CN119317871A - 用于监测光刻系统的一个或更多个部件适当起作用的方法 - Google Patents

Abstract

公开了一种用于监测光刻系统的一个或更多个部件适当起作用的方法。所述方法包括：在使用所述光刻系统的生产活动期间的控制要求相对不严格的时间，确定所述一个或更多个部件中的每个部件在所述生产活动期间的频率响应函数；相对于指示名义光刻系统行为的控制数据而评估所述频率响应函数中的每个；以及基于所述评估步骤而预测是否对所述光刻系统执行维护动作。

Description

用于监测光刻系统的一个或更多个部件适当起作用的方法

技术领域

本发明要求于2022年9月06日递交的欧洲申请22194094.3的优先权，并且该欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本发明涉及例如可以用于通过光刻技术制造器件的方法和设备，并且涉及使用光刻技术制造器件的方法。本发明更尤其涉及用于这样的器件的故障检测。

背景技术

光刻设备是将期望的图案涂覆至衬底上，通常涂覆至衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路（IC）的制造。在那种情况下，图案形成装置（其替代地称为掩模或掩模版）可以用于产生待形成在IC的单层上的电路图案。这种图案可以转印至衬底（例如，硅晶片）上的目标部分（例如，包括管芯的部分、一个管芯或一定数目个管芯）上。通常经由成像至被设置在衬底上的辐射敏感材料（抗蚀剂）层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包括被连续地图案化的相邻目标部分的网络。这些目标部分通常称为“场”。

在复杂器件的制造中，通常执行许多光刻图案化步骤，由此在衬底上的连续层中形成功能性特征。因此，光刻设备的性能的关键方面能够相对于置于先前层中（通过相同设备或不同光刻设备）的特征恰当地且准确地放置所应用的图案。为此目的，衬底设置有一组或更多组对准标记。每个标记为稍后可以使用位置传感器（通常是光学位置传感器）测量其位置的结构。光刻设备包括一个或更多个对准传感器，可以通过所述一个或更多个对准传感器准确地测量衬底上的标记的位置。不同类型的标记和不同类型的对准传感器是从不同制造商和同一制造商的不同产品得知的。

在其它应用中，量测传感器用于测量衬底上的经曝光的结构（在抗蚀剂中和/或在蚀刻之后）。快速且非侵入形式的专用检查工具为散射仪，其中，将辐射束引导至衬底的表面上的目标上，并且测量经散射束或反射束的性质。已知散射仪的示例包括US2006033921A1和US2010201963A1中所描述的类型的角分辨散射仪。除了通过重构进行特征形状的测量以外，也可以使用这种设备来测量基于衍射的重叠，如已公开专利申请US2006066855A1中所描述的。使用衍射阶的暗场成像的基于衍射的重叠量测实现对较小目标的重叠测量。可以在国际专利申请WO 2009/078708和WO 2009/106279中找到暗场成像量测的示例，该申请的文件由此以全文引用的方式并入。已公开专利公开文本US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A和WO2013178422A1中已描述所述技术的进一步开发。这些目标可以小于照射斑且可以由晶片上的产品结构包围。可以使用复合光栅目标来在一个图像中测量多个光栅。所有这些申请的内容也以引用的方式并入本文中。

光刻系统是包括多个部件的极复杂工具，其中的许多部件需要非常严格的控制以按纳米尺度和按可接受速度实现图案化准确度。这些系统的正常运行时间是重要的，并且任何停机时间表示显著开销。然而，目前有必要使系统离线以测量系统部件的频率响应函数，以便确定系统部件是否正确地起作用或是否需要维护动作。

将期望对这样的光刻系统维护方法进行改善。

发明内容

在第一方面中，本发明提供一种用于监测光刻系统的一个或更多个部件适当起作用的方法，所述方法包括：在使用所述光刻系统的生产活动期间的控制要求相对不严格的时间，确定所述一个或更多个部件中的每个部件在所述生产活动期间的频率响应函数；相对于指示名义光刻系统行为的控制数据而评估所述频率响应函数中的每个频率响应函数；以及基于所述评估步骤而预测是否对所述光刻系统执行维护动作。

也公开一种计算机程序和光刻系统，所述计算机程序和光刻系统能够操作以执行第一方面所述的方法。

本发明的以上和其它方面将从以下所描述的示例的考虑因素来理解。

附图说明

现将参考随附附图而仅借助于示例来描述本发明的实施例，在随附附图中：

图1描绘光刻设备；以及

图2示意性地图示图1的设备中的测量和曝光过程。

具体实施方式

在详细地描述本发明的实施例之前，呈现可以用于实施本发明的实施例的示例环境是有指导性的。

图1示意性地描绘光刻设备LA。所述设备包括：照射系统（照射器）IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B（例如，UV辐射或DUV辐射）；图案形成装置支撑件或支撑结构（例如，掩模台）MT，所述图案形成装置支撑件或支撑结构被构造成支撑图案形成装置（例如，掩模）MA且连接至被配置成根据某些参数准确地定位图案形成装置的第一定位器PM；两个衬底台（例如，晶片台）WTa和WTb，这两个衬底台各自被构造成保持衬底（例如，涂覆有抗蚀剂的晶片）W且各自连接至被配置成根据某些参数准确地定位衬底的第二定位器PW；以及投影系统（例如，折射型投影透镜系统）PS，所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C（例如，包括一个或更多个管芯）上。参考框架RF连接各种部件，并且用作用于设置和测量图案形成装置和衬底的位置以及图案形成装置和衬底上的特征的位置的参考。

照射系统可以包括用于引导、成形或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件，或其任何组合。

图案形成装置支撑件MT以依赖于图案形成装置的定向、光刻设备的设计和其它条件（诸如是否将图案形成装置保持在真空环境中）的方式来保持图案形成装置。图案形成装置支撑件可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持图案形成装置。图案形成装置支撑件MT可以是例如框架或台，所述框架或台可以根据需要而是固定或可移动的。图案形成装置支撑件可以确保图案形成装置例如相对于投影系统处于期望的位置。

本文中所使用的术语“图案形成装置”应广义地解释为是指可以用于在辐射束的横截面中向辐射束赋予图案以便在衬底的目标部分中产生图案的任何装置。应注意，例如，如果被赋予至辐射束的图案包括相移特征或所谓的辅助特征，则所述图案可能不确切地对应于衬底的目标部分中的期望的图案。通常，赋予至辐射束的图案将对应于目标部分中所产生的器件（诸如集成电路）中的特定功能层。

如在该所描绘的，所述设备属于透射类型（例如，使用透射型图案形成装置）。替代地，所述设备可以属于反射类型（例如，使用如上文提及的类型的可编程反射镜阵列，或使用反射型掩模）。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。可以认为本文中对术语“掩模版”或“掩模”的任何使用与更上位的术语“图案形成装置”同义。术语“图案形成装置”也可以解释为是指以数字形式储存用于控制这可编程图案形成装置的图案信息的装置。

本文中所使用的术语“投影系统”应广义地解释为涵盖适于所使用的曝光辐射或适于诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其它因素的任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统，或其任何组合。可以认为本文中对术语“投影透镜”的任何使用与更上位的术语“投影系统”同义。

光刻设备也可以属于以下类型：其中衬底的至少一部分可以由具有相对较高折射率的液体（例如，水）覆盖，以便填充投影系统与衬底之间的空间。也可以将浸没液体施加至光刻设备中的其它空间，例如掩模与投影系统之间的空间。浸没技术在本领域中被众所周知的用于增加投影系统的数值孔径。

在操作中，照射器IL从辐射源SO接收辐射束。例如，当源是准分子激光器时，源与光刻设备可以是分立的实体。在这样的情况下，不认为源形成光刻设备的部分，并且辐射束是借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD而从源SO传递至照射器IL。在其它情况下，例如，当源是汞灯时，源可以是光刻设备的组成部分。源SO和照射器IL连同束传递系统BD（必要时）可以被称为辐射系统。

照射器IL可以例如包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器AD、积分器IN和聚光器CO。照射器可以用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望的均一性和强度分布。

辐射束B入射到保持在图案形成装置支撑件MT上的图案形成装置MA上，并且由所述图案形成装置进行图案化。在已横穿图案形成装置（例如，掩模）MA的情况下，辐射束B穿过投影系统PS，所述投影系统PS将所述束聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF（例如，干涉测量装置、线性编码器、2-D编码器或电容式传感器），可以准确地移动衬底台WTa或WTb，例如以便使不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器（其未在图1中明确地描绘的）可以用于例如在从掩模库的机械获取之后或在扫描期间相对于辐射束B的路径而准确地定位图案形成装置（例如，掩模）MA。

可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置（例如，掩模）MA和衬底W。虽然如所图示的衬底对准标记占据专用目标部分，但所述标记可以位于目标部分之间的空间中（这些标记被称为划线对准标记）。类似地，在图案形成装置（例如，掩模）MA上提供多于一个管芯的情况下，掩模对准标记可以位于所述管芯之间。小对准标记也可以在器件特征当中被包括在管芯内，在这种情况下，期望使标识尽可能地小且无需与邻近特征不同的任何成像或过程条件。下文进一步描述检测对准标识的对准系统。

所描绘的设备可以在多种模式中使用。在扫描模式中，在将被赋予至辐射束的图案投影至目标部分C上时，同步地扫描图案形成装置支撑件（例如，掩模台）MT和衬底台WT（即，单次动态曝光）。可以通过投影系统PS的放大率（缩小率）和图像反转特性而确定衬底台WT相对于图案形成装置支撑件（例如，掩模台）MT的速度和方向。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制单次动态曝光中的目标部分的宽度（在非扫描方向上），而扫描运动的长度确定目标部分的高度（在扫描方向上）。如在本领域中所众所周知的，其它类型的光刻设备和操作模式是可能的。例如，步进模式是已知的。在所谓“无掩模”光刻中，使可编程图案形成装置保持静止，但具有改变的图案，并且移动或扫描衬底台WT。

也可以使用对上文所描述的使用模式的组合和/或变体或完全不同的使用模式。

光刻设备LA属于所谓的双平台类型，所述双平台类型具有两个衬底台WTa、WTb以及两个站--曝光站EXP和测量站MEA--在所述两个站之间可以交换所述衬底台。在曝光站处曝光一个衬底台上的一个衬底时，可以在测量站处将另一衬底装载至另一衬底台上且进行各种预备步骤。这种情形实现设备的生产量的相当大的增加。预备步骤可以包括使用水平传感器LS来映射衬底的表面高度轮廓，和使用对准传感器AS来测量衬底上的对准标识的位置。如果位置传感器IF不能够在衬底台处于测量站以及处于曝光站时测量衬底台的位置，则可以提供第二位置传感器以使得能够在两个站处追踪衬底台相对于参考系RF的位置。代替所示出的双平台布置，其它布置是已知且可用的。例如，提供衬底台和测量台的其它光刻设备是已知的。这些衬底台和测量台在进行预备测量时对接在一起，并且接着在衬底台经历曝光时脱离对接。

图2图示用于将目标部分（例如，管芯）曝光于图1的双平台设备中的衬底W上的步骤。虚线框内的左侧是在测量站MEA处执行的步骤，而右侧示出在曝光站EXP处执行的步骤。有时，衬底台WTa、WTb中的一个将处于曝光站，而衬底台WTa、WTb中的另一个处于测量站，如上文所描述的。出于这种描述的目的，假设衬底W已经装载至曝光站中。在步骤200处，通过未示出的机构将新衬底W’装载至设备。并行地处理这两个衬底以增加光刻设备的生产量。

最初参考新装载的衬底W’，这种衬底可以是先前未被处理的衬底，这种衬底是用新光学抗蚀剂制备的以在设备中进行第一次曝光。然而，通常，所描述的光刻过程将仅仅是一系列曝光和处理步骤中的一个步骤，使得衬底W’已经数次通过这种设备和/或其它光刻设备，并且也可以能经历后续过程。特别针对改善重叠性能的问题，任务为确保新的图案被确切地施加在已经受图案化和处理的一个或更多个循环的衬底上的正确位置中。这些处理步骤逐渐地在衬底中引入变形，所述变形必须经测量和校正以实现令人满意的重叠性能。

先前和/或后续图案化步骤可以在其它光刻设备中执行，如刚才提及的，并且甚至可以在不同类型的光刻设备中执行。例如，器件制造过程中的在诸如分辨率和重叠的参数方面要求非常高的一些层相较于要求较不高的其它层可以在更先进光刻工具中来执行。因此，一些层可以曝光于浸没型光刻工具中，而其它层曝光于“干式”工具中。一些层可以曝光于在DUV波长下工作的工具中，而其它层是使用EUV波长辐射来曝光的。

在202处，使用利用衬底标记P1等和图像传感器（未示出）的对准测量来测量和记录衬底相对于衬底台WTa/WTb的对准。另外，将使用对准传感器AS来测量横跨衬底W’的多个对准标记。在一个实施例中，这些测量用于建立“晶片栅格”，所述晶片栅格极准确地映射横跨衬底的标记的分布，包括相对于名义矩形栅格的任何变形。

在步骤204处，也使用水平传感器LS来测量相对于X-Y位置的晶片高度（Z）的图。常规地，高度图仅用于实现对所曝光的图案的准确聚焦。另外，高度图可以用于其它目的。

当装载衬底W’时，接收选配方案数据206，所述选配方案数据定义待执行的曝光，并且也定义晶片和先前产生的图案和待产生于所述衬底W’上的图案的性质。将在202、204处获得的晶片位置、晶片栅格和高度图的测量添加至这些选配方案数据，使得可以将选配方案和测量数据的完整集合208传递至曝光站EXP。对准数据的测量例如包括以与作为光刻过程的产品的产品图案的固定或名义固定关系而形成的对准目标的X位置和Y位置。恰好在曝光之前获得的这些对准数据用于产生对准模型，所述对准模型具有将所述模型拟合至所述数据的参数。这些参数和所述对准模型将在曝光操作期间使用以校正当前光刻步骤中所施加的图案的位置。在使用中的模型内插所测量的位置之间的位置偏差。常规对准模型可以包括四个、五个或六个参数，所述参数一起以不同尺寸限定“理想”栅格的平移、旋转和缩放。使用更多参数的高级模型是已知的。

在210处，调换晶片W’与W，使得所测量的衬底W’变为衬底W而进入曝光站EXP。在图1的示例设备中，通过交换设备内的支撑件WTa与WTb来执行这种调换，使得衬底W、W’保持准确地被夹持且定位在那些支撑件上，以保留衬底台与衬底自身之间的相对对准。因此，一旦已调换所述台，则为了利用用于衬底W（以前为W’）的测量信息202、204以控制曝光步骤，就必需确定投影系统PS与衬底台WTb（以前为WTa）之间的相对位置。在步骤212处，使用掩模对准标记M1、M2来执行掩模版对准。在步骤214、216、218中，将扫描运动和辐射脉冲施加在横跨衬底W的连续目标位置处，以便完成对多个图案的曝光。

通过在执行曝光步骤中使用在测量站处获得的对准数据和高度图，使这些图案相对于期望的位置准确地对准，并且特别地，相对于先前置于同一衬底上的特征准确地对准。在步骤220处从设备卸载现在标记为的经曝光的衬底，以根据所曝光的图案使其经历蚀刻或其它过程。

本领域技术人员将知晓上述描述为真实制造情形的一个示例中所涉及的多个非常详细步骤的简化概略图。例如，常常将存在使用相同或不同标记的粗糙和精细测量的单独的阶段，而不是在单个遍次中测量对准。粗糙和/或精细对准测量步骤可以在高度测量之前或之后而被执行，或被交错执行。

在光刻系统中，对系统正常操作时间并且因此生产率具有显著影响的重要问题为快速且高效地检测和/或诊断可能指示不规则或异常行为的事件或趋势（例如，因此故障事件）的能力。当然，始终优选的是在问题引起机器故障（故障事件）之前检测到所述问题，使得可以规划和排程任何维护和停机时间。这种预测性维护需要以规则间隔执行诊断以便防止未被排程停机。

光刻系统极复杂，光刻系统包括多个不同模块（例如，尤其包括投影光学器件模块、晶片平台模块、掩模版平台模块、掩模版掩蔽模块），所述模块中的每个可以被监测。当光刻系统有问题时，确定根本原因的一种方式是测量系统的部件或模块的频率响应函数（例如，频域中每频率的信号响应）。可以将频率响应与指示名义光刻系统行为（诸如来自类似系统的系统群体数据）的控制数据和/或来自较早测量的历史数据进行比较。频率响应的任何显著差异可以用作异常行为的指示器；例如，指示所述部件没有正确地起作用。

对于频率响应函数分析，可以同时测量部件输入和输出以确定系统如何改变输入来推导输出。例如，如果系统为线性的（这是共同的假设），则这种改变可以通过频率响应函数进行充分描述。实际上，对于线性且稳定的系统，可以仅根据频率响应函数预测系统对任何输入的响应。然而，系统线性度不是要求，并且因而存在能够处理非线性的同时仍产生频率响应函数的许多方法（诸如最优线性近似方法）。因而，本文中所公开的方法同样适用于线性（或假定线性）和/或非线性系统。因此，频率响应函数是在频域中表示的（复杂）传递函数。频率响应函数在动态机械系统或机电集成分析中是众所周知的，并且在此将不对其进行详细描述。

为了执行频率响应函数分析，将激励信号注入至被分析的系统或部件中，并且测量所述系统或部件的输出（每频率的信号响应或频率响应）。由于注入激励信号的需要，因此当前这种频率响应函数分析是在不进行生产时进行的，使得激励信号在生产期间不会干扰生产性能和控制准确度。然而，这意味着需要为这种分析排程系统停机时间。此外，这种方法不允许预测性维护，这是因为频率响应函数分析当前仅在设置期间且在已知系统已具有问题时运行。尤其当应进行多次测量以获得良好的信号噪声比和良好的测量品质时，这种诊断停机时间可以是重要的。

因此，提议在实际生产期间执行频率响应函数分析且在线测量频率响应函数。这种方案看起来是反常的解决方案，这是因为必要的激励信号需要添加至系统输入（或系统的部件），从而导致系统性能的干扰。然而，发明人已推测，当可以在不负面影响系统性能的情况下且尤其在不影响成像定位准确度的情况下执行这样的频率响应函数分析时在生产期间存在机会。

特别地，提议在生产期间的不需要高度地准确控制的时段（即，在所需的控制准确度相比于例如在曝光期间可以是较不严格的时段）执行这样的频率响应函数分析。在实施例中，这可以包括在曝光之间执行这样的频率响应函数分析。例如，可以在生产期间的不需要实际（例如，伺服）性能的时段执行频率响应函数分析。例如，在系统包括两个阶段的情况下，这可以在卡盘交换（例如，图2中的步骤210，如上文所描述的）期间进行。依赖于例如所考虑的特定部件，其它这样的时段可以包括在晶片交换发生时对掩模版平台执行频率响应函数分析和/或在装载掩模版时对晶片平台执行频率响应函数分析。也存在系统可以是曝光或测量受限的情况（依赖于实际产品细节），在这种情况下，测量或曝光卡盘正在等待另一个完成。

其它机会可以包括在诸如M（X）动作的定期执行的维护动作期间。常规地执行这样的维护动作以维护适当的系统性能。这样的动作可能与例如以下各项中的任何一项或更多项相关：漂移控制、清理磁盘空间、各种微小校准、和/或（闲置）情况监测动作。

因而，在生产期间的合适的时间期间，频率响应测量（例如，用于确定传递函数的转移测量）可以与经规划的活动（例如，卡盘转移）同时且并行地执行。频率响应测量数据可以区别于正常的活动数据。这可以进行，这是因为在例如移动期间（理想的）所注入的信号与所测量的定位信号之间存在相关性。然而，所测量的位置信号也包括与所注入的信号不相关但与实际移动设置点相关的贡献。通过利用所注入的信号与移动信号之间的这种相关性，例如通过计算交叉或自动功率频谱密度，可以在没有归因于移动的额外的偏差或方差的情况下计算适当的频率响应。归因于诸如卡盘转移的活动的性质，激励信号和因此频率响应测量不应该对这样的活动具有任何显著影响。

由于频繁执行诸如卡盘转移的合适的（例如，曝光之间的）活动，因此存在足够的机会重复这样的测量以使得能够平均化以获得良好质量的频率响应函数（良好的信号噪声比）。因而，在实施例中，提议将这样的测量重复多次且进行平均。

可以例如实时地和/或在生产期间监测频率响应函数。这可以包括将频率响应函数与控制数据（诸如群体数据和/或历史数据）进行比较以监测指示问题和/或有问题的行为的任何偏差。基于所述监测，可以进行关于系统是否将继续正确地、正常地和/或在规格内起作用（例如，当频率响应函数没有显著偏离控制数据时），或问题是否可能即将发生以及是否应该排程服务动作的预测。因此，可以通过在如基于频率响应函数而确定的经排程停机期间包括适当或合适的维护动作来防止未被排程停机。

另外，如果系统实际上确实停机、未被排程（或检测到任何其它非名义光刻系统行为），则实际数据（例如，历史数据，例如与频率响应函数数据并行地捕获的历史数据）将是可用的，从而实现更快的诊断。

由于本文中所公开的方法可以产生大量数据，因此可选步骤可以包括例如通过对经测量的数据执行拟合，对经测量的频率响应函数中的一个或更多个经测量的频率响应函数进行下采样。这样的下采样技术在本领域中为众所周知的，并且可以使用任何合适的下采样技术。

虽然上文已经描述本发明的特定实施例，但应了解，可以与如所描述的方式不同的其它方式来实践本发明。

虽然上文可以具体地参考在光学光刻术的情境下对本发明的实施例的使用，但应了解，本发明可以用于其它应用（例如，压印光刻术）中，并且在情境允许的情况下本发明不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定产生于衬底上的图案。可以将图案形成装置的形貌压入被供应给衬底的抗蚀剂层中，在所述衬底上，抗蚀剂是通过施加电磁辐射、热、压力或其组合而被固化的。在抗蚀剂固化之后，将图案形成装置移出抗蚀剂，从而在抗蚀剂中留下图案。

本文中所使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外（UV）辐射（例如，具有为或为约365 nm、355 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm的波长）和极紫外（EUV）辐射（例如，具有在1 nm至100 nm的范围内的波长），以及粒子束（诸如离子束或电子束）。

术语“透镜”在情境允许的情况下可以指各种类型的光学部件（包括折射、反射、磁性、电磁和静电型光学部件）中的任一个或组合。反射部件很可能用于在UV和/或EUV范围内操作的设备中。

本发明的宽度和范围不应该由上述示例性实施例中的任一个限制，而应该仅根据以下权利要求及其等效物来限定。

Claims (19)

1.一种用于监测光刻系统的一个或更多个部件起作用的方法，所述方法包括：

在使用所述光刻系统的生产活动期间的控制要求相对不严格的时间，确定所述一个或更多个部件中的每个部件在所述生产活动期间的频率响应函数；

相对于指示名义光刻系统行为的控制数据而评估所述频率响应函数中的每个频率响应函数；以及

基于所述评估步骤而预测是否对所述光刻系统执行维护动作。

2.根据权利要求1所述的方法，包括：如果所述评估步骤指示偏离于所述控制数据的偏差，则排程和/或执行所述维护动作。

3.根据权利要求1或2所述的方法，包括：如果所述评估步骤指示没有偏离于所述控制数据的显著偏差，则不排程和/或不执行所述维护动作。

4.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，在曝光动作之间执行对所述一个或更多个部件中的每个部件的频率响应函数的所述确定，在所述曝光动作期间，至少一个图案实际上被曝光至衬底上。

5.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，在生产期间的不需要伺服性能的一个或更多个时段执行对所述一个或更多个部件中的每个部件的频率响应函数的所述确定。

6.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，在卡盘转移动作期间执行对所述一个或更多个部件中的每个部件的频率响应函数的所述确定，在所述卡盘转移动作中，卡盘被从所述光刻系统的测量侧转移至所述光刻系统的曝光侧，和/或卡盘被从所述光刻系统的曝光侧转移至所述光刻系统的测量侧。

7.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，对所述一个或更多个部件中的每个部件的频率响应函数的所述确定包括以下各项中的一项或两项：在衬底交换期间对掩模版平台执行频率响应函数分析；和/或当掩模版被装载至所述掩模版平台时，对晶片平台执行频率响应函数分析。

8.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，在维护动作期间执行对所述一个或更多个部件中的每个部件的频率响应函数的所述确定。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述维护动作包括以下各项中的一项或更多项：漂移控制动作、磁盘空间清理、校准动作、和/或闲置状态监测动作。

10.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，对所述一个或更多个部件中的每个部件的频率响应函数的所述确定包括：将激励信号注入至所述一个或更多个部件中且监测所述一个或更多个部件的频率响应。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

确定所注入的激励信号与所述一个或更多个部件的移动信号之间的相关性；和

基于所述相关性而确定所述频率响应函数中的每个频率响应函数，以便将归因于所注入的激励信号的频率响应与其它信号贡献区分开。

12.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，对所述一个或更多个部件中的每个部件的频率响应函数的所述确定包括：将所述确定执行多次且对每部件的所确定的频率响应函数进行平均。

13.根据任一前述权利要求所述的方法，包括：对所述频率响应函数中的至少一个进行下采样。

14.根据任一前述权利要求所述的方法，包括：在非名义光刻系统行为和/或未被排程停机的情况下使用所述频率响应函数中的一个或更多频率响应函数来执行诊断动作。

15.一种计算机程序，包括程序指令，所述程序指令当在合适的设备上运行时能够操作以执行根据权利要求1至14中的任一项所述的方法的程序指令。

16.一种非暂时性计算机程序载体，包括根据权利要求15所述的计算机程序。

17.一种处理装置，包括：

根据权利要求16所述的非暂时性计算机程序载体；和

处理器，所述处理器能够操作以运行被包括在所述非暂时性计算机程序载体上的所述计算机程序。

18.一种光刻系统，所述光刻系统能够操作以执行根据权利要求1至14中的任一项所述的方法。

19.一种集成电路，所述集成电路是利用权利要求18所述的光刻系统被制造而成的。