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CN119234188A - 用于确定光刻系统上的失效事件的方法和相关联的失效检测组件 - Google Patents

用于确定光刻系统上的失效事件的方法和相关联的失效检测组件 Download PDF

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CN119234188A
CN119234188A CN202380043317.0A CN202380043317A CN119234188A CN 119234188 A CN119234188 A CN 119234188A CN 202380043317 A CN202380043317 A CN 202380043317A CN 119234188 A CN119234188 A CN 119234188A
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lithography system
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signals
operable
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CN202380043317.0A
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A·A·卡拉特
P·J·G·梅耶斯
M·W·J·E·威吉克曼斯
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ASML Holding NV
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Abstract

披露了一种用于确定光刻系统上的失效事件的方法。所述方法包括：将在所述光刻系统内产生的至少一个信号分解成多个分量信号，每个分量信号与不同的相应的频率范围相关；相对于名义光刻系统行为评估所述分量信号中的至少一个分量信号；以及将所述分量信号中的至少一个分量信号偏离于所述名义光刻系统行为的任何偏差识别为失效事件。

Description

用于确定光刻系统上的失效事件的方法和相关联的失效检测 组件
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年5月31日递交的欧洲申请22176549.8的优先权，并且该欧洲申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。
技术领域
本发明涉及例如可以用于通过光刻技术制造器件的方法和设备，并且涉及使用光刻技术制造器件的方法。本发明更具体地涉及用于这样的器件的失效检测。
背景技术
光刻设备是将期望的图案施加至衬底上（通常施加至衬底的目标部分上）的机器。光刻设备可以用于例如集成电路（IC）的制造中。在那种情况下，图案形成装置（其替代地称作掩模或掩模版）可以用于产生待形成在IC的单层上的电路图案。这种图案可以转印至衬底（例如，硅晶片）上的目标部分（例如包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯）上。通常经由成像至被设置在衬底上的辐射敏感材料（抗蚀剂）层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包括被连续地图案化的相邻目标部分的网络。这些目标部分通常被称为“场”。
在复杂器件的制造中，典型地执行许多光刻图案化步骤，由此在衬底上的连续层中形成功能性特征。因此，光刻设备的性能的关键方面能够相对于置于先前层中（通过相同设备或不同光刻设备）的特征恰当且准确地放置所涂覆图案。为此目的，衬底设置有一组或更多组对准标记。每个标记为稍后可以使用位置传感器（通常是光学位置传感器）测量其位置的结构。光刻设备包括一个或更多个对准传感器，可以通过所述传感器准确地测量衬底上的标记的位置。不同类型的标记和不同类型的对准传感器从不同制造商和同一制造商的不同产品是众所周知的。
在其它应用中，量测传感器用于测量衬底上的暴露结构（或在抗蚀剂中和/或在蚀刻之后）。快速且非侵入的形式的专用检查工具为散射仪，其中，将辐射束引导至衬底的表面上的目标上，并且测量散射束或反射束的性质。已知散射仪的示例包括US2006033921A1和US2010201963A1所描述的类型的角分辨散射仪。除了通过重构进行特征形状的测量以外，也可以使用这种设备来测量基于衍射的重叠，如公开专利申请US2006066855A1中所描述的。使用衍射阶的暗场成像的基于衍射的重叠量测使得能够对较小目标进行重叠测量。可以在国际专利申请WO 2009/078708和WO 2009/106279中找到暗场成像量测的示例，所述申请的文件的全文由此以引用的方式并入。已公开专利公开US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A和WO2013178422A1中已描述所述技术的进一步发展。这些目标可以小于照射斑且可以由晶片上的产品结构环绕。可以使用复合光栅目标来在一个图像中测量多个光栅。所有这些申请的内容也以引用的方式并入本文中。
当光刻系统出现失效时，尽可能快地识别失效的原因是重要的。目前，这是通过尝试重现所述问题来实现。失效检测的触发基于时域信号。
将会期望改善这样的失效事件检测方法。
发明内容
在第一方面中，本发明提供一种用于确定光刻系统上的失效事件的方法，所述方法包括：将在所述光刻系统内产生的至少一个信号分解成多个分量信号，每个分量信号与不同的相应的频率范围相关；相对于名义光刻系统行为评估所述分量信号中的至少一个分量信号；以及将所述分量信号中的至少一个分量信号偏离于所述名义光刻系统行为的任何偏差识别为失效事件。
在第二方面中，本发明提供一种能够操作以确定光刻系统上的失效事件的信号偏差检测模块，包括：一个或更多个滤波器，所述一个或更多个滤波器能够操作以将在所述光刻系统内产生的至少一个信号分解成多个分量信号，每个分量信号与不同的相应的频率范围相关；和处理器，所述处理器能够操作以相对于名义光刻系统行为评估所述分量信号中的至少一个分量信号，并且将所述分量信号中的至少一个分量信号偏离于所述名义光刻系统行为的任何偏差识别为失效事件。
也披露一种能够操作以执行所述第一方面的方法的计算机程序。
本发明的以上和其它方面将从以下所描述的示例的考虑因素来理解。
附图说明
现在将参考随附附图而仅作为示例来描述本发明的实施例，在所述附图中：
图1描绘光刻设备；
图2示意性地图示图1的设备中的测量和曝光过程；
图3是根据实施例的包括多个失效检测组件的失效检测系统的示意图；以及
图4是根据第一实施例的失效检测组件的信号偏差检测模块的示意图；
图5（a）、图5（b）、图5（c）和图5（d）每个都包括根据不同实施例的信号偏差检测模块的信号分解器模块的示意图；以及
图6是根据第二实施例的失效检测组件的信号偏差检测模块的示意图。
具体实施方式
在详细地描述本发明的实施例之前，呈现可以用于实施本发明的实施例的示例环境是有指导性的。
图1示意性地描绘光刻设备LA。所述设备包括：照射系统（照射器）IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B（例如，UV辐射或DUV辐射）；图案形成装置支撑件或支撑结构（例如，掩模台）MT，所述支撑结构被构造成支撑图案形成装置（例如，掩模）MA，并且连接至被配置成根据某些参数来准确地定位所述图案形成装置的第一定位器PM；两个衬底台（例如，晶片台）WTa和WTb，这两个衬底台各自构造成保持衬底（例如，涂覆有抗蚀剂的晶片）W，并且各自连接至被配置成根据某些参数来准确地定位所述衬底的第二定位器PW；以及投影系统（例如，折射型投影透镜系统）PS，所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C（例如，包括一个或更多个管芯）上。参考系或框架RF连接各种元件，并且用作用于设置和测量图案形成装置和衬底的位置以及图案形成装置和衬底上的特征的位置的参考。
照射系统可以包括用于引导、成形或控制辐射的各种类型的光学元件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学元件，或其任何组合。
图案形成装置支撑件MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计和其它条件（诸如，是否将图案形成装置保持在真空环境中）的方式来保持图案形成装置。图案形成装置支撑件可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术以保持图案形成装置。图案形成装置支撑件MT可以是（例如）框架或台，其可以根据需要而是固定或可移动的。图案形成装置支撑件可以确保图案形成装置（例如）相对于投影系统处于期望的位置。
本文中所使用的术语“图案形成装置”应被广义地解释为是指可以用于在辐射束的横截面中向辐射束赋予图案以便在衬底的目标部分中产生图案的任何装置。应注意，例如，如果被赋予至辐射束的图案包括相移特征或所谓的辅助特征，则所述图案可以不确切地对应于衬底的目标部分中的期望的图案。通常，赋予至辐射束的图案将对应于目标部分中所创建的器件（诸如，集成电路）中的特定功能层。
如这里所描绘的，所述设备属于透射类型（例如，使用透射型图案形成装置）。替代地，所述设备可以属于反射类型（例如，使用上文提及的类型的可编程反射镜阵列，或使用反射型掩模）。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列，和可编程LCD面板。可以认为本文中对术语“掩模版”或“掩模”的任何使用都与更上位的术语“图案形成装置”同义。术语“图案形成装置”也可以被解释为是指以数字形式储存用于控制这可编程图案形成装置的图案信息的装置。
本发明所使用的术语“投影系统”应被广义地解释为涵盖适于所使用的曝光辐射或适于诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其它因素的任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统，或其任何组合。可以认为本文中对术语“投影透镜”的任何使用均与更通用的术语“投影系统”同义。
光刻设备也可以属于以下类型：其中衬底的至少一部分可以由具有相对较高的折射率的液体（例如，水）覆盖，以便填充投影系统与衬底之间的空间。也可以将浸没液体施加至光刻设备中的其它空间，例如，掩模与投影系统之间的空间。浸没技术在本领域中被众所周知的用于增大投影系统的数值孔径。
在操作中，照射器IL从辐射源SO接收辐射束。例如，当辐射源是准分子激光器时，辐射源与光刻设备可以是分立的实体。在这些情况下，不认为辐射源形成光刻设备的部分，并且辐射束借助于包括（例如）合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD而从辐射源SO传递至照射器IL。在其它情况下，例如，当辐射源是汞灯时，辐射源可以是光刻设备的组成部分。辐射源SO和照射器IL连同束传递系统BD在需要时可以被称为辐射系统。
照射器IL可以（例如）包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器AD、积分器IN和聚光器CO。照射器可以用于调节辐射束，以在其截面中具有期望的均一性和强度分布。
辐射束B入射到被保持在图案形成装置支撑件MT上的图案形成装置MA上，并且由所述图案形成装置图案化。在已横穿图案形成装置（例如，掩模）MA的情况下，辐射束B穿过投影系统PS，所述投影系统将所述束聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF（例如干涉装置、线性编码器、2D编码器或电容式传感器），可以准确地移动衬底台WTa或WTb，例如以便使不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器（其未在图1中被明确地描绘的）可以用于（例如）在从掩模库的机械获取之后或在扫描期间相对于辐射束B的路径来准确地定位图案形成装置（例如，掩模）MA。
可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置（例如，掩模）MA和衬底W。虽然如所图示的衬底对准标记占据专用目标部分，但所述标记可以位于目标部分之间的空间中（这些标记被称为划线对准标记）。类似地，在图案形成装置（例如，掩模）MA上提供多于一个管芯的情况下，掩模对准标记可以位于管芯之间。小对准标记也可以在装置特征当中被包括在管芯内，在这种情况下，期望使标记尽可能地小且无需与邻近特征不同的任何成像或过程条件。下文进一步描述检测对准标记的对准系统。
可以在多种模式中使用所描绘的设备。在扫描模式中，在将赋予至辐射束的图案投影至目标部分C上时，同步地扫描图案形成装置支撑件（例如，掩模台）MT和衬底台WT（即，单次动态曝光）。可以通过投影系统PS的放大率（缩小率）和图像反转特性来确定衬底台WT相对于图案形成装置支撑件（例如掩模台）MT的速度和方向。在扫描模式中，曝光场的最大大小限制单次动态曝光中的目标部分的宽度（在非扫描方向上），而扫描运动的长度确定目标部分的长度（在扫描方向上）。如在本领域中是众所周知的，其它类型的光刻设备和操作模式是可能的。例如，步进模式是已知的。在所谓“无掩模”光刻术中，可编程图案形成装置被保持静止，但具有改变的图案，并且移动或扫描衬底台WT。
也可以采用对上文所描述的使用模式的组合和/或变化或完全不同的使用模式。
光刻设备LA属于所谓的双平台类型，其具有两个衬底台WTa、WTb以及两个站-曝光站EXP和测量站MEA-在所述两个站之间可交换所述衬底台。在曝光站处曝光一个衬底台上的一个衬底的同时，可以在测量站处将另一衬底装载至另一衬底台上且进行各种预备步骤。这种情形实现设备的生产量的相当巨大增加。预备步骤可以包括使用水平传感器LS来映射衬底的表面高度轮廓，和使用对准传感器AS来测量衬底上的对准标记的位置。如果位置传感器IF不能够在衬底台处于测量站以及处于曝光站时测量衬底台的位置，则可以提供第二位置传感器以使得能够在两个站处追踪衬底台相对于参考系RF的位置。代替所示出的双平台布置，其它布置是已知且可用的。例如，提供衬底台和测量台的其它光刻设备是众所周知的。这些衬底台和测量台在执行预备测量时对接在一起，并且接着在衬底台进行曝光时不对接。
图2图示用于将目标部分（例如，管芯）曝光于图1的双平台设备中的衬底W上的步骤。测量站MEA处所执行的步骤是在虚线框内的左侧，而右侧示出曝光站EXP处所执行的步骤。不时地，衬底台WTa、WTb中的一个将在曝光站处，而另一个是在测量站处，如上文所描述的。出于这种描述的目的，假定衬底W已被装载至曝光站中。在步骤200处，通过图中未示出的机构或机制将新衬底W’装载至设备。并行地处理这种两个衬底以便增加光刻设备的生产量。
最初参考新近装载的衬底W’，这种衬底可以是先前未被处理的衬底，其利用新抗蚀剂而制备以在设备中第一次曝光。然而，通常，所描述的光刻过程将仅仅是一系列曝光和处理步骤的步骤，使得衬底W’已经通过这种设备和/或其它光刻设备若干次，并且也可以经历后续过程。尤其对于改善重叠性能的问题，任务应为确保新图案被确切地施加在已经经受图案化和处理的一个或更多个循环的衬底上的正确位置中。这些处理步骤逐渐地在衬底中引入变形，所述变形必须被测量和校正以实现令人满意的重叠性能。
可以在其它光刻设备中执行先前和/或后续图案化步骤（如刚才提及的），并且甚至可以在不同类型的光刻设备中执行先前和/或后续图案化步骤。例如，器件制造过程中的在诸如分辨率和重叠的参数方面要求非常高的一些层相比于要求较不高的其它层可以在更进阶的光刻工具中来执行。因此，一些层可以曝光于浸没型光刻工具中，而其它层曝光于“干式”工具中。一些层可以曝光于在DUV波长下工作的工具中，而其它层是使用EUV波长辐射来曝光。
在202处，使用衬底标记P1等和图像传感器（未示出）的对准测量是用于测量和记录衬底相对于衬底台WTa/WTb的对准。另外，将使用对准传感器AS来测量横跨衬底W’的若干对准标记。在一个实施例中，这些测量是用于建立“晶片栅格”，所述晶片栅格极准确地映射横跨衬底的标记的分布，包括相对于名义矩形栅格的任何变形。
在步骤204处，也使用水平传感器LS来测量相对于X-Y位置的晶片高度（Z）图。通常，高度图是仅用于实现所曝光的图案的准确聚焦。其可以另外用于其它目的。
当装载衬底W’时，接收选配方案数据206，所述选配方案数据定义待执行的曝光，并且也定义晶片和先前产生的图案和待产生于晶片上的图案的性质。向这些选配方案数据添加在202、204处进行的晶片位置、晶片栅格和高度图的测量结果，使得可以将选配方案和测量数据的完整集合208传递至曝光站EXP。对准数据的测量结果（例如）包括以与为光刻过程的产品的产品图案成固定或名义固定关系而形成的对准目标的X位置和Y位置。恰好在曝光之前获得的这些对准数据用于产生对准模型，所述对准模型具有将模型拟合至所述数据的参数。这些参数和对准模型将在曝光操作期间使用以校正当前光刻步骤中所应用的图案的位置。在使用中的模型内插经测量位置之间的位置偏差。常规对准模型可能包括四个、五个或六个参数，所述参数一起以不同尺寸限定“理想”栅格的平移、旋转和缩放。使用更多参数的进阶模型是已知的。
在210处，调换晶片W’与W，使得所测量的衬底W’变成衬底W而进入曝光站EXP。在图1的示例设备中，通过交换所述设备内的支撑件WTa与WTb来执行这种调换，使得衬底W、W’保持准确地被夹持且定位在那些支撑件上，以保留衬底台与衬底自身之间的相对对准。因此，一旦已调换所述台，为了利用用于衬底W（以前为W’）的测量信息202、204以控制曝光步骤，就必需确定投影系统PS与衬底台WTb（以前为WTa）之间的相对位置。在步骤212处，使用掩模对准标记M1、M2来执行掩模版对准。在步骤214、216、218中，将扫描运动和辐射脉冲施加在横跨衬底W的连续目标部位处，以便完成一定数目个图案的曝光。
通过在执行曝光步骤中使用测量站处所获得的对准数据和高度图，使这些图案相对于期望的部位准确地对准，并且具体地，相对于先前放置在同一衬底上的特征准确地对准。在步骤220处从所述设备卸载现在被标注为W”的经曝光的衬底，以根据所曝光的图案使其经历蚀刻或其它过程。
本领域技术人员应知晓上述描述为真实制造情形的一个示例中所涉及的多个非常详细步骤的简化概略图。例如，常常将存在不同阶段的使用相同或不同标记的粗糙和精细测量，而不是在单个遍次中测量对准。粗糙和/或精细对准测量步骤可以在高度测量之前或在高度测量之后执行，或交错执行。
在光刻系统中，对系统正常操作时间具有重大影响的一个重要问题是快速地且高效地检测和/或诊断可以指示不规律或异常行为的事件或趋势（例如，失效事件）的能力。然而，这样的系统非常复杂，其包括一定数目个不同组件（例如，尤其包括投影光学器件组件、晶片平台组件、掩模版平台组件、掩模版遮蔽组件），所述组件中的每个组件产生大量数据。由于缺乏失效事件的数据，则涉及多个组件的复杂问题可以是对于诊断的一个特殊挑战。在失效时刻的完整情境信息（例如，来自所有组件的迹线）通常不可用。
为了解决这种问题，一个当前方法尝试重现所述问题（失效事件）以便收集用于诊断的情境信息。这是非常耗时的且导致较长的停机时间，特别对于（不可重现的）间歇性问题。另外，没有可用的跨组件失效事件触发；即使当重现问题时，也仅可收集单个组件信息。
此外，在当前诊断方法中，用于失效事件检测的触发基于时域信号。通常当指定信号跨越过预定义阈值时产生触发。这通常是基于传感器信号幅度的时域异常检测。因此，许多激发特定频带的失效未被捕获。这可能会导致花费相当长的时间来查找根本原因，甚至无法识别根本原因。
为了解决这些问题中的一个或更多个问题，提出一种用于确定光刻系统上的失效事件的方法。所述方法包括以下步骤：将在所述光刻系统内所产生的信号分解成多个分量信号，每个分量信号与不同的相应的频率范围相关；相对于名义光刻系统行为评估所述分量信号中的每个分量信号（例如，比较所述分量信号中的每个分量信号与名义光刻系统行为的指标）；以及将所述分量信号中的至少一个分量信号偏离于所述名义光刻系统行为的任何偏差识别为失效事件。例如，所述指标可以是分量信号或参考信号的阈值。
图3是根据实施例的已提出的失效事件触发架构的高水平图。每个光刻系统组件MOD1至MODk设置有相应的失效检测组件FD1至FDk。光刻系统组件MOD1及其失效检测组件FD1相比于其它组件被更详细地示出。每个系统组件可以产生一定数目个可测量信号，例如，这里，所述第一光刻系统组件MOD1产生n个可测量信号V1至Vn（从每个光刻系统组件MOD1至MODk输出的信号的数量可以改变）。在实施例中，每个失效检测组件FD1至FDk可以被配置成用于对由其相应的光刻系统组件MOD1至MODk所产生的可测量信号的子集进行取样。在所示出的示例中，由光刻系统组件MOD1产生的n个信号的小子集中的m个信号中的每个信号由所述失效检测组件FD1的相应的信号偏差检测模块SDD1至SDDm监测。所监测的信号（例如，m）的子集可以包括所产生的信号（例如，n）的不到30%、不到10%、不到5%、不到2%或不到1%，和/或所监测的信号的数量可以是所产生的信号的任何恰当子集。
可以在每组件基础上例如根据关于哪些信号与用于特定组件的系统动力学最相关的用户或领域知识来选择所监测的信号的子集。替代地或另外，可以基于特定系统状态选择所监测的信号。例如，可以主要地或仅在某些预定义系统状态期间执行本文中所描述的监测。用于曝光状态（例如，当所述系统正执行曝光时）的相关信号可以不同于用于“透射图像传感器（TIS）扫描”状态（在该期间，测量经投影的（TIS）掩模版标记的光化空间图像）的信号。因此，可以基于系统状态选择所监测的信号（本领域技术人员将认识到，存在比在这里提供的两个特定示例更多的系统状态）。如此，由每个失效检测组件所监测的信号可以例如基于由所述系统执行的特定状态或动作而是可配置的。
每个信号偏差检测模块SDD1至SDDm可以包括一个或更多个合适的滤波器，以限定来自由所述信号偏差检测模块监测的信号的多个分量信号，每个分量信号与相应的频率范围或频率区间相关。如此，对每个所监测的信号的监测可以在频率区间内执行，使得例如如果在一个或更多个频率区间内检测到偏差，则可以产生事件触发信号。可以通过比较所述信号分量的参数（例如，信号能量）与用于所述信号分量的相应阈值来检测偏差。以这种方式，可以在没有复杂计算实施的情况下进行复频率分析。
所述信号偏差检测模块SDD1至SDDm中的每个信号偏差检测模块的输出例如经由合适的逻辑算子而被组合成单个输出。例如，或门可以被用于对这些输出进行门控，使得如果所述信号偏差检测模块中的一个（或多个）信号偏差检测模块产生触发TGSDD，则由所述失效检测组件产生对应的失效事件触发TGFD。使用或门仅是示例，并且其它逻辑运算可以是可能的。例如，特定的两个（或多于两个）信号偏差检测模块可以在适当情况下针对它们的相应的信号进行与门控；与门的输出接着可以与其它信号偏差检测模块的输出进行或门控（或以其它方式组合）。这是单个特定示例，并且本领域技术人员将认识到，可以使用任何类型、数目和组合的逻辑运算。
所述失效检测组件的输出可以与合适的逻辑门（例如，或门，或者逻辑运算/门的组合）类似地组合，以在（例如）多个失效检测组件中的一个失效检测组件检测到失效且产生FD触发TGFD的情况下产生系统失效事件触发信号TGSY。
图4是根据实施例的信号偏差检测模块的示例示意图。在高水平下，所述信号偏差检测模块可以包括信号分解器模块SD、信号比较器模块SC和逻辑模块或健康检查逻辑模块HCL。
信号分解器模块SD将输入信号S分解成多个信号分量Sd1至Sdp，每个信号分量与不同的频率范围或频率区间相关。更特别地，输入时域信号S（t）使用滤波器组被分解成多个时域信号Si（t），i=1 、……、p。每个信号Si（t），i=1 、……、p，包括来自特定频率范围中的原始信号S（t）的信息。可选地，信号Si（t），i=1 、……、p中的一个可以经由直通路径而被获得以监测全输入信号S（t）。
所述信号比较器模块比较每个信号分量Sd1至Sdp与名义光刻系统行为的相应指标（例如阈值或参考值），以便确定所述信号分量（并且可选地，全信号）是否在规格内。相应的比较输出信号Sc1至Scp针对每个信号分量Sd1至Sdp被输出。
所述健康检查逻辑模块根据一个或更多个逻辑运算来组合比较输出信号Sc1至Scp，以便在适当时（例如，当比较输出信号Sc1至Scp中的至少一个比较输出信号指示信号分量Sd1至Sdp中的至少一个信号分量不合规格时）产生触发TGSDD。如已经描述的，所述逻辑运算可以包括单个逻辑门，诸如单个或门，或多个逻辑门的更复杂的组合。
图5示出可以用于诸如图4中所图示的信号偏差检测模块中的信号分解器模块SD的四个示例实施例。图5（a）示出信号分解器模块的示例，其使用高通滤波器HPF和低通滤波器LPF以获得三个信号分量：高频分量，所述高频分量覆盖通过将高通滤波器HPF应用在输入信号S（t）而直接地获得的所述输入信号的较高频率范围；低频分量，所述低频分量覆盖通过将低通滤波器LPF应用在输入信号S（t）而直接地获得的所述输入信号的较低频率范围；以及中频分量，所述中频分量覆盖从输入信号S（t）移除所述输入信号的高频分量和低频分量而获得的中频范围。以这种方式，定义三个频率区间以用于信号监测。如上文提及的，提供可选的直通路径以监测全输入信号或完整输入信号S（t）。
图5（b）示出信号分解器模块的第二示例，并且具体地，示出用于实施这种信号分解器模块的示例滤波器组。对于一些应用，取决于失效或系统行为的性质，可能有必要定义不同长度的频率范围。在这样的所示出的布置包括一个或更多个带通滤波器BPF1至BPFp-1，所述一个或更多个带通滤波器可以被提供以提供定义这样的不同频率范围的灵活性。这些带通滤波器可以结合低通滤波器LPF和高通滤波器HPF实施，以定义最高频率范围和最低频率范围，并且如果需要，定义如已经描述的直通路径。
对于非时变信号（例如，，其中，A是幅度，是2πf且ɸ是相 位），使用快速傅里叶变换（FFT）进行的频域分析是充分的。在这样的情况下，对于非时变信 号，图5（b）的信号分解器模块能够产生所需的触发。
然而，对于时变信号（例如，，其中，频率组成随时间变 化而改变），图5（b）的信号分解器模块可能不充分。在这样的情境下，替代地可以使用图5 （c）和图5（d）中所图示的示例或其变化。这类似于基于小波系数产生触发。在图5（c）中，在 每个层中，来自前一层的低通信号（或用于第一层的输入信号）使用高通滤波器HPF和低通 滤波器LPF而被划分成两个信号。这种图中示出得到的频率区间范围（其中Fs是取样频率）。 图5（d）示出一种布置，其中，每个层在前一层的每个分量上使用高通滤波器HPF和低通滤波 器LPF来使信号分量的数量加倍。当然，可以使用比这些图中示出的层更少或更多的层。
应了解，如果在特定频率的情况下优选监测某些失效，则这可以通过使用诸如Goertzel算法或经调谐的带通滤波器之类的合适的布置来实现（例如，结合本文中所披露的和/或在本公开的范围内的示例中的任一个示例）。
可以实时地实现所述滤波器的应用以实现在线诊断。
图6是根据实施例的信号偏差检测模块的特定实施方式。这示出信号分解器模块SD（例如，图5（a）中示出的信号分解器模块）、信号比较器模块SC和健康检查逻辑模块HCL中的每个模块的特定实施方式。如这里所示出的这些模块中的每个模块的特定实施方式可以通过如本文中所披露的和/或在本公开的范围内的模块的不同特定实施方式来实施。如此，在这里所示出的特定信号分解器模块SD可以利用信号比较器模块和/或健康检查逻辑模块HCL的不同示例来实施，这里所示出的特定信号比较器模块SC可以利用信号分解器模块SD和/或健康检查逻辑模块HCL的不同示例来实施，等等。
在所述信号比较器模块SC中，监测指标计算模块ENG可以被用于计算用于每个信 号分量的特定监测参数。例如，监测参数可以包括相应信号分量的信号能量EL、EM、EH、ET。这 些能量值EL、EM、EH、ET中的每个可以与例如可以从能量参考值Ref（例如，下文的）定 义的相应参考值BL、BM、BH、BT相比。
更通常地，所述信号比较器模块SC可以被用于评估经分解的信号Si（t），i=1、……、p是否已相对于用于名义或健康行为的参考（或经分解的信号的分量的子集）偏离。
经分解的信号的能量可以通过相对于信号的偏移/偏差的平方和误差 来被计算，其中，N是来自Si（t）的整个测量的所关注的样本。
与健康机器对应的经分解的信号的预期或参考能量可以通过从健康机器 收集数据来被计算。当系统性能（例如，总系统性能）是在规格内时，健康机器可以被定义为 机器状态。
相对于参考的当前测量中的偏差可以被计算为：
经分解的信号能量中的偏差的阈值可以使用参考被定义为：
其中是相对于的所允许最大相对偏差。例如：如果对于经分解的信号S1， 所允许最大相对偏差相对于为50%，则为0.5，并且如果对于经分解的信号S2，所允 许最大相对偏差相对于为400%，则为4。
当跨越过阈值时，输出比较器状态可以被定义为1，否则为0，即：
应注意，所述监测参数可以包括在N个所关注的样本期间的最大值Si（t），而不是比较经分解的信号Si（t）的能量。
可以了解，每个信号偏差检测模块将在系统操作期间实时地监测若干信号的信号 健康。因此，期望使来自每个信号偏差检测模块的计算需求保持尽可能低。在特定示例中， 定义相应的低通信号分量和高通信号分量、的计算上有效的一阶低通滤波 器和高通滤波器可以通过以下各项描述：
其中是滤波器截止频率，并且是取样频率。
总而言之，提供一种方法，所述方法使用频率分组即频率分箱来提供信号偏差检测，所述方法可以捕获使用现有方法未能捕获的失效的较大集合。所述方法也提供跨组件触发，以从所有系统组件收集完整的情境信息。
应了解，术语颜色与波长同义地用于整个本文中，并且颜色可以包括可见频带以外的那些颜色（例如，红外或紫外波长）。
虽然上文已描述本发明的特定实施例，但应了解，可以以与所描述的方式不同的其它方式来实践本发明。
虽然上文可能已具体地参考在光学光刻术的情境下对本发明的实施例的使用，但应了解，本发明可以用于其它应用（例如压印光刻术）中，并且在情境允许的情况下不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定产生于衬底上的图案。可以将图案形成装置的形貌压入被供应给衬底的抗蚀剂层中，在衬底上，抗蚀剂是通过施加电磁辐射、热、压力或其组合而固化。在抗蚀剂固化之后，将图案形成装置移出抗蚀剂，从而在其中留下图案。
本文中所使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外（UV）辐射（例如，具有为或约365 nm、355 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm的波长）和极紫外（EUV）辐射（例如具有在1 nm至100 nm范围内的波长），以及粒子束，诸如离子束或电子束。
术语“透镜”在情境允许的情况下可以指各种类型的光学元件中的任一个或其组合，包括折射、反射、磁性、电磁和静电型光学元件。反射元件很可能用于在UV和/或EUV范围内操作的设备中。
本发明的广度和范围不应受上文所描述的示例性实施例中的任一个限制，而应仅根据以下权利要求及其等效物来限定。
在以下编号方面中阐述本发明的其它方面：
1.一种用于确定光刻系统上的失效事件的方法，所述方法包括：
将在所述光刻系统内产生的至少一个信号分解成多个分量信号，每个分量信号与不同的相应的频率范围相关；
相对于名义光刻系统行为评估所述分量信号中的至少一个分量信号；以及
将所述分量信号中的至少一个分量信号偏离于所述名义光刻系统行为的任何偏差识别为失效事件。
2.根据方面1所述的方法，其中，所述评估步骤包括相对于名义光刻系统行为评估所述分量信号中的每个分量信号。
3.根据方面1或2所述的方法，其中，所述评估步骤包括比较所述分量信号中的每个分量信号与名义光刻系统行为的至少一个指标。
4.根据方面3所述的方法，其中，所述至少一个指标包括用于每个分量信号的相应的阈值或参考信号。
5.根据任一前述方面所述的方法，包括：组合与每个分量信号相关的所述评估和识别步骤的输出，以基于对所述分量信号中的至少一个分量信号的任何偏差的所述识别而产生用于所述至少一个信号的失效事件触发信号。
6.根据方面5所述的方法，包括：
针对与所述光刻系统的光刻系统组件相关的多个信号中的每个信号单独地执行所述方法；和
组合用于与所述光刻系统组件相关的所述多个信号中的每个信号的所述失效事件触发信号，以产生用于所述光刻系统组件的失效事件触发信号。
7.根据方面6所述的方法，其中，所述多个信号包括由所述光刻系统组件产生的可测量信号的子集。
8.根据方面7所述的方法，包括基于以下各项中的一个或两者来选择可测量信号的所述子集：所述光刻系统的系统状态、和领域知识。
9.根据方面6、7或8所述的方法，包括：
针对与所述光刻系统相关的多个光刻系统组件中的每个光刻系统组件单独地执行所述方法；和
组合与每个光刻系统组件相关的所述失效事件触发信号，以产生用于所述光刻系统的失效事件触发信号。
10.根据方面5至9中的任一项所述的方法，其中，在所述组合步骤中的一个或更多个组合步骤中，使用一个或更多个逻辑算子组合所述输出。
11.根据方面10所述的方法，其中，所述一个或更多个逻辑算子至少包括或算子。
12.根据任一前述方面所述的方法，其中，所述分解步骤包括将一个或更多个高通滤波器、低通滤波器和/或带通滤波器应用于所述至少一个信号。
13.根据方面12所述的方法，其中，所述分解步骤包括至少将低通滤波器和高通滤波器的一个或更多个层应用于前一层的一个或更多个信号。
14.根据方面11所述的方法，其中，所述分解步骤包括至少将低通滤波器和高通滤波器应用于所述至少一个信号以便产生至少三个所述信号分量：低频分量，所述低频分量覆盖所述至少一个信号的较低频率范围；高频分量，所述高频分量覆盖所述至少一个信号的较高频率范围；和中频分量，所述中频分量覆盖介于所述较低频率范围与较高频率范围之间的所述至少一个信号的中频范围。
15.根据任一前述方面所述的方法，其中，所述分解步骤包括将至少一个Goertzel算法或带通滤波器应用于所述至少一个信号以便产生处于特定频率或特定频率范围的信号分量。
16.根据任一前述方面所述的方法，包括以下步骤：相对于名义光刻系统行为评估没有分解的所述至少一个信号；和将所述至少一个信号偏离于所述名义光刻系统行为的任何偏差识别为失效事件。
17.根据任一前述方面所述的方法，其中，评估所述分量信号的所述步骤包括评估所述分量信号的信号能量。
18.一种能够操作以确定光刻系统上的失效事件的信号偏差检测模块，包括：
一个或更多个滤波器，所述一个或更多个滤波器能够操作以将在所述光刻系统内产生的至少一个信号分解成多个分量信号，每个分量信号与不同的相应的频率范围相关；和
处理器，所述处理器能够操作以相对于名义光刻系统行为评估所述分量信号中的至少一个分量信号，并且将所述分量信号中的至少一个分量信号偏离于所述名义光刻系统行为的任何偏差识别为失效事件。
19.根据方面18所述的信号偏差检测模块，其中，所述处理器能够操作以相对于名义光刻系统行为评估所述分量信号中的每个分量信号。
20.根据方面18或19所述的信号偏差检测模块，其中，所述处理器能够操作以比较所述分量信号中的每个分量信号与名义光刻系统行为的至少一个指标。
21.根据方面20所述的信号偏差检测模块，其中，所述至少一个指标包括用于每个分量信号的相应的阈值或参考信号。
22.根据方面18至21中的任一项所述的信号偏差检测模块，包括一个或更多个逻辑算子，所述一个或更多个逻辑算子能够操作以组合与每个分量信号相关的所述评估和识别步骤的输出，以基于对所述分量信号中的至少一个分量信号的任何偏差的所述识别而产生用于所述信号的失效事件触发信号。
23.根据方面22所述的信号偏差检测模块，其中，所述一个或更多个逻辑算子至少包括或算子。
24.根据方面18至23中的任一项所述的信号偏差检测模块，其中，所述一个或更多个滤波器包括一个或更多个高通滤波器、低通滤波器和/或带通滤波器。
25.根据方面24所述的信号偏差检测模块，其中，所述一个或更多个滤波器包括至少低通滤波器和高通滤波器的一个或更多个层。
26.根据方面18至20中的任一项所述的信号偏差检测模块，其中，所述一个或更多个滤波器至少包括被布置成产生以下至少三个所述信号分量的低通滤波器和高通滤波器：低频分量，所述低频分量覆盖所述信号的较低频率范围；高频分量，所述高频分量覆盖所述信号的较高频率范围；和中频分量，所述中频分量覆盖介于所述较低频率范围与较高频率范围之间的所述信号的中频范围。
27.根据方面18至26中的任一项所述的信号偏差检测模块，包括能够操作以产生处于特定频率或特定频率范围的信号分量的Goertzel算法或经调谐的带通滤波器。
28.根据方面18至27中的任一项所述的信号偏差检测模块，其中，所述处理器进一步能够操作以相对于名义光刻系统行为评估没有分解的所述信号；和将所述信号偏离于所述名义光刻系统行为的任何偏差识别为失效事件。
29.根据方面18至28中的任一项所述的信号偏差检测模块，其中，所述处理器能够操作以评估所述分量信号的信号能量。
30.一种能够操作以确定光刻系统上的失效事件的失效检测组件，包括：
多个根据方面18至29中的任一项所述的信号偏差检测模块，每个信号偏差检测模块能够操作以针对与所述光刻系统的光刻系统组件相关的多个信号中的相应的信号确定失效事件；和
至少一个逻辑算子，所述至少一个逻辑算子能够操作以组合每个信号偏差检测模块的输出，以产生用于所述光刻系统组件的失效事件触发信号。
31.根据方面30所述的失效检测组件，其中，能够操作以组合每个信号偏差检测模块的输出的所述至少一个逻辑算子至少包括或算子。
32.根据方面30或31所述的失效检测组件，其中，所述多个信号包括由所述光刻系统组件产生的可测量信号的子集。
33.一种能够操作以确定光刻系统上的失效事件的失效检测系统，包括：
多个根据方面30、31或32所述的失效检测组件，每个失效检测组件能够操作以针对所述光刻系统的相应的光刻系统组件确定失效事件；
至少一个逻辑算子，所述至少一个逻辑算子能够操作以组合每个失效检测组件的输出，以产生用于所述光刻系统的失效事件触发信号。
34.根据方面33所述的失效检测系统，其中，能够操作以组合每个失效检测组件的输出的所述一个或更多个逻辑算子至少包括或算子。
35.一种计算机程序，包括能够操作以当在合适的设备上运行时执行根据方面1至15中的任一项所述的方法的程序指令。
36.一种非暂时性计算机程序载体，包括根据方面35所述的计算机程序。
37.一种处理布置，包括：
根据方面36所述的非暂时性计算机程序载体；和
处理器，所述处理器能够操作以运行被包括在所述非暂时性计算机程序载体上的所述计算机程序。
38.一种光刻系统，包括根据方面33或34所述的失效检测系统。

Claims (22)

1.一种用于确定光刻系统上的失效事件的方法，所述方法包括：
将在所述光刻系统内产生的至少一个信号分解成多个分量信号，每个分量信号与不同的相应的频率范围相关；
相对于名义光刻系统行为评估所述分量信号中的至少一个分量信号；以及
将所述分量信号中的至少一个分量信号偏离于所述名义光刻系统行为的任何偏差识别为失效事件。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述评估步骤包括相对于名义光刻系统行为评估所述分量信号中的每个分量信号。
3.根据任一前述权利要求所述的方法，包括：组合与每个分量信号相关的所述评估和识别步骤的输出，以基于对所述分量信号中的至少一个分量信号的任何偏差的所述识别而产生用于所述至少一个信号的失效事件触发信号。
4.根据权利要求3所述的方法，包括：
针对与所述光刻系统的光刻系统组件相关的多个信号中的每个信号单独地执行所述方法；和
组合用于与所述光刻系统组件相关的所述多个信号中的每个信号的所述失效事件触发信号，以产生用于所述光刻系统组件的失效事件触发信号。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述多个信号包括由所述光刻系统组件产生的可测量信号的子集。
6.根据权利要求5所述的方法，包括基于以下各项中的一个或两者来选择可测量信号的所述子集：所述光刻系统的系统状态、和领域知识。
7.根据权利要求4、5或6所述的方法，包括：
针对与所述光刻系统相关的多个光刻系统组件中的每个光刻系统组件单独地执行所述方法；和
组合与每个光刻系统组件相关的所述失效事件触发信号，以产生用于所述光刻系统的失效事件触发信号。
8.根据权利要求4至7中的任一项所述的方法，其中，在所述组合步骤中的一个或更多个组合步骤中，使用一个或更多个逻辑算子组合所述输出。
9.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述分解步骤包括将一个或更多个高通滤波器、低通滤波器和/或带通滤波器应用于所述至少一个信号。
10.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述分解步骤包括将至少一个Goertzel算法或带通滤波器应用于所述至少一个信号以便产生处于特定频率或特定频率范围的信号分量。
11.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，评估所述分量信号的所述步骤包括评估所述分量信号的信号能量。
12.一种能够操作以确定光刻系统上的失效事件的信号偏差检测模块，包括：
一个或更多个滤波器，所述一个或更多个滤波器能够操作以将在所述光刻系统内产生的至少一个信号分解成多个分量信号，每个分量信号与不同的相应的频率范围相关；和
处理器，所述处理器能够操作以相对于名义光刻系统行为评估所述分量信号中的至少一个分量信号，并且将所述分量信号中的至少一个分量信号偏离于所述名义光刻系统行为的任何偏差识别为失效事件。
13.根据权利要求12所述的信号偏差检测模块，其中，所述处理器能够操作以相对于名义光刻系统行为评估所述分量信号中的每个分量信号。
14.根据权利要求12或13所述的信号偏差检测模块，包括一个或更多个逻辑算子，所述一个或更多个逻辑算子能够操作以组合与每个分量信号相关的所述评估和识别步骤的输出，以基于对所述分量信号中的至少一个分量信号的任何偏差的所述识别而产生用于所述信号的失效事件触发信号。
15.根据权利要求12至14中的任一项所述的信号偏差检测模块，包括能够操作以产生处于特定频率或特定频率范围的信号分量的Goertzel算法或经调谐的带通滤波器。
16.根据权利要求12至15中的任一项所述的信号偏差检测模块，其中，所述处理器能够操作以评估所述分量信号的信号能量。
17.一种能够操作以确定光刻系统上的失效事件的失效检测组件，包括：
多个根据权利要求12至16中的任一项所述的信号偏差检测模块，每个信号偏差检测模块能够操作以针对与所述光刻系统的光刻系统组件相关的多个信号中的相应的信号确定失效事件；和
至少一个逻辑算子，所述至少一个逻辑算子能够操作以组合每个信号偏差检测模块的输出，以产生用于所述光刻系统组件的失效事件触发信号。
18.一种能够操作以确定光刻系统上的失效事件的失效检测系统，包括：
多个根据权利要求17所述的失效检测组件，每个失效检测组件能够操作以针对所述光刻系统的相应的光刻系统组件确定失效事件；
至少一个逻辑算子，所述至少一个逻辑算子能够操作以组合每个失效检测组件的输出，以产生用于所述光刻系统的失效事件触发信号。
19.一种计算机程序，包括能够操作以当在合适的设备上运行时执行根据权利要求1至11中的任一项所述的方法的程序指令。
20.一种非暂时性计算机程序载体，包括根据权利要求19所述的计算机程序。
21.一种处理布置，包括：
根据权利要求20所述的非暂时性计算机程序载体；和
处理器，所述处理器能够操作以运行被包括在所述非暂时性计算机程序载体上的所述计算机程序。
22.一种光刻系统，包括根据权利要求18所述的失效检测系统。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5761090A (en) * 1995-10-10 1998-06-02 The University Of Chicago Expert system for testing industrial processes and determining sensor status
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036597A1 (nl) 2008-02-29 2009-09-01 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
NL1036857A1 (nl) 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL2004094A (en) 2009-02-11 2010-08-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method.
WO2011012624A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, lithographic system, and lithographic processing cell
KR101642033B1 (ko) 2009-08-24 2016-07-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 메트롤로지 타겟들을 포함하는 기판
WO2012022584A1 (en) 2010-08-18 2012-02-23 Asml Netherlands B.V. Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method
KR101492205B1 (ko) 2010-11-12 2015-02-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 디바이스 제조 방법
KR101761735B1 (ko) 2012-03-27 2017-07-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법
NL2010458A (en) 2012-04-16 2013-10-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, substrate and device manufacturing method background.
KR101759608B1 (ko) 2012-05-29 2017-07-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치, 기판, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법
JP6854914B2 (ja) * 2017-04-06 2021-04-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ方法及び装置

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