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CN118872383A - 等离子处理装置以及等离子处理装置的样品台的制造方法 - Google Patents

等离子处理装置以及等离子处理装置的样品台的制造方法 Download PDF

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CN118872383A
CN118872383A CN202380013630.XA CN202380013630A CN118872383A CN 118872383 A CN118872383 A CN 118872383A CN 202380013630 A CN202380013630 A CN 202380013630A CN 118872383 A CN118872383 A CN 118872383A
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CN
China
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substrate
plasma processing
wafer
arc
sample stage
Prior art date
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Application number
CN202380013630.XA
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中谷信太郎
一野贵雅
魏嘉兴
田中优贵
兵藤友昭
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Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
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Publication date
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Abstract

为了使等离子处理装置的处理的效率提升，具备：金属制的基材，其配置于等离子处理装置的样品台的内部，具有圆筒形或圆板形；电介质膜，其配置于该基材的上表面，含有电介质材料，构成载置晶片的载置面；膜状的加热器，其配置于该电介质膜的内部；冷媒流路，其在所述基材的内部绕着该基材的中心同心状或螺旋状多重配置，在内部流通冷媒；和至少1个圆弧状的空间，其在该冷媒流路与所述加热器之间的所述基材的内部绕着所述中心多重配置，内部被减少为给定的真空度并被密封，多重配置的所述圆弧状的空间彼此之间的所述基材的部分的区域在从上方观察时，配置为投影到相邻的2个所述冷媒流路彼此之间将它们分隔的所述基材的中间部分的区域而重叠。

Description

等离子处理装置以及等离子处理装置的样品台的制造方法
技术领域
本公开涉及等离子处理装置以及等离子处理装置的样品台的制造方法，特别涉及适合半导体基板等被处理件的加工的等离子处理装置以及等离子处理装置的样品台的制造方法。
背景技术
在半导体制造工序中，有时进行利用了等离子的干式蚀刻。用于进行干式蚀刻的等离子处理装置使用种种方式。
一般，等离子处理装置由真空处理室、与真空处理室连接的气体供给装置、将真空处理室的内部的压力维持在所期望的值的真空排气装置、在其上表面载置被处理件即样品(半导体晶片)的电极(以下称作样品台)、形成并供给用于使真空处理室的内部产生等离子的电场或磁场的等离子形成部等构成。在真空处理室的内部配置有具有气体导入口的簇射板那样的构件，构成为来自气体供给装置的处理气体经由簇射板的多个气体导入口供给到真空处理室的内部。在样品即晶片的表面预先形成包含处理对象的膜层的多层的膜。使用从等离子形成部供给的电场或磁场来激励供给到真空处理室内部的处理气体，使其解离或电离从而等离子化，由此进行在保持于样品台的上表面的晶片的表面形成的处理对象的膜层的蚀刻处理。
在其上表面载置晶片的样品台具有：以静电力将晶片吸附于构成样品台的上表面的载置面的上表面并进行保持的功能；使用在配置于样品台的内部的流路内循环并流通的冷媒、供给到晶片的背面与样品台的上表面之间的传热性的气体等来将晶片的温度调节为适于蚀刻处理的范围内的值的功能；将高频电力供给到样品台内部的电极来形成偏置电位并将等离子中的离子吸引到晶片从而针对上下方向促进蚀刻的功能。作为样品台的调节晶片的温度的功能，考虑在配置于样品台的上表面的使用电介质材料而构成的膜的内部配置膜状的加热器，调节供给到加热器的电流的量来实现所期望的晶片的温度或所期望的晶片的温度的分布，从而进行晶片上的处理对象的膜层的蚀刻处理。在这样的技术(基于加热器的晶片温度的控制技术)中，有能将晶片的温度或晶片的温度的分布比变更配置于样品台的内部的冷媒的温度的情况更高速地进行变更这样的优点。
作为这样的技术的一例，例如已知JP特开2011-258614号公报(专利文献1)公开的技术。在本专利文献1的示例中，示出一种样品台的结构，其中，该样品台具备：配置于样品台的内部的金属制的基材；形成于该基材的内部且使冷媒流通的冷媒流路；配置于基材上表面且通过热喷涂形成的电介质的膜；配置于该电介质制的膜内部的膜状的加热器；配置于电介质膜上的粘接层；和通过该粘接层而连接在电介质膜上的陶瓷等电介质材料制的烧结板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2011-258614号公报
发明内容
发明要解决的课题
但上述的专利文献1技术由于针对如下点考虑不充分，因此产生问题。
即，在专利文献1中，在样品台的上表面，是在内侧包含金属和膜状的加热器的电介质制的膜将金属制的基材的上表面整体被覆的结构。在该结构中，在电介质制的膜内部的加热器与基材内部的冷媒流路之间易于逸散来自加热器的热。因此，也成为以下的结构：在使晶片温度或样品台温度降低的情况下能将加热器产生的热量迅速传递到基材内部从而能与流过冷媒流路的冷媒之间进行热交换。
另一方面，在要使晶片的温度上升到所期望的值或保持在所期望的值的情况下，加热器需要进行包括传递到基材的热量在内的大的量的发热。因此，在使样品台或晶片的温度增大而对晶片进行处理后不需要将温度急速降低的情况下，加热器的消耗电力会变大。此外，由于伴随通过加热器实现的晶片的温度变大(变高)，传递到对使晶片的温度上升并进行保持没有贡献的基材的热量也变大，因此，需要超出需要以上的大的容量的加热器用电源。
如此地，在专利文献1的技术中，并未考虑如下问题：由于用于驱动使样品台或晶片的温度增加的加热器的消耗电力大，因此，等离子处理装置的运转成本高。
本公开的目的在于，鉴于以上的课题而提出，提供能以高的效率进行利用样品台的内部的加热器的晶片温度的上升或温度的保持、能抑制消耗电力的增大的技术(等离子处理装置或等离子处理装置的样品台的制造方法)。
用于解决课题的手段
根据一实施方式，提供以下的技术。
一种等离子处理装置，具有配置于真空容器内部的处理室内且在上表面载置处理对象的晶片的样品台，在所述处理室内形成等离子来对所述晶片进行处理，所述等离子处理装置具备：基材，其配置于所述样品台的内部，具有圆筒形或圆板形，为金属制；电介质膜，其配置于该基材的上表面，含有电介质材料，构成载置所述晶片的载置面；加热器，其配置于该电介质膜的内部，为膜状；冷媒流路，其在所述基材的内部绕着该基材的中心同心状或螺旋状多重配置，在内部流通冷媒；和至少1个圆弧状的空间，其在该冷媒流路与所述加热器之间的所述基材内部绕着所述中心多重配置，内部被减少为给定的真空度并被密封，多重配置的所述圆弧状的空间彼此之间的所述基材的部分的区域在从上方观察时，投影到在相邻的2个所述冷媒流路彼此之间将它们分隔的所述基材的中间部分的区域而重叠。
发明的效果
若简单说明通过本申请中的公开当中的代表性的公开得到的效果，则如以下那样。
即，能以高的效率进行利用样品台的内部的加热器的晶片温度的上升或温度的保持，能抑制消耗电力的增大。由此，能使等离子处理装置的处理的效率提升。
附图说明
图1是示意表示本公开的实施例所涉及的等离子处理装置的结构的概略的截面图。
图2是放大表示图1所示的实施例的样品台的结构的概略的纵截面图。
图3是说明图2所示的实施例的真空隔热空间和冷媒流路的概略的俯视图。
图4是表示图3所示的实施例的变形例所涉及的样品台的真空隔热空间的结构的概略的俯视图。
图5是表示图3所示的实施例的其他变形例所涉及的样品台的真空隔热空间的结构的概略的俯视图。
图6A是说明具备将图4、图5所示的变形例所涉及的样品台内部的相邻的真空隔热空间彼此连通的狭缝部的架桥部的第1结构例的概略的立体图。
图6B是说明具备将图4、图5所示的变形例所涉及的样品台内部的相邻的真空隔热空间彼此连通的狭缝部的架桥部的第2结构例的概略的立体图。
具体实施方式
以下，若说明所公开的实施方式当中代表性的实施方式的概要，则如下那样。
一实施方式中的等离子处理装置具备：真空容器，其在内部具备形成等离子的处理室；样品台，其配置于上述处理室内的下部，具备在其上载置处理对象的半导体晶片的载置面；电磁场形成部，其为了使用供给到处理室内的气体在处理室内形成等离子而形成电场或磁场，并将其传递到处理室。
样品台还具备：烧结体，其是构成载置面的圆板形状的烧结体，在内部配置有通过静电将处理对象的样品即半导体晶片吸附并保持于烧结体上的静电吸附用电极；电介质膜，其配置于烧结体的下方，含有电介质材料；加热器，其在电介质膜的内部形成为膜状，在内部被供给直流电力或交流电力；基材，其通过电介质膜被覆其上表面，为金属制的；和冷媒流路，其在基材的内部针对其中心同心状或螺旋状多重配置，在内部循环地流通冷媒。进而，在基材的内部具有真空隔热空间，该真空隔热空间位于加热器与冷媒流路之间，是相对于基材的中心同心状或螺旋状多重配置的空间，内部被设为给定的真空度的真空压，被从包括处理室在内的外部气密封闭地区划。将2个构件彼此在减压成给定的真空度或与其近似的真空度的环境内接合，将由凹陷部或槽部形成的上述空间与构件外部的空间气密封闭，由此来形成这样的真空隔热空间，其中，该2个构件是上下接合来构成基材的至少一部分的上下的2个构件，在接合至少一方的构件的面具备同心状或螺旋状配置的凹部或槽部。
为了在上述上方或下方的构件被接合而构成基材的状态下提高基材的强度，在凹部或槽部彼此之间将它们分隔的壁部的前端的面构成与另一方的构件的接合面对置并与其接合的环状的面。将具有与另一方的构件接合的该前端的面并将相邻的真空隔热空间彼此之间分隔的壁部称作架桥部211。进而，在从上方观察样品台的情况下，架桥部211前端的环状的接合面的投影区域与基材内部的多重配置的相邻的冷媒流路彼此的金属制的基材的构件重叠配置。即，架桥部211在相邻的冷媒流路的基材的构件的上方与下方的构件接合。
冷媒流路可以配置于下方的构件的内部，也可以配置于在比下方的构件进一步下方与其连接来构成基材的其他构件的内部。
通过上述的结构，加热器中形成的热经由将基材内部的多重配置的各真空隔热空间分隔的架桥部211，并经由架桥部211所接合的下方的构件在与在基材内部的冷媒流路中循环的冷媒之间进行传递，产生热交换。由于在加热器与冷媒流路之间设置有真空隔热空间，因此，热传递的路径的长度变长，路径的截面积也小。因此，减小了所传递的热的量从而减少了传递到冷媒流路的冷媒的加热器的热的量，能抑制为了实现相同晶片温度所需的加热器用的电力的增大。
由此，能通过样品台内部的加热器以高的效率进行晶片或样品台的温度的上升或温度的维持。进而，能减小进行蚀刻处理的等离子处理装置的运转成本。
以下，使用附图来说明本公开的实施方式。
【实施例1】
以下，使用图1、图2以及图3来说明本公开的实施例。图1是示意表示本公开的实施例所涉及的等离子处理装置的结构的概略的截面图。图2是放大表示图1所示的实施例的晶片载置用电极120的结构的概略的纵截面图。图3是说明图2所示的实施例的真空隔热空间205和冷媒流路152的概略的俯视图。
使用图1来说明本公开的实施例所涉及的等离子处理装置的结构例。特别是，图1所示的等离子处理装置表示利用了等离子的蚀刻处理装置。蚀刻处理装置使用微波的电场作为用于形成等离子的电场，使用微波的电场和磁场来在处理室内产生ECR(ElectronCyclotron Resonance，电子回旋共振)，从而形成等离子，使用等离子来对预先形成于半导体晶片等基板状的样品的上表面的多个膜层中所含的处理对象的膜层以该多个膜层中所含的掩模层为掩模进行蚀刻处理。
图1所示的等离子处理装置100具有真空容器101，其中，该真空容器101在内部具备形成等离子的处理室104。处理室104至少一部分具有圆筒形状。真空容器101包围处理室104的外周而设，真空容器101的上部具有圆筒形状。在真空容器101的圆筒形的上部的侧壁的上方设有具有圆板形状的石英等电介质制的窗构件103。窗构件103使窗构件103的外周缘部的背面在真空容器101的侧壁的上端的上方，作为盖构件而被载置，构成真空容器101的一部分。窗构件103的周缘部的背面在窗构件103载置于圆筒形的真空容器101的侧壁的上端的上方的状态下，在与圆筒形的侧壁的上端之间夹着O环等密封构件而配置。由此，若真空容器101内部的处理室104内被排气而减压，则通过将窗构件103按在真空容器101而密封构件变形，将真空容器101或处理室104的内部与真空容器101或处理室104的外部之间气密地区划。
在真空容器101的下部配置有与处理室104的下部的空间面对并具有圆形的开口的真空排气110，真空排气110与配置于真空容器101的下方而连接的真空排气装置(图示省略)连通。在真空容器101的上部的窗构件103的下表面的下方具备具有圆板状的石英等电介质制的簇射板102。簇射板102与处理室104面对而设，构成处理室104的圆形的顶板面。在簇射板102的中央部具有贯通簇射板102而配置的多个气体导入孔102a，来自气体供给装置(图示省略)的作为处理气体的蚀刻处理用的气体经过气体导入孔102a而从上方导入处理室104。与气体供给装置连接的气体供给管或气体配管(图示省略)例如能设于窗构件103与簇射板102之间的真空容器101的侧壁。
在真空容器101的上部的上方侧的部位配置有形成用于在处理室104的内部生成等离子116的电场以及磁场的电场以及磁场形成部(以下称作电场/磁场形成部)160。电场/磁场形成部160包含以下的结构而装在等离子蚀刻装置100中。
即，电场/磁场形成部160具有波导管105和圆筒形部分1051。波导管105配置于窗构件103的上方，且在内部传播为了生成等离子116而导入处理室104内的给定的频率的高频带的电场。圆筒形部分1051配置于波导管105的下端部与窗构件103之间，具有与窗构件103相同的直径或稍大的直径。圆筒形部分1051的圆形的顶板在窗构件103的上表面的中央部的上方与比窗构件103直径小的波导管105的下端部连接。波导管105的下端部被设为圆形波导管1052，圆形波导管1052的水平方向的截面具有圆形形状。圆筒形部分1051的内部的空间成为产生在波导管105的内部传播来的高频带的电场的特定的模式的圆筒形的空腔。
波导管105具备在水平方向上有轴且截面具有矩形的方形波导管(矩形波导管)1053，方形波导管1053的一端与在上下方向上有轴的圆形波导管1052的上端部连接，在方形波导管1053的另一方的端部具备发送并形成在波导管105的内部传输的高频的电场的电场产生用电源106。电场产生用电源106所振荡的电场的给定的频率并没有特别限定，但在本实施方式中使用2.45GHz的微波。
在处理室104的窗构件103的上方的波导管105的圆形波导管1052以及圆筒形的空腔、和真空容器101的圆筒形的侧壁的外周侧的周围，包围它们地在上下方向上多个阶梯状地配置产生磁场的线圈107。线圈107是由被供给直流电流而形成磁场的电磁铁以及磁轭构成的螺线管线圈。
在上述的结构中，将经由与未图示的气体源连接的气体供给装置而被调节了流量、速度的稀释用的气体以及处理用的气体经过与真空容器101连接的未图示的气体供给管路而供给到窗构件103与簇射板102之间的空间，在运送来处理对象的晶片并被密封的处理室104内，从气体导入孔102a对处理室104内导入处理用的气体。此外，处理室104通过真空排气装置的动作而从真空排气口110将处理室104的内部的气体排气，从而减压。处理室104的内部的压力通过来自气体导入孔102a的气体量与所排气的气体量的平衡而被调节为给定的范围的压力。
由电场产生用电源106振荡的微波的电场在波导管105的内部传播，透过窗构件103以及簇射板102，从上方起向下地供给到处理室104。进而，将通过供给到线圈107的直流电流而产生的磁场供给到处理室104内，与微波的电场产生相互作用，产生ECR(ElectronCyclotron Resonance，电子回旋共振)。通过ECR激励处理用的气体的原子或分子，进行解离或电离，来在处理室104内产生等离子116。
在形成等离子116的空间的下方的处理室104的下部配置有构成样品台的晶片载置用电极(第1电极)120。晶片载置用电极120具备基材108的其上部的中央部与外周侧相比而上表面更高的圆筒形的突起(凸状)部分，在凸状部的上表面具备载置样品(处理对象)即半导体晶片(以后也仅称作晶片)109的载置面120a(参考图2)。载置面120a配置成与簇射板102或窗构件103对置。
如图2所示那样，构成晶片载置用电极120的上部的基材108的凸部的上表面120b被电介质膜140被覆，电介质层140的上表面构成载置面120a。电介质层140由多个层以及构成这些的多个材料构成，在特定的层的内部配置有经由图1所示的高频滤波器125与直流电源126连接的静电吸附用的多个导电体制的膜即导电体膜111。晶片载置用电极120被基座环113保持。接地部位112表示与作为基准电位的接地电位连接的部位。
在此，导电体膜111是膜状的静电吸附用电极。导电体膜111在内部被供给基于静电的半导体晶片吸附用的直流电力，形成隔着覆盖导电体膜111的电介质层140的特定的层的上部使晶片109吸附的静电力。本实施例的导电体膜111是从上方观察而具有圆形形状或近似为可视为圆形形状的程度的形状、相互将距离空开给定的水平方向的距离而配置且绝缘的多个膜。由此，还能按各导电体膜111的每个区域形成不同的静电力，能对应于区域使吸附晶片109的作用的大小不同。
在本实施例中，构成导电体膜111的多个膜状的电极可以是双极型，也可以是单极型。在双极型的情况下，对多个膜状的电极的一方和另一方赋予不同的极性。在单极型的情况下，对多个膜状的电极的一方和另一方赋予相同极性。在图1中，仅公开单一的导电体膜111，但本实施例在电介质层140的特定的层的内部配置有各自被赋予不同极性的多个导电体膜111，作为双极型的静电吸附电极。
如图1所示那样，配置于晶片载置用电极120的内部的金属等导电体制的具有圆形、圆板形或圆筒形状的基材108经由高频电源124和匹配器129并经过包含同轴电缆等布线的供电路径而连接。高频电源(第1高频电源)124和匹配器129配置在比高频滤波器125与导电体膜111之间的距离更近的部位。进而，高频电源124在接地部位112与作为基准电位的接地电位连接。
在本实施例中，在晶片109的处理中，将来自高频电源124的给定的频率的高频电力供给到基材108，在吸附并保持于晶片载置用电极120的电介质层140的上表面上的晶片109的上方形成具有与等离子116的电位的差所相应的分布的偏置电位。换言之，样品台具有晶片载置用电极120，该晶片载置用电极120在正形成等离子116的期间从高频电源124供给高频电力。
此外，如后述那样，在构成晶片载置用电极120的电介质层140的其他层的内部配置有调节载置面120a的表面的温度或晶片109的温度的多个膜状的加热器201。在本实施例中，该其他层成为在配置有导电体膜111的特定的层的下方配置的层。在该加热器201电连接供给电力的加热器电极用直流电源127。加热器电极用直流电源127在接地部位112与作为基准电位的接地电位连接。
进而，为了使晶片载置用电极120成为适于处理的范围的温度，在基材108的内部配置冷媒流路152。冷媒流路152绕着基材108或晶片载置用电极120的上下方向的中心轴而螺旋状或同心状地多重配置，在冷媒流路152的内部流通温度被调节为给定的范围的冷媒。通过传递到基材108的热在与冷媒之间进行所谓热交换，传递到基材108的加热器201的热通过冷媒被取出到晶片载置用电极120的外部，基材108的内部的热减少。
冷媒流路152向晶片载置用电极120的入口以及出口与在设置有等离子处理装置100的建筑物的地板面的下方配置的未图示的具备冷冻循环的温度调节器(温度调节器203：参考图2)和管路300(参考图2)连接，冷媒在温度调节器与晶片载置用电极120的冷媒流路152之间循环地进行流通。经过冷媒流路152通过热交换而温度变化的冷媒经由管路流入温度调节器，在通过与冷冻循环之间的热交换而冷却到给定的范围内的温度后，供给到基材108的内部的冷媒流路152进行循环。
在本实施例中，电场/磁场形成部160的电场产生用电源106、线圈107、高频电源124、高频滤波器125、直流电源126、匹配器129、或加热器电极用直流电源127、调节冷媒温度的温度调节器、进而后述的真空排气装置、调节气体供给量的质量流量控制器等调节等离子处理装置100的动作的装置各自具备探测输出、流量、压力等动作的状态的探测器，并且与控制器170经由有线或无线能通信地连接。若将从这些装置的各自中所具备的探测器输出的表示该动作的状态的信号传递到控制器170，控制器170的运算器就读出并执行存储于控制器170的内部的存储装置的软件。控制器170的运算器基于通过软件记述的算法来从接收到的探测器的信号检测该状态的量，算出用于将其调节为合适的值的指令信号，并发送给电场/磁场调节系统或压力调节系统等。接收到指令信号的电场/磁场调节系统或压力调节系统等中所含的装置对应于指令信号来调节动作。
虽未图示，但在这样的等离子装置100中，在真空容器101的侧壁连结有作为其他真空容器的真空运送容器的内部的真空运送室。真空运送室减压至与处理室104同样的压力，在真空运送室的内部配置有晶片运送用的机器人。设置有作为将真空运送室与处理室104之间连通的通路的闸门即配置于真空运送室内的闸阀。将处理前的晶片109载置于机器人的臂前端上。关于载置于臂前端上的处理前的晶片109，若闸阀开放，就通过臂的伸长在经过闸门内载置于臂前端上的状态下，运入处理室104的内部。进而，被运送至处理室104的内部的晶片载置用电极120的载置面120a的上方的晶片109通过顶升销的上下的移动而被移交到顶升销上。将处理前的晶片109进一步载置于载置面120a上后，利用通过从直流电源126施加的直流电力而形成的静电力来吸附并保持于晶片载置用电极120的载置面120a。
在通过臂的收缩而运送用机器人从处理室104退出到真空运送室的内部后，闸阀将闸门与真空运送室气密地闭塞，将处理室104的内部密闭。在该状态下，将蚀刻处理用的气体经过由将气体源与真空容器101之间连接的气体配管构成的气体供给用的管路供给到处理室104内。在气体配管的路径上配置有：在内部流过气体的流路；和具有配置于流路上的阀的作为流路调节器的质量流量控制器(图示省略)。质量流量控制器使流路的截面积增减或开闭来将流量调节为所期望的范围内的值。由此，其流量或速度被调节过的气体被从设于与气体配管的端部连接的真空容器101的侧壁的流路导入窗构件103与石英制的簇射板102之间的间隙的空间。导入的气体在该空间内扩散后，经过簇射板102的气体导入孔102a而导入处理室104。
处理室104的内部通过与真空排气口110连结的真空排气装置的动作而经由真空排气口110将内部的气体、粒子排气。对应于来自簇射板102的气体导入孔102a的气体的供给量与来自真空排气口110的排气量的平衡，来将处理室104内调整为适于晶片109的处理的范围内的给定的值。
此外，在正吸附保持晶片109的期间，对晶片109与晶片载置用电极120的载置面120a即电介质膜140的上表面之间的间隙从电介质膜140的上表面的未图示的开口供给He(氦)等具有热传递性的气体。由此，促进晶片109与晶片载置用电极120之间的热传递。另外，通过被调节为给定的范围内的温度的冷媒在配置于晶片载置用电极120的电极基材(也有时仅称作基材)108内的冷媒流路152内流通并循环，晶片载置用电极120或电极基材108的温度在载置晶片109前被预先调节。因此，通过在与热容量大的晶片载置用电极120或电极基材108之间进行热传递，来在处理前将晶片109的温度调节成接近于这些温度。此外，在处理的开始后，也将来自晶片109的热传递到晶片载置用电极120或电极基材108，来调节晶片109的温度。
在该状态下对处理室104的内部供给微波的电场和磁场，使用气体来生成等离子116。若形成等离子116，就对电极基材108从高频电源124供给高频(RF)电力，在晶片109的上表面的上方形成偏置电位，对应于与等离子116的电位之间的电位差来将等离子116内的离子等带电粒子吸引到晶片109的上表面。进而，带电粒子与包含预先配置于晶片109的上表面的掩模以及处理对象的膜层的膜构造中的从掩模露出的处理对象的膜层的表面碰撞，来进行处理对象的膜层的表面的蚀刻处理。在蚀刻处理中，将导入处理室104内的处理用的气体、处理中产生的反应生成物的粒子从真空排气口110排气。
若处理对象的膜层的蚀刻处理进展，从而由未图示的终点检测器/膜厚度检测器检测到处理对象的膜层的蚀刻量达到给定的蚀刻量，或者检测到处理对象的膜层的膜厚达到剩余膜厚度，就停止来自高频电源124的高频电力的供给，停止向电场产生用电源106以及线圈107的电力的供给，将等离子116熄灭，停止蚀刻处理。之后，对用于使晶片109吸附的导电体膜111从直流电源126供给电力，以使得成为与处理中相反的电位，来实施静电吸附力的除电处理。之后，在处理室104的内部导入稀有气体，来将处理室104的内部的处理用的气体与稀有气体置换。
然后，将晶片109从晶片载置用电极120的载置面120a通过顶升销抬高后，将闸阀开放，对经过闸门而进入处理室104内的运送用机器人的臂前端移交晶片109。晶片109通过臂的收缩被运出到处理室104的外部，并运入真空运送室的内部。在有要处理的其他晶片109的情况下，将其他晶片109通过运送用机器人运入，与上述同样地进行处理。在没有其他晶片109的情况下，闸阀气密地将闸门闭塞，将处理室104密封，结束处理室104中的处理。
如图2所示那样，本实施例的晶片载置用电极120具备基材108和电介质层140而构成。基材108设为圆板形状，含有铝(Al)或钛(Ti)等金属或其合金。电介质层140与基材108的上表面120b接合而配置，构成为上下地包含在内部配置有多个膜状的加热器201和多个静电吸附用电极202的Al2O3等电介质材料的多个层。在电介质层140中形成于内部的导电体膜111包含多个膜状的加热器201和多个静电吸附用电极202。
在基材108的内部，将在内部流过冷媒的冷媒通路即冷媒流路152绕着基材108的上下方向的中心轴同心圆状或螺旋状配置。冷媒流路152使导入冷媒的入口以及排出冷媒的出口与真空容器101的外部的温度调节器203通过管路300而连结。温度调节器203对应于来自控制器170的指令信号来调节经过冷媒流路152而循环的冷媒的流量(速度)、冷媒的温度。
将构成基材108的具有圆板形或圆筒形的金属制的中间构件208和下部构件209在接合面204通过例如硬钎焊(brazing)、扩散接合(Diffusion welding)等接合手法进行接合，来构成本实施例的冷媒流路152。在图2所示的实施例中，冷媒流路152相对于上下方向的中心轴同心状301或螺旋状302多重形成从下部构件209的上表面向下方凹下的凹陷(凹坑)或槽。在下部构件209的上表面与中间构件208接合的状态下，凹陷或槽的上端部被中间构件208的底面覆盖而当作盖，将相邻的凹陷或槽彼此之间分隔而构成其侧壁的金属制的部分(中间部分)的上端面与中间构件208气密地接合，由此来构成上述同心状或螺旋状的多重的冷媒流路152的形状。
进而，在中间构件208的上方的基材108的内部，为了抑制加热器201与冷媒流路152之间的热的传递，具有微小的上下方向的高度的真空隔热空间(真空隔热层)205绕着基材108的上下方向的中心轴同心圆状301配置。通过在接合面206利用例如硬钎焊、扩散接合等接合手法将上部构件207和中间构件208接合，由此来形成真空隔热空间205。在本实施例中，上部构件207与中间构件208的接合例如在未图示的接合处理容器的内侧被减压成给定的真空度的真空环境中进行，真空隔热空间205的微小的间隙的内部形成为维持接近于该真空度的压力的、被密封而密闭的空间。
换言之，在等离子处理装置的样品台的制造方法中，将在进行接合而构成基材108的上方构件207以及下方构件(在该示例中与中间构件208对应)的至少一方的构件预先形成的凹陷部和另一方的构件在近似于给定的真空度的接合处理容器的空间内进行接合，由此形成构成真空隔热空间205的圆弧状的空间。真空隔热空间205也可以螺旋状302形成。
真空隔热空间205通过与处理室104连通，也能得到与处理室104同等的真空度的压力。在该情况下，等离子116的粒子会进入真空隔热空间205的内部，或产生真空隔热空间205的内部的表面的损伤、沉积物的沉积，从而担心真空隔热空间205的热的随时间变化、机械的随时间变化，因此，需要注意。
另一方面，在真空隔热空间205连接与真空容器101不同的管路，在管路配置真空泵、真空计，从而能得到进行排气而减压的压力。在该情况下，由于构成等离子处理装置100的设备增加而成本增大，为了在运转时始终维持合适的压力而需要设备的管理。
在本实施例中，作为制造等离子处理装置100的工序之一，在维持给定的真空压的接合处理容器内部的室内形成基材108或真空隔热空间205，以使得内部的空间密封。由此，减少或抑制了真空隔热空间205的随时间变化、成本的增大。
真空隔热空间205为了担保基材108的强度，在多重形成于构成接合面的上部构件207的底面的相邻的凹陷或槽彼此之间将它们区分而构成凹陷、槽的环状的侧壁的部分的下端面在与中间构件208的上表面之间具有进行接合的接合面，通过该接合而形成的空间的内侧相对于处理室104气密封闭而被密封。将环状配置的真空隔热空间205的各空间彼此之间的接合的部分称作架桥部211。
如图2以及图3所示那样，环状的架桥部211的接合端(以图2的A表示)位于如下下部构件209的部分(中间部分、以图2的B表示)的上方，即，该下部构件209的部分在下部构件209内部圆弧状配置的相邻的冷媒流路152的2个流路彼此之间将它们分隔。即，在从上方观察的情况下，在上部构件207、中间构件208、下部构件209相互接合而构成基材108的状态下，上部构件208的环状的各架桥部211的接合端A的区域与相同环状的相邻的2个冷媒流路152彼此之间的下部构件209的中间部分B的上端的区域重叠地投影。进而，为了提高加热器201与冷媒流路152之间的热阻，构成针对中间构件208的接合面206的真空隔热空间205的环状的架桥部211的接合端A的晶片载置用电极120的径向上的宽度在能将真空隔热空间205气密接合的范围内设为最小的值。
换言之，真空隔热空间205在冷媒流路152与加热器201之间的基材108的内部绕着基材108的上下方向的中心多重配置，其内部具备减少为给定的真空度并密封的至少1个圆弧状的空间。此外，关于真空隔热空间205，多重配置的圆弧状的空间彼此之间的基材108的部分的区域(架桥部211)构成为在从上方观察时，投影到在相邻的2个冷媒流路152彼此之间将2个冷媒流路152分隔的基材108的中间部分的区域(中间部分B)并重叠。此外，真空隔热空间205的多重配置的圆弧状的空间彼此之间的各架桥部211构成为在从上方观察时，配置在投影到将相邻的2个冷媒流路152彼此之间分隔的各个中间部分B而重叠的位置。
另一方面，关于冷媒流路152的相邻的2个流路彼此之间的部分B的晶片载置用电极120的径向上的宽度，谋求流过冷媒流路152的冷媒能在与下部构件209的部分B之间充分热交换，并不需要无用地减小。据此，接合面A的宽度和接合面B的宽度期望设为A(的宽度)≤B(的宽度)。换言之，架桥部211的半径方向的大小(A)设为比冷媒流路152的相邻的2个流路彼此之间的中间部分的半径方向的大小(B)小(A≤B)。
其中，若接合端A的区域的宽度小，则在将上部构件207和中间构件208或下部构件209接合的工序中，在对它们从上下方向施加机械的载荷时，无法对接合端A施加足以使其接合或进行气密封闭的载荷，有可能成为接合不良。另一方面，在本实施例中，配置成在从上方观察时，环状的架桥部211的接合端A的区域同样投影在环状的中间部分B的区域内，从而上述载荷充分施加于接合端A的区域，能抑制产生上部构件207与中间构件208或下部构件209之间的接合的不良。
在如此构成基材208的晶片载置电极120中，在加热器201与冷媒流路152之间传递热时，根据架桥部211的接合端A的区域的多寡，在具备架桥部211的上部构件207与中间构件208之间，每单位时间的热的传递的量(传热的效果)受到影响，其中该架桥部211具有构成接合面206的接合端A。因此，通过来自加热器201的发热而在晶片载置用电极120的载置面120a、晶片109面上呈现的温度的分布有可能变得不均匀。
为了减少这样的载置面120a、晶片109的温度的分布的偏差，在本实施例中，使真空隔热空间205的上部的基材108的上下方向的厚度(图2的以C表示的上部构件207的厚度)相对大。通过在厚度C的基材108的上部的内部减少针对载置面120a的面内方向的温度的偏差，能减少针对载置面120a、晶片109的面内方向的温度的偏差、与目标的温度的偏离。
另一方面，真空隔热空间205与冷媒流路152间的上下方向的距离、即本实施例中的中间构件208的厚度D(以图2的D表示)是能实现如下要求的最小的厚度即可：能够不仅提高减少晶片载置电极120或晶片109的温度的情况的温度的变化速度或响应性，还具有能气密形成真空隔热空间205或冷媒流路152且实现对等离子处理装置100要求的基材108的平面度的强度。据此，基材108内部的厚度C和厚度D的宽度期望成为C≥D的关系。换言之，基材108的上表面与真空隔热空间205的圆弧状的空间的上端之间的距离C比冷媒流路152的上端与真空隔热空间205的圆弧状的空间的下端之间的距离D大(C≥D)。
根据以上的方式，加热器201产生的发热量经由真空隔热空间205的架桥部211流入冷媒流路152，能增大从加热器201来看的到冷媒流路152为止的热阻，能有意地抑制冷却效果。
通过具备以上的结构，在本实施例中，在对晶片载置用电极120的加热器201供给电力来使载置面120a、晶片109的温度增大时，能抑制与在基材108的内部的冷媒流路流通的冷媒进行热交换的热量，从而以更小的电力使晶片109成为适于处理的温度，或者保持该温度。此外，能避免使对进行上述的运转的加热器201施加电力的加热器电极用直流电源127成为过度大的电力容量或电流容量，从而高效率地提供载置面120a、晶片109的高温保持。
接下来，以下使用图4来说明图3所示的实施例的变形例。
图4所示的变形例与图3所示的实施例同样，配置有在晶片载置电极120的基材108的内部多重(本例中3重)配置的真空隔热层空间205以及架桥部211，并且具备狭缝部210。狭缝部210将针对真空隔热层空间205的半径方向而相邻的真空隔热层空间205彼此之间隔开而区划的架桥部211的内周侧壁面与外周侧壁面之间贯通，来将以架桥部211隔开的配置于2个半径方向的位置的多重的真空隔热层空间205彼此连通，其中，该真空隔热层空间205在具有圆筒形或圆板形状的基材108的上部构件207的中心起针对半径方向不同的半径位置多重配置。在本变形例中，经由狭缝部210连通的配置于不同的半径方向的位置且相邻的真空隔热层空间205彼此成为1个被减压为给定的真空度的空间。这样的狭缝部210可以不仅配置于将多重配置的真空隔热层空间205当中的特定的相邻的2个真空隔热层空间205彼此之间隔开的1个架桥部211，还配置于配置在不同的半径方向的位置的多个架桥部211，此外，也可以在1个架桥部211具备多个狭缝部210。
图4所示的本例所示的晶片载置电极120的基材108将上部构件207和中间构件208以及下部构件在上下方向上相互接合来形成。在图2所示的晶片载置电极120中，在上部构件207的下部以给定的半径方向的宽度以及深度同心状或螺旋状配置且在圆形的平坦的下表面形成具有开口的槽，将该下表面和中间构件208的平坦的上表面抵接，将该抵接的部位作为接合面206进行接合，其结果，构成被上部构件207的槽的内壁和中间构件208的上表面包围的真空隔热层空间205。在被减压为给定的真空度的未图示的接合用的处理容器的内部，使上部构件207以及中间构件208通过硬钎焊(brazing)、扩散接合(Diffusionwelding)等接合，由此进行这样的基材108的组装，得到所期望的热阻。
在该组装的工序中，由于对经由接合面206而抵接的2个构件附加加热、加压等的高的热、外力，因此，在接合面206，残留于2个构件的表面的水分等物质挥发，从而有可能产生释气。在图3所示的实施例中，考虑这样的释气滞留于相互隔开并多重配置的真空隔热层空间205各自的内部的情况。在此，在各真空隔热层空间205的释气的量不均匀的情况下，各真空隔热层空间205的压力或真空度会出现偏差，会在经由各真空隔热层空间205的冷媒流路152与半导体晶片109或载置面120a之间的热阻产生差。其结果，载置于晶片载置电极120上的半导体晶片109的温度的分布针对其面内方向出现偏差，从而产生不均匀。
在图4所示的本例中，具备使在针对半径方向不同的位置多重配置的真空隔热层空间205连通的狭缝部210。由此，即使在使构成基材108的上部构件207以及中间构件208接合时产生释气，滞留于真空隔热层空间205的内部，也会在通过狭缝部210连通的多重的真空隔热层空间205的整体将释气分散。由此，减少了释气的产生所引起的给真空隔热层空间205的内部的压力的影响，能使真空隔热层空间205的内部接近于均匀的压力。
此外，在图4所示的本例中，将同心状或螺旋状多重配置的真空隔热层空间205在不同的半径方向的位置隔开而区划的架桥部211具备多个狭缝部210，这些狭缝部211配置在从同心状或螺旋状的配置的中心辐射状去往外周侧的1个半径方向的直线上。即，在从上述中心观察该半径方向的直线的外周方向的情况下，将多个架桥部211的内周壁面以及外周壁面之间贯通的狭缝部211的多个开口所投影的区域设置在重叠的位置。这些多个狭缝部211的开口可以是相同尺寸、形状，此外，也可以是不同的形状、尺寸，能在从上述中心去往外周的1个直线上重叠配置各开口的区域。
在图4所示的本例中，也是将基材108的上部构件207和中间构件208在设为给定的真空度的容器内在接合面206进行接合。在这时从接合面206产生释气的情况下，释气从将同心状或螺旋状多重形成的真空隔热层空间205或形成于上部构件207的底部的多重的槽隔开的成为架桥部211的部分的底面与中间构件208的间隙向半径方向的中心侧或外周侧流出。这样的释气经过1个辐射状伸长的在半径方向上多重重叠配置的狭缝部210，容易地扩散到以架桥部211隔开的不同的半径位置的真空隔热层空间205。由此，有效果地抑制了释气导致的多重的真空隔热层空间205的内部的压力的偏差和其引起的关于半径方向或周向的基材108内部的热传递率的偏差，减少了晶片109的温度的不均匀，从而能使晶片109的表面内(平面内)的温度均匀化。
此外，在图4所示的示例中，如此地在从中心辐射状延伸的1个半径方向的直线上将开口重叠来配置贯通各架桥部211的多个狭缝部210，但也能如图5所示那样，这样的多个狭缝部210的集合具备多个。图5是表示图3所示的实施例的其他变形例所涉及的样品台的真空隔热空间的结构的概略的俯视图。
在本图5的示例中，上述多个狭缝部210将开口重叠配置的从中心去往外周的直线可以绕着基材108或晶片载置电极120的上下方向的中心轴以均等的角度配置3个，即，可以在在与中心轴垂直的面上2个直线彼此所成的角度成为120°的3个直线的各个直线将属于各个集合的狭缝部210的开口重叠而配置。通过如此地增大将多重的真空隔热层空间205的相邻的各个真空隔热层空间205连通的通路的数量、通路截面积，能将产生的释气有效果地扩散到连通而设为1个空间的真空隔热层空间205内。另一方面，由于增多狭缝部210以及其集合会引起接合面206面积减少，基材108的机械强度有可能降低，因此，需要在能维持充分的强度的范围内配置狭缝部210。
使用图6A、图6B来说明上述实施例以及变形例的狭缝部210的结构。图6A是说明图4、图5所示的变形例所涉及的具备将样品台内部的相邻的真空隔热空间彼此连通的狭缝部的架桥部的第1结构例的概略的立体图。图6B是说明图4、图5所示的变形例所涉及的具备将样品台内部的相邻的真空隔热空间彼此连通的狭缝部的架桥部的第2结构例的概略的立体图。
图6A、图6B在图2所示的晶片载置电极120中示意示出架桥部211和狭缝部210，其中，架桥部211被多重配置的真空隔热层空间205当中的配置于不同的半径位置的2个环状的真空隔热层空间205夹着内周侧和外周侧的两侧，将它们隔开而区划，狭缝部210将架桥部211在基材108的半径方向上贯通，将两侧的真空隔热层空间205彼此连通。图6A所示的E1表示狭缝部210的高度，示出狭缝部210的高度E1具备从真空隔热层空间205的上端(顶面)达到下端(底面)的高度E0的情况(E1＝E0)。即，在图6A中，图示上方向的、从真空隔热层空间205或构成其内周壁以及外周壁的架桥部211的上端(顶面)到下端(底面)为止的高度E0与狭缝部210的开口的上下方向的大小(高度)E1相同。另一方面，图6B所示的E2是狭缝部210的开口部的高度，其下端部具有从架桥部211的侧壁面的上端(顶面)到下端(底面)的中途的部位为止大小。在此，示出高度E2比高度E1以及高度E0小(E1＞E2、E0＞E2)。
在接合面206将上部构件207和中间构件208接合。特别是，在高温下进行接合的情况下，期望在接合面206中，不在特定的区域、部位在温度的值产生增减(高低)，没有所谓的温度斑点，成为在接合面206的整体中抑制了温度的偏差的状态。在该条件(没有温度斑点的条件)下，在具有多个部位、区域的接合面206中，减少了上部构件207以及中间构件208的接合的强度的偏差，能得到上部构件207以及中间构件208的稳定的接合的结果。
但在图6B所示的第2结构例的情况下，在狭缝部210的开口部与下方的接合面206之间存在构成架桥部211的上部构件207的一部分。因此，该狭缝部210的开口部下方的接合面206、和架桥部211的高度与真空隔热层空间205或其内周壁以及外周壁的从上端(顶面)到下端(底面)同等的部位处的热的传递的量、特性不同，会在基材108的内部的上下方向的热的传递量中产生局部的偏差，因有载置于该部位和其他场所的上方的晶片109的温度变得不均匀的部位而接合有可能部分地变得脆弱。因此，在本实施例以及变形例中，设为狭缝部210的高度E1具备从真空隔热层空间205的上端(顶面)到下端(底面)为止的高度E0(E1＝E0)的结构。
在上述的例中，真空隔热层空间205在多重配置的各个冷媒流路152的周围配置空间，以使得所投影的区域重叠。即，在冷媒流路152的各周的正上方重叠配置以架桥部211分隔的环状的真空隔热空间205的周。真空隔热空间205和冷媒流路152的配置并不限于这样的结构，也可以圆弧状的真空隔热空间205遍及下方的冷媒流路152的多个周的上方而设置，将该空间分隔的架桥部211配置在与将冷媒流路152的多个周的最外周的外侧或最内周的内侧分隔的中间部分B的上方重叠地投影的位置。
进而，环状多重配置的密封的真空隔热空间205可以由单一的空间构成，或者，也可以由多个空间构成。即，可以在周向或径向上由多个空间构成。真空隔热空间205可以是同心状301配置的环状的多个空间，也可以是单一的螺旋状302的空间。
此外，形成多个周而环状多重配置的空间的各自的周也可以由多个圆弧状的空间构成，各圆弧状的空间也可以配置在中心起相同的半径方向的位置。在这些情况下，圆弧状的空间彼此之间的架桥部211的区域也在从上方观察时与将下方的相邻的冷媒流路152彼此区划而分隔的中间部分B的区域重叠。
此外，处理前预先配置于晶片109的上表面的膜构造中所含的处理对象的膜层的被蚀刻材料是硅氧化膜，作为供给到处理室104的该处理对象膜的蚀刻用的处理气体以及清洁用的清洁气体，而使用四氟化碳气体、氧气体、三氟甲烷气体。此外，作为处理对象的膜层的材料，不仅能使用硅氧化膜，还能使用多晶硅膜、光刻胶膜、反射防止有机膜、反射防止无机膜、有机系材料、无机系材料、硅氧化膜、氮化硅氧化膜、氮化硅膜、Low-k材料、High-k材料、无定形碳膜、Si基板、金属材料等，在这些情况下也能得到同等的效果。
此外，作为蚀刻用的处理气体，能使用氯气体、溴化氢气体、四氟化甲烷气体、三氟化甲烷气体、二氟化甲烷气体、氩气体、氦气体、氧气体、氮气体、二氧化碳气体、一氧化碳气体、氢气体等。进而，作为蚀刻用的处理气体，能使用氨气体、八氟丙烷气体、三氟化氮气体、六氟化硫气体、甲烷气体、四氟化硅气体、四氯化硅气体、氖气体、氪气体、氙气体、氡气体等。
此外，本公开并不限定于上述的实施方式，包含种种变形例。例如，上述的实施方式为了易于理解地说明本公开而详细进行了说明，但不一定非要具备说明的全部结构。例如，晶片载置用电极120也可以在电介质层140的内部具备被供给电流来加热这些或载置于这些之上的晶片109的加热器201，控制器170进行基于该加热器201的加热的晶片109的温度的调节。此外，为了这样的温度调节，晶片载置用电极120也可以在基材108的内部具备与控制器170能通信地配置且探测温度的至少1个温度传感器。
此外，能将某实施方式的结构的一部分置换成其他实施方式的结构，此外，还能在某实施方式的结构中加进其他实施方式的结构。此外，能对各实施方式的结构的一部分进行其他结构的追加、删除、置换。另外，附图记载的各构件、相对的尺寸为了易于理解本公开地进行说明而进行了简化、理想化，安装上成为更加复杂的形状。
在上述实施方式中，说明了对处理室104内供给频率为2.45GHz的微波的电场且一并供给能形成ECR的磁场、使处理用气体放电来形成等离子的结构。但上述实施方式中说明的结构即使是使用其他放电(有磁场UHF放电、电容耦合型放电、感应耦合型放电、螺线管放电、表面波激励放电、传导耦合放电)来形成等离子的情况，也能起到与上述的实施方式等中说明的同样的作用、效果。此外，关于对进行等离子处理的其他等离子处理装置例如等离子CVD装置、灰化装置、表面改性装置等中配置的晶片载置用电极运用上述实施方式以及变形例的情况，也能得到同样的作用效果。
产业上的可利用性
本公开能利用在等离子处理装置以及等离子处理装置的样品台的制造方法中。
附图标记的说明
100：等离子蚀刻装置、101：真空容器、102：簇射板、102a：气体导入孔、103：电介质窗、104：处理室、105：波导管、106：电场产生用电源、107：磁场产生线圈、108：电极基材、109：半导体晶片、110：真空排气口、111：导电体膜、112：接地部位、113：基座环、116：等离子、120：晶片载置用电极、120a：载置面、120b：上表面、124：高频电源、125：高频滤波器、126：静电吸附用直流电源、127：加热器用直流电源、129：匹配器、140：电介质膜、152：冷媒流路、160：电场/磁场形成部、170：控制器、201：加热器、202：静电吸附用电极、203：温度调节器、204：接合面、205：真空隔热层、206：接合面。

Claims (12)

1.一种等离子处理装置，具有配置于真空容器的内部的处理室的内部且在其上表面载置处理对象的晶片的样品台，在所述处理室的内部形成等离子来对所述晶片进行处理，
所述等离子处理装置的特征在于，具备：
基材，其配置于所述样品台的内部，具有圆筒形或圆板形，为金属制的；
电介质膜，其配置于所述基材的上表面，含有电介质材料，构成载置所述晶片的载置面；
加热器，其配置于所述电介质膜的内部，为膜状的；
冷媒流路，其在所述基材的内部绕着所述基材的中心同心状或螺旋状多重配置，在其内部流通冷媒；和
至少1个圆弧状的空间，其在所述冷媒流路与所述加热器之间的所述基材的内部绕着所述中心多重配置，其内部被减少为给定的真空度并被密封，
多重配置的所述圆弧状的空间彼此之间的所述基材的部分的区域即架桥部在从上方观察时，配置在投影到在相邻的2个所述冷媒流路彼此之间将所述冷媒流路彼此分隔的所述基材的中间部分的区域而重叠的位置。
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，
所述等离子处理装置具备：连通路，其将夹着所述架桥部相邻配置的2个所述圆弧状的空间连通。
3.根据权利要求2所述的等离子处理装置，其中，
所述连通路的开口的上下方向的大小与从连通的所述圆弧状的空间的上端到下端的大小相等。
4.根据权利要求2或3所述的等离子处理装置，其中，
所述等离子处理装置具备：
多重配置的多个所述架桥部，其在多重配置的所述圆弧状的空间彼此之间成为所述基材的部分的区域；和
多个所述连通路，其配置于所述多个架桥部的各自，
所述多个连通路的开口针对从所述基材的中心去往外周的方向的投影面重叠配置。
5.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，
所述架桥部的半径方向的大小小于所述冷媒流路的相邻的2个流路彼此之间的所述中间部分的半径方向的大小。
6.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，
所述基材的上表面与所述圆弧状的空间的上端之间的距离大于所述冷媒流路的上端与所述圆弧状的空间的下端之间的距离。
7.一种等离子处理装置的样品台的制造方法，所述等离子处理装置具有配置于真空容器的内部的处理室的内部且在其上表面载置处理对象的晶片的样品台，在所述处理室的内部形成等离子来对所述晶片进行处理，
所述等离子处理装置的样品台的制造方法的特征在于，
所述样品台具备：
基材，其配置于所述样品台的内部，具有圆筒形或圆板形，为金属制的；
电介质膜，其配置于所述基材的上表面，含有电介质材料，构成载置所述晶片的载置面；
加热器，其配置于所述电介质膜的内部，为膜状的；
冷媒流路，其在所述基材的内部绕着所述基材的中心同心状或螺旋状多重配置，在其内部流通冷媒；和
至少1个圆弧状的空间，其在所述冷媒流路与所述加热器之间的所述基材的内部绕着所述中心多重配置，其内部被减少为给定的真空度并被密封，
多重配置的所述圆弧状的空间彼此之间的所述基材的部分的区域即架桥部在从上方观察时，投影到在相邻的2个所述冷媒流路彼此之间将它们分隔的所述基材的中间部分的区域而重叠，
将预先形成于进行接合来构成所述基材的上方构件以及下方构件的至少一方的构件的凹陷部和另一方的构件在近似于所述给定的真空度的空间内进行接合，来形成所述圆弧状的空间。
8.根据权利要求7所述的等离子处理装置的样品台的制造方法，其中，
具备：连通路，其将夹着所述架桥部相邻配置的2个所述圆弧状的空间连通。
9.根据权利要求8所述的等离子处理装置的样品台的制造方法，其中，
所述连通路的开口的上下方向的大小与从连通的所述圆弧状的空间的上端到下端的大小相等。
10.根据权利要求8或9所述的等离子处理装置的样品台的制造方法，其中，
具备：
多重配置的多个所述架桥部，其在多重配置的所述圆弧状的空间彼此之间成为所述基材的部分的区域；和
多个所述连通路，其配置于所述多个架桥部的各自，
所述多个连通路的开口针对从所述基材的中心去往外周的方向的投影面重叠配置。
11.根据权利要求7所述的等离子处理装置的样品台的制造方法，其中，
所述架桥部的半径方向的大小小于所述冷媒流路的相邻的2个流路彼此之间的所述中间部分的半径方向的大小。
12.根据权利要求7所述的等离子处理装置的样品台的制造方法，其中，
所述基材的上表面与所述圆弧状的空间的上端之间的距离大于所述冷媒流路的上端与所述圆弧状的空间的下端之间的距离。
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