CN119275123A

CN119275123A - 版图的蚀刻补偿方法、装置、电子设备及存储介质

Info

Publication number: CN119275123A
Application number: CN202411786012.1A
Authority: CN
Inventors: 熊万能; 杨晓方; 张亚
Original assignee: Huaxincheng Hangzhou Technology Co ltd
Current assignee: Huaxincheng Hangzhou Technology Co ltd
Priority date: 2024-12-06
Filing date: 2024-12-06
Publication date: 2025-01-07

Abstract

本申请实施例公开了一种版图的蚀刻补偿方法、装置、电子设备及存储介质。该方案可以获取蚀刻后的芯片版图，针对芯片版图中待补偿的目标位置获取与目标位置关联的多个特征信息以及特征参数，依次从多个特征信息中选取两个特征信息，建立两个特征信息与第一补偿值之间的二维表，以得到多个二维表，根据特征参数从多个二维表中依次确定每个二维表对应的第二补偿值，根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补偿值，根据目标补偿值对目标位置进行补偿。本申请实施例从多个特征信息中获取每两个特征信息对应的补偿值，再结合多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补偿值，提高了蚀刻偏差补偿的准确性。

Description

版图的蚀刻补偿方法、装置、电子设备及存储介质

技术领域

本申请涉及芯片制造技术领域，具体涉及一种版图的蚀刻补偿方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

蚀刻偏差(Etch bias)是集成电路制造中蚀刻工艺引起的图形的尺寸变化（比如包括线宽和间距），理想情况下蚀刻后晶片尺寸需要与设计尺寸保持一致。蚀刻偏差补偿的过程为，收集晶片上不同线宽和间距图形的光刻后以及蚀刻后关键尺寸的量测数据，并基于关键尺寸的测量数据建立蚀刻偏差规则表，最后基于蚀刻偏差规则表对设计版图运行偏差补偿程序。

在实际的蚀刻补偿工艺中，蚀刻偏差规则表被广泛用于设计版图进行蚀刻偏差补偿。随着芯片制造工艺节点的不断演进，单层图形蚀刻偏差补偿需要考虑的因素越来越多。除了考虑被补偿图形的线宽和间距尺寸之外，还需要考虑被补偿图形的长度，被补偿图形边长的临边的长度，被补偿图形边长的临边间距等等。基于现有的蚀刻偏差规则二维表格，表格的行和列一次性只能对图形的两个考虑因素进行蚀刻补偿工艺，如考虑图形的线宽/间距，线宽/长度，线宽/临边长度等。然而在复杂图形化工艺的蚀刻工艺中，某一图层的蚀刻偏差会受到以上列举的不同因素的影响，因此按照传统方法仅仅建立一次的蚀刻偏差规则表并进行蚀刻偏差补偿，无法对单层图层的蚀刻偏差进行准确补偿。在这种情况下，即使完成了蚀刻偏差的补偿，工艺完成后在晶片上蚀刻的图案仍然可能会显著偏离目标图案。

发明内容

本申请提供一种版图的蚀刻补偿方法、装置、电子设备及存储介质，可以考虑多个特征信息对蚀刻补偿的影响，从而解决现有技术中单一的二维蚀刻偏差规则表无法适应于多因素影响的问题，提高了蚀刻偏差补偿的准确性。

本申请提供一种版图的蚀刻补偿方法，包括：

获取蚀刻后的芯片版图，针对所述芯片版图中待补偿的目标位置获取与所述目标位置关联的多个特征信息以及特征参数；

依次从所述多个特征信息中选取两个特征信息，建立所述两个特征信息与第一补偿值之间的二维表，以得到多个二维表；

根据所述特征参数从所述多个二维表中依次确定每个二维表对应的第二补偿值；

根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补偿值，根据所述目标补偿值对所述目标位置进行补偿。

可选的，所述多个特征信息包括当前边的间距、线宽、长度、临边间距、临边线宽以及临边长度中的至少一个。

可选的，建立所述两个特征信息与第一补偿值之间的二维表，包括：

在不同的测试芯片版图中获取所述两个特征信息的多个第一测量值，以及对所述测试芯片进行蚀刻后的多个第二测量值；

根据所述第一测量值和所述第二测量值计算多个偏差值，并将所述多个偏差值作为所述两个特征信息对应的多个第一补偿值；

根据所述两个特征信息对应的多个第一补偿值建立二维表。

可选的，根据所述特征参数从所述多个二维表中依次确定每个二维表对应的第二补偿值，包括：

在每个所述二维表中，确定第一特征参数对应的第一区间以及第二特征参数对应的第二区间；

根据所述第一区间和所述第二区间确定所述二维表对应的第二补偿值。

可选的，所述多个二维表的数量大于或等于所述多个特征信息的数量。

可选的，根据以下拟合函数计算目标补偿值：

其中，Bias_A为目标位置A的目标补偿值，∑为求和符号，N取值1或i，当N=1时，表示目标位置A的目标补偿值为多个第二补偿值求和，当N=i时，表示目标位置A的目标补偿值为多个第二补偿值的平均值，F_i(x_i,y_i)为多个特征信息对目标补偿值的影响因子，T_i(x_i,y_i)为多个特征信息对应的第二补偿值。

可选的，根据所述目标补偿值对所述目标位置进行补偿，包括：

根据所述目标补偿值确定目标方向和移动距离；

根据所述目标方向和移动距离对所述芯片版图中的目标位置进行移动。

本申请还提供一种版图的蚀刻补偿装置，包括：

获取模块，用于获取蚀刻后的芯片版图，针对所述芯片版图中待补偿的目标位置获取与所述目标位置关联的多个特征信息以及特征参数；

建立模块，用于依次从所述多个特征信息中选取两个特征信息，建立所述两个特征信息与第一补偿值之间的二维表，以得到多个二维表；

确定模块，用于根据所述特征参数从所述多个二维表中依次确定每个二维表对应的第二补偿值；

计算模块，用于根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补偿值，根据所述目标补偿值对所述目标位置进行补偿。

本申请还提供一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，执行本申请提供的任一项所述版图的蚀刻补偿方法中的步骤。

本申请还提供一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序适于处理器进行加载，以执行本申请提供的任一项所述版图的蚀刻补偿方法中的步骤。

本申请提供的版图的蚀刻补偿方法，可以获取蚀刻后的芯片版图，针对芯片版图中待补偿的目标位置获取与目标位置关联的多个特征信息以及特征参数，依次从多个特征信息中选取两个特征信息，建立两个特征信息与第一补偿值之间的二维表，以得到多个二维表，根据特征参数从多个二维表中依次确定每个二维表对应的第二补偿值，根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补偿值，根据目标补偿值对目标位置进行补偿。本申请实施例从多个特征信息中获取每两个特征信息对应的补偿值，再结合多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补偿值，解决了现有技术中单一的二维蚀刻偏差规则表无法适应于多因素影响的问题，提高了蚀刻偏差补偿的准确性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的版图的蚀刻补偿方法的一种流程示意图；

图2是本申请实施例提供的版图的蚀刻补偿方法的另一种流程示意图；

图3是本申请实施例提供的芯片版图中的特征参数示意图；

图4是本申请实施例提供的版图的蚀刻补偿装置的一种结构示意图；

图5是本申请实施例提供的电子设备的一种结构示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。

应该理解的是，虽然本申请实施例中的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

需要说明的是，在本文中，采用了诸如101、102等步骤代号，其目的是为了更清楚简要地表述相应内容，不构成顺序上的实质性限制，本领域技术人员在具体实施时，可能会先执行102后执行101等，但这些均应在本申请的保护范围之内。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

本申请实施例提供一种版图的蚀刻补偿方法，该版图的蚀刻补偿方法的执行主体可以是本申请实施例提供的版图的蚀刻补偿装置，或者集成了该版图的蚀刻补偿装置的服务器，其中该版图的蚀刻补偿装置可以采用硬件或者软件的方式实现。

如图1所示，图1是本申请实施例提供的版图的蚀刻补偿方法的第一流程示意图，该版图的蚀刻补偿方法的具体流程可以如下：

101、获取蚀刻后的芯片版图，针对芯片版图中待补偿的目标位置获取与目标位置关联的多个特征信息以及特征参数。

在一实施例中，上述芯片版图中待补偿的目标位置可以为版图图像的某条边，而多个特征信息则可以包括当前边的间距、线宽、长度、临边间距、临边线宽以及临边长度中的至少一个。这些特征信息的作用是为后续构建准确的蚀刻偏差规则修正二维表提供基础数据。除了上述特征信息外，还可以包括版图图像的形状（如矩形、圆形、多边形等）、版图图像的角度、版图图像的曲率等信息，这些特征信息对于更精确地分析和蚀刻补偿。

进一步的，对于上述特征参数的测量，可以使用专业的测量设备和软件。例如，在半导体制造领域，可以通过光学显微镜、电子显微镜等设备用于测量图形的尺寸和形状等特征参数。为了确保获取到的特征信息的准确性和完整性，本实施例还可以对测量到的特征参数进行多次验证和比对。例如，可以使用不同的测量设备或方法对同一特征信息进行测量，然后对比测量结果，以排除测量误差的影响。

在一实施例中，在获取蚀刻后的芯片版图后，还可以采取预处理措施来提升后续特征参数测量的精度。例如，可以对版图进行图像增强处理，提高图像的清晰度和对比度，从而更有利于特征信息的提取和测量。此外，还可以对版图进行校准，确保测量设备和软件的准确性。

102、依次从多个特征信息中选取两个特征信息，建立两个特征信息与第一补偿值之间的二维表，以得到多个二维表。

在一实施例中，上述多个二维表是以待补偿的目标位置的多个特征信息（间距，线宽，长度，临边间距，临边线宽，临边边长等）为变量并进行蚀刻补偿的蚀刻偏差规则修正二维表。比如间距和线宽的二维表，用于提供不同图形间距与不同线宽之间所对应的第一补偿值，间距和边长的二维表，用于提供不同图形间距与图形边长之间所对应的第一补偿值，以此类推，其他任意影响刻蚀偏差的因素均可两两结合成一个二维表，从而得到多个二维表。其中，上述第一补偿值可以通过对测试芯片版图蚀刻前后的对应参数进行测量而得到。

需要说明的是，上述多个二维表的数量大于或等于所述多个特征信息的数量。比如当获取到3个特征信息时，通过不同排列进行两两组合可以得到3个二维表，当获取到4个特征信息时，通过不同排列进行两两组合可以得到最少4个二维表，至多为6个。

103、根据特征参数从多个二维表中依次确定每个二维表对应的第二补偿值。

在一实施例中，上述多个二维表分别表示了表中的变量x和变量y因素影响下所对应的第一补偿值，然后便可以将芯片版图中待补偿的目标位置关联的多个特征参数带入二维表中，从而查找每个二维表输出的第二补偿值。具体的，对于每个二维表，可以根据目标位置的特征参数找到对应的行和列。例如，在线宽/间距二维表中，根据目标位置的线宽值找到对应的行，根据间距值找到对应的列，两者交叉处的值即为该二维表对应的第二补偿值。同样的方法适用于其他二维表，如线宽/边长二维表、边长/临边间距二维表等等。比如针对目标位置A，在变量组合x₁/y₁，x₂/y₂，x₃/y₃，x₄/y₄，……，x_n/y_n中形成的二维表中的第二补偿值分别可以表示为T_A(x₁,y₁)，T_A(x₂,y₂)，T_A(x₃,y₃)，T_A(x₄,y₄)，...，T_A(x_n,y_n)。

在一实施例中，上述二维表中的变量x和变量y可以通过范围区间的方式进行排列，若上述特征参数处于二维表中某个范围的边界，则可以根据具体的规则来确定第二补偿值。比如，可以采用取平均值、插值等方法来确定更准确的第二补偿值。

进一步的，不同的二维表还可以具有不同的权重或优先级，在确定最终的第二补偿值时，需要考虑这些因素。例如，某些特征信息对刻蚀偏差的影响可能更大，其对应的二维表的权重就可以设置得更高。

104、根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补偿值，根据目标补偿值对目标位置进行补偿。

由于同一个图形在不同特征信息的影响下有不同的第二补偿值，那么最终需要计算的目标补偿值就可以通过构建拟合函数来进行计算，该拟合函数可以结合上述多个第二补偿值以及多个特征信息对目标补偿值的影响因子进行综合计算。其中，上述影响因子代表了实际复杂条件下不同特征信息对于实际刻蚀偏差的目标补偿值的影响程度。最终便可以依据上述目标补偿值对芯片版图中待补偿的目标位置进行补偿。

在本实施例中会根据蚀刻后的芯片版图自动测量计算版图中目标位置的各个特征信息以及对应的尺寸参数，然去匹配对应的二维表格，得出该目标位置在不同尺寸参数下的不同补偿值，然后结合提前输入的各个特征信息的影响因子，得出该目标位置实际的综合补偿修正数值，从而依据得出的综合补偿修正数值对版图进行实际移动。

由上所述，本申请实施例提出的版图的蚀刻补偿方法可以获取蚀刻后的芯片版图，针对芯片版图中待补偿的目标位置获取与目标位置关联的多个特征信息以及特征参数，依次从多个特征信息中选取两个特征信息，建立两个特征信息与第一补偿值之间的二维表，以得到多个二维表，根据特征参数从多个二维表中依次确定每个二维表对应的第二补偿值，根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补偿值，根据目标补偿值对目标位置进行补偿。本申请实施例从多个特征信息中获取每两个特征信息对应的补偿值，再结合多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补偿值，解决了现有技术中单一的二维蚀刻偏差规则表无法适应于多因素影响的问题，提高了蚀刻偏差补偿的准确性。

根据前面实施例所描述的方法，以下将作进一步详细说明。

请参阅图2，图2是本申请实施例提供的版图的蚀刻补偿方法的第二种流程示意图。所述方法包括：

201、获取蚀刻后的芯片版图，针对芯片版图中待补偿的目标位置获取与目标位置关联的多个特征信息以及特征参数。

举例来说，获取蚀刻后的芯片版图可以参阅图3，本实施例针对版图ABCD中的目标位置BD边进行蚀刻补偿，在图3中可以确定BD边关联的多个特征信息包括线宽W，间距S，长度L以及临边间距L_adj。进一步的，针对上述4个特征信息进行测量可知BD的长度L为400nm，BD边的线宽W为700 nm，BD边的间距S为350 nm，BD边的临边间距L_adj为500 nm。

202、依次从多个特征信息中选取两个特征信息，在不同的测试芯片版图中获取两个特征信息的多个第一测量值，以及对测试芯片进行蚀刻后的多个第二测量值。

203、根据第一测量值和第二测量值计算多个偏差值，并将多个偏差值作为两个特征信息对应的多个第一补偿值。

204、根据两个特征信息对应的多个第一补偿值建立二维表，以得到多个二维表。

205、在每个二维表中，确定第一特征参数对应的第一区间以及第二特征参数对应的第二区间。

206、根据第一区间和第二区间确定二维表对应的第二补偿值。

具体的，可以对不同的测试芯片版图进行蚀刻前后的特征信息进行测量，从而得到每个特征信息的在蚀刻前的多个第一测量值和蚀刻后的多个第二测量值，计算上述第一测量值和第二测量值的差值作为特征信息在不同参数下的多个偏差值也即第一补偿值。然后便可以从多个特征信息中选取两个特征信息，从而建立这两个特征信息对应的多个第一补偿值所构成的二维表，每两个不同的特征信息均可以构建相应的二维表，比如线宽/间距表，线宽/长度表，长度/临边间距表等等。

举例来说，线宽/间距对应的蚀刻偏差规则二维表可以如下表所示：

表1：线宽/间距对应的蚀刻偏差规则二维表

其中，在该二维表中，每一行为某个线宽范围对应的第一补偿值，每一列为某个间距范围对应的第一补偿值。以BD边为例，BD边的线宽W为700 nm，BD边的间距S为350 nm，则BD边在对应W/S的刻蚀偏差补偿数值也即第二补偿值为-2 nm。

线宽/长度对应的蚀刻偏差规则二维表可以如下表所示：

表2：线宽/长度对应的蚀刻偏差规则二维表

其中，在该二维表中，每一行为某个线宽范围对应的第一补偿值，每一列为某个边长范围对应的第一补偿值。以BD边为例，BD边的线宽W为700 nm，BD边的长度L为400 nm，则BD边在对应W/L的刻蚀偏差补偿数值也即第二补偿值为-1 nm。

长度/临边间距对应的蚀刻偏差规则二维表可以如下表所示：

表3：长度/临边间距对应的蚀刻偏差规则二维表

其中，在该二维表中，每一行为某个长度范围对应的第一补偿值，每一列为某个边临边的间距范围对应的第一补偿值。以BD边为例，BD的长度L为400 nm，BD边的临边间距L_adj为500 nm，则BD边在对应L/L_adj的刻蚀偏差补偿数值也即第二补偿值为-1 nm。

207、根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补偿值。

对于上述版图ABCD中的目标位置BD边而言，在上述线宽/间距表，线宽/长度表，长度/临边间距表中输出的第二补偿值就分别为-2nm, -1nm, -1nm。接下来便可以可以根据以下拟合函数计算目标补偿值：

208、根据目标补偿值确定目标方向和移动距离，根据目标方向和移动距离对芯片版图中的目标位置进行移动。

由上所述，本申请实施例提出的版图的蚀刻补偿方法可以获取蚀刻后的芯片版图，针对芯片版图中待补偿的目标位置获取与目标位置关联的多个特征信息以及特征参数，依次从多个特征信息中选取两个特征信息，在不同的测试芯片版图中获取两个特征信息的多个第一测量值，以及对测试芯片进行蚀刻后的多个第二测量值，根据第一测量值和第二测量值计算多个偏差值，并将多个偏差值作为两个特征信息对应的多个第一补偿值，根据两个特征信息对应的多个第一补偿值建立二维表，以得到多个二维表，在每个二维表中，确定第一特征参数对应的第一区间以及第二特征参数对应的第二区间，根据第一区间和第二区间确定二维表对应的第二补偿值，根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补偿值，根据目标补偿值确定目标方向和移动距离，根据目标方向和移动距离对芯片版图中的目标位置进行移动。本申请实施例从多个特征信息中获取每两个特征信息对应的补偿值，再结合多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补偿值，解决了现有技术中单一的二维蚀刻偏差规则表无法适应于多因素影响的问题，提高了蚀刻偏差补偿的准确性。

为了实施以上方法，本申请实施例还提供一种版图的蚀刻补偿装置，该版图的蚀刻补偿装置具体可以集成在终端设备如手机、平板电脑等设备中。

例如，如图4所示，是本申请实施例提供的版图的蚀刻补偿装置的一种结构示意图。该版图的蚀刻补偿装置可以包括：

获取模块301，用于获取蚀刻后的芯片版图，针对所述芯片版图中待补偿的目标位置获取与所述目标位置关联的多个特征信息以及特征参数；

建立模块302，用于依次从所述多个特征信息中选取两个特征信息，建立所述两个特征信息与第一补偿值之间的二维表，以得到多个二维表；

确定模块303，用于根据所述特征参数从所述多个二维表中依次确定每个二维表对应的第二补偿值；

计算模块304，用于根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补偿值，根据所述目标补偿值对所述目标位置进行补偿。

由上可知，本申请实施例提出的版图的蚀刻补偿装置，可以获取蚀刻后的芯片版图，针对芯片版图中待补偿的目标位置获取与目标位置关联的多个特征信息以及特征参数，依次从多个特征信息中选取两个特征信息，建立两个特征信息与第一补偿值之间的二维表，以得到多个二维表，根据特征参数从多个二维表中依次确定每个二维表对应的第二补偿值，根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补偿值，根据目标补偿值对目标位置进行补偿。本申请实施例从多个特征信息中获取每两个特征信息对应的补偿值，再结合多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补偿值，解决了现有技术中单一的二维蚀刻偏差规则表无法适应于多因素影响的问题，提高了蚀刻偏差补偿的准确性。

上述所有的技术方案，可以采用任意结合形成本申请的可选实施例，在此不再一一赘述。

本领域普通技术人员可以理解，上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤可以通过指令来完成，或通过指令控制相关的硬件来完成，该指令可以存储于一计算机可读存储介质中，并由处理器进行加载和执行。

为此，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，其中存储有多条计算机程序，该计算机程序能够被处理器进行加载，以执行本申请实施例所提供的任一种版图的蚀刻补偿方法中的步骤。例如，该计算机程序可以执行如下步骤：

以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。

其中，该存储介质可以包括：只读存储器（ROM，Read Only Memory）、随机存取记忆体（RAM，Random Access Memory）、磁盘或光盘等。

由于该存储介质中所存储的计算机程序，可以执行本申请实施例所提供的任一种版图的蚀刻补偿方法中的步骤，因此，可以实现本申请实施例所提供的任一种版图的蚀刻补偿方法所能实现的有益效果，详见前面的实施例，在此不再赘述。

本申请实施例还提供一种电子设备，包括存储器和处理器，存储器用于存储计算机程序，处理器用于从存储器中调用并运行计算机程序，使得安装有芯片的设备执行如上各种可能的实施方式中的方法。

例如，上述计算机设备可以是诸如手机、平板电脑、个人计算机、云端计算机等具有相应功能的终端设备。请参阅图5，图5为本申请实施例提供的计算机的结构示意图。

该计算机设备400可以包括存储器401、处理器402等部件。本领域技术人员可以理解，图5中示出的计算机设备结构并不构成对计算机设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

存储器401可用于存储应用程序和数据。存储器401存储的应用程序中包含有可执行代码。应用程序可以组成各种功能模块。处理器402通过运行存储在存储器401的应用程序，从而执行各种功能应用以及数据处理。

处理器402是计算机设备的控制中心，利用各种接口和线路连接整计算机设备的各个部分，通过运行或执行存储在存储器401内的应用程序，以及调用存储在存储器401内的数据，执行计算机设备的各种功能和处理数据，从而对计算机设备进行整体监控。

在本实施例中，计算机设备中的处理器402会按照如下的指令，将一个或一个以上的应用程序的进程对应的可执行代码加载到存储器401中，并由处理器402来运行存储在存储器401中的应用程序，从而执行：

可以理解，上述场景仅是作为示例，并不构成对于本申请实施例提供的技术方案的应用场景的限定，本申请的技术方案还可应用于其他场景。例如，本领域普通技术人员可知，随着系统架构的演变和新业务场景的出现，本申请实施例提供的技术方案对于类似的技术问题，同样适用。

本申请实施例方法中的步骤可以根据实际需要进行顺序调整、合并和删减。本申请实施例设备中的模块可以根据实际需要进行合并、划分和删减。

在本申请中，对于相同或相似的术语概念、技术方案和/或应用场景描述，一般只在第一次出现时进行详细描述，后面再重复出现时，为了简洁，一般未再重复阐述，在理解本申请技术方案等内容时，对于在后未详细描述的相同或相似的术语概念、技术方案和/或应用场景描述等，可以参考其之前的相关详细描述。

在本申请中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

本申请技术方案的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本申请记载的范围。

在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本申请实施例的流程或功能。计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络，或者其他可编程装置。计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线（例如同轴电缆、光纤、数字用户线）或无线（例如红外、无线、微波等）方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。可用介质可以是磁性介质，（例如，软盘、存储盘、磁带）、光介质（例如，DVD），或者半导体介质（例如固态存储盘Solid State Disk）等。

以上对本申请实施例所提供的一种版图的蚀刻补偿方法、装置、电子设备及存储介质进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims

1.一种版图的蚀刻补偿方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的版图的蚀刻补偿方法，其特征在于，所述多个特征信息包括当前边的间距、线宽、长度、临边间距、临边线宽以及临边长度中的至少一个。

3.如权利要求1所述的版图的蚀刻补偿方法，其特征在于，建立所述两个特征信息与第一补偿值之间的二维表，包括：

根据所述两个特征信息对应的多个第一补偿值建立二维表。

4.如权利要求1所述的版图的蚀刻补偿方法，其特征在于，根据所述特征参数从所述多个二维表中依次确定每个二维表对应的第二补偿值，包括：

5.如权利要求1所述的版图的蚀刻补偿方法，其特征在于，所述多个二维表的数量大于或等于所述多个特征信息的数量。

6.如权利要求1所述的版图的蚀刻补偿方法，其特征在于，根据以下拟合函数计算目标补偿值：

7.如权利要求1所述的版图的蚀刻补偿方法，其特征在于，根据所述目标补偿值对所述目标位置进行补偿，包括：

根据所述目标补偿值确定目标方向和移动距离；

8.一种版图的蚀刻补偿装置，其特征在于，包括：

9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，执行如权利要求1-7任一项所述的版图的蚀刻补偿方法中的步骤。

10.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序适于处理器进行加载，以执行如权利要求1-7任一项所述的版图的蚀刻补偿方法中的步骤。