CN118732329A - 电子装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电子装置，包含：一光调控介质层，包含一液晶材料和一染料材料；一反射元件，相对于该光调控介质层且远离该电子装置的显示面设置；一反射偏光元件，设置在该光调控介质层与该反射元件之间；以及一偏振元件，设置在该反射偏光元件与该反射元件之间；其中，该反射元件对380nm至780nm的波长的光线的反射率大于或等于80％。

Description

电子装置

技术领域

本公开是关于一种电子装置，涉及一种包含光调控介质层的电子装置。

背景技术

目前市面上已有防眩的电子装置(例如后视镜或其他应用的装置)，用来减少因眩光而导致的刺眼或观看不适现象。

然而，市面上的防眩的电子装置仍存在抗眩光效果不佳或是响应时间过长等缺点。

因此，目前亟需提供一种改善的装置，希望改善以往缺陷。

发明内容

本公开提供一种电子装置，其特征在于，包括：一光调控介质层，包含一液晶材料和一染料材料；一反射元件，相对于该光调控介质层且远离该电子装置的显示面设置；一反射偏光元件，设置在该光调控介质层与该反射元件之间；以及一偏振元件，设置在该反射偏光元件与该反射元件之间；其中，该反射元件对380nm至780nm的波长的光线的反射率大于或等于80％。

本公开另提供一种电子装置，其特征在于，包括：一光调控介质层，包含一液晶材料和一染料材料；一反射元件，相对于该光调控介质层且远离该电子装置的显示面设置；以及一偏振元件，设置在该光调控介质层与该反射元件之间；其中，该反射元件对380nm至780nm的波长的光线的反射率大于或等于80％；其中，当该电子装置切换到低反射模式时，该光调控介质层具有一第一吸收轴，该第一吸收轴与该偏振元件的一第二吸收轴之间的夹角介于80度至100度之间。

附图说明

图1A示出本公开一实施例的电子装置的高反射模式的示意图；

图1B示出本公开一实施例的电子装置的低反射模式的示意图；

图1C示出本公开一实施例的电子装置的各元件的吸收轴、穿透轴和反射轴的示意图；

图2示出本公开一实施例的电子装置的示意图；

图3示出本公开一实施例的电子装置的示意图；

图4示出本公开一实施例的电子装置的示意图；

图5A示出本公开一实施例的电子装置的高反射模式的示意图；

图5B示出本公开一实施例的电子装置的高反射模式的示意图；

图5C示出本公开一实施例的电子装置的各元件的吸收轴和穿透轴的示意图；

图6示出本公开一实施例的电子装置的示意图；

图7示出本公开一实施例的电子装置的示意图；

图8示出本公开一实施例的电子装置的示意图。

附图标记：

1：光调控介质层；

11：液晶材料；

12：染料材料；

2：反射偏光元件；

3：偏振元件；

4：反射元件；

51：第一基板；

52：第二基板；

53：第三基板；

61：第一电极层；

62：第二电极层；

71：第一配向层；

72：第二配向层；

L：入射光；

L’：出射光；

S：密封件；

S1：显示面。

具体实施方式

以下针对本发明实施例的电子装置作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例，用于实施本发明一些实施例的不同形式。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本发明一些实施例。当然，这些仅用于举例而非本发明的限定。此外，在不同实施例中可能使用类似及/或对应的标号标示类似及/或对应的元件，以清楚描述本发明。然而，这些类似及/或对应的标号的使用仅为了简单清楚地叙述本发明一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。

应理解的是，实施例中可能使用相对性用语，例如【较低】或【底部】或【较高】或【顶部】，以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。可理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在【较低】侧的元件将会成为在较高侧的元件。本发明实施例可配合附图一并理解，本发明的附图页被视为公开说明的一部分。应理解的是，本发明的附图并未按照比例绘制，事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸以便清楚表现出本发明的特征。

本发明中所叙述的一结构(或层别、组件、基材)位于另一结构(或层别、组件、基材)之上/上方，可以指两个结构相邻且直接连接，或是可以指两个结构相邻而非直接连接。非直接连接是指两个结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介组件、中介基材、中介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接在中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面。而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本发明中，当某结构设置在其它结构【上】时，有可能是指某结构【直接】在其它结构上，或指某结构【间接】在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。

此外，应理解的是，说明书与权利要求书中所使用的序数例如【第一】、【第二】等的用词用于修饰元件，其本身并不意涵及代表该(或这些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求书与说明书中可不使用相同用词，例如，说明书中的第一元件在权利要求中可能为第二元件。

在本发明一些实施例中，关于接合、连接的用语例如【连接】、【互连】等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者也可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设在此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语也可包含两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语【电性连接】或【耦接】包含任何直接及间接的电性连接手段。

在文中，【约】、【实质上】、【大致上】的用语通常表示在一给定值或范围的10％内、或5％内、或3％之内、或2％之内、或1％之内、或0.5％之内。除非另外说明，用语【范围介于第一数值至第二数值之间】表示所述范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。再者，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。若第一数值等于第二数值，其隐含着第一数值与第二数值之间可存在着约10％的误差；若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。在本发明中，用语“给定范围为第一数值至第二数值”、“给定范围落在第一数值至第二数值的范围内”表示所述给定范围包括第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。

再者，根据本发明的实施例，可使用光学显微镜(optical microscopy，OM)、扫描式电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪、或其它合适的方式量测各元件的厚度、长度、宽度或元件之间的距离、角度。详细而言，根据一些实施例，可使用扫描式电子显微镜取得结构的剖面影像，并量测各元件的厚度、长度、宽度或元件之间的距离、角度。

本发明通篇说明书以及权利要求书中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应可理解的是，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意旨区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，【包括】、【包含】、【具有】等词为开放式词语，因此其应被解释为【包含但不限定为…】之意。因此，当本发明的描述中使用术语【包括】、【包含】及/或【具有】时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或元件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或元件的存在。

应理解的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、结合以完成其它实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意结合搭配使用。

除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本发明实施例有特别定义。通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本发明中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。

本发明通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。

本发明的电子装置可包括电子元件。电子元件可包括被动元件、主动元件或上述的组合，例如电容、电阻、电感、变容二极体(Varactor Diodes)、可变电容、滤波器、二极体、电晶体(transistors)、感应器、微机电系统元件(MEMS)、液晶晶片(liquid crystal chip)等，但不限于此。二极体可包括发光二极体或非发光二极体。二极体包括P-N接面二极体(P-N.Junction diode)、PIN型二极体(PIN Diode)或定电流二极体(Constant CurrentDiode)。发光二极体可例如包括有机发光二极体(organic light emitting diode，OLED)、次毫米发光二极体(mini LED)、微发光二极体(micro LED)、量子点发光二极体(quantumdot LED)、萤光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他适合之材料、或上述组合，但不以此为限。感应器可例如包括电容式感应器(capacitive sensors)、光学式感应器(opticalsensors)、电磁式感应器(electromagnetic sensors)、指纹感应器(fingerprint sensor，FPS)、触控感应器(touch sensor)、天线(antenna)、或触控笔(pen sensor)等，但不限于此。下文将以显示装置做为电子装置以说明本发明内容，但不以此为限。

电子装置可包括取像装置、贴合装置、显示装置、背光装置、天线装置、拼接装置、触控电子装置(touch display)、曲面电子装置(curved display)或非矩形电子装置(freeshape display)，但不以此为限。电子装置可例如包括液晶(liquid crystal)、发光二极体(light emitting diode)、萤光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其它合适的显示介质、或前述的组合，但不以此为限。显示装置可为非自发光型显示装置或自发光型显示装置。天线装置可为液晶型态的天线装置或非液晶型态的天线装置，感测装置可为感测电容、光线、热能或超声波的感测装置，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统…等周边系统以支援显示装置、天线装置或拼接装置。须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。须说明的是，下文中不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本公开精神的情况下构成另一实施例。

图1A示出本公开一实施例的电子装置的高反射模式的示意图。图1B示出本公开一实施例的电子装置的低反射模式的示意图。图1C示出本公开一实施例的电子装置的各元件的吸收轴、穿透轴和反射轴的示意图。

在本公开的一实施例中，如图1A和图1B所示，电子装置可包含：一光调控介质层1，包含一液晶材料11和一染料材料12；一反射元件4，相对于光调控介质层1且远离电子装置的显示面S1设置；一反射偏光元件2，设置在光调控介质层1与反射元件4之间；以及一偏振元件3，设置在反射偏光元件2与反射元件4之间，反射元件4对380nm至780nm的波长的光线的反射率大于或等于80％。通过上述设置，电子装置可用于切换高反射模式及低反射模式从而降低电子装置的眩光情形或改善反应速率，关于高反射模式及低反射模式的切换后续会说明。

更详细地，如图1A和图1B所示，电子装置可包含：一第一基板51；以及一第二基板52，与第一基板51相对设置，其中，光调控介质层1设置在第一基板51与第二基板52之间，反射元件4、反射偏光元件2及/或偏振元件3分别设置在第二基板52远离光调控介质层1的一侧，且反射偏光元件2与偏振元件3彼此相邻设置，但不限于此。上述的反射偏光元件2与偏振元件3彼此相邻设置代表两者之间未有其他光学元件(例如具有相位延迟的光学元件或是具有偏光功能的光学元件)，但不排除两者之间可通过附着件黏合固定。

在本公开中，第一基板51和第二基板52的材料可为相同或不相同，第一基板51和第二基板52的材料可各自包含玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、陶瓷、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate,PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)、三醋酸纤维素(triacetate cellulose,TAC)、其它合适的基板材料或前述的组合，但本公开不限于此。

在本公开中，光调控介质层1例如可为宾主型液晶(guest-host liquid crystal,GHLC)，例如包含液晶材料11和染料材料12，液晶材料11可包含聚合物分散型液晶(Polymer-Dispersed Liquid Crystal,PDLC)、聚合物网络液晶(Polymer Network LiquidCrystal,PNLC)、扭曲向列型液晶(twisted nematic liquid crystal,TN LC)、超级扭曲向列液晶(super twisted nematic liquid crystal,STN LC)、其他合适的液晶材料或前述的组合，但本公开不限于此。在本公开中，染料材料12可包含二色性染料(Dichroic Dye)，且对波长介于例如360nm至830nm的范围内的光具有吸收率，但不限于此。染料材料12的颜色可例如为黑色、紫色、橙色、蓝色、其他合适颜色或其组合，但不限于此。不同颜色的染料材料12可用于吸收不同波长的光线(例如不同可见光波段的光)，可用于调整穿透光的颜色。

在本公开中，反射元件4的材料可包含金属材料、非金属材料(例如白色材料或其他合适颜色的反射材料)、其它反射材料或其组合。金属材料例如可包含金、银、铜、铝、其它合适材料或其组合，但本公开不限于此。白色材料例如包括白色基板、白色油墨、白色聚酰亚胺、白色树脂、其它合适材料或其组合，但本公开不限于此。在本公开中，反射元件4对380nm至780nm的波长的光线的反射率可大于或等于80％且小于100％，例如大于或等于85％且小于100％，或大于或等于88％且小于100％，或大于或等于90％且小于100％，但本公开不限于此。在本公开中，反射偏光元件2例如可包括具有反射功能的偏振片，但不限于此。在本公开中，偏振元件3可为本领域已知的任何偏振元件，例如染料系(dye)、碘系之类的偏光元件或其他材料的偏光元件，但本公开不限于此。

在本公开的一实施例中，如图1A和图1B所示，电子装置可包含：一第一电极层61，设置在第一基板51与光调控介质层1之间；一第一配向层71，设置在第一电极层61与光调控介质层1之间；一第二电极层62，设置在第二基板52与光调控介质层1之间；以及一第二配向层72，设置在第二电极层62与光调控介质层1之间，其中，光调控介质层1设置在第一配向层71与第二配向层72之间。在本公开中，不施加电压时，光调控介质层1中的液晶材料11和染料材料12可根据第一配向层71和第二配向层72的配向方向而排列。通过对第一电极层61和第二电极层62施加或不施加电压，以控制光调控介质层1中的液晶材料11和染料材料12的排列方向，从而达到切换高反射模式及低反射模式。举例来说，若光调控介质层1中的液晶材料11为正型液晶时，此时第一配向层71与第二配向层72例如为水平配向，当未对第一电极层61和第二电极层62施加电压时，光调控介质层1中的液晶材料11和染料材料12例如大致呈平行于第一基板51的表面(或第二基板52的表面)排列；当对第一电极层61和第二电极层62施加电压以使第一电极层61和第二电极层62之间产生电场(例如垂直电场)时，光调控介质层1中的液晶材料11和染料材料12的排列方向例如大致平行于电场方向，使液晶材料11和染料材料12例如大致呈垂直于第一基板51的表面(或第二基板52的表面)排列。举例来说，若光调控介质层1中的液晶材料11为负型液晶时，此时第一配向层71与第二配向层72例如为垂直配向，当未对第一电极层61和第二电极层62施加电压时，光调控介质层1中的液晶材料11和染料材料12例如大致呈垂直于第一基板51的表面(或第二基板52的表面)排列；当对第一电极层61和第二电极层62施加电压以使第一电极层61和第二电极层62之间产生电场(例如垂直电场)时，光调控介质层1中的液晶材料11和染料材料12的排列方向例如大致垂直于电场方向排列。

在本公开中，第一电极层61和第二电极层62的材料可为相同或不相同，第一电极层61和第二电极层62的材料可各自包含透明导电材料，例如氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铝锌(AZO)、其他合适材料或上述的组合，但本公开不限于此。

在本公开的一实施例中，如图1A和图1B所示，反射偏光元件2与该偏振元件3相邻设置。如图1A和图1B所示，电子装置可包含：一第三基板53，设置在反射元件4与偏振元件3之间。在此实施例中，反射元件4例如先设置在第三基板53上后，后续再与已对组好的面板(例如包含彼此相对的第一基板51及第二基板52，及位于第一基板51与第二基板52之间的光调控介质层1)对组，通过上述方式，可降低因设置反射元件4时的高温而影响或损坏面板中的光调控介质层1或其他元件(例如电极、配向层，但不限于此)的情形，提高电子装置的合格率或品质。在本公开的一实施例中，如图1A和图1B所示，反射偏光元件2及/或偏振元件3设置在第二基板52与第三基板53之间，但不限于此。在本公开的一实施例中，如图1A和图1B所示，反射元件4设置在第三基板53远离电子装置的显示面S1的一侧。在本公开的一实施例中，虽然附图未示出，电子装置可省略设置第三基板53，降低电子装置的厚度或节省成本，但不限于此。在本公开中，第三基板53的材料可与第一基板51及/或第二基板52相同或不相同，第三基板53的材料如第一基板51和第二基板52所述，在此不再赘述。第三基板53的厚度可与第一基板51及/或第二基板52的厚度相同或不相同。

在本公开的一实施例中，如图1A和图1B所示，电子装置可包含一密封件S，围绕光调控介质层1设置。在本公开中，密封件S的材料包括玻璃胶、光学胶、硅胶、胶带、热熔胶、AB胶、双组份胶黏剂、光固化胶、聚合物胶材、树脂或其组合，但不限于此。

在本公开的一实施例中，如图1C所示，偏振元件3具有一第二穿透轴P2及与第二穿透轴P2大致上垂直的一第二吸收轴A2。反射偏光元件2具有一第三穿透轴P3及与第三穿透轴P3大致上垂直的一反射轴R。在本公开的一实施例中，电子装置可切换高反射模式及低反射模式，如图1C及图1B所示，当电子装置切换到低反射模式时，光调控介质层1中的液晶材料11和染料材料12的排列方向例如大致呈平行于第一基板51的表面(或第二基板52的表面)排列，此时光调控介质层1可具有一第一穿透轴P1及与第一穿透轴P1大致上垂直的第一吸收轴A1。在本公开的一实施例中，反射偏光元件2的反射轴R与光调控介质层1的第一吸收轴A1可大致上平行。在本公开的一实施例中，偏振元件3的第二穿透轴P2与反射偏光元件2的第三穿透轴P3可不平行，更详细地，偏振元件3的第二穿透轴P2与反射偏光元件2的第三穿透轴P3之间具有一第一夹角θ1，且第一夹角θ1介于10度(°)至80度之间或100度至170度之间。所述【平行】例如可指两轴之间的夹角介于0度至10度之间(例如0度≦两轴之间的夹角≦10度)。所述【垂直】例如可指两轴之间的夹角介于80度至100度之间(例如80度≦两轴之间的夹角≦100度)。

以下将详细说明电子装置在高反射模式和低反射模式时，光通过电子装置的情形。其中，图1A和图1B中的水平双向箭头表示水平偏振光，垂直双向箭头表示垂直偏振光。

在本公开的一实施例中，如图1A和图1C所示，以液晶材料11选用负型液晶，而第一配向层71和第二配向层72可例如分别为垂直配向为例，但不限于此。在其它实施例，液晶材料11可选用正型液晶，而第一配向层71和第二配向层72可例如分别为水平配向，但不限于此。当电子装置切换到高反射模式时，光调控介质层1中的液晶材料11的长轴方向和染料材料12的长轴方向可分别与第一基板51和第二基板52的表面大致呈垂直，此时，入射光L(包含水平偏振光和垂直偏振光)例如不易被染料材料12所吸收，大部分的入射光L可穿透光调控介质层1。接着，由于反射偏光元件2的第三穿透轴P3例如与水平偏振光大致平行，因此，大部分的水平偏振光会穿过反射偏光元件2，另由于反射偏光元件2的反射轴R与垂直偏振光平行，大部分的垂直偏振光可被反射偏光元件2反射出，形成如图1A所示的出射光L’的一部份(例如垂直偏振光)。而后，由于偏振元件3的第二吸收轴A2与反射偏光元件2的第三穿透轴P3不平行，即偏振元件3的第二吸收轴A2与通过反射偏光元件2的水平偏振光不平行，故穿过反射偏光元件2的至少一部分的水平偏振光可被偏振元件3吸收。之后，穿过偏振元件3的部分的水平偏振光例如可被反射元件4反射至偏振元件3，此被反射的水平偏振光再次被偏振元件3部分吸收。而后，由于反射偏光元件2的第三穿透轴P3与水平偏振光大致平行，因此，穿过偏振元件3及反射偏光元件2的水平偏振光会穿过光调控介质层1，形成出射光L’的一部份(例如水平偏振光)，即出射光L’例如至少包括水平偏振光及垂直偏振光两部分。通过上述光调控介质层1、反射偏光元件2、及偏振元件3之间的上述该些轴向的关系，可在切换到高反射模式时，增加电子装置在高反射模式的出光量，但不限于此。

在本公开的一实施例中，如图1B和图1C所示，同样以液晶材料11选用负型液晶，而第一配向层71和第二配向层72可例如分别为垂直配向为例，当电子装置切换到低反射模式时(例如对第一电极层61和第二电极层62施加电压)，光调控介质层1中的液晶材料11的长轴方向和染料材料12的长轴方向可分别与第一基板51和第二基板52的表面呈平行，此时部分入射光L(例如垂直偏振光)易被染料12材料所吸收，即大部分的垂直偏振光会被染料材料12吸收，仅有部分的垂直偏振光可穿透光调控介质层1。接着，由于反射偏光元件2的第三穿透轴P3与水平偏振光大致平行，因此，大部分的水平偏振光会穿过反射偏光元件2，另由于反射偏光元件2的反射轴R与垂直偏振光平行，故穿过光调控介质层1的少部分的垂直偏振光可被反射偏光元件2反射，形成出射光L’的一部份(例如垂直偏振光)。而后，由于偏振元件3的第二穿透轴P2与水平偏振光不平行，故穿过反射偏光元件2的部分的水平偏振光可例如被偏振元件3吸收，仅有部分的水平偏振光会穿过偏振元件3。之后，穿过偏振元件3的部分的水平偏振光例如被反射元件4反射回偏振元件3，使部分的水平偏振光再次被偏振元件3所吸收。而后，由于此部分的水平偏振光与反射偏光元件2的第三穿透轴P3及/或光调控介质层1的第一穿透轴P1大致平行，因此，穿过偏振元件3的部分的水平偏振光例如穿过反射偏光元件2及光调控介质层1，形成出射光L’的一部份(例如水平偏振光)，即出射光L’例如至少包括少量的水平偏振光及少量的垂直偏振光两部分。通过上述光调控介质层1、反射偏光元件2、及偏振元件3之间的上述该些轴向的关系，可在切换到低反射模式时，降低电子装置产生眩光的情形。

图2示出本公开一实施例的电子装置的示意图。其中，图2的电子装置与图1A相似，除了以下差异。

在本公开的一实施例中，如图2所示，电子装置可还包含一光学元件8，设置在第一基板51远离光调控介质层1的一侧，光调控介质层1设置在光学元件8与反射偏光元件2之间。更详细地，光学元件8相较于光调控介质层1可邻近于电子装置的显示面S1。光学元件8可包括抗眩光层、抗反射层或前述的组合，但不限于此，从而改善电子装置的眩光等情形。在一些实施例，抗眩光层可选用透明的有机材料或无机材料所形成，抗眩光层的雾度可介于1Haze至65Haze之间，但不限于此。在一些实施例，抗眩光层可通过网印、涂布或其他合适的方式所形成。在一些实施例，抗反射层例如包括多层高折射率与低折射率材料相叠所形成，但不限于此。

在本公开中，光学元件8例如可包括光学膜，光学膜可通过黏着层(图未示出)贴附在第一基板51远离光调控介质层1的表面上，或者，光学元件8例如可为光学涂层，可通过对第一基板51远离光调控介质层1的表面进行表面处理以形成光学涂层，但不限于此。在本公开中，图2的电子装置的其他元件和材料等可如前所述，在此不再赘述。

图3示出本公开一实施例的电子装置的示意图。其中，图3的电子装置与图1A相似，除了以下差异。

在本公开的一实施例中，如图3所示，电子装置包含：一第一基板51；以及一第二基板52，相对于第一基板51设置；其中，光调控介质层1设置在第一基板51与第二基板52之间，反射偏光元件2和偏振元件3设置在光调控介质层1与第二基板52之间，反射偏光元件2和偏振元件3例如彼此相邻设置。

在本公开的一实施例中，如图3所示，电子装置包含：一第一电极层61，设置在光调控介质层1与第一基板51之间；一第二电极层62，设置在光调控介质层1与反射偏光元件2之间；以及一绝缘层9，设置在第二电极层62与反射偏光元件2之间。

在本公开中，绝缘层9的材料可包含透明绝缘材料，例如包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、树脂、聚合物、光阻或其组合，但不限于此。第二电极层62例如设置在第二配向层72与绝缘层9之间。在本公开的一实施例中，如图3所示，电子装置可还包含一光学元件8，设置在第一基板51远离光调控介质层1的一侧。更详细地，光学元件8相较于光调控介质层1更邻近于电子装置的显示面S1上。光学元件8可包括抗眩光层、抗反射层或前述的组合，从而改善电子装置的眩光等情形。光学元件8的细节可参考前述。在本公开中，图3的电子装置的其他元件和材料等可如前所述，在此不再赘述。

在本公开的一实施例(如图3)中，第一配向层71和第二配向层72可例如分别为垂直配向，液晶材料11例如为负型液晶，当对第一电极层61和第二电极层62施加或不施加电压时，可控制液晶材料11和染料材料12的排列方向，从而达到切换高反射模式及低反射模式。如图3所示，当未对第一电极层61和第二电极层62施加电压时，光调控介质层1中的液晶材料11的长轴方向分别和染料材料12的长轴方向可分别与第一基板51和第二基板52的表面呈垂直，此时，入射光不易被染料材料12所吸收，此时的电子装置可为高反射模式。相似地，虽然图未示出(可参考图1B)，当对第一电极层61和第二电极层62施加电压时，光调控介质层1中的液晶材料11的长轴方向和染料材料12的长轴方向可分别与第一基板51和第二基板52大致呈水平，此时，入射光易被染料材料12所吸收，因此电子装置可为低反射模式。

图4示出本公开一实施例的电子装置的示意图。其中，图4的电子装置与图1B相似，除了以下差异。

在本公开的一实施例中，如图4所示，电子装置包含：一第一基板51；以及一第二基板52，相对于第一基板51设置；其中光调控介质层1设置在第一基板51与第二基板52之间，且反射偏光元件2和偏振元件3设置在光调控介质层1与第二基板52之间。

在本公开的一实施例中，如图4所示，电子装置包含：一第一电极层61，设置在光调控介质层1与第一基板51之间；一第二电极层62，设置在光调控介质层1与反射偏光元件2之间；以及一绝缘层9，设置在第二电极层62与反射偏光元件2之间。

在本公开的一实施例中，如图4所示，电子装置可还包含一光学元件8，设置在第一基板51远离光调控介质层1的一侧，光学元件8相较于光调控介质层1更邻近于电子装置的显示面S1上。光学元件8可包括抗眩光层、抗反射层或上述的组合，从而改善电子装置的眩光等情形。光学元件8的细节可参考前述。

在本公开的一实施例(如图4)中，第一配向层71和第二配向层72可例如分别为水平配向，液晶材料11例如为正型液晶，当对第一电极层61和第二电极层62施加或不施加电压时，可控制液晶材料11和染料材料12的排列方向，从而达到切换高反射模式及低反射模式。如图4所示，当未对第一电极层61和第二电极层62施加电压时，光调控介质层1中的液晶材料11的长轴方向分别和染料材料12的长轴方向可分别与第一基板51和第二基板52的表面呈平行，此时，至少部分入射光容易被染料材料12所吸收，此时的电子装置可为低反射模式。相似地，虽然图未示出(可参考图1A)，当对第一电极层61和第二电极层62施加电压时，光调控介质层1中的液晶材料11的长轴方向和染料材料12的长轴方向可分别与第一基板51和第二基板52大致呈垂直，此时，入射光不容易被染料材料12所吸收，因此，大部分的入射光可穿透光调控介质层1，电子装置可为高反射模式。

图5A示出本公开一实施例的电子装置的高反射模式的示意图。图5B示出本公开一实施例的电子装置的高反射模式的示意图。图5C示出本公开一实施例的电子装置的各元件的吸收轴和穿透轴的示意图。

在本公开的一实施例中，如图5A和图5B所示，电子装置可包含：一种电子装置，其特征在于，包含：一光调控介质层1，包含一液晶材料11和一染料材料12；一反射元件4，相对于光调控介质层1且远离电子装置的显示面S1设置；以及一偏振元件3，设置在光调控介质层1与反射元件4之间，偏振元件3与反射元件4例如相邻设置，其中反射元件4对380nm至780nm的波长的光线的反射率大于或等于80％。通过上述设置，电子装置可切换高反射模式及低反射模式，从而降低电子装置的眩光情形或改善反应速率。

更详细地，如图5A和图5B所示，电子装置可包含：一第一基板51；以及一第二基板52，与第一基板51相对设置，其中，光调控介质层1设置在第一基板51与第二基板52之间，反射元件4及/或偏振元件3分别设置在第二基板52之远离光调控介质层1的一侧(即远离显示面S1的一侧)，且偏振元件3设置于第二基板52与反射元件4之间。

在本公开的一实施例中，如图5A和图5B所示，电子装置可包含：一第一电极层61，设置在第一基板51与光调控介质层1之间；一第一配向层71，设置在第一电极层61与光调控介质层1之间；一第二电极层62，设置在第二基板52与光调控介质层1之间；以及一第二配向层72，设置在第二电极层62与光调控介质层1之间，其中，光调控介质层1设置在第一配向层71与第二配向层72之间。在本公开中，光调控介质层1中的液晶材料11和染料材料12可例如通过第一配向层71和第二配向层72的配向方向而排列，并通过对第一电极层51和第二电极层52施加或不施加电压，以控制液晶材料11和染料材料12的排列方向，从而达到切换高反射模式及低反射模式。关于第一配向层71和第二配向层72的配向方向(例如水平配向或垂直配向)及液晶材料11的选用(例如正型或负型)的驱动可以参考前述说明。

在本公开中，第一基板51、第二基板52、第一电极层61、第二电极层62、第一配向层71、第二配向层72、液晶材料11、染料材料12、反射元件4和偏振元件3的材料和特征如前所述，在此不再赘述。

在本公开的一实施例中，偏振元件3具有一第二穿透轴P2及与第二穿透轴P2大致上垂直的一第二吸收轴A2。在本公开的一实施例中，电子装置可切换高反射模式及低反射模式，如图5C及图5B所示，当电子装置切换到低反射模式时，光调控介质层1中的液晶材料11和染料材料12的排列方向例如大致呈平行于第一基板51的表面(或第二基板52的表面)排列，此时光调控介质层1具有一第一穿透轴P1及与第一穿透轴P1大致上垂直的第一吸收轴A1。在本公开的一实施例中，光调控介质层1的第一吸收轴A1与偏振元件3的第二吸收轴A2之间具有一第二夹角θ2，且第二夹角θ2介于80度至100度之间，但不限于此。在本公开的一实施例中，第一吸收轴A1与第二吸收轴A2可为互相垂直，即第一吸收轴A1与第二吸收轴A2之间的第二夹角θ2可例如为90度。所述【垂直】例如可指两轴之间的夹角介于80度至100度之间(例如80度≦两轴之间的夹角≦100度)。

以下将详细说明电子装置在高反射模式和低反射模式时，光通过电子装置的情形。其中，图5A和图5B中的水平双向箭头表示水平偏振光，垂直双向箭头表示垂直偏振光。

在本公开的一实施例中，如图5A和图5C所示，以液晶材料11选用负型液晶，而第一配向层71和第二配向层72可例如分别为垂直配向为例，但不限于此。在其它实施例，液晶材料11可选用正型液晶，而第一配向层71和第二配向层72可例如分别为水平配向，但不限于此。当电子装置切换到高反射模式时，光调控介质层1中的液晶材料11的长轴方向和染料材料12的长轴方向可分别与第一基板51和第二基板52大致呈垂直，此时，入射光L(包含水平偏振光和垂直偏振光)不容易被染料材料12所吸收，因此，大部分的入射光L(包含水平偏振光和垂直偏振光)可穿透光调控介质层1。接着，由于偏振元件3的第二吸收轴A2与穿过光调控介质层1的水平偏振光大致平行，穿过光调控介质层1的大部分的水平偏振光可被偏振元件3吸收，而由于偏振元件3的第二穿透轴P2与垂直偏振光大致平行，穿过光调控介质层1的大部分的垂直偏振光可穿过偏振元件3。之后，穿过偏振元件3的垂直偏振光被反射元件4反射至偏振元件3，被反射的大部分的垂直偏振光可再次穿过偏振元件3和光调控介质层1，形成出射光L’的一部份(例如垂直偏振光)，即出射光L’例如主要包括垂直偏振光。通过上述光调控介质层1及偏振元件3之间的上述该些轴向的关系，可在切换到低高射模式时，可达到合适的出光量，但不限于此。

在本公开的一实施例中，如图5B和图5C所示，同样以液晶材料11选用负型液晶，而第一配向层71和第二配向层72可例如分别为垂直配向为例，当电子装置切换到低反射模式时(例如对第一电极层61和第二电极层62施加电压)，光调控介质层1中的液晶材料11的长轴方向和染料材料12的长轴方向可分别与第一基板51和第二基板52大致呈平行，此时，部分入射光L(例如垂直偏振光)易被染料材料12所吸收，即大部分的垂直偏振光会被染料材料12吸收，少部份的垂直偏振光未被吸收而穿透光调控介质层1，而大部分的水平偏振光可例如穿透光调控介质层1。接着，由于偏振元件3的第二吸收轴A2与穿过光调控介质层1的水平偏振光大致平行，故大部分的水平偏振光可被偏振元件3吸收，另由于偏振元件3的第二穿透轴P2与穿透光调控介质层1的垂直偏振光大致平行，上述该些穿过的垂直偏振光可通过偏振元件3。之后，上述该些穿过偏振元件3的垂直偏振光被反射元件4反射至偏振元件3，被反射的上述该些垂直偏振光再次穿过偏振元件3和光调控介质层1，形成少量的出射光L’的一部分(例如垂直偏振光)，即出射光L’例如至少包括少量的垂直偏振光。通过上述光调控介质层1及偏振元件3之间的上述该些轴向的关系，可在切换到低反射模式时，降低电子装置产生眩光的情形。

图6示出本公开一实施例的电子装置的示意图。其中，图6的电子装置与图5A相似，除了以下差异。

在本公开的一实施例中，如图6所示，偏振元件3可设置在光调控介质层1与第二基板52之间。在本公开的一实施例中，如图6所示，第二基板52可设置在偏振元件3与反射元件4之间。在一实施例中，偏振元件3例如设置在第二电极层62与第二基板52之间，偏振元件3可例如包括多个条状结构，此些条状结构的材料包括金属材料(例如黑化金属)或其它合适的非穿透材料所形成，但不限于此。

在本公开的一实施例中，如图6所示，电子装置可还包含一光学元件8，设置在第一基板51远离光调控介质层1的一侧，更详细地，光学元件8相较于光调控介质层1更邻近于电子装置的显示面S1上。光学元件8可包括抗眩光层、抗反射层或上述的组合，从而改善电子装置的眩光等情形。在本公开中，图6的电子装置的其他元件和材料等可如前所述，在此不再赘述。

图7示出本公开一实施例的电子装置的示意图。其中，图7的电子装置与图5A相似，除了以下差异。

在本公开的一实施例中，如图7所示，偏振元件3和反射元件4彼此相邻，偏振元件3和反射元件4可设置在光调控介质层1与第二基板52之间。上述偏振元件3和反射元件4彼此相邻，不限定两者接触，偏振元件3和反射元件4可选择性隔有其它透光的材料层(未提供相位延迟的合适材料层，即相位延迟量接近0的合适材料)。

在本公开的一实施例中，如图7所示，电子装置可还包含一光学元件8，设置在第一基板51远离光调控介质层1的一侧，更详细地，光学元件8相较于光调控介质层1更邻近于电子装置的显示面S1上。光学元件8可包括抗眩光层、抗反射层或上述的组合，从而改善电子装置的眩光等情形。在本公开中，图7的电子装置的其他元件和材料等可如前所述，在此不再赘述。

图8示出本公开一实施例的电子装置的示意图。其中，图8的电子装置与图5B相似，除了以下差异。

在本公开的一实施例中，如图8所示，偏振元件3可设置在光调控介质层1与第二基板52之间，第二基板52可设置在偏振元件3与反射元件4之间。

在本公开的一实施例中，如图8所示，电子装置可还包含一光学元件8，设置在第一基板51远离光调控介质层1的一侧，更详细地，光学元件8可相较于光调控介质层1更邻近于电子装置的显示面S1上。光学元件8可包括抗眩光层、抗反射层或上述的组合，从而改善电子装置的眩光等情形。在本公开中，如图8所示，第一配向层71和第二配向层72举例例如分别为水平配向，而液晶材料11可为正型液晶，故在当对第一电极层61和第二电极层62不施加电压时，光调控介质层1中的液晶材料11的长轴方向分别和染料材料12的长轴方向可分别与第一基板51和第二基板52的表面呈平行，但不限于此。在其他实施例中，第一配向层71和第二配向层72亦可分别为垂直配向，而液晶材料11可为负型液晶，当对第一电极层61和第二电极层62施加电压时，光调控介质层1中的液晶材料11的长轴方向和染料材料12的长轴方向可分别与第一基板51和第二基板52大致呈垂直。在本公开中，图8的电子装置的其他元件和材料等可如前所述，在此不再赘述。

在本公开的一实施例中，第一基板51、第二基板52及第三基板53例如选用未提供相位延迟的合适材料，即相位延迟量接近0的合适材料，但不限于此。需注意的是，上述不同实施例中的电子装置可例如以被动式或主动式(即有驱动电晶体(未绘示))方式驱动光调控介质层1。需注意的是，上述不同实施例中的电子装置举例第一电极层61和第二电极层62例如为整面，但不限于此，第一电极层61和第二电极层62可图案化成多个部分，多个第一电极层61的部分与多个第二电极层62的部分(未绘示)例如彼此重叠而形成多个重叠区(未绘示)，位于不同重叠区的光调控介质层1可选择性被驱动或未被驱动以达到分区驱动的效果。需注意的是，上述该些不同的元件，例如第二基板52、第三基板53、反射偏光元件2、偏振元件3及/或反射元件4之间可选择性透过附着件(未绘示)而彼此固定。需注意的是，上述该些不同的元件，例如第二基板52、第三基板53、反射偏光元件2、偏振元件3及/或反射元件4之间可选择性通过设置有其他透光的材料层(例如未提供相位延迟的合适材料层，即相位延迟量接近0的合适材料)。

在本公开中，电子装置可应用于任何需要切换高反射模式及低反射模式的电子装置，从而降低电子装置的眩光情形或改善反应速率。在本公开中，电子装置可应用于例如车用(或其它乘载应用)的后视镜或其他合适应用产品，但本公开不限于此。

以上的具体实施例应被解释为仅仅是说明性的，而不以任何方式限制本公开的其余部分。

Claims (11)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

一光调控介质层，包含一液晶材料和一染料材料；

一反射元件，相对于该光调控介质层且远离该电子装置的显示面设置；

一反射偏光元件，设置在该光调控介质层与该反射元件之间；以及

一偏振元件，设置在该反射偏光元件与该反射元件之间；

其中，该反射元件对380nm至780nm的波长的光线的反射率大于或等于80％。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：

一第一基板；以及

一第二基板，相对于该第一基板设置，其中该光调控介质层设置在该第一基板与该第二基板之间，

其中该电子装置可切换高反射模式及低反射模式，当该电子装置切换到该低反射模式时，该光调控介质层具有一第一吸收轴，且该反射偏光元件的反射轴与该第一吸收轴平行，其中当该电子装置切换到该高反射模式时，该光调控介质层中的该液晶材料的长轴方向和该染料材料的长轴方向分别与该第一基板的一表面呈垂直。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括一光学元件，其中该光调控介质层设置在该光学元件与该反射偏光元件之间，该光学元件包括抗眩光层、抗反射层或前述的组合。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该反射偏光元件的穿透轴与该偏振元件的穿透轴之间具有一第一夹角，且该第一夹角介于10度至80度之间或100度至170度之间。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该反射偏光元件与该偏振元件相邻设置。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：

一第一基板；以及

一第二基板，相对于该第一基板设置；

其中，该光调控介质层设置在该第一基板与该第二基板之间，且该反射偏光元件和该偏振元件设置在该光调控介质层与该第二基板之间。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：

一电极层，设置在该光调控介质层与该反射偏光元件之间；以及

一绝缘层，设置在该电极层与该反射偏光元件之间，且该绝缘层的材料包含透明绝缘材料。

8.一种电子装置，其特征在于，包括：

一光调控介质层，包含一液晶材料和一染料材料；

一反射元件，相对于该光调控介质层且远离该电子装置的显示面设置；以及

一偏振元件，设置在该光调控介质层与该反射元件之间；

其中，该反射元件对380nm至780nm的波长的光线的反射率大于或等于80％；

其中，当该电子装置切换到低反射模式时，该光调控介质层具有一第一吸收轴，该第一吸收轴与该偏振元件的一第二吸收轴之间的夹角介于80度至100度之间。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，还包括：

一第一基板；以及

一第二基板，相对于该第一基板设置；

其中，该光调控介质层设置在该第一基板与该第二基板之间，当该电子装置切换到高反射模式时，该光调控介质层中的该液晶材料的长轴方向和该染料材料的长轴方向分别与该第一基板的一表面呈垂直。

10.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，还包括：

一第一基板；以及

一第二基板，相对于该第一基板设置；

其中，该光调控介质层设置在该第一基板与该第二基板之间，且该偏振元件设置在该光调控介质层与该第二基板之间。

11.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，该反射元件设置在该光调控介质层与该第二基板之间。