光栅结构109来产生离轴照射束的对准系统100。对准系统100可以包括照射系统112、光栅结构109、透镜110、反射镜111、物镜117、沿着方向124可移动的载物台122、图像旋转干涉仪126、检测器128和信号分析器130。照射系统112生成撞击在光栅结构109上的辐射束113。光栅结构109的光栅将辐射束113衍射成广角的光线。随后,透镜110将辐射束113聚焦到反射镜111上。反射镜111可以被配置为将辐射束113引导到衬底120上,以用于照射对准标记118。
然后,辐射束113从对准标记118反射,以成为衍射辐射束119,该衍射辐射束119沿着对准轴121被导向图像旋转干涉仪126。此后,信号127被传递到检测器128以检测衬底120的位置。然后,信号分析器130接收信号129以确定载物台122的位置,并且将载物台122的位置与对准标记118的对称中心的位置相关。
这种光栅结构对准系统的问题在于,由于光栅结构将辐射束衍射成广角的光线,所以辐射束覆盖大量空间。保留包括不同角度下的有色光的所有射束都需要专用于透射光的大量体积。结果,光栅对准系统即笨重又繁琐。
与图1所示的系统相比之下,本对准系统使用玻璃板来产生离轴照射束。只需使用两个射束,这比光栅显著更小。将射束的量从用于光栅对准的宽射束减少到玻璃板对准中的仅两个射束,可以在光学系统内节省很多空间。结果,可以大大减小光学系统的占位空间。此外与用于光栅对准的光的色散光谱相反,使用玻璃板进行对准的其他优点包括所有波长都共线。可以微调玻璃板,从而更好地控制离轴照射束。使用玻璃板的离轴对准的另一益处是效率。仅产生所需数目的离轴照射束,而基于光栅的照射通常可能具有附加衍射阶,其必须被阻挡或以其他方式从系统中移除。
然而,在更详细地描述这些实施例之前,提供其中可以实现本发明的实施例的示例环境具有指导意义。
示例反射和透射光刻系统
图2A和图2B是本公开的实施例可以在其中实现或针对其实现的光刻设备200和光刻设备200'的示意性图示。光刻设备200和光刻设备200'各自包括以下各项:照射系统(照射器)IL,该照射系统IL被配置为调节辐射束B(例如,深紫外线或极紫外线辐射);支撑结构(例如,掩模台)MT,该支撑结构MT被配置为支撑图案形成装置(例如,掩模、掩模版或动态图案形成装置)MA并且连接到第一定位器PM,该第一定位器PM被配置为准确定位图案形成装置MA;以及衬底台(例如,晶片台)WT,该衬底台WT被配置为保持衬底(例如,涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位器PW,该第二定位器PW被配置为准确定位衬底W。光刻设备200和200'还具有投影系统PS,该投影系统PS被配置为将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分(例如,包括一个或多个管芯)C上。在光刻设备200中,图案形成装置MA和投影系统PS为反射式。在光刻设备200'中,图案形成装置MA和投影系统PS为透射式。
照射系统IL可以包括用于引导、成形或控制辐射束B的各种类型的光学部件,诸如折射光学部件、反射光学部件、反折射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其他类型的光学部件,或它们的任意组合。
支撑结构MT以取决于以下各项的方式保持图案形成装置MA:图案形成装置MA相对于参考系的取向、光刻设备200和200'中的至少一个光刻设备的设计和其他条件,诸如是否保持图案形成装置MA处于真空环境。支撑结构MT可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以是例如框架或工作台,该框架或工作台可以根据需要固定或可移动。通过使用传感器,支撑结构MT可以确保图案形成装置MA处于例如相对于投影系统PS的期望位置。
术语“图案形成装置”MA应当广义地被解释为是指能够被用来向辐射束B的横截面中赋予图案以便在衬底W的目标部分C中产生图案的任何设备。向辐射束B赋予的图案可以与在目标部分C中产生以形成集成电路的器件中的特定功能层相对应。
图案形成装置MA可以为透射式(如在图2B的光刻设备200'中一样)或反射式(如在图2A的光刻设备200中一样)。图案形成装置MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的,并且包括诸如二元、交替相移和衰减相移之类的掩模类型,以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置,其中每个反射镜可以单独倾斜,以便在不同方向上反射传入辐射束。经倾斜的反射镜在辐射束B中赋予由小反射镜矩阵反射的图案。
视正在被使用的曝光辐射或诸如在衬底W上使用浸没液体或使用真空之类的其他因素的情况而定,术语“投影系统”PS可以包括任何类型的投影系统,包括折射光学系统、反射光学系统、反折射光学系统、磁性光学系统、电磁光学系统和静电光学系统,或它们的任意组合。由于其他气体可以吸收过多的辐射或电子,所以真空环境可以用于EUV或电子束辐射。因此可以借助于真空壁和真空泵向整个射束路径提供真空环境。
光刻设备200和/或光刻设备200'可以属于具有两个(双台)或更多个衬底台WT(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在此类“多台型”机器中,可以并行使用附加衬底台WT,或可以在一个或多个台上进行准备步骤,同时一个或多个其他衬底台WT正在用于曝光。在一些情形下,附加台可能并非衬底台WT。
参考图2A和图2B,照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。例如,当源SO是准分子激光器时,源SO和光刻设备200、200'可以是分开的物理实体。在这种情况下,源SO不被认为形成光刻设备200或200'的一部分,并且辐射束B借助于包括例如合适定向反射镜和/或扩束器的射束递送系统BD(在图2B中)从源SO传递到照射器IL。在其他情况下,例如,当源SO是汞灯时,源SO可以是光刻设备200、200'的组成部分。如果需要,则源SO和照射器IL以及射束递送系统BD可以被称为辐射系统。
照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器AD(在图2B中)。通常,可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称为“σ-外部”和“σ-内部”)。另外,照射器IL可以包括各种其他部件(在图2B中),诸如积分器IN和聚光器CO。照射器IL可以被用来调节辐射束B,以在其横截面中具有期望均匀性和强度分布。
参考图2A,辐射束B入射在被保持在支撑结构(例如,掩模台)MT上的图案形成装置(例如,掩模)MA上,并且由图案形成装置MA形成图案。在光刻设备200中,辐射束B从图案形成装置(例如,掩模)MA反射。在从图案形成装置(例如,掩模)MA反射之后,辐射束B穿过投影系统PS,该投影系统PS将辐射束B聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF2(例如,干涉测量设备、线性编码器或电容传感器),可以准确移动衬底台WT(例如,以便在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C)。同样,第一定位器PM和另一位置传感器IF1可以被用来相对于辐射束B的路径准确定位图案形成装置(例如,掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如,掩模)MA和衬底W。
参考图2B,辐射束B入射在被保持在支撑结构(例如,掩模台MT)上的图案形成装置(例如,掩模MA)上,并且由图案形成装置形成图案。在横穿掩模MA之后,辐射束B穿过投影系统PS,该投影系统PS将射束聚焦到衬底W的目标部分C上。投影系统具有与照射系统光瞳IPU共轭的光瞳PPU。辐射的各部分从照射系统光瞳IPU处的强度分布发出并且横穿掩模图案而不受掩模图案处的衍射影响,并且在照射系统光瞳IPU处产生强度分布的图像。
借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如,干涉测量设备、线性编码器或电容传感器),可以准确移动衬底台WT(例如,以便在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C)。同样,第一定位器PM和另一位置传感器(图2B中未示出)可以被用来相对于辐射束B的路径准确定位掩模MA(例如,在从掩模库机械取回之后或在扫描期间)。
一般而言,可以借助于长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精细定位)来实现掩模台MT的移动,该长行程模块和短行程模块形成第一定位器PM的一部分。同样,可以使用长行程模块和短行程模块来实现衬底台WT的移动,该长行程模块和短行程模块形成第二定位器PW的一部分。在步进器(与扫描仪相对)的情况下,掩模台MT可以仅连接到短行程致动器或可以被固定。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管衬底对准标记(如所图示的)占据专用目标部分,但是它们可以位于目标部分之间的空间(被称为划线对准标记)中。同样,在其中掩模MA上提供多于一个管芯的情况下,掩模对准标记可以位于管芯之间。
掩模台MT和图案形成装置MA可以在真空室中,其中真空机器人IVR可以被用来将诸如掩模之类的图案形成装置移入和移出真空室。备选地,当掩模台MT和图案形成装置MA在真空室的外部时,与真空机器人IVR相似的非真空机器人可以用于各种运输操作。真空机器人和非真空机器人两者均需要被校准,以便将任何有效载荷(例如,掩模)顺利传送到传送站的固定运动支座。
可以在以下模式中的至少一种模式中使用光刻设备200和200':
1.在步进模式中,支撑结构(例如,掩模台)MT和衬底台WT基本上保持静止,而向辐射束B赋予的整个图案同时投影到目标部分C上(即,单次静态曝光)。然后,衬底台WT在X方向和/或Y方向上偏移,以使可以曝光不同的目标部分C。
2.在扫描模式中,在将赋予给辐射束B的图案投影到目标部分C上的同时,同步扫描支撑结构(例如,掩模台)MT和衬底台WT(即,单次动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如,掩模台)MT的速度和方向可以由投影系统PS的放大率(缩小率)和图像反转特性进行确定。
3.在另一模式中,保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如,掩模台)MT大体上保持静止,并且移动或扫描衬底台WT,同时将向辐射束赋予B的图案投影到目标部分C上。在衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间,根据需要可以采用脉冲辐射源SO并且更新可编程图案形成装置。该操作模式可容易地应用于利用可编程图案形成装置(诸如可编程反射镜阵列)的无掩模光刻。
还可以采用所描述的使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变化。
在一些实施例中,光刻设备200包括极紫外(EUV)源,该EUV源被配置为生成用于EUV光刻的EUV辐射束。一般而言,EUV源被配置在辐射系统中,并且对应照射系统被配置为调节EUV源的EUV辐射束。
图2C更详细地示出了光刻设备200,该光刻设备200包括源收集器装置SO、照射系统IL和投影系统PS。源收集器装置50被构造和布置为使得可以在源收集器装置50的封闭结构220中维持真空环境。可以通过放电产生的等离子体源形成EUV辐射发射等离子体210。EUV辐射可以由气体或蒸气(例如,Xe气体、Li蒸气或Sn蒸气)产生,其中产生热等离子体210以发射电磁波光谱的EUV范围内的辐射。例如,通过引起至少部分电离的等离子体的放电产生热等离子体210。为了有效生成辐射,可能需要例如Xe、Li、Sn蒸气或任何其他合适气体或蒸气的10Pa的分压。在一个实施例中,提供受激锡(Sn)的等离子体以产生EUV辐射。
由热等离子体210发射的辐射从源室211经由可选的气体阻挡部或污染物阱230(在一些情况下,还被称为污染物阻挡部或翼片阱)传递到收集器室212,该气体阻挡部或污染物阱230位于源室211中的开口中或后面。污染物阱230可以包括通道结构。污染物阱230还可以包括气体阻挡部或气体阻挡部和通道结构的组合。本文中还指示的污染物阱或污染物阻挡部230至少包括如本领域中已知的通道结构。
收集器室212可以包括辐射收集器CO,该辐射收集器CO可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。横穿收集器CO的辐射可以从光栅光谱滤光器240反射,以聚焦在虚拟源点IF。虚拟源点IF通常被称为中间焦点,并且源收集器装置被布置为使得中间焦点IF位于封闭结构220中的开口219处或附近。虚拟源点IF是辐射发射等离子体210的图像。光栅光谱滤光器240特别用于抑制红外(IR)辐射。
随后,辐射横穿照射系统IL,该照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224,该琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224被布置为在图案形成装置MA处提供辐射束221的期望角分布以及在图案形成装置MA处提供辐射强度的期望均匀性。当在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射辐射束221时,形成图案化射束226,并且图案化射束226通过投影系统PS经由反射元件228、230成像到由晶片台或衬底台WT保持的衬底W上。
照射光学器件单元IL和投影系统PS中通常可能存在比所示出的元件更多的元件。依据光刻设备的类型,光栅光谱滤光器240可以可选地存在。此外,可以存在比附图所示的反射镜更多的反射镜,例如,投影系统PS中可能存在比图2C所示的反射元件多1个至6个附加反射元件。
如图2C所图示的,收集器光学器件CO被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的巢状收集器,只是作为收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254和255围绕光轴O轴对称设置,并且这种类型的收集器光学器件CO优选地与放电产生的等离子体源(通常被称为DPP源)结合使用。
示例光刻单元
图3A示出了有时还被称为lithocell或簇的光刻单元300。光刻设备200或200'可以形成光刻单元300的一部分。光刻单元300还可以包括在衬底上执行曝光前过程和曝光后过程的装置。传统上讲,这些装置包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂器SC、用于显影经曝光的抗蚀剂的显影剂DE、冷却板CH和烘烤板BK。衬底处理器或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底,在不同的处理装置之间移动它们,然后递送到光刻设备的装卸区LB。通常统称为轨道的这些装置处于轨道控制单元TCU的控制下,该轨道控制单元TCU本身由监管控制系统SCS控制,该监管控制系统SCS还经由光刻控制单元LACU控制光刻设备。因此,可以操作不同装置以使生产量和处理效率最大。
对准系统实施例
在衬底上特别提供一个或多个目标以实现对准。通常,目标是专门设计的,并且可以包括周期性结构。例如,衬底上的目标可以包括一个或多个1D周期性结构(例如,诸如光栅之类的几何特征),该一个或多个1-D周期性结构被印制为使得在显影之后,周期性结构特征由固体抗蚀剂线形成。作为另一示例,目标可以包括一个或多个2-D周期性结构(例如,光栅),该一个或多个2-D周期性结构被印制为使得在显影之后,一个或多个周期性结构由抗蚀剂中的固体抗蚀剂柱或过孔形成。栅条、柱或过孔备选地可以蚀刻到衬底中(例如,蚀刻到衬底上的一个或多个层中)。
图3B描绘了可以被用来检测对准以及套刻和/或执行其他量测操作的示例对准系统10。该示例对准系统10包括辐射或照射源2,该辐射或照射源将辐射投影或以其他方式照射到衬底W上(例如,其通常可以包括量测标记)。经重定向的辐射被传递到诸如光谱仪检测器4和/或其他传感器之类的传感器,该传感器测量经镜面反射的辐射和/或经衍射的辐射的光谱(随波长而变化的强度),如例如图3C的左侧上的曲线图所示。传感器可以生成传送指示经反射辐射的属性的对准数据的对准信号。根据该数据,可以通过一个或多个处理器PRO(图3C中示出了其一般示例)或通过其他操作来重构产生所检测到的光谱的结构或轮廓。
如在图2A和图2B的光刻设备200和200'中一样,可以提供一个或多个衬底台以在测量操作期间保持衬底W。一个或多个衬底台在形式上可以与图2A和图2B的衬底台WT相似或相同。在其中检查系统10与光刻设备集成的示例中,它们甚至可以是相同的衬底台。粗略定位器和精细定位器可以被提供和配置为相对于测量光学系统准确定位衬底。例如,提供各种传感器和致动器以获取结构的感兴趣目标部分(例如,量测标记)的位置,并且将其置于物镜下。通常,在跨衬底W的不同位置处对结构的目标部分进行许多测量。可以在X方向和Y方向上移动衬底支撑件以获取不同的目标,并且可以在Z方向上移动衬底支撑件以获得目标部分相对于光学系统的焦点的期望位置。当例如在实践中光学系统可以保持大体静止(典型地,在X方向和Y方向上,但也可能在Z方向上)并且衬底移动时,思考和描述操作很方便,就好像物镜被带到相对于衬底的不同位置一样。假设衬底和光学系统的相对位置正确,原则上讲,哪一个正在移动,或如果两者均正在移动,或光学系统的一部分的组合正在移动(例如,在Z和/或倾斜方向上),其中光学系统的其余部分静止并且衬底正在移动(例如,在X方向和Y方向上,但也可选地在Z和/或倾斜方向上)都无关紧要。
对于典型的对准测量,衬底W上的目标(部分)30可以是1-D光栅,该1-D光栅被印制为使得在显影之后,栅条由固体抗蚀剂线(例如,其可以由沉积层覆盖)和/或其他材料形成。或者,目标30可以是2-D光栅,该2-D光栅被印制为使得在显影之后,光栅由固体抗蚀剂支柱和/或抗蚀剂中的其他特征形成。
栅条、支柱、过孔和/或其他特征可以被蚀刻到衬底中或衬底上(例如,被蚀刻到衬底上的一个或多个层中),沉积在衬底上,由沉积层覆盖和/或具有其他属性。目标(部分)30(例如,栅条、支柱、过孔等)对图案化过程中的处理改变(例如,诸如投影系统中的光刻投影装置中的光学像差、焦点改变、剂量改变等)敏感,使得过程变化以目标30中的变化表现。因而,来自目标30的所测量的数据可以被用来确定对制造过程中的一个或多个制造过程的调整和/或可以被用作用于进行实际调整的基础。
例如,来自目标30的所测量的数据可以指示半导体器件的层的套刻。来自目标30的所测量的数据可以用于(例如,通过一个或多个处理器PRO和/或其他处理器)基于套刻来确定一个或多个半导体器件制造过程参数,并且基于所确定的一个或多个半导体器件制造过程参数来确定对半导体器件制造装置的调整。在一些实施例中,这可以包括例如载物台位置调整,或这可以包括确定对掩模设计、量测目标设计、半导体器件设计、辐射的强度、辐射的入射角、辐射的波长、光瞳大小和/或形状、抗蚀剂材料和/或其他过程参数的调整。
图3D图示了典型目标(例如,量测标记)30的平面图以及图5的系统中的典型辐射照射斑S的范围。通常,为了获得不受周围结构干扰的衍射光谱,在一个实施例中,目标30是大于照射斑S的宽度(例如,直径)的周期性结构(例如,光栅)。斑S的宽度可以小于目标的宽度和长度。换句话说,目标由照射‘欠填充’,并且衍射信号基本上没有来自目标本身外部的产品特征等的任何信号。例如,照射布置可以被配置为跨物镜的后焦面提供强度均匀的照射。备选地,通过例如在照射路径中包括孔径,照射可以被约束到轴上方向或离轴方向。
图4图示了根据一个实施例的对准系统400的横截面的示意图,该对准系统400可以被实现为光刻设备200或200'和/或其他光刻设备的一部分或以其他方式与光刻设备200或200'和/或其他光刻设备结合。在该实施例的示例中,对准系统400可以被配置为相对于图案形成装置(例如,上文所描述的图案形成装置MA)对准衬底(例如,上文所描述的半导体晶片、衬底W等)。对准系统400还可以被配置为检测衬底上的对准标记的位置,并且使用所检测到的对准标记的位置相对于光刻设备100或100'的图案形成装置或其他部件来对准衬底。衬底的这种对准可以确保衬底上的一个或多个图案的准确曝光。
根据一个实施例,对准系统400可以包括照射源412、光学系统414、物镜417、图像旋转干涉仪426、检测器428和信号分析器430。照射源412可以被配置为提供具有第一偏振态(诸如线性偏振态)的电磁窄带辐射束413。在一个示例中,窄带辐射束413可以在介于大约500nm和大约900nm之间的波长光谱内。在另一示例中,窄带辐射束413包括介于大约500nm和大约900nm之间的波长光谱内的离散窄通带。在又一示例中,辐射束413可以是单色的,例如,由单色光源(诸如照射源412中的激光光源)提供。诸如LED之类的多色光源也可以用于照射源412中以提供多色辐射束413。
光学系统414可以被配置为接收辐射束413。在该实施例的一个示例中,光学系统还可以被配置为将辐射束413引导到衬底420上,如图4所示。光学系统414可以包括具有至少一个反射镜的透射光学器件,该透射光学器件被配置为将辐射束413朝向位于衬底420上的对准标记418引导。光学系统414还可以包括产生从辐射束413拆分或复制的附加照射束并且将它们朝向对准标记418引导的光学器件。
衬底420可以放置在沿着方向424可移动的载物台422上。辐射束413可以被配置为照射位于衬底420上的对准标记418。在该实施例的示例中,对准标记418可以涂覆有辐射敏感膜。在另一示例中,对准标记418可以具有180°对称性。也就是说,当对准标记418围绕垂直于对准标记418的平面的对称轴线旋转180°时,经旋转的对准标记418可能与未经旋转的对准标记418大体上相同。
如图4所图示的,根据一个实施例,物镜417可以被配置为将衍射辐射束419朝向图像旋转干涉仪426引导。物镜417可以包括适合于引导衍射辐射束419的任何适当数目的光学元件。在一个示例实施例中,衍射辐射束419可以是从对准标记418衍射的辐射束413的至少一部分。应当注意,尽管在图4中已经示出了衍射辐射束419穿过光学系统414之外,但是本公开不限于此。光学系统414对于衍射辐射束419可以是大体上透明的,并且可以允许衍射辐射束419穿过,而大体上无需改变衍射辐射束419的属性。还应当指出,尽管物镜417被示为将辐射束419朝向图像旋转干涉仪426引导,但是本公开不限于此。可以使用其他光学布置来获得检测来自对准标记418的衍射信号的相似结果。
在一些实施例中,图像旋转干涉仪426可以包括任何适当的光学元件集合,例如,可以被配置为基于所接收的衍射辐射束419来形成对准标记418的两个图像的棱镜的组合。应当领会,无需形成高质量的图像,而是应当对对准标记418的特征进行分辨。图像旋转干涉仪426还可以被配置为将两个图像中的一个图像相对于两个图像中的另一图像旋转180°,并且以干涉方式重新组合经旋转的图像和未经旋转的图像。
当对准系统400的对准轴421穿过对准标记418的对称中心(未示出)时,检测器428可以被配置为接收经重新组合的图像并且检测作为经重新组合的图像的结果的干扰。根据一个示例实施例,这种干涉可能由于对准标记418是180°对称的,并且经重新组合的图像相长干涉或相消干涉。基于所检测到的干涉,检测器428还可以被配置为确定对准标记418的对称中心的位置,因此检测衬底420的位置。根据一个示例,对准轴421可以与垂直于衬底420并且穿过图像旋转干涉仪426的中心的光射束对准。
在一些实施例中,信号分析器430可以被配置为接收包括所确定的对称中心的信息的信号429。信号分析器430还可以被配置为确定载物台422的位置并且使载物台422的位置与对准标记418的对称中心的位置相关。如此,对准标记418的位置以及因此衬底420的位置可以参考载物台422而准确获知。备选地,信号分析器430可以被配置为确定对准系统400或任何其他参考元件的位置,使得对准标记418的对称中心可以参考对准系统400或任何其他参考元件而获知。
光学系统实施例
图5图示了根据一个实施例的光学系统514的横截面的示意图。光学系统514可以表示图4所示的光学系统414的示例实施例。照射束513可以与上文关于图4所讨论的辐射束413相似。因为照射束513沿着光轴510行进,所以它是轴上照射束。
在该实施例的示例中,光学系统514可以包括一对玻璃板550、孔径板552和透射光学器件553。玻璃板550各自具有用于反射和折射照射束513的多个斑点反射镜560。结果,照射束513入射在玻璃板550上以产生一对照射束515。照射束515是离轴照射束,玻璃板550的下游是孔径板552,该孔径板552选择性地阻挡不需要的辐射。图5示出了保留轴上照射束513和离轴照射束515的情况。孔径板552的下游是透射光学器件553。透射光学器件553包括多个反射镜563。每个反射镜563与照射束相关联。反射镜563朝向物镜417反射轴上照射束513和离轴照射束515。物镜417可以被配置为将照射束513和515聚焦到衬底420上。照射束513和515会聚在衬底420的对准标记418上,如图4所示。
图6至图8图示了根据一个实施例的光学系统614的横截面的示意图。图6是光学系统614的俯视图,图7是侧视图,图8是光学系统614的旋转视图。光学系统614可以表示图4所示的光学系统414的一个示例实施例。照射束613可以与上文关于图4所讨论的辐射束413相似。因为照射束613沿着光轴610行进,所以它是轴上照射束。
在该实施例的一个示例中,光学系统614可以包括第一对玻璃板650、第二对玻璃板651、孔径板652和透射光学器件653。玻璃板650和651各自分别具有用于反射和折射辐射束613的多个斑点反射镜660和661。结果,照射束613入射在第一对玻璃板650上以产生第一对照射束615,如图6和图8清楚地所示。图7仅示出了第一照射束615,因为根据该视图第二射束615位于第一射束615的下面并且被第一射束615覆盖(第一射束615也覆盖照射束613)。此外,照射束613然后入射在第二对玻璃板651上以产生第二对照射束616,如图7和图8清楚地所示。与上述相似,图6仅示出了第一照射束616。照射束615和616是离轴照射束。玻璃板650和651的下游是孔径板652,该孔径板652选择性地阻挡不需要的辐射。图6至图8图示了其中保留轴上照射束613和离轴照射束615和616的情况。孔径板652的下游是透射光学器件653。透射光学器件653包括多个反射镜663。每个反射镜663与照射束相关联。反射镜663朝向物镜417反射轴上照射束613和离轴照射束615和616,如图7和图8所示。物镜417可以被配置为将照射束613、615和616聚焦到衬底420上,如图7和图8所示。照射束613、615和616会聚在衬底420的对准标记418上,如图4所示。
尽管上述实施例具有一对或两对离轴照射束,但该系统不限于此。可以产生多于两对的离轴照射束。
玻璃板550、650和651各自是一对玻璃板。每对玻璃板550、650和651接收照射束513和613以分别产生离轴照射束对515、615和616。附加玻璃板对可以被插入到光路中以产生附加的离轴照射束对。此外,该玻璃板对中的一个玻璃板可以相对于另一玻璃板轻微倾斜,以改变离轴照射束的特性。可以使用玻璃板驱动电机(未示出)使玻璃板倾斜。结果,可以控制该射束对之间的光程差、光的量和功率。
多个斑点反射镜560、660和661是部分反射式斑点反射镜或全反射式斑点反射镜。部分反射式斑点反射镜折射辐射束中的一些辐射束,同时反射射束的其余部分。另一方面,全反射式斑点反射镜反射整个射束。每个斑点反射镜是玻璃板上的反射涂层的离散区域。反射涂层包括金属或电介质或其组合。
孔径板552和652位于玻璃板550、650和651和透射光学器件553和653之间。孔径板552和652阻挡不需要的辐射,同时允许某些照射束穿过并到达对准标记418。使用孔径板驱动电机(未示出),孔径板552和652可移入和移出照射束的路径。在第一配置中,孔径板552和652阻挡轴上照射束513和613而允许离轴照射束515、615和616穿过。在第二配置中,孔径板552和652阻挡离轴照射束515、615和616而允许轴上照射束513和613穿过。在第三配置中,孔径板552和652允许轴上照射束513和613和离轴照射束515、615和616穿过。
透射光学器件553和653包括多个反射镜563。反射镜563可以是全反射的。透射光学器件中的反射镜的数目等于照射束的数目。透射光学器件553和653朝向物镜417反射射束中的每个射束。
下面是离轴照射束对的其他细节。离轴照射束对515、615和616彼此同相,具有匹配的光路。而且,通过分别使每对中的一个玻璃板550、650和651相对于另一玻璃板倾斜,可以微调每对中的射束515、615和616之间的光程差。附加地,离轴照射束可以为偏振的或非偏振的。这可以通过将薄膜涂层添加到斑点反射镜560、660和661上来实现。备选地,光路中的偏振器(未示出)可以将离轴照射束改变为偏振的或非偏振的。由于离轴照射束由玻璃板(与光栅结构相对)产生,所以对于不同的波长,离轴照射束可以具有较小的颜色分离,或被制成完全消色差,或共线。换句话说,离轴照射束都是相同的颜色,而非光栅结构的颜色光谱。结果,离轴照射束的所有颜色的照射角度都相同。此外,可以通过添加薄膜涂层来控制离轴照射束的光谱成分。薄膜涂层将改变离轴照射束的功率强度。
在一些实施例中,光学系统514和614可以被插入到与图4中的对准系统400相似的现有对准系统中。结果,光学系统514和614向后兼容,并且可以被用来升级现有对准系统。
还可以使用以下条款对这些实施例进行描述。
1.一种对准照射系统,包括:
照射源;
至少一对玻璃板,其中每个玻璃板具有多个斑点反射镜,所述多个斑点反射镜能够反射或部分反射和透射来自所述照射源的照射束;
具有至少一个反射镜的透射光学器件,被配置为反射从所述玻璃板接收的辐射;以及
物镜,被配置为将来自所述透射光学器件的光朝向要被照射的物体聚焦。
2.根据条款1所述的对准照射系统,其中所述玻璃板反射和折射所述照射束以产生离轴照射束的对。
3.根据条款2所述的对准照射系统,其中每对中的所述离轴照射束彼此同相。
4.根据条款2所述的对准照射系统,其中每对中的所述离轴照射束的光程差能够通过使用玻璃板驱动电机使所述对中的一个玻璃板相对于另一玻璃板倾斜而被控制。
5.根据条款2所述的对准照射系统,其中所述离轴照射束对于不同波长具有小的颜色分离或共线。
6.根据条款2所述的对准照射系统,其中所述离轴照射束的所有颜色的所述照射角度都相同。
7.根据条款2所述的对准照射系统,其中所述离轴照射束或轴上照射束的所述光谱成分能够通过将薄膜涂层添加到所述斑点反射镜上而被控制。
8.根据条款2所述的对准照射系统,其中所述离轴照射束通过将薄膜涂层添加到所述斑点反射镜上而被偏振。
9.根据条款2所述的对准照射系统,其中所述离轴照射束为非偏振的。
10.根据条款1所述的对准照射系统,其中位于所述玻璃板和所述透射光学器件之间的孔径板阻挡不需要的辐射。
11.根据条款10所述的对准照射系统,其中所述孔径板阻挡轴上照射束而允许离轴照射束穿过。
12.根据条款10所述的对准照射系统,其中所述孔径板阻挡离轴照射束而允许轴上照射束穿过。
13.根据条款10所述的对准照射系统,其中所述孔径板允许轴上照射束和离轴照射束穿过。
14.根据条款1所述的对准照射系统,其中所述多个斑点反射镜包括金属或电介质或其组合。
15.根据条款1所述的对准照射系统,其中所述至少一对玻璃板包括正好两个玻璃板。
16.根据条款15所述的对准照射系统,其中所述两个玻璃板产生一对离轴照射束。
17.根据条款1所述的对准照射系统,其中所述至少一对玻璃板包括四个玻璃板以产生两对离轴照射束。
18.一种对准系统,用于测量物体的对准,其中根据条款1所述的对准照射系统和可调孔径光阑能够被插入到所述对准系统中以产生离轴照射束的对。
19.一种对准系统,包括:
照射源;
至少一对玻璃板,其中每个玻璃板具有多个斑点反射镜,所述多个斑点反射镜能够反射或部分反射和透射来自所述照射源的照射束;
孔径光阑;
具有至少一个反射镜的透射光学器件,被配置为反射从所述玻璃板接收的辐射;
物镜,被配置为将来自所述透射光学器件的光朝向要被照射的物体聚焦;
载物台,用于保持所述要被照射的物体;以及
干涉仪,被配置为测量所述物体上的标记。
20.一种使用对准照射系统进行对准的方法,包括:
照射来自照射源的照射束;
使用至少一对玻璃板来反射或部分反射和透射来自所述照射源的所述照射束,其中每个玻璃板具有多个斑点反射镜;
使用具有至少一个反射镜的透射光学器件来反射从所述玻璃板接收的辐射;以及
使用物镜来将来自所述透射光学器件的光朝向要被照射的物体聚焦。
21.根据条款20所述的方法,其中所述玻璃板反射和折射所述照射束以产生离轴照射束的对。
22.根据条款21所述的方法,其中每对中的所述离轴照射束彼此同相。
23.根据条款21所述的方法,其中每对中的所述离轴照射束的光程差能够通过使用玻璃板驱动电机使所述对中的一个玻璃板相对于另一玻璃板倾斜而被控制。
24.根据条款21所述的方法,其中所述离轴照射束对于不同波长具有小的颜色分离或共线。
25.根据条款21所述的方法,其中所述离轴照射束的所有颜色的所述照射角度都相同。
26.根据条款21所述的方法,其中所述离轴照射束或轴上照射束的光谱成分能够通过将薄膜涂层添加到所述斑点反射镜上而被控制。
27.根据条款21所述的方法,其中所述离轴照射束通过将薄膜涂层添加到所述斑点反射镜上而被偏振。
28.根据条款21所述的方法,其中所述离轴照射束为非偏振的。
29.根据条款20所述的方法,其中定位在所述玻璃板和所述透射光学部件之间的孔径板阻挡不需要的辐射。
30.根据条款29所述的方法,其中所述孔径板阻挡轴上照射束而允许离轴照射束穿过。
31.根据条款29所述的方法,其中所述孔径板阻挡离轴照射束而允许轴上照射束穿过。
32.根据条款29所述的方法,其中所述孔径板允许轴上照射束和离轴照射束穿过。
33.根据条款20所述的方法,其中所述多个斑点反射镜包括金属或电介质或其组合。
34.根据条款20所述的方法,其中所述至少一对玻璃板包括正好两个玻璃板。
35.根据条款34所述的方法,其中所述两个玻璃板产生一对离轴照射束。
36.根据条款20所述的方法,其中所述至少一对玻璃板包括四个玻璃板以产生两对离轴照射束。
37.一种用于使用对准系统测量物体的对准的方法,其中根据条款20所述的对准照射系统和可调孔径光阑能够被插入到所述对准系统中以产生离轴照射束的对。
38.一种用于使用对准照射系统进行对准的方法,包括:
照射来自照射源的照射束;
使用至少一对玻璃板来反射或部分反射和透射来自所述照射源的所述照射束,其中每个玻璃板具有多个斑点反射镜;
使用孔径光阑来对从所述玻璃板接收的辐射进行过滤;
使用具有至少一个反射镜的透射光学器件来反射从所述孔径光阑接收的辐射;
使用物镜来将来自所述透射光学器件的光朝向由载物台保持的要被照射的物体聚焦;以及
使用干涉仪来测量所述物体上的标记。
本说明书公开了结合本发明的特征的一个或多个实施例。一个或多个所公开的实施例仅举例说明本发明。本发明的范围不限于一个或多个所公开的实施例。本发明由所附权利要求限定。
所描述的一个或多个实施例以及说明书中对“一个实施例”、“一实施例”、“一示例实施例”等的引用指示所描述的一个或多个实施例可以包括特定特征、结构或特性,但每个实施例不一定都包括该特定特征、结构或特性。而且,这些短语不一定是指同一实施例。此外,当结合实施例对特定特征、结构或特性进行描述时,应当理解,无论是否明确描述,结合其他实施例实现此类特征、结构或特性都在所属领域的技术人员的知识范围内。
尽管本文本中可以具体参考光刻设备在IC的制造中的使用,但是应当理解,本文中所描述的光刻设备可以具有其他应用,诸如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将领会,在这样的备选应用的上下文中,本文中的术语“晶片”或“管芯”的任何使用可以被认为分别与更一般的术语“衬底”或“目标部分”同义。在曝光之前或之后,可以在例如轨道(通常将抗蚀剂层施加到衬底上并且使经曝光的抗蚀剂显影的工具)、量测工具和/或检查工具中处理本文中所提及的衬底。在适用的情况下,本文中的公开内容可以应用于此类及其他衬底处理工具。此外可以不止一次地处理衬底,例如,以便产生多层IC,使得本文中所使用的术语衬底也可以是指已经包含多个经处理层的衬底。
尽管上文已经具体参考了本发明的实施例在光学光刻的上下文中的使用,但是应当领会,本发明可以用于其他应用,例如,压印光刻,并且在上下文允许的情况下,本发明不限于光学光刻。在压印光刻中,图案形成装置中的形貌限定了在衬底上产生的图案。图案形成装置的形貌可以被压入到被供应给衬底的抗蚀剂层中,于是通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来固化抗蚀剂。图案形成装置被移出抗蚀剂,从而在抗蚀剂被固化之后在其中留下图案。
应当理解,本文中的措辞或术语是为了描述而非限制的目的,使得本说明书的术语或措辞应由相关领域的技术人员根据本文中的教导进行解释。
在本文中所描述的实施例中,在上下文允许的情况下,术语“透镜”和“透镜元件”可以是指包括折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件和静电光学部件在内的各种类型的光学部件中的任一光学部件或组合。
此外,本文中所使用的术语“辐射”和“射束”涵盖所有类型的电磁辐射,包括紫外(UV)辐射(例如,波长λ为365nm、248nm、193nm、157nm或126nm)、极紫外(EUV或软X射线)辐射(例如,波长在5nm至20nm范围内,诸如例如,13.5nm)、或在小于5nm下工作的硬X射线、以及粒子束,诸如离子束或电子束。通常,波长介于大约400nm和大约700nm之间的辐射被认为是可见辐射;波长介于大约780nm和3000nm(或更大)之间的辐射被认为是IR辐射。UV是指波长为近似100nm至400nm的辐射。在光刻术中,术语“UV”也适用于可以由汞放电灯产生的波长:G-线436nm、H-线405nm、和/或I线365nm。真空UV或VUV(即,被气体吸收的UV)是指波长为近似100nm至200nm的辐射。深UV(DUV)通常是指波长范围为126nm至428nm的辐射,并且在一个实施例中,准分子激光器可以生成在光刻设备内使用的DUV辐射。应当领会,波长范围为例如5nm至20nm的辐射涉及具有特定波段的辐射,该波段的至少一部分在5nm至20nm的范围内。
如本文中所使用的术语“衬底”通常描述了在其上添加后续材料层的材料。在各实施例中,衬底本身可以被图案化,并且添加在其顶部上的材料也可以被图案化也可以留下而无需图案化。
如本文中所使用的术语“大体上接触”通常描述元件或结构彼此物理接触,其中彼此仅有轻微分离,这种轻微分离通常由未对准容差引起。应当理解,本文中所使用的一个或多个特定特征、结构或特性(例如,“垂直对准”、“大体上接触”等)之间的相对空间描述仅出于说明的目的,并且在没有背离本发明的精神和范围的情况下,本文中所描述的结构的实际实现方式可以包括未对准容差。
如本文中所使用的术语“光学耦合”通常是指一个耦合元件被配置为将光直接地或间接地赋予到另一耦合元件。
如本文中所使用的术语“光学材料”通常是指允许光或光能在其中或穿过其中传播的材料。
虽然上文已经对本发明的特定实施例进行了描述,但是应当领会,本发明可以以与所描述的方式不同的方式进行实施。该描述并不旨在限制本发明。
应当领会,具体实施方式部分而非发明内容和摘要部分旨在被用来解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐述如由一个或读个本发明人所预期的本发明的一个或多个但并非所有的示例性实施例,因此并不旨在以任何方式限制本发明和所附权利要求。
上文借助于说明特定功能及其关系的实现方式的功能构建块对本发明进行描述。为了便于描述,本文中对这些功能构建块的边界进行任意定义。只要适当地执行指定功能及其关系,就可以定义备选边界。
具体实施例的上述描述将充分揭示本发明的一般性质,以至于其他人可以通过应用本领域的知识,在没有背离本发明的一般概念的情况下,随时修改和/或改编这些具体实施例以用于各种应用,而无需进行过多实验。因此,基于本文中所给出的教导和指导,这样的改编和修改旨在处于所公开的实施例的等同物的含义和范围内。
本发明的广度和范围不受任何上述示例性实施例的限制,而应仅根据所附权利要求及其等同物进行限定。

Claims (15)

1.一种对准照射系统,包括:
照射源;
至少一对玻璃板,其中每个玻璃板具有多个斑点反射镜,所述多个斑点反射镜能够反射或部分反射和透射来自所述照射源的照射束;
具有至少一个反射镜的透射光学器件,被配置为反射从所述玻璃板接收的辐射;以及
物镜,被配置为将来自所述透射光学器件的光朝向要被照射的物体聚焦。
2.根据权利要求1所述的对准照射系统,其中所述玻璃板反射和折射所述照射束以产生离轴照射束的对。
3.根据权利要求2所述的对准照射系统,其中每对中的所述离轴照射束彼此同相。
4.根据权利要求2所述的对准照射系统,其中每对中的所述离轴照射束的光程差能够通过使用玻璃板驱动电机使所述对中的一个玻璃板相对于另一玻璃板倾斜而被控制。
5.根据权利要求2所述的对准照射系统,其中所述离轴照射束对于不同波长具有小的颜色分离或共线。
6.根据权利要求2所述的对准照射系统,其中所述离轴照射束的所有颜色的所述照射角度都相同。
7.根据权利要求2所述的对准照射系统,其中所述离轴照射束或轴上照射束的光谱成分能够通过将薄膜涂层添加到所述斑点反射镜上而被控制。
8.根据权利要求2所述的对准照射系统,其中所述离轴照射束通过将薄膜涂层添加到所述斑点反射镜上而被偏振。
9.根据权利要求2所述的对准照射系统,其中所述离轴照射束为非偏振的。
10.根据权利要求1所述的对准照射系统,其中定位在所述玻璃板和所述透射光学器件之间的孔径板阻挡不需要的辐射。
11.根据权利要求10所述的对准照射系统,其中所述孔径板阻挡轴上照射束而允许离轴照射束穿过。
12.根据权利要求10所述的对准照射系统,其中所述孔径板阻挡离轴照射束而允许轴上照射束穿过。
13.根据权利要求10所述的对准照射系统,其中所述孔径板允许轴上照射束和离轴照射束穿过。
14.根据权利要求1所述的对准照射系统,其中所述多个斑点反射镜包括金属或电介质或其组合。
15.根据权利要求1所述的对准照射系统,其中所述至少一对玻璃板包括正好两个玻璃板。
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