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CN119156463A - 用于保持基板的载体、用于在基板上沉积层的设备及用于支撑基板的方法 - Google Patents

用于保持基板的载体、用于在基板上沉积层的设备及用于支撑基板的方法 Download PDF

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CN119156463A
CN119156463A CN202280095806.6A CN202280095806A CN119156463A CN 119156463 A CN119156463 A CN 119156463A CN 202280095806 A CN202280095806 A CN 202280095806A CN 119156463 A CN119156463 A CN 119156463A
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Abstract

提供了一种用于将基板(10)保持在弯曲状态的载体(100)。载体(100)包括：载体主体(110)，载体主体(110)具有弯曲基板支撑表面(111)；密封件(120)，用于在基板(10)的边缘和载体主体(110)之间提供密封；以及用于将基板(10)的边缘压到密封件(120)上的基板固定装置(130)。载体主体(110)包括一个或多个气体供应导管(140)，用于在基板(10)的背侧(10B)和弯曲基板支撑表面(111)之间提供气垫。此外，提供了一种用于在弯曲状态的基板上沉积层的设备和用于在真空沉积腔室中支撑弯曲状态的基板的方法。

Description

用于保持基板的载体、用于在基板上沉积层的设备及用于支 撑基板的方法
技术领域
本公开的实施例涉及用于保持基板的载体、用于在基板上沉积层的设备及用于支撑基板的方法。本公开的实施例特别涉及用于在真空环境中保持基板的载体、包括真空沉积腔室的沉积设备和用于在真空沉积腔室中支撑基板的方法。
背景技术
用于在基板上进行层沉积的技术包括，例如，热蒸发、化学气相沉积(chemicalvapor deposition；CVD)和物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)，例如溅射沉积。溅射沉积工艺可用于在基板上沉积材料层，例如绝缘材料层或金属层。在溅射沉积工艺期间，用等离子体区域中产生的离子轰击具有要沉积在基板上的靶材料的靶，以使靶材料的原子从靶表面移除。移除的原子可以在基板上形成材料层。在反应性溅射沉积工艺中，移除的原子可以与等离子体区域中的气体(例如氮气或氧气)反应，以在基板上形成靶材料的氧化物、氮化物或氮氧化物。
经涂覆材料可用于多种应用和多种技术领域。例如，经涂覆材料可用于微电子领域，例如用于产生半导体器件。此外，可以使用PVD工艺涂覆用于显示器的基板。进一步的应用包括绝缘板、有机发光二极管(organic light emitting diode；OLED)面板、具有薄膜晶体管(thin film transistor；TFT)的基板、滤色片等。
在沉积工艺期间，基板通常在真空条件下暴露于升高的温度，这给基板处理和基板冷却带来了挑战，特别是大面积的薄基板。
根据上文所述，需要提供用于保持基板的载体、用于在基板上沉积材料的沉积设备以及用于支撑基板的方法，以克服本领域中的至少一些问题。
发明内容
鉴于以上所述，提供了根据独立权利要求的用于将基板保持在弯曲状态的载体、用于在弯曲状态的基板上沉积层的设备以及用于支撑弯曲状态的基板的方法。在从属权利要求、说明书和附图中示出了进一步的特征、细节、方面、实施方式和实施例。
根据实施例，提供了一种用于将基板保持在弯曲状态的载体。所述载体包括具有弯曲基板支撑表面的载体主体。另外，载体包括用于在基板的边缘和载体主体之间提供密封的密封件。此外，载体包括用于将基板的边缘压在密封件上的基板固定装置。载体主体包括一个或多个气体供应导管，以在基板的背侧和弯曲基板支撑表面之间提供气垫。
根据实施例，提供了一种用于在弯曲状态的基板上沉积层的设备。根据本文所述的任一实施例，所述设备包括真空沉积腔室、沉积源的布置、以及用于将基板保持在弯曲状态的载体。
根据实施例，提供了一种用于在真空沉积腔室中支撑弯曲状态的基板的方法。所述方法包括提供根据本文所述的任一实施例的载体。此外，所述方法包括在所述基板的背侧和所述弯曲基板支撑表面之间提供气垫。
实施例还针对用于执行所公开的方法的设备，并且包括用于执行每个所述的方法方面的设备部件。所述方法可以通过硬件组件、由适当软件编程的计算机、通过两者的任何组合或以任何其他方式来执行。此外，根据本公开的实施例还针对用于操作所述设备的方法。它包括用于执行设备的每个功能的方法方面。
附图说明
为了能够详细理解本公开的上述特征的方式，可以参考实施例对上文简要总结的本公开进行更具体的描述。附图涉及本公开的实施例，并在下文中描述：
图1示出了根据本文所述实施例的载体的示意性俯视图；
图2示出了根据本文所述实施例的载体的示意性正视图；
图3至图6示出了根据本文所述进一步实施例的载体的示意性俯视图；
图7和图8示出了根据本文所述实施例的沉积设备的示意性俯视图；以及
图9示出了说明根据本文所述实施例的用于支撑弯曲状态的基板的方法的框图。
具体实施方式
现在将详细参考本公开的各种实施例，附图中示出了其中的一个或多个示例。在附图的以下描述中，相同的参考数字表示相同的部件。大体上，仅描述关于各个实施例的差异。每个示例都是通过解释本公开的方式提供的，而不意味着对本公开的限制。此外，作为一个实施例的一部分所示或描述的特征可以在其他实施例上使用或与其他实施例结合使用，以产生又一个实施例。此描述意在包括此类修改和变化。
在附图的以下描述中，相同的参考数字代表相同或相似的部件。大体上，仅描述关于各个实施例的差异。除非另有说明，否则一个实施例中的部分或方面的描述也适用于另一个实施例中的对应部分或方面。
参考图1，描述了根据本公开的用于将基板10保持在弯曲状态的载体100。根据可以与本文描述的任何其他实施例组合的实施例，载体100包括具有弯曲基板支撑表面111的载体主体110。此外，载体100包括用于在基板10的边缘和载体主体110之间提供密封的密封件120。此外，载体100包括用于将基板10的边缘压到密封件120上的基板固定装置130。载体主体110包括一个或多个气体供应导管140，以向基板10的背侧10B提供气体，特别是在基板10的背侧10B和弯曲基板支撑表面111之间提供气垫。
因此，与现有技术相比，提供一种用于保持基板的改进载体。特定而言，通过提供被配置为将基板保持在弯曲状态的载体，可以由于基板的弯曲状态在基板中引起的机械张力从而提高基板的保持稳定性。此外，如本文所述的载体的实施例有益地提供了从基板到载体的改进的热传导性能，从而可以提高基板的冷却效率。此外，要注意的是，根据本文所述实施例的载体特别适合于冷却厚度为0.1mm至1.8mm的薄基板，特别是大面积基板。换句话说，与现有技术相比，本文所述的载体有益地减少了可能的基板损坏。此外，可以改进基板相对于基座，即载体，特别是载体主体的对准。
在更详细地描述本公开的各种实施例之前，解释关于在此使用的一些术语的一些方面。
在本公开中，“用于将基板保持在弯曲状态的载体”可以理解为被配置为将如本文所述的基板，特别是如本文所述的大面积基板保持在弯曲或曲弯状态的保持器。典型地，如图1中示例性地指示，由如本文所述的载体保持或支撑的基板包括前表面10F和背表面10B。前表面是基板上要沉积层的表面。基板的背表面是基板的面向载体主体的表面。特定而言，用于保持基板的载体被配置为基本上垂直地保持基板。在本公开中，术语“基本上垂直”可理解为在相对于绝对垂直方向的公差T为T≤±15°，特别是T≤±10°，更特别是T≤±5°，例如T≤±1°内垂直。所述绝对垂直方向对应于重力方向。
在本公开中，“弯曲状态的基板”可以理解为绕弯曲轴曲弯的基板。因此，应当理解，最初基板是基本上平坦的，并当基板固定到载体上时，基板被曲弯并具有弯曲状态。因此，在基板的弯曲或曲弯状态下(即，当基板被固定到载体时)，在基板中出现机械张力。此外，应当理解，通常当基板从载体上拆卸或释放时，基板回到最初的基本上平坦状态。因此，基板通常是弹性的。
基板在弯曲或曲弯状态下的曲率半径可以是恒定的或非恒定的。通常，弯曲轴是基本上垂直的。在附图所示的示例性实施例中，基板被绕垂直弯曲轴曲弯。或者，弯曲轴可以是基本上水平的(图中未明确示出)。在本公开中，“基本上水平”可以理解为在相对于绝对水平方向的公差T为T≤±15°，特别是T≤±10°，更特别是T≤±5°，例如T≤±1°内水平。绝对水平方向垂直于绝对垂直方向。
在本公开中，术语“基板”可特别涵盖基本上非柔性的基板，例如玻璃板或金属板。术语“基本上非柔性”应理解为有别于“柔性”。特定而言，基本上非柔性的基板可以具有一定程度的柔性，例如厚度为0.5mm或更低的玻璃板，其中与柔性的基板相比，基本上非柔性的基板的柔性较小。通常，本文所述的基板是弹性基板。此外，应当理解，本文所述的基板可以被曲弯成弯曲状态。因此，最初平坦的或板状的基板可以固定到如本文所述具有弯曲基板支撑表面的载体主体上，使得基板保持在弯曲或曲弯状态。例如，基板可以具有0.1毫米至1.8毫米的厚度。根据本文所述的实施例，基板可以由适合于材料沉积的任何材料制成。例如，基板可以由选自由玻璃(例如钠钙玻璃、硼硅玻璃等)、金属、聚合物、陶瓷、复合材料、碳纤维材料或可以通过沉积工艺涂覆的任何其他材料或材料组合组成的组中的材料制成。
根据一些实施例，基板可以是“大面积基板”，并且可用于显示器制造。例如，基板可以是玻璃或塑料基板。例如，本文所述的基板应涵盖通常用于LCD(液晶显示器)、PDP(等离子显示面板)等的基板。例如，“大面积基板”可以具有面积0.5m2或更大，特别是1m2或更大的主表面。在一些实施例中，大面积基板可以是GEN 4.5，其对应于约0.67m2基板(0.73×0.92m)；GEN 5，其对应于约1.4m2基板(1.1m×1.3m)；GEN 7.5，其对应于约4.29m2基板(1.95m×2.2m)；GEN 8.5，其对应于约5.7m2基板(2.2m×2.5m)；或甚至GEN 10，其对应于约8.7m2基板(2.85m×3.05m)。可类似地实现甚至更大的代(例如GEN 11和GEN 12)以及对应的基板面积。
在本公开中，“载体主体”可以理解为载体的被配置用于支撑基板的刚性主体。典型地，载体主体具有弯曲基板支撑表面。“基板支撑表面”可以理解为载体的面向基板的表面，特别是基板的背侧。例如，弯曲基板支撑表面可以是凸形的或凹形的。弯曲基板支撑表面可以包括恒定的或非恒定的曲率半径。典型地，弯曲基板支撑表面是纯凸形的或纯凹形的。换句话说，弯曲基板支撑表面可以仅是具有恒定或非恒定曲率半径的凸形。或者，弯曲基板支撑表面可以仅是具有恒定或非恒定曲率半径的凹形。应当理解，当在基板10的背侧10B和弯曲基板支撑表面111之间提供气垫时，弯曲基板支撑表面111和基板10的背侧10B之间没有接触。换句话说，在提供气垫的操作状态下，可以保持基板相对于基板支撑表面111无接触。
在本公开中，“密封件”可以理解为如本文所述的被配置为在基板的边缘和载体主体之间提供气密密封的密封件，使得可以在基板的背侧和基板支撑表面之间提供气垫。典型地，密封件被配置在基板的背侧和密封件之间提供线接触，特别是封闭线接触。因此，典型地，密封件被配置在密封件和载体主体的前侧，特别是弯曲基板支撑表面之间提供线接触，特别是封闭线接触。
在本公开中，“基板边缘”可以理解为基板的前表面的边缘，特别是基板的前表面的边缘区域。特别是，“基板边缘”可以理解为基板的完整边缘。换句话说，术语“基板边缘”可以包括基板的所有侧上的所有边缘。更特定而言，在垂直保持的基板的情况下，如图2中示例性地示出，术语“基板边缘”可包括上边缘10UE、下边缘10BE和在基板10的上边缘10UE和下边缘10BE之间的侧边缘10LE，如图2中示例性所示。
在本公开中，“基板固定装置”可以理解为被配置为将基板固定到载体，特别是固定到载体主体的固定装置。典型地，基板固定装置被配置用于将基板的边缘压到如本文所述的密封件。换句话说，基板固定装置可以被配置成在基板的边缘上施加压缩力。此外，应当理解，典型地，基板固定装置被配置为将基板保持在所述的弯曲状态。换言之，典型地，基板固定装置被配置成抵消在如本文所述的弯曲或曲弯状态的基板固定到载体主体时发生的反作用力，例如基板张力和基板应力。
在本公开中，表述“载体主体包括一个或多个气体供应导管，以在基板的背侧和基板支撑表面之间提供气垫”可以理解为至少一个气体供应导管提供在载体主体中，气体可以通过所述气体供应导管被供给到基板的背侧和基板支撑表面之间的空间中，从而可以提供气垫。在图1中，一个或多个气体供应导管140由箭头示意性地指示。典型地，气体供应导管包括设置在载体主体的基板支撑表面中的气体出口开口。
在本公开中，“气垫”可以理解为充满气体的体积，特别是具有恒定压力的气体。特定而言，在本文所述的实施例中，充满气体的体积，即气垫，被提供在基板10的背侧10B和基板支撑表面111之间，其中基板的背侧经由本文所述的密封件120密封在基板支撑表面上。
根据可与本文描述的任何其他实施例组合的实施例，基板固定装置130可包括多个夹具。如图2示例性所示，基板固定装置130，特别是多个夹具，可以分布在载体的边缘上方，并被配置为将基板10的边缘压到密封件120上。需要理解的是，典型地，基板固定装置130，特别是多个夹具与载体主体110连接。
根据可以与本文描述的任何其他实施例组合的实施例，密封件120由柔性材料制成。特定而言，密封件120可以由柔性聚合物材料制成。因此，当基板的边缘被基板固定装置130压到密封件120上时，可以提供气密密封。
根据可与本文所述的任何其他实施例组合的实施例，载体包括连接到一个或多个气体供应导管140以提供气垫的气体供应150，如图3示意性所示。例如，气体供应可以包括气罐，如本文所述，气罐可以是沉积系统的一部分。气体供应150可以被配置为提供高达1bar的气垫压力p，特别是气垫压力p可以是1Pa≤p≤1bar，特别是5Pa≤p≤1bar。根据一示例，气垫压力p可以是1Pa≤p≤50Pa，特别是1Pa≤p≤20Pa。此外，气体供应可以被配置为供应惰性气体，例如氩、氦或其他惰性气体。
根据可与本文所述的任何其他实施例组合的实施例，如图1示意性所示，弯曲基板支撑表面111是凸形的，以保持凸形基板。凸形基板支撑表面可以有益地提供凸形基板与凸形基板支撑表面的良好自对准。术语“自对准”可以理解为，由于在基板的弯曲或曲弯状态下的基板张力，因此基板基本上平行于基板保持表面对准。
或者，弯曲基板支撑表面111可以是凹形的，以保持凹形基板，如图4示例性所示，与现有技术相比，所述凹形基板也可以提供改进的基板自对准。此外，与凸形基板支撑表面相比，凹形基板支撑表面可以有利于降低基板剥离的风险。另外，与凸形基板支撑表面相比，基板固定装置，特别是将基板压到密封件上可以更简单。换句话说，在凹形配置中，与凸形配置相比，用于在基板和密封件之间提供气密密封的压缩力可以更小。
示例性地参考图4，根据可与本文所述的任何其他实施例组合的实施例，载体100可以包括用于冷却载体主体110的冷却系统190。尽管图4中所示的冷却系统190系统与凹形配置组合在一起，但是需要理解的是，可以在本文所述的任何实施例中提供冷却系统190。例如，冷却系统190可以包括用于提供冷却剂的冷却剂供应。例如，冷却系统190可以是闭环冷却系统，特别是闭环制冷系统。通常，冷却系统包括用于冷却剂的管道。管道可以嵌入到载体主体内。另外或替代地，管道可以提供在载体主体的背侧上。冷却剂可理解为冷却流体，特别是不可压缩的冷却流体，能够提供基板的冷却，使基板温度达到摄氏100度或以下，特别是摄氏80度或以下。因此，根据可与本文所述的任何其他实施例组合的实施例，载体主体可以是冷却的载体，例如油冷或水冷的载体主体。
示例性地参考图5，根据可与本文所述的任何其他实施例组合的实施例，载体进一步包括用于通过静电力保持基板的静电卡盘160。特定而言，静电卡盘160可以包括具有多个电极161的电极组件，用于向基板提供静电力。通常，电极组件嵌入载体主体110中。因此，需要理解的是，电极组件可以提供静电场以作用于基板用于保持基板。
根据可与本文所述的其他实施例组合的一些实施例，静电卡盘160可包括一个或多个电压源(未明确示出)，其被配置为对多个电极161施加一个或多个电压。在一些实施中，一个或多个电压源被配置为将多个电极中的至少一些电极接地。例如，一个或多个电压源可以被配置为施加具有第一极性的第一电压、具有第二极性的第二电压和/或接地到多个电极。根据一些实施例，多个电极的每个电极、每个第二电极、每个第三电极或每个第四电极可连接到单独的电压源。术语“极性”指的是电极性，即负极性(-)和正极性(+)。例如，第一极性可以是负极性，而第二极性可以是正极性，或者第一极性可以是正极性，而第二极性可以是负极性。根据可与本文所述的其他实施例组合的一些实施例，基板支撑件的静电卡盘160可以是单极或双极静电卡盘。
示例性地参考的图5，根据可与本文所述的其他实施例组合的一些实施例，可提供控制器170，所述控制器170可被配置为控制一个或多个电压源，以将一个或多个电压和/或接地施加到多个电极161。控制器170可被配置为调节静电卡盘，即控制器可被配置为控制静电卡盘。虽然没有明确图示，但是可以理解的是，控制器170可以被配置为调节气体供应150。控制器170可以分为单独的控制器，即静电卡盘的控制器和气体供应的独立控制器。需要理解的是，在没有提供静电卡盘的情况下，可仅提供用于控制气体供应的控制器。
通常，本文描述的控制器包括中央处理单元(central processing unit；CPU)、存储器和例如支持电路。CPU可以是任何形式的通用计算机处理器之一，其可以在工业环境中用于控制各种腔室和子处理器。存储器耦接到CPU。存储器或计算机可读介质可以是一种或多种现成的存储设备，如随机存取存储器、只读存储器、硬盘或任何其他形式的本地或远程数字存储。支持电路可耦接到CPU用于以传统的方式支持处理器。支持电路通常包括高速缓存、电源、时钟电路、输入/输出电路系统和相关子系统等。控制指令一般作为通常称为配方的软件例程存储在存储器中。软件例程也可以被第二CPU存储和/或执行，所述第二CPU的位置远离由所述CPU控制的硬件。
示例性地参考图6，根据可与本文所述的任何其他实施例组合的实施例，弯曲基板支撑表面111包括用于附接基板10的背侧10B的干式粘合剂材料的多个长丝180。仅为了说明的目的，一些长丝用参考数字标记。通常，多个长丝180附接到弯曲基板支撑表面111，并远离弯曲基板支撑表面111延伸。因此，需要理解的是，通常多个长丝180具有自由端以如本文所述附接基板。更特定而言，多个长丝的自由端通常被配置为通过范德华力粘附到基板上。因此，需要理解的是，多个长丝180可以提供粘合剂布置，其提供所述粘合剂布置的可渗透或多孔构造。换句话说，可以将粘合剂布置的结构配置为多孔或海绵状，以使气体能够到达基板10的背侧10B。
根据一示例，干式粘合剂材料可以是合成刚毛材料。特定而言，干式粘合剂材料可以是Gecko粘合剂。典型地，干式粘合剂材料被配置用于通过范德华力提供粘合力。例如，长丝可以是纳米管或碳纳米管。
示例性地参考图7，描述根据本公开的用于在弯曲状态的基板10上沉积层的设备200。根据可与本文所述的任何其他实施例组合的实施例，设备200包括真空沉积腔室210、沉积源220的布置和根据本文所述的任何实施例的载体100。特定而言，在真空沉积腔室210内布置有沉积源220的布置和用于保持基板10的载体100。
在本公开中，术语“真空”可理解为真空压力小于，例如10毫巴(mbar)的技术真空。典型地，本文所述的真空腔室中的压力可以介于10-5mbar和约10-8mbar之间，更典型地介于10-5mbar和10-7mbar之间，甚至更典型地介于约10-6mbar和约10-7mbar之间。
在本公开中，“沉积源的布置”可以理解为多个沉积源的布置。沉积源的布置中的单独沉积源可以具有相同或不同的配置。
在本公开中，“沉积源”可理解为被配置用于材料沉积的源，特别是通过使用溅射沉积工艺，特别是磁控溅射工艺。通常，沉积源是垂直沉积源，即具有在基本上垂直方向延伸的纵向主轴。需要理解的是，为了在基板上沉积层，具有基板的载体可以在沉积期间不断移动经过沉积源(“动态涂覆”)。或者，具有基板的载体可以在层沉积期间基本上停留在恒定位置(“静态涂覆”)。此外，基板扫描或基板摆动也可以是可能的。本公开中描述的实施例关于动态涂覆和静态涂覆工艺。对于移动载体的示例，可以使用运输系统，特别是包括磁悬浮系统。通常，磁悬浮系统被配置为在没有机械接触或减少的机械接触的情况下使载体悬浮或保持载体。此外，磁悬浮系统可以配置为通过磁力来移动载体。
根据可与本文所述的其他实施例组合的本文所述的一些实施例，可根据沉积工艺和经涂覆基板的后续应用来选择沉积源的沉积材料。例如，沉积材料可以是选自由以下各项组成的组中的材料：金属，如铝、钼、钛、铜或类似物，硅，氧化铟锡和其他透明导电氧化物。可以通过提供来自材料沉积源的材料或通过反应沉积来沉积可以包括这些材料的氧化物层、氮化物层或碳化物层，即来自材料沉积源的材料可以与来自处理气体的如氧、氮化物或碳等元素反应。
根据可与本文所述的任何其他实施例组合的一些实施例，沉积源220的布置遵循基板的曲率，如图8示例性所示。换句话说，沉积源220可以相对于基板的前表面10F基本上平行。
示例性地参考图7所示的框图，描述了根据本公开的用于支撑弯曲状态的基板的方法300。根据可与本文所述的任何其他实施例组合的实施例，方法300包括提供(由框310表示)根据本文所述的任何实施例的用于支撑基板10的载体100。此外，所述方法包括在基板10的背侧10B和弯曲基板支撑表面111之间提供(由框320表示)气垫。通常，提供气垫包括通过使用气体供应150经由一个或多个气体供应导管140引入气体。特别地，气垫处于1Pa≤p≤20Pa的压力p下。
鉴于本文所描述的实施例，可以理解的是，与现有技术相比，提供了用于基板的改进的载体、设备和方法。特别地，通过提供被配置成将基板保持在弯曲或曲弯状态的载体，可以由于弯曲或曲弯状态引起的基板中的机械张力从而提高基板的保持稳定性。此外，本文描述的实施例有益地提供了从基板到载体的改进的热导性能，从而可以提高基板的冷却效率。此外，需要注意的是，本文描述的实施例特别有利于减少可能的基板损坏。此外，可以改进基板相对于基座，即载体的对准，从而改进整体的层沉积质量。
虽然上述内容针对的是本公开的实施例，但可以在不偏离其基本范围的情况下设计本公开的其他和进一步实施例，其范围由所附权利要求书决定。

Claims (16)

1.一种用于将基板(10)保持在弯曲状态的载体(100)，包括：
具有弯曲基板支撑表面(111)的载体主体(110)，
用于在所述基板(10)的边缘和所述载体主体(110)之间提供密封的密封件(120)，以及
用于将所述基板(10)的所述边缘压到所述密封件(120)上的基板固定装置(130)，其中所述载体主体包括一个或多个气体供应导管(140)，以在所述基板(10)的背侧(10B)和所述弯曲基板支撑表面(111)之间提供气垫。
2.根据权利要求1所述的载体(100)，其中所述基板固定装置(130)包括多个夹具。
3.根据权利要求1或2所述的载体(100)，其中所述密封件(120)是由柔性材料制成，特别是柔性聚合物材料。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的载体(100)，进一步包括连接到所述一个或多个气体供应导管以建立所述气垫的气体供应(150)。
5.根据权利要求4所述的载体(100)，其中所述气体供应(150)被配置为提供1Pa≤p≤20Pa的气垫压力p。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的载体(100)，其中所述弯曲基板支撑表面(111)是凸形的，用于保持凸形状态的所述基板(10)。
7.根据权利要求1至5中的任一项所述的载体(100)，其中所述弯曲基板支撑表面(111)是凹形的，用于保持凹形状态的所述基板(10)。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的载体(100)，进一步包括用于冷却所述载体主体(110)的冷却系统(190)。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的载体(100)，进一步包括静电卡盘(160)，用于经由静电力保持所述基板(10)。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的载体(100)，其中所述弯曲基板支撑表面(111)包括用于附接所述基板(10)的背侧(10B)的干式粘合剂材料的多个长丝，所述多个长丝远离所述弯曲基板支撑表面(111)延伸。
11.根据权利要求10所述的载体(100)，其中所述干式粘合剂材料是合成刚毛材料，特别是Gecko粘合剂。
12.一种用于在弯曲状态的基板(10)上沉积层的设备(200)，包括：
真空沉积腔室(210)，
沉积源(220)的布置，以及
根据权利要求1至11中的任一项所述的用于将所述基板(10)保持在弯曲状态的载体(100)。
13.根据权利要求12所述的设备(200)，其中沉积源(220)的所述布置遵循所述基板(10)的曲率。
14.一种用于在真空沉积腔室(210)中支撑弯曲状态的基板(10)的方法(300)，所述方法包括：
提供(310)根据权利要求1至11中的任一项所述的用于将所述基板(10)保持在所述弯曲状态的载体(100)，及
在所述基板(10)的背侧(10B)和所述弯曲基板支撑表面(111)之间提供(320)气垫。
15.根据权利要求14所述的方法，其中提供所述气垫包括：通过使用气体供应(150)经由一个或多个气体供应导管引入气体。
16.根据权利要求14或15所述的方法，其中所述气垫以1Pa≤p≤20Pa的压力p提供。
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