CN1188005C

CN1188005C - 半导体集成转换电路

Info

Publication number: CN1188005C
Application number: CNB011120843A
Authority: CN
Inventors: 高桥胜
Original assignee: New Japan Radio Co Ltd
Current assignee: New Japan Radio Co Ltd
Priority date: 2000-12-07
Filing date: 2001-03-30
Publication date: 2005-02-02
Anticipated expiration: 2021-03-30
Also published as: JP2002176375A; US6407614B1; JP4138229B2; US20020075059A1; CN1358045A; DE10115851A1

Abstract

应用于双频带移动电话中的半导体集成转换电路S1包含第一到第四场效晶体管1、2、3、4，其控制着从第一到第四输入/输出端口22到25中的任一个和公用输入输出端口21之间的电连接，与第二场效晶体管2相通的第五场效晶体管5和串联谐振电路51，其具有与通过第二场效晶体管2的信号的较高频率谐波相同的谐振频率。第五场效晶体管5和串联谐振电路51串联，并被连接在公用输入输出端口21和地面之间，以使得信号的较高次谐波导入地面而对信号无传输损耗。

Description

半导体集成转换电路

技术领域

本发明涉及一种半导体集成转换电路，其用于高频电路中转换输入输出信号。尤其涉及控制和降低由半导体集成转换电路的非线性产生的较高次谐波成分的半导体集成转换电路。

背景技术

传统的这一类电路，众所周知，如图5所示，其应用于双频带移动电话中的单极4直通转换电路Sc。

与现有技术相关的的电路描述将通过图5给出。通过单极4直通转换电路被配置为半导体集成电路，其包含四个场效晶体管TR1、TR2、TR3、TR4并连接在天线71和紧接着的高频电路LNA1、PA1、LAN2、PN2之间，它被用在能在两个不同的无线电频率发射和接收的所谓的双频带移动电话中。

在术语中，LNA1是两个不同频率的一个波段的接收前端，即波段A，PA1是波段A的发射放大元件，LNA2是两个不同频率的另一波段的接收前端，即波段B，PA2是波段B的发射放大元件。

在这样的配置中，如果接收波段A，当控制电压VA设置为定值以使得TR1处于“导通”状态时，控制电压VB、VC和VD被设置为定数值以使得TR2到TR4处于“关闭”状态(如图6所示)。如果晶体管TR2到TR4的任一个保持“导通”状态，这样每一个TR1到TR4晶体管的“导通”/“关闭”状态将由控制电压VA到VD控制。

在传统的电路中，场效晶体管的非线性特征在于能产生较高次谐波，因此较高次谐波将随发射信号从天线71输出，然而对天线71发出的电磁波，需要控制其较高次谐波的水平来满足无线电定律对限制输出电平和对不需要的频率成分的容错度的需要。

作为控制较高频率谐波水平的方法，可以将一个两波段的带通滤波器(BPF)连接在单极4直通转换电路Sc和天线71之间。

然而，存在这样一种情况，波段B的频率被设置为波段A的偶数倍，如作为双频带移动电话两个波段的0.9GHz和1.8GHz，这样就存在带通滤波器(BPF)不起作用的问题，因为0.9GHz的二阶谐波符合1.8GHz的波段B，因此通过滤波器。

另外，即使在滤波器的通过频带中，也会产生通过信号的损耗，这样就会在发射过程中降低发射水平，并且由于在接收中降低了接收信号的电平而导致接收精度恶化。

而且，由于移动电话需要减小尺寸，给出空间在单极4元件转换电路Sc和天线71之间增加滤波器就变得很困难。因此，用滤波器控制和降低较高次谐波是不实际的。

发明内容

本发明针对解决上述问题，提供了半导体集成转换电路，其将在减小发射损耗的同时来控制产生的不需要的较高次谐波。

为达到本发明的目的，根据本发明，半导体集成转换电路包含一个公用输入输出端口；多个输入/输出端口；用于将公用输入输出端口有选择性地连接到任一个输入/输出端口的多个转换元件，每个转换元件都插在公用输入输出端口和各个输入/输出端口之间；用于接地的地面端口；具有谐振频率的串联谐振电路，其谐振频率被设置为通过转换元件之一的基频的较高次谐波；和一个用于串联谐振电路的转换元件。串联谐振电路和串联谐振电路的转换元件被串联在一起并被置于公用输入输出端口和地面端口之间。施加于上述用于选择性地连接端口的转换元件之一的控制电压也通常应用于串联谐振电路的转换元件。

在这样配置的半导体集成转换电路中，一个用于选择性地连接包含将被去掉的较高次谐波信号通过的端口的转换元件和一个用于串联谐振电路的转换元件都用相同的控制电压并同时打开。因此，串联谐振电路在公用输入输出端口和地面之间电连接，这样使信号中的较高次谐波通过串联谐振电路转入地面。也就是说，只有与串联谐振电路的谐振频率相同的频率信号被去掉，并且其它信号可通过连接端口的转换元件而通过，而不会有串联谐振电路的影响。

因此，提供一个半导体集成转换电路成为可能，其中可以避免产生不需要的较高次谐波并把通过信号的损耗降至最低。

附图说明

图1是根据本发明第一实施方案的半导体集成转换电路的电路图；

图2是根据本发明第二实施方案的半导体集成转换电路的电路图；

图3是根据本发明第三实施方案的半导体集成转换电路的电路图；

图4是根据本发明第四实施方案的半导体集成转换电路的电路图；

图5是显示现有技术电路的电路图；

图6是本发明实施方案的半导体集成转换电路和传统的电路的工作示意图。

具体实施方式

下面将从图1到图4对本发明的实施方案进行描述。

本发明并不限于元件、配置和如下所述，并且在本发明的范围内还有各种各样不同的修改方案。

下面将对本发明的半导体集成转换电路进行描述，本发明将用于所谓的双频带移动电话，正如已描述过的有关传统转换电路。

实施方案1

本发明的第一实施方案如图1所示。

第一实施方案的半导体集成转换电路S1用于双频带移动电话中，并被连接在两个波段共享的发射和接收天线41(图1中标为“ANT”)之间，即为第一波段(波段A)的接收前端42(图1中标为“LAN1”)，波段A的发射放大元件43(图1中标为“PA1”)，第二波段(波段B)的接收前端44(图1中标为“LNA1”)和波段B的发射放大元件45(图1中标为“PA2”)，因此，S1执行两个波段发射和接收信号的转换，这将在下面描述。

在半导体集成转换电路S1中，单极4直通转换电路主要配置为第一到第五的场效晶体管1、2、3、4、5(图1中分别标示为“TR1”，“TR2”，“TR3”，“TR4”，“TR5”)和串联谐振电路51。

1、2、3、4、5每个场效晶体管的漏(或源)通常与公用输入输出端口21相连，其中，由双频带移动电话的两个波段共享发射和接收天线41也被连起来。

此外，第一场效晶体管1的源(或漏)和第一输入/输出端口22，第二场效晶体管2的源(或漏)和第二输入/输出端口23，第三场效晶体管3的源(或漏)和第三输入/输出端口24，第四场效晶体管4的源(或漏)和第四输入/输出端口25分别相连。

波段A的接收前端42和第一输入/输出端口22，波段A的发射放大元件43和第二输入/输出端口23，波段B的接收前端44和第三输入/输出端口24，波段B的发射放大元件45和第四输入/输出端口25被分别相连。

用于波段A的接收前端42是执行对波段A的接收信号进行放大的电路，接着被放大的信号被输入到紧接着的波段A的一个接收电路(未示出)。并且波段A的发射放大元件43是一个用来执行对即将发射的信号最后放大的电路。另外，用于波段B的接收前端44是执行对波段B的接收信号放大的电路，放大了的信号将输入到接下来的波段B的接收电路(未示出)。并且，波段B的发射放大元件45是执行对即将发射信号进行最后放大的电路。

而且，其分别由第一栅电阻(在图1中表示为“RG1”)用第一控制端口26连接着第一场效晶体管1的栅极，由第二栅电阻(在图1中表示为“RG2”)用第二控制端口27连接着第二场效晶体管2的栅极，由第三栅电阻(在图1中表示为“RG3”)用第三控制端口28连接着第三场效晶体管3的栅极，由第四栅电阻(在图1中表示为“RG4”)用第二控制端口29连接着第四场效晶体管4的栅极，由第五栅电阻(在图1中表示为“RG5”)用第二控制端口27连接着第五场效晶体管2的栅极。

另一方面，串联谐振电路51与第五场效晶体管的源(或漏)相连，也就是说，串联谐振电路51中第一电容器13(图1中表示为“C1，)与第一电感器17(图1中表示为“L1”)相串联，串联谐振电路51被连在第五电场晶体管5和地面端口30a之间。

其次，本实施方案的操作如图1所示。

如果接收波段A，通过外部控制电路(未示出)，当用于第一控制端口26的控制电压VA设置为给定电压时，使得第一场效晶体管1为导通状态，应用于从第二到第四控制端口27、28、29的控制电压VB、VC、VD为给定电压以使从第二到第四场效晶体管2、3、4处于“关闭”状态。

因此，只有第一场效晶体管处于“导通”状态，即公用输入输出端口21和第一输入/输出端口22通电连接，并且第二到第四场效晶体管2、3、4处于“关闭”状态，即公用输入输出端口21和第二到第四输入/输出端口23、24、25之间没有接通。而且，由于第二控制端口27的控制电压VB被施加在栅极上，第五场效晶体管5也处于“关闭”状态。

从而，由发射和接收天线41接收的波段A信号将通过第一个场效晶体管1，并被输入到波段A的接收前端42，这里，信号被放大，于是信号被输入到下面的波段A的接收电路(未示出)以进一步进行诸如解码等类似的信号处理。这样，波段A的接收过程结束。

另一方面，如果发射波段A的信号，当通过外部控制电路(未示出)应用于第二控制端口27的控制电压VB设置为给定电压，使得第二场效晶体管2处于“导通”状态，通过外部控制电路应用于第一、第三和第四控制端口26、28和29的控制电压VA、VC和VD设置为给定电压，使得第一、第三和第四场效晶体管1、3、4处于“关闭”状态，而且，第二控制端口27的控制电压VB施加在第五场效晶体管5的栅极上。

因此，第二和第五场效晶体管2、5处于“导通”状态，即公用输入输出端口21和第二输入/输出端口23电连接，并且第一、第三和第四场效晶体管1、3、4处于“关闭”状态，即公用输入输出端口21和第一、第三和第四输入/输出端口22、24、25中的任何一个都没有连通。这样，由波段A的发射放大元件43输出的信号通过第二场效晶体管2。

另一方面，串联谐振电路51通过处于“导通”状态的第五场效晶体管在公用输入输出端口21和地面之间将处于导通状态。因此具有与串联谐振电路51的谐振频率相同频率且由波段A的发射放大元件43通过第二场效晶体管2输送的包括在输出信号里的较高次谐波被通过串联谐振电路51传导到地面而去掉。这样波段A的发射信号就将被外加到发射和接收天线41上，其中已知较高次谐波成份已通过串联谐振电路51去掉。

这就是说，在另一种情况中，波段A发射信号的二阶谐波将被去掉，串联谐振电路51的第一电容器13和第一电感器17的每一个电容C1和感应L1都适用于以下公式1。在公式1中，fA表示波段A的发射信号的频率(即基频)。

2×fA＝1/{2π(L1·C1)^1/2} 公式1

由于串联谐振电路51的谐振频率为2×fA，包含在发射信号中的具有频率为2×fA的较高次谐波被传导到地面。因此由于相对于频率为2×fA的信号公用输入输出端口21被假定为接地，所以频率为2×fA的信号将不会被发射接收天线41射出。

这里举一个频率的特殊例子，当双频带移动电话的波段A的频率为0.9GHz，波段B的频率为1.8GHz，其正在发射波段A的信号。由于串联谐振电路51，虽然波段A的二阶谐波将不会由发射接收天线41发射。但频率为0.9GHz的发射信号无能量损耗地被发射出去，这归功于串联谐振电路51。

另外，当需要被串联谐振电路51去掉的更高次谐波的阶数定义为“n”(n必须是大于等于2的整数)，第一电容器13和第一电感器17的每一个C1值和L1值将满足以下公式2

n×fA＝1/{2π(L1·C1)^1/2} 公式2

也就是说，串联谐振电路51的谐振频率应设置为能使较高次谐波被去掉，即较高次谐波应为波段A的n倍。

其次，如果接收的是波段B的信号，依靠外部控制电路(未示出)，当第三控制端口28的控制电压设置为固定值以使得第三场效晶体管3处于“导通”状态，第一、第二和第四控制端口26、27、29的控制电压VA、VB和VD设置为固定值以使得第一、第二和第四场效晶体管处于“关闭”状态。控制电压VB被同时施加在第五场效晶体管的栅极上。

因此，当只有第三场效晶体管3处于“导通”状态时，即公用输入输出端口21和第三输入/输出端口电连接，第一、第二、第四和第五场效晶体管1、2、4、5处于“关闭”状态，即公用输入输出端口21和第一、第二和第四输入/输出端口22、23、25中的任一个都不相连。于是，由发射接收天线41接收到的波段B的信号将穿过第三场效晶体管3，并被输入到波段B的接收前端44，其中信号被放大，接下来其被输入到紧跟的波段B的接收电路(未示出)如果进行信号的进一步处理，如解码或类似的处理等，这样波段B的信号接收完成。

另一方面，如果发射波段B的信号，依靠外部控制电路(未示出)，当第四控制端口29的控制电压为给定电压以使得第四场效晶体管4处于“导通”状态，从第一到第三控制端口26、27、28的控制电压VA、VB、VC为给定电压以使得从第一到第三场效晶体管处于“关闭”状态，并且控制电压被施加在第五场效晶体管5的栅极上。结果，只有第四场效晶体管4处于“导通”状态，即公用输入输出端口21和输入/输出端口25电连接，另一方面，从第一到第三场效晶体管1、2、3分别处于“关闭”状态，即公用输入输出端口21和从第一到第三输入/输出端口22，23，24不相连。从波段B的发射放大元件45发射出的输出信号将不受串联谐振电路51影响地由发射发射天线41发射。

另外，控制电压VA、VB、VC、VD与从第一到第四场效晶体管1、2、3、4的“导通”/“关闭”状态有关，即在半导体集成转换电路S1中，控制电压VA、VB、VC、VD与公用输入输出端口21和从第一到第四输入/输出端口22、23、24、25之间的电连接有关。这基本类似于传统电路，如图6所示。

根据本发明，为了将图6应用于本发明的半导体集成转换电路，“路径A-B”代表公用输入输出端口21和第一输入/输出端口22电连接，“路径A-C”表示公用输入输出端口21和第二输入/输出端口23电连接，“路径A-D”表示公用输入输出端口21和第三输入/输出端口24电连接，“路径A-E”表示公用输入输出端口21和第四输入/输出端口25电连接。

实施方案2

下面将参照图2来描述本发明第二实施方案。相同部分的详细说明如图1所示，不再赘述，重点将放在不同的部分。

在第二实施方案中的半导体集成转换电路S2中，第二串联谐振电路52用于去掉波段B的发射频率(基频)中的较高次谐波信号，且把它连接到同时用于去掉波段A的发射频率的较高次谐波信号的第一串联电路51。

半导体集成转换电路S2包含第六场效晶体管6，其漏(或源)连接着公用输入输出端口21，并且第二串联谐振电路52连接在第六场效晶体管6的源(或漏)一侧。

此外，第六场效晶体管6的栅极通过第六栅电阻12(在图2中标为“RG6”)连接者第四控制端口29。

第二串联谐振电路52，被连接在第六场效晶体管6的源(或漏)与地面端口30b之间，其中第二电容器14(在图2中为“C2”)和第二电感器18(在图2中为L2)串联。

而且，第二串联谐振电路52中第二电容器14的电容C2和第二电感器18的电感L2都适用于以下的公式3，使谐振频率匹配“n”阶B波段高次谐波

n×fB＝1/{2π(L2·C2)^1/2} 公式3

其中，fB是波段B的频率，“n”大于或等于2的整数。

因此，半导体集成转换电路S2中第一串联谐振电路51将排除在波段A发射过程中出现在波段A的发射信号中限定的较高次谐波成份，第二串联谐振电路52将排除在波段B发射过程中出现在波段B的发射信号中限定的较高次谐波成份，其它的操作类似于图1所示的

实施方案。

另外，第二实施方案包含了对应于第一和第二串联谐振电路51和52的地面端口30a和30b，但它们也可共享一个地面端口。

实施方案3

图3所示为第三实施方案，相同部分的详细说明如图1和图2所示，不再赘述，重点将放在不同的部分。

实施方案3的半导体集成转换电路S3中两个串联谐振电路分别连接在第五和第六场效晶体管5和6的源(或漏)上，以分别排除波段A和波段B中的较高次谐波。

也就是说，第一串联谐振电路51和第三谐振电路53被连接在第五场效晶体管5的源(或漏)与地面之间，即第一谐振电路51和第三谐振电路53被连接在第五场效晶体管5的源(或漏)与地面之间，以使得它们并联。

第一串联谐振电路51如前面图1所示，第三串联谐振电路53包含第三电容器15(图3中为“C3”)和第三电感器19(图3中为“L3”)。第三电容器15的一端连着第五场效晶体管5的源(或漏)，另一端连着第三电感器19的一端，第三电感器19的另一端通过地面端口30c与地面相连。第一串联谐振电路51的谐振频率设置为波段A的较高次谐波，阶数为n1。第三串联谐振电路53的谐振频率设置为波段A的较高次谐波，阶数为n3。也就是说，满足下列公式4、5

n1×fA＝1/{2π(L1·C1)^1/2} 公式4

n3×fA＝1/{2π(L3·C3)^1/2} 公式5

而且，假设n1≠n3，并且它们都是大于或等于2的整数。

另一方面，第二串联谐振电路52和第四串联谐振电路54连接在第六场效晶体管6的源(或漏)和地面之间，即第二串联谐振电路52和第四串联谐振电路54连接在第六场效晶体管6的源(或漏)和地面之间以使得它们并联。

第二串联谐振电路52如前图2所示，第四串联谐振电路54包含串联的第四电容器16(图3中为“C4”)和第四电感器20(图3中为“L4”)。第四电容器16的一端连接着第六场效晶体管6的源(或漏)，另一端连接着第四电感器20的一端，第四电感器20的另一端通过地面端口30d与地面相连。

第二串联谐振电路52的谐振频率设置为波段B的较高次谐波，频率阶数为n2。第四串联谐振电路54的谐振频率设置为波段B的较高次谐波，频率阶数为n4。

也就是说满足下列公式6、7

n2×fB＝1/{2π(L2·C2)^1/2} 公式6

n4×fB＝1/{2π(L4·C4)^1/2} 公式7

而且，假设n2≠n4，且它们都是大于或等于2的整数。

如果本发明对波段A发射，第一和第三串联谐振电路51和53分别在公用输入输出端口21和地面之间电连接，使得第二和第五场效晶体管2和5处于“导通”状态，因此阶数为n1和n3的较高次谐波被第一和第三串联谐振电路51和53去掉，发射信号由发射接收天线41发射。

此外，如果发射波段B，第二和第四串联谐振电路52和54分别在公用输入输出端口21和地面之间电连接，使得第四和第六场效晶体管4和6处于“导通”状态，阶数为n2和n4的较高次谐波被第二和第四串联谐振电路52和54去掉，发射信号由发射接收天线41发射。

另外，波段A和波段B的接收操作类似于图1所示实施方案，详情这里不再赘述。

尽管在第三实施方案中，地面端口30a到30d分别对应于从第一到第四串联谐振电路51到54，它们也可共享一个地面端口。

另外，根据第三实施方案，连接的串联谐振电路可分别去掉波段A和波段B上的较高次谐波。然而，当然也可以设置去掉它们中的任一个较高次谐波，例如在较低频波段，也就是说，只连接了第一和第三串联谐振电路51和53来去掉波段A的较高次谐波。

实施方案4

本发明的第四实施方案如图4所示，相同部分的详细说明如图1和图3所示，不再赘述，重点将放在不同的部分。

在第四实施方案的半导体集成转换电路S4中，串联谐振电路包含在半导体集成转换电路S4中的无源电路元件和另一个从外部相连的无源电路元件。

也就是说，第一电容器13连接在第五场效晶体管5的源(或漏)和与31a相连的外线部分之间，同样第三电容器15连接在第五场效晶体管5的源(或漏)和与31c相连的外线部分之间。

在半导体集成转换电路S4的外部，与31a相连的外线部分和第一电感器17的一个端口，与31c相连的外线部分和第三电感器19的一个端口分别相连，另一方面第一和第三电感器17和19的另一端口与地面相连。

第一串联谐振电路51包含，在半导体集成转换电路S4中的第一电容器13，和连接在与端口31a相连的外线部分的第一电感器17。第三串联谐振电路53包含在半导体集成转换电路S4中的第三电容器15，和连接在与端口31c相连的外线部分的第三电感器19。

第二电容器14连接在第六场效晶体管6的源(或漏)和与端口31b相连的外线部分之间，第四电容器16连接在第六场效晶体管6的源(或漏)和与端口31d相连的外线部分之间。

此外，对半导体集成转换电路S4的外部，连接着端口31b的外线部分和第二电感器18的一个端口，连接着31d的外线部分和第四电感器20的一个端口分别相连，另一方面，第二和第四电感器18和20的另一端口接地。

第二串联谐振电路52包含，在半导体集成转换电路S4中的第二电容器14和连接连着端口31b的在外线上的第二电感器18。第四串联谐振电路54包含，在半导体集成转换电路S4中的第四电容器16和连接在连着端口31d的外线上的第四电感器20。

串联谐振电路元件，即电感器17、18、19、20连接在电路S4外部的原因将在下面讨论。

对将半导体集成转换电路S4应用于移动电话的情形中，本实施方案的配置中自感线圈(本实施方案中为电感器17、18、19、20)连接在与端口相连的外线部分，可以说是与缩小移动电话尺寸的需求相违背，因为需要空间来连接自感应线圈。

另一方面，用于高频信号的半导体集成电路，即所谓的微波单块集成电路IC，需要高电子迁移率和应用特殊的半导体材料，如GaAs，因此元件价格要比普通的半导体集成电路昂贵得多。

因此，如果自感线圈在半导体集成转换S4中形成单块集成电路，从而配置成为微波单块集成电路IC，这就要用占用较大空间的螺旋电感器，于是，随着IC元件价格上涨，就不可能用合理的价格提供该装置。

第四实施方案是在考虑上述问题的情况下以合理的价格提供产品的一种直接的措施。

实施方案的基本操作类似于图3所示的实施方案。

也就是说，第一和第三串联谐振电路51和53在公用输入输出端口21和地面之间电连接，分别由于在波段A的发射中第二和第五场效晶体管2和5处于“导通”状态。因此发射信号中阶数为n1和n3的较高次谐波已经被第一和第三谐振电路51和53去掉，发射信号由发射接收天线41发射出。

此外，第二和第四串联谐振电路52和54在公用输入输出端口21和地面之间电连接，分别由于在波段B的发射中第四和第六场效晶体管4和6处于“导通”状态。因此，发射信号中阶数为n2和n4的较高次谐波已经被第二和第四谐振电路52和54去掉，发射信号由发射接收天线41发射出。

另外，波段A和波段B的接收过程类似于图1所式实施方案，细节不再赘述。

根据第四实施方案，分别在波段A和波段B上，都连接了串联谐振电路来去掉较高次谐波。然而，当然也可以配置为用它们中的一个来去掉较高次谐波，例如，在低频波段，也就是说，只用第一和第三串联谐振电路51和53来去掉波段A的较高次谐波。

如上所述实施方案中，解释了包含所谓单极4直通转换电路S1到S4的每一个半导体集成转换电路。然而本发明的范围并不只限于以上实施方案，根据本发明的半导体集成转换电路也可应用于单极4直通转换电路(“n”是大于或等于2的整数)。

根据本发明的半导体集成转换电路中，只有较高次谐波成分被转移到地面，而期望信号的通路被保留，这样就控制了较高频信号的发射和减小了期望信号的损耗。

特别地，只有当有指定串联谐振电路的信号通过公用输入输出端口和输入/输出端口之间时，用于去掉较高次谐波的串联谐振电路才在公用输入输出端口和地面之间电连接，因此，甚至在双频带电路中，其中，一个信号频率是其它的数倍，这样就可能避免串联谐振电路在去掉一个较高次谐波时对正在通过的其它频率信号造成损耗，并且清除较高次谐波和不需要的频率时不用单独地象传统方式那样将较高次谐波清除滤波器连接到电路的外部。

Claims

1.一种半导体集成转换电路，用于将公用输入输出端口有选择性地连接到任一个输入/输出端口，包括：

用于将公用输入输出端口有选择性地连接到任一个输入/输出端口的多个第一转换元件，每一个位于公用输入输出端口和输入/输出端口中的相应的一个之间，并由外部施加的控制电压控制；

一个用于接地的接地端口；

一个串联谐振电路，具有的谐振频率设置为通过第一转换元件之一的基频的较高次谐波；

和一个用于串联谐振电路的第二转换元件，

其中，串联谐振电路和第二转换元件彼此串联，并被插入在公用输入输出端口与接地端口之间，

并且作用在第一转换元件之一上的控制电压共同作用在第二转换元件上。

2.根据权利要求1的半导体集成转换电路，

其中，多个串联谐振电路的每一个与各自第二转换元件串联，并被置于公用输入输出端口和接地端口之间。

3.根据权利要求1或2的半导体集成转换电路，

其中，具有不同谐振频率的串联谐振电路彼此并联，并被置于第二转换元件和接地端口之间。

4.根据权利要求1或2的半导体集成转换电路，

其中每个所述第一转换元件是场效晶体管，其漏极或源极中的一个连接到所述公用输入输出端口，其漏极或源极中的另一个连接到各自的所述输入/输出端口，并且所述控制电压通过栅电阻作用在其栅极上，

以及所述第二转换元件是场效晶体管，其漏极或源极中的一个连接到所述公用输入输出端口，其漏极或源极中的另一个连接着所述接地端口，并且所述控制电压通过栅电阻作用在其栅极上。

5.根据权利要求1或2的半导体集成转换电路，

其中，串联谐振电路包含串联的电容器和电感器，

电容器连接在第二转换元件和接地端口之间，

电感器外部地连接在接地端口和地面之间，使得接地端口通过该电感器而接地。