CN118671180B - 检测系统及检测方法、卷绕设备及叠片设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种检测系统及检测方法、卷绕设备及叠片设备，属于基材检测技术领域。检测系统用于检测绝缘基材，包括磁场生成装置，用于产生磁场，磁场形成于绝缘基材走带的传送路径上，磁场具有标准磁场强度，标准磁场强度为绝缘基材未经过磁场时磁场的磁场强度；检测装置，被配置为能够检测绝缘基材经过磁场时磁场的磁场强度相较于标准磁场强度的变化，以确定经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值。本申请的检测系统能够提高绝缘基材使用的可靠性。

Description

检测系统及检测方法、卷绕设备及叠片设备

技术领域

本申请涉及基材检测技术领域，尤其涉及一种检测系统及检测方法、卷绕设备及叠片设备。

背景技术

基材是指其他材料或者结构制备的基础材料，是各种材料和电子元器件的基础。基材使用可靠性直接影响制得的其他材料和电子元器件的性能。尤其是对于绝缘基材而言，由于在生产加工过程中存在杂质颗粒，这些杂质颗粒中导电颗粒附着在绝缘基材上，会对绝缘基材的使用性能造成影响。

例如，绝缘基材可以为电池的隔膜，隔膜是电池正负极之间设置的一层隔离层，主要功能是隔离电荷并防止正负极直接接触，避免电池短路或反应失控。若隔膜上存在导电颗粒，可能会存在刺穿隔膜的风险，进而造成电池短路。

因此，如何提高绝缘基材使用的可靠性是目前亟待解决的问题。

发明内容

本申请旨在至少解决背景技术中存在的技术问题之一。为此，本申请的一个目的在于提供一种检测系统及检测方法、卷绕设备及叠片设备，以提高绝缘基材使用的可靠性。

本申请第一方面的实施例提供一种检测系统，用于检测绝缘基材，其包括：磁场生成装置，用于产生磁场，磁场形成于绝缘基材走带的传送路径上，磁场具有标准磁场强度，标准磁场强度为绝缘基材未经过磁场时磁场的磁场强度；检测装置，被配置为能够检测绝缘基材经过磁场时磁场的磁场强度相较于标准磁场强度的变化，以确定经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值。

本申请实施例的技术方案中，若绝缘基材上存在导电颗粒，在经过磁场时，导电颗粒会引起磁场的变化，因此，检测装置能够基于磁场强度的变化来准确判断经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值。由于磁场形成于绝缘基材的传送路径上，使得能够在绝缘基材传送的过程中，即可判断绝缘基材的导电颗粒的体积是否大于预设值。也即，能够实现在绝缘基材使用之前的提前检测，达到提前预防的目的，能够在一定程度上减少绝缘基材在后续制备其他器件等使用过程中由于导电颗粒的体积过大而影响使用可靠性的问题，大大提高绝缘基材使用过程中的稳定性。并且，通过检测磁场强度的变化来检测绝缘基材，能够实现绝缘基材传送过程中的无接触检测，不会影响绝缘基材的正常传送，能够保证正常的生产节拍。

在一些实施例中，检测装置包括磁力仪，磁力仪用于检测磁场的磁场强度。磁力仪能够准确检测磁场的磁场强度，以基于磁场强度的变化值来确定经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值。

在一些实施例中，检测装置包括磁场传感器，磁场传感器用于基于绝缘基材经过磁场时磁场的磁场强度相较于标准磁场强度的变化生成检测信号，检测信号用于表征经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值。磁场传感器能够感知微弱的磁场变化，即使对于弱磁性的导电颗粒经过磁场所引起的磁场强度变化，也能够检测到，因此，可以提高检测装置检测出绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值的检出率。

在一些实施例中，检测系统还包括：磁屏蔽装置，磁场生成装置以及检测装置位于磁屏蔽装置内。磁屏蔽装置能够屏蔽外界环境中的磁场对磁场生成装置产生的磁场的干扰，提高检测结果的准确性。

在一些实施例中，检测系统还包括：测量装置，与检测装置通讯连接，被配置为：在检测装置检测到经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值时刻，测量绝缘基材的走带长度。也就是说，测量装置能够在检测装置检测到绝缘基材的导电颗粒的体积大于预设值的同时，获取绝缘基材的走带长度，由于检测装置是在绝缘基材走带的传送路径上进行检测，因此，通过获取检出导电颗粒大于预设值时刻绝缘基材的走带长度，能够定位体积大于预设值的导电颗粒位于绝缘基材上的位置，从而有利于工作人员及时对绝缘基材上导电颗粒进行处理。

在一些实施例中，检测系统还包括：贴标机，与检测装置通讯连接，贴标机用于响应于检测装置检测到经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值，对体积大于预设值的导电颗粒所在的位置进行贴标处理。贴标机能够在绝缘基材的走带过程中，实时对体积大于预设值的导电颗粒所在的位置进行贴标处理，从而实现高效定位。

在一些实施例中，检测系统还包括：传送机构，用于传送绝缘基材，其中，磁场生成装置产生的磁场形成于传送机构传送绝缘基材的传送路径上。如此，在需要对绝缘基材上的导电颗粒进行检测时，可以将绝缘基材放置到传送机构上，在绝缘基材传送过程中，通过磁场生成装置、检测装置能够检测绝缘基材上是否具有体积大于预设值的导电颗粒。

在一些实施例中，磁场生成装置包括螺线管、电磁线圈、电磁铁中的任一者。采用这些结构，能够产生磁场强度大小可控的磁场，有利于根据不同的测试需求调整磁场本身的强度。

本申请第二方面的实施例提供一种卷绕设备，其包括：卷绕装置，被构造为能够将隔膜、正极片和负极片相重叠并绕制成卷绕结构，正极片和负极片之间设置有至少一层隔膜；第一输送装置，被构造为能够传送隔膜、正极片和负极片至卷绕装置；上述实施例中的检测系统，被构造为在隔膜的传送路径上形成磁场，并检测经过磁场的隔膜上的导电颗粒的体积是否大于预设值。

本申请第三方面的实施例提供一种叠片设备，其包括：第二输送装置，被构造为能够传送隔膜、正极片和负极片；上述实施例中的检测系统，被构造为在隔膜的传送路径上形成磁场，并检测经过磁场的隔膜上的导电颗粒的体积是否大于预设值；裁切装置，被构造为能够接收并裁切第二输送装置传送正极片和负极片；叠片装置，叠片装置被构造为将裁切后的正极片、隔膜和裁切后的负极片层叠布置以形成叠片结构，正极片和正极片之间至少设置一层隔膜。

本申请第四方面的实施例提供一种检测方法，其包括：在绝缘基材走带的传送路径上形成磁场，磁场具有标准磁场强度，标准磁场强度为绝缘基材未经过磁场时磁场的磁场强度；获取绝缘基材经过磁场时磁场的当前磁场强度相较于标准磁场强度的磁场强度变化；基于磁场强度变化确定经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值。通过在绝缘基材的传送路径上形成磁场，能够在传送过程中对绝缘基材上是否有体积大于预设值的导电颗粒进行无接触检测，在保证正常的生产节拍同时，实现在绝缘基材使用之前的提前检测，大大提高绝缘基材在后续使用过程中的可靠性。

在一些实施例中，获取磁场强度变化包括：采用磁力仪检测标准磁场强度以及当前磁场强度；以及确定经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值包括：获取标准磁场强度和当前磁场强度的第一差值；基于第一差值大于预设第一差值，确定经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值，预设第一差值为经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒体积等于预设值时对应的第一差值。不同体积的导电颗粒经过磁场时会导致磁场产生不同程度变化，因此，可以通过利用当前磁场强度和标准磁场强度的第一差值与预设第一差值进行比较，来准确判定经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值。

在一些实施例中，获取磁场强度变化包括：采用磁力传感器检测当前磁场强度相较于标准磁场强度的磁场强度变化并生成检测信号；以及确定经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值包括：基于检测信号与预设检测信号的变化值确定经过磁场的绝缘基材的导电颗粒的体积是否大于预设值，预设检测信号为经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒体积等于预设值时对应的检测信号。磁力传感器能够感知微弱的磁场变化，即使对于弱磁性的导电颗粒经过磁场所引起的磁场强度变化，也能够检测到，因此，可以提高检测装置检测出绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值的检出率。

在一些实施例中，方法还包括：响应于经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值，获取体积大于预设值的导电颗粒在绝缘基材上的位置。对体积大于预设值的导电颗粒进行定位，便于工作人员及时进行处理，提高生产效率。

在一些实施例中，获取体积大于预设值的导电颗粒在绝缘基材上的位置包括：在绝缘基材上选取参考位置，在绝缘基材走带的起始时刻，参考位置在传送路径上具有第一映射位置，且沿传送路径上，第一映射位置与磁场相隔第一距离；在检测到经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值时刻，获取绝缘基材的走带长度；基于走带长度、参考位置和第一距离获取体积大于预设值的导电颗粒在绝缘基材上的位置。通过获取检出导电颗粒大于预设值时刻绝缘基材的走带长度，能够定位体积大于预设值的导电颗粒位于绝缘基材上的位置，从而有利于工作人员及时对绝缘基材上导电颗粒进行处理。

在一些实施例中，获取体积大于预设值的导电颗粒在绝缘基材上的位置包括：将贴标机面向绝缘基材走带的传送路径放置，以使绝缘基材依次经过磁场与贴标机，贴标机在传送路径上的第二映射位置与磁场相隔第二距离；在检测到经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值时刻，控制贴标机基于第二距离以及绝缘基材的走带速度对体积大于预设值的导电颗粒所在的位置进行贴标处理。贴标机能够在绝缘基材的走带过程中，实时对体积大于预设值的导电颗粒所在的位置进行贴标处理，从而实现高效定位。

在一些实施例中，绝缘基材为隔膜，在隔膜送料至卷绕装置的传送路径上形成磁场，卷绕装置用于卷绕正极片、负极片和隔膜以形成卷绕结构。如此，在隔膜被卷绕成卷绕结构之前，提前对隔膜上的导电颗粒是否大于预设值进行检测，可以大大提升制备得到的卷绕结构的可靠性，提升制备卷绕结构的良率，在一定程度上避免在卷绕结构使用过程中发生短路的问题。

在一些实施例中，在电极组件的传送路径上形成磁场，电极组件包括隔膜，获取磁场强度变化包括：获取电极组件经过磁场时磁场的当前磁场强度相较于标准磁场强度的磁场强度变化；以及基于磁场强度变化确定经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值包括：基于磁场强度变化确定经过磁场的电极组件的隔膜上的导电颗粒的体积是否大于预设值。如此，在电极组件制备完成后，能够在电极组件的传送路径上检测电极组件的隔膜上的导电颗粒是否大于预设值，一方面能够基于检测结果及时判断制备电极组件的工序是否出现异常，另一方面，有利于进一步提高电极组件在后续使用过程中的可靠性和稳定性。

上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。

附图说明

在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本申请公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本申请范围的限制。

图1为本申请一些实施例的检测系统的结构示意图；

图2为本申请一些实施例的检测系统检测隔膜的结构示意图；

图3为本申请另一些实施例的检测系统的结构示意图；

图4为本申请又一些实施例的检测系统的结构示意图；

图5为本申请一些实施例的获取体积大于预设值的导电颗粒在绝缘基材上的位置的原理示意图；

图6为本申请再一些实施例的检测系统的结构示意图；

图7为本申请一些实施例的检测方法的流程图之一；

图8为本申请一些实施例的检测方法的流程图之二；

图9为本申请一些实施例的检测方法的流程图之三；

图10为本申请一些实施例的检测方法的流程图之四；

图11为本申请一些实施例的检测方法的流程图之五。

附图标记说明：

收卷辊1061，放卷辊1062；

磁场生成装置101，检测装置102，磁屏蔽装置103，编码器104，贴标机105，传送机构106；

绝缘基材30；

磁场40，放卷机构41，卷绕装置42，过渡辊43；

第一隔膜51，第二隔膜52，正极片53，负极片54。

具体实施方式

下面将结合附图对本申请技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本申请的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本申请的保护范围。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同；本文中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请；本申请的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

在本申请实施例的描述中，技术术语“第一”“第二”等仅用于区别不同对象，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量、特定顺序或主次关系。在本申请实施例的描述中，“多个”的含义是两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

在本申请实施例的描述中，术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

在本申请实施例的描述中，术语“多个”指的是两个以上（包括两个），同理，“多组”指的是两组以上（包括两组），“多片”指的是两片以上（包括两片）。

在本申请实施例的描述中，技术术语“中心”“纵向”“横向”“长度”“宽度”“厚度”“上”“下”“前”“后”“左”“右”“竖直”“水平”“顶”“底”“内”“外”“顺时针”“逆时针”“轴向”“径向”“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请实施例的限制。

在本申请实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，技术术语“安装”“相连”“连接”“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；也可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请实施例中的具体含义。

绝缘基材在使用过程中，通常需要利用其绝缘性能以满足不同结构的需求。然而在生产加工过程中，绝缘基材上可能会附着杂质颗粒，这些杂质颗粒中的导电颗粒会对绝缘基材的使用性能造成影响。

示例性地，电池的隔膜是一种绝缘的材料，隔膜位于正极片和负极片之间，防止正极片和负极片直接接触，避免电池短路。然而，在电池的加工过程中，会导致隔膜上存在杂质颗粒。这些杂质颗粒的来源可能是来料步骤中附着的，也可能是设备工作磨损掉落，也可能是环境中本身存在的杂质，还可能是人员操作过程中不小心带入的。这些杂质颗粒中，可能会存在导电颗粒，当导电颗粒粒径较大时，容易刺穿隔膜，由于导电颗粒的导电性能，容易导致正极片和负极片发生电接触进而导致电池短路的问题。

相关技术中，为了提高电池使用的可靠性，会对电池进行抽检，或者对隔膜进行抽检，以检测导电颗粒的粒径或者数量是否超标。或者是，在电池出现自放电异常时，对电池进行拆解，并对拆解之后的隔膜进行人工检测，以判定是否存在隔膜刺穿问题。这样，不仅导致检测效率低，且检出率较低，使得隔膜使用的可靠性仍较低。

基于以上考虑，本申请的实施例提供了一种检测系统，其包括：设置于绝缘基材的传送路径上的磁场生成装置和检测装置，磁场生成装置用于产生磁场，磁场具有标准磁场强度，检测装置被配置为能够检测绝缘基材经过磁场时磁场的磁场强度相较于标准磁场强度的变化，以确定经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值。

若绝缘基材上存在导电颗粒，在经过磁场时，导电颗粒会引起磁场的变化，因此，检测装置能够基于磁场强度的变化来准确判断经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值。

由于磁场形成于绝缘基材的传送路径上，使得能够在绝缘基材传送的过程中，即可判断绝缘基材的导电颗粒的体积是否大于预设值。也即，能够实现在绝缘基材使用之前的提前检测，达到提前预防的目的，能够在一定程度上减少绝缘基材在后续制备其他器件等使用过程中由于导电颗粒的体积过大而影响使用可靠性的问题，大大提高绝缘基材使用过程中的稳定性。

并且，通过检测磁场强度的变化来检测绝缘基材，能够实现绝缘基材传送过程中的无接触检测，不会影响绝缘基材的正常传送，能够保证正常的生产节拍。

本申请实施例公开的绝缘基材可以用于电力、电子、通讯或其他需要使用绝缘基材的领域。示例性地，绝缘基材可以用于电池领域。绝缘基材可以用于制备电池的隔膜。

以下以绝缘基材用于制备电池为例进行说明。

本申请实施例公开的电池可以但不限用于车辆、船舶或飞行器等用电装置中。可以使用具备本申请公开的电池组成该用电装置的电源系统，这样，有利于提升电池性能的稳定性。

参考图1，图1为本申请一些实施例的检测系统的结构示意图。

本申请实施例提供了一种检测系统，用于检测绝缘基材30，其包括：磁场生成装置101，用于产生磁场40，磁场40形成于绝缘基材30走带的传送路径上，磁场40具有标准磁场强度，标准磁场强度为绝缘基材30未经过磁场40时磁场40的磁场强度；检测系统还包括：检测装置102，被配置为能够检测绝缘基材30经过磁场40时磁场40的磁场强度相较于标准磁场强度的变化，以确定经过磁场40的绝缘基材30上的导电颗粒的体积是否大于预设值。

磁场生成装置101产生的磁场40位于绝缘基材30走带的传送路径上，使得传送的绝缘基材30会依次经过磁场40，传送路径为绝缘基材30在传送过程中经过的路线。

磁场生成装置101可以与绝缘基材30的传送路径对应设置，例如，可以设置于绝缘基材30的传送路径的上方，或者可以设置于绝缘基材30传送路径的下方，或者可以设置于绝缘基材30传送路径任一侧，仅需磁场生成装置101产生的磁场40能够形成于绝缘基材30的传送路径即可。

这里所指的绝缘基材30的传送路径可以为将绝缘基材30传送至下一道工序的传送路径上，或者也可以是其他传送路径上。以绝缘基材30为隔膜为例，传送路径可以为隔膜走带的传送路径。

参考图2，图2为本申请一些实施例的检测系统检测隔膜的结构示意图。在一些实施例中，隔膜走带的传送路径可以为隔膜送料至卷绕装置42的传送路径。卷绕装置42用于卷绕正极片、负极片和隔膜以形成卷绕结构。卷绕结构可以作为电极组件的部分或者全部，隔膜位于正极片和负极片之间。磁场生成装置101和检测装置102可以设置于隔膜送料至卷绕装置42的传送路径对应，如此，使得在隔膜卷绕成卷绕结构之前就能够提前检测隔膜上是否存在体积大于预设值的导电颗粒。

在一些实施例中，可以通过隔膜放卷装置（例如放卷辊）来对隔膜进行放卷，还可以设置过渡辊43，放卷后的隔膜绕过过渡辊43，再被卷绕至卷绕装置42中。也就是说，隔膜的传送路径为由隔膜放卷装置至过渡辊43，再由过渡辊43至卷绕装置42。磁场生成装置101可以设置于隔膜放卷装置和过渡辊43之间，也可以设置于过渡辊43和卷绕装置42之间。隔膜放卷装置可以包括但不限于放卷辊。

在一些实施例中，隔膜可以包括第一隔膜51和第二隔膜52。第一隔膜51位于正极片53和负极片54之间，第二隔膜52和第一隔膜51分别位于正极片53的两侧。可以通过两个不同隔膜放卷装置和过渡辊43来分别传送第一隔膜51和第二隔膜52，则可以在第一隔膜51和第二隔膜52的传送路径上分别设置磁场生成装置101和检测装置102，如此，能够分别在第一隔膜51和第二隔膜52被卷绕成隔膜之前，对第一隔膜51和第二隔膜52上的导电颗粒进行检测。

在另一些实施例中，隔膜走带的传送路径也可以为在隔膜、正极片和负极片卷绕成卷绕结构之后，卷绕结构被输送至下一道加工工序的传送路径。磁场生成装置101也可以面向卷绕结构输送至下一道工序的传送路径放置，产生的磁场40位于卷绕结构输送至下一道工序的传送路径上。若卷绕结构的隔膜上具有体积大于预设值的导电颗粒，其经过磁场时所导致的磁场强度的变化与卷绕结构的隔膜上没有体积大于预设值的导电颗粒时经过磁场所导致的磁场强度的变化不同，进而也能够基于磁场强度变化来判断卷绕结构的隔膜上是否有体积大于预设值的导电颗粒。

也就是说，隔膜走带的传送路径可以包括两种情形，其一为仅传送隔膜的传送路径，其二为包括隔膜的卷绕结构的传送路径。

若绝缘基材30上存在导电颗粒，在经过磁场40时，会引起磁场强度的变化，因此，检测装置102能够基于磁场强度变化来准确判断经过磁场的绝缘基材30上是否有体积大于预设值导电颗粒。

磁场强度指的是磁场的磁感应强度。

这里所指的经过磁场的绝缘基材是指位于磁场内的绝缘基材，在绝缘基材的长度较长时，仅有部分绝缘基材经过磁场。

这里所指的经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒可以是指绝缘基材30经过磁场40时，同一时刻位于同一磁场40内的所有导电颗粒，经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积可以为：同一时刻位于同一磁场40内的所有导电颗粒的总体积。

也就是说，经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的数量不仅限于一个，可以为多个。可以理解的是，经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值包括：导电颗粒的数量大于预设数量，进而导致多个导电颗粒的总体积大于预设值的情形，也可以包括导电颗粒的粒径大于预设粒径，进而导致导电颗粒的体积大于预设值的情形。这里所指的粒径为直径。

预设值可以根据绝缘基材30的不同使用需求进行调整。示例性地，若需要筛选出粒径大于50μm的导电颗粒，则预设值可以设置为粒径为50μm的导电颗粒的体积，也即（4/3）π×25³（μm³）。也就是说，只要存在一个粒径大于50μm的导电颗粒，即认为绝缘基材30上存在体积大于预设值的导电颗粒。

可以理解的是，当预设值设置为上述（4/3）π×25³（μm³）时，若检测出了经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于上述预设值，则并不代表经过磁场的导电颗粒仅有一个粒径大于50μm的导电颗粒，也可以为：同一时刻位于同一磁场40内的导电颗粒的数量为多个，且多个导电颗粒的总体积超过了上述预设值，但其中的每一导电颗粒的粒径均小于50μm的情形。也即，通过设置预设值，不仅能够筛选出粒径超标的导电颗粒，也能够筛选出数量超标的导电颗粒。当同一时刻位于同一磁场40内的多个导电颗粒的体积小于预设值时，会大大提高绝缘基材30使用的可靠性。

可以理解的是，不同体积的导电颗粒位于磁场内引起的磁场强度的变化程度不同，因此，可以基于绝缘基材30经过磁场40时的磁场强度变化来准确判断绝缘基材30上是否有超过预设值的导电颗粒的存在。

在一些实施例中，绝缘基材30中的多个不同位置均具有体积大于预设值的导电颗粒，这些不同的位置分别在不同时刻经过磁场40，则在绝缘基材30走带的过程中，检测装置102能够分别检测出这些位置经过磁场40时的磁场强度变化。

在一些实施例中，导电颗粒可以为金属颗粒，金属颗粒可以是单质或者合金，例如可以包括但不限于铁、镍、锌、铬中的至少一者。金属颗粒也可以是导电的金属氧化物。金属颗粒切割磁感线会引起磁场强度的变化，进而产生电动势的变化，通过电动势的变化，能够判断金属颗粒的体积是否大于预设值。

导电颗粒还可以是磁性物质，可以是强磁性物质，也可以是弱磁性物质。磁性物质位于磁场内会引起磁场的突变，进而使得磁场强度发生变化。

检测装置102可以检测磁场40的磁场强度的变化。这里所指的磁场强度的变化可以包括但不限于磁场强度的变化值或者用于表征磁场强度变化的信号值。检测装置102可以与磁场生成装置101产生的磁场40对应设置，以便于检测装置102检测磁场40的强度变化。

在一些实施例中，检测装置102还可以基于磁场强度的变化来自动判断绝缘基材30上是否有体积大于预设值的导电颗粒。在另一些实施例中，检测装置102仅需能够检测磁场强度变化即可，可以采用人工的方式基于磁场强度的变化判断绝缘基材30上是否有体积大于预设值的导电颗粒。

上述技术方案中，由于磁场40形成于绝缘基材30的传送路径上，使得能够在绝缘基材30传送的过程中，即可确定经过磁场的绝缘基材30上的导电颗粒的体积是否大于预设值。也即，能够实现在绝缘基材30使用之前的提前检测，达到提前预防的目的，能够在一定程度上避免绝缘基材30在后续制备其他器件等使用过程中由于导电颗粒的体积过大而影响使用可靠性的问题，大大提高绝缘基材30使用过程中的稳定性。

并且，通过检测磁场强度变化来检测绝缘基材30，能够实现绝缘基材30传送过程中的无接触检测，不会影响绝缘基材30的正常传送，能够保证正常的生产节拍。

根据本申请的一些实施例，检测装置102包括磁力仪，磁力仪用于检测磁场40的磁场强度。

磁力仪能够测量磁场40的磁场强度。磁力仪可以对准磁场生成装置101放置，进而能够检测磁场40的强度。

磁力仪可以在绝缘基材30传送之前，检测没有任何物体通过磁场40时的标准磁场强度值。在绝缘基材30传送过程中，磁力仪实时检测磁场强度，获取磁场40的实时值。通过将实时值与标准磁场强度值作差，可以获取绝缘基材30经过磁场40时的磁场强度变化值。将磁场40的变化值与标准磁场强度变化值进行比较，能够判定绝缘基材30上是否有体积大于预设值的导电颗粒。标准磁场强度变化值指的是，绝缘基材30上仅具有体积为预设值的导电颗粒时，该导电颗粒经过磁场所产生的磁场强度值和标准磁场强度值的差值。

通过磁力仪能够直接获取磁场强度值，基于磁场强度值，可以通过人工或者软件自动计算等手段来确定经过磁场的绝缘基材30上的导电颗粒的体积是否大于预设值。在一些实施例中，磁力仪自身能够输出检测的磁场40的磁场强度变化值。这里所指的磁场强度变化值指的是，磁力仪当前检测到的磁场强度的实时值和标准磁场强度值的差值。

在一些实施例中，为了提高对导电颗粒的检测精度，选择的磁力仪可以识别磁场强度的分辨率为0.01nt，分辨率指的是能够反映磁场强度最小变化的能力，如此，即使是粒径为微米级的导电颗粒也能够被识别。

在一些实施例中，磁力仪可以基于检测到经过磁场的绝缘基材30上的导电颗粒的体积大于预设值的检测结果进行报警。

在一些实施例中，磁力仪还可以连接控制绝缘基材30传送启停的电源控制器，当磁力仪检测到经过磁场的绝缘基材30上的导电颗粒的体积大于预设值时，可以向电源控制器发送控制信号，电源控制器响应于控制信号停止绝缘基材30的传送，进而能够及时对绝缘基材30上的导电颗粒进行处理。

上述技术方案中，磁力仪能够准确检测磁场的磁场强度，以基于磁场强度的变化值来确定经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值。

根据本申请的一些实施例，检测装置102包括磁场传感器，磁场传感器用于基于绝缘基材经过磁场时磁场的磁场强度相较于标准磁场强度的变化生成检测信号，检测信号用于表征经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值。

不同体积的导电颗粒经过磁场会导致不同程度的磁场强度的变化，磁场传感器基于不同程度的磁场强度变化生成的检测信号不同。在一些实施例中，可以首先检测体积为预设值的导电颗粒经过磁场时，磁场传感器生成的预设检测信号，之后，通过将磁场传感器在绝缘基材30传送过程中实时检测到的检测信号和预设检测信号进行比较，即可确定经过磁场的绝缘基材30上的导电颗粒的体积是否大于预设值。

在一些实施例中，检测信号包括但不限于电压信号、电流信号或者电阻信号等。

在一些实施例中，磁场传感器可以包括：磁场感应元件和信号处理器。磁场感应元件可以采用敏感磁材料制成，如霍尔元件、磁电阻元件或磁敏电感等。信号处理器负责接收并处理磁场感应元件产生的信号，并将其转换为可用的检测信号并输出。

示例性地，磁场感应元件可以包括电磁线圈，电磁线圈可以置于磁场生成装置101产生的磁场40中。当导电颗粒在经过磁场40时，引起磁场强度的变化，当磁场强度变化时，会在电磁线圈中产生感应电动势。信号处理器连接电磁线圈，对感应电动势进行处理并输出相应的检测信号。

在一些实施例中，磁场传感器可以基于检测到经过磁场的绝缘基材30上的导电颗粒的体积大于预设值的检测结果进行报警。

在一些实施例中，磁场传感器还可以连接控制绝缘基材30传送启停的电源控制器，当磁场传感器检测到经过磁场的绝缘基材30上的导电颗粒的体积大于预设值时，可以向电源控制器发送控制信号，电源控制器响应于控制信号停止绝缘基材30的传送，进而能够及时对绝缘基材30上的导电颗粒进行处理。

上述技术方案中，磁场传感器能够感知微弱的磁场40变化，即使对于弱磁性的导电颗粒经过磁场40所引起的磁场强度变化，也能够检测到，因此，可以提高检测装置102检测出绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值的检出率。

参考图3，图3为本申请另一些实施例的检测系统的结构示意图。

根据本申请的一些实施例，检测系统还包括：磁屏蔽装置103，磁场生成装置101以及检测装置102位于磁屏蔽装置103内。

磁屏蔽装置103能够减弱或阻挡外界环境中的磁场40对磁场生成装置101产生的磁场40的干扰。

在一些实施例中，磁场屏蔽装置具有屏蔽腔，磁场生成装置101和检测装置102均位于屏蔽腔内，且磁场屏蔽装置与绝缘基材30的传送路径对应放置，例如可以放置于传送路径的上方、下方或者是任一侧。在一些实施例中，以使磁场生成装置101产生的磁场40形成于传送路径上。示例性地，磁场屏蔽装置可以为磁屏蔽箱或者磁屏蔽罩等结构。

上述技术方案中，磁屏蔽装置103能够屏蔽外界环境中的磁场40对磁场生成装置101产生的磁场40的干扰，提高检测结果的准确性。

参考图4以及图5，图4为本申请又一些实施例的检测系统的结构示意图；图5为本申请一些实施例的获取体积大于预设值的导电颗粒在绝缘基材上的位置的原理示意图。

根据本申请的一些实施例，检测系统还包括：测量装置，被配置为：在检测装置102检测到经过磁场40的绝缘基材30上的导电颗粒的体积大于预设值时刻，测量绝缘基材30的走带长度。

绝缘基材的走带长度指的是：绝缘基材30自走带的起始时刻起，至检测到经过磁场的绝缘基材30上的导电颗粒的体积大于预设值的时刻止的期间，绝缘基材在传送路径上行走的路程。由于检测装置102是在绝缘基材30走带的传送路径上检测导电颗粒，因此，通过获取检测到经过磁场的绝缘基材30上的导电颗粒的体积大于预设值的时刻的绝缘基材30的走带长度，能够定位体积大于预设值的导电颗粒位于绝缘基材30上的位置。

示例性地，如图5所示，图5中，以实线示出了走带的起始时刻的绝缘基材30，以虚线示出了开始走带之后的绝缘基材30。为了分别描述传送路径和绝缘基材30，图5中示出的绝缘基材30在传送路径上方，在实际走带过程中，绝缘基材30与传送路径重叠。

可以在绝缘基材30上设置参考位置P1，绝缘基材30走带的起始时刻，参考位置P1在传送路径上具有第一映射位置Q1。在检测到经过磁场的绝缘基材30上的导电颗粒的体积大于预设值的时刻，绝缘基材30的P2位置位于传送路径上的第一映射位置Q1，则P1和P2之间的绝缘基材30的长度为当前的走带长度。

由上述可知，通过参考位置P1和走带长度，能够在绝缘基材30上定位位置P2。在检测到经过磁场的绝缘基材30上的导电颗粒的体积大于预设值的时刻，绝缘基材30的P2位置位于第一映射位置Q1。

可以理解的是，由于检测到经过磁场的绝缘基材30上的导电颗粒的体积大于预设值的时刻，体积大于预设值的导电颗粒所在的绝缘基材30正好位于磁场40中，因此，若第一映射位置Q1是磁场40所在的位置，也即，第一距离为0，则绝缘基材30上的位置P2即为体积大于预设值的导电颗粒所在的位置。

若第一映射位置Q1不是磁场40所在的位置，即第一距离L1大于0，则在体积大于预设值的导电颗粒被检出时刻，绝缘基材30上的位置P2不是体积大于预设值的导电颗粒所在的位置，绝缘基材30中体积大于预设值的导电颗粒所在的位置P3与P2相隔的距离等于第一距离L1。

在已知绝缘基材30的位置P2的基础上，结合第一距离L1，能够定位绝缘基材30中体积大于预设值的导电颗粒所在的位置P3。

示例性地，若第一映射位置Q1位于磁场40之后的传输路径上，则位置P2位于位置P1和位置P3之间。

若第一映射位置Q1位于磁场40之前的传输路径上，则位置P3位于位置P1和位置P2之间。

在一些实施例中，测量装置可以包括但不限于编码器、激光测距仪、视觉传感器或者超声波探测器中的任一者。

以编码器104为例，编码器104可以安装于传送绝缘基材30的传送装置上。例如，传送装置包括放卷辊和收卷辊，绝缘基材30卷绕于放卷辊和收卷辊上，收卷辊能够转动以牵引放卷辊上的绝缘基材30展开并沿着传送路径走带。绝缘基材30的走带长度即为放卷辊的转动的圈数乘以放卷辊的周长。编码器104可以安装在放卷辊上，在绝缘基材30走带开始时刻，编码器104开始运行。通过获取在检测出经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值的时刻，编码器104输出的总的脉冲数，结合放卷辊转动一圈绝缘基材30所输出的脉冲数，能够获取放卷辊转动的圈数，放卷辊的转动的圈数乘以放卷辊的周长即为绝缘基材30当前的走带长度。

在一些实施例中，在绝缘基材30的走带过程中，检测装置102可能会多次检测到绝缘基材30上的导电颗粒的体积大于预设值的检测结果，表示绝缘基材30上的多个位置均具有体积大于预设值的导电颗粒。则测量装置可以连续记录多次体积大于预设值的导电颗粒被检出时绝缘基材30的走带长度。在走带完成之后，分别根据记录的不同的走带长度，计算对应的体积大于预设值的导电颗粒所在的位置。

由上述不难发现，仅需在绝缘基材30上人工选取参考位置P1，即可根据绝缘基材30在检测到绝缘基材的导电颗粒的体积大于预设值时刻的走带长度和参考位置计算出体积大于预设值的导电颗粒在绝缘基材30上的位置。在一些实施例中，测量装置还可以包括第一计算单元，将上述计算过程采用编程的方式写入第一计算单元，并通过第一计算单元进行计算，即可自动获取体积大于预设值的导电颗粒在绝缘基材30上的位置。第一计算单元可以为本领域技术人员熟知的能够用于执行算术、逻辑操作和数据传输等计算任务的任何软件或者计算机设备。

在另一些实施例中，也可以在获取走带长度后，人工计算体积大于预设值的导电颗粒在绝缘基材30上的位置。

上述技术方案中，测量装置能够在检测装置102检测到绝缘基材30的导电颗粒的体积大于预设值的同时，获取绝缘基材30的走带长度，由于检测装置102是在绝缘基材30走带的传送路径上进行检测，因此，通过获取检出导电颗粒大于预设值时刻绝缘基材30的走带长度，能够定位体积大于预设值的导电颗粒位于绝缘基材30上的位置，从而有利于工作人员及时对绝缘基材30上导电颗粒进行处理。

参考图6，图6为本申请再一些实施例的检测系统的结构示意图。

根据本申请的一些实施例，检测系统还包括：贴标机105，与检测装置102通讯连接，贴标机105用于响应于检测装置102检测到经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值，对体积大于预设值的导电颗粒所在的位置进行贴标处理。

贴标处理指的是贴标机105把标签粘贴在体积大于预设值的导电颗粒在绝缘基材30上的位置，对该位置进行标记，进而实现定位。贴标机105可以面向传送路径摆放，在绝缘基材30的走带过程中，贴标机105能够响应于检测装置102检测到经过磁场的绝缘基材30上的导电颗粒的体积大于预设值，实时地对体积大于预设值的导电颗粒在绝缘基材30上的位置进行定位。

贴标机105包括通讯连接的传感部件和贴标部件，传感部件用于响应于检测装置102检测到经过磁场的绝缘基材30上的导电颗粒的体积大于预设值，向贴标部件发出贴标信号，贴标部件响应于贴标信号对当前经过贴标机105的绝缘基材30进行贴标。贴标部件可以为贴标领域常见的贴标设备。

在一些实施例中，贴标机105可以设置于与磁场40正对的位置，也即，贴标机105在传送路径上的第二映射位置位于磁场40内。如此，当体积大于预设值的导电颗粒经过磁场40时，被检测装置102检测到，同时，检测装置102将检测结果发送至贴标机105，贴标机105响应于检测结果立刻对当前经过贴标机105的绝缘基材30进行贴标。

在另一些实施例中，贴标机105在传送路径上的第二映射位置也可以与磁场40相隔第二距离L2，且绝缘基材30依次经过磁场40和贴标机105。当贴标机105接收到检测装置102检测到经过绝缘基材30上的导电颗粒的体积大于预设值的检测结果时，基于第二距离L2和绝缘基材30的走带速度计算绝缘基材30走带第二距离L2所需的第一时间，并在距离接收到检测结果时刻的第一时间后对当前经过贴标机105的绝缘基材30进行贴标。走带速度可以是提前设定好的，且第二距离L2固定不变，通过测量第二距离L2，能够提前计算出第一时间。这样，可以设定贴标机105的传感部件在接收到检测结果的第一时间之后向贴标部件发出贴标信号。

在一些实施例中，传感部件可以包括计数器，计数器用于响应于接收到的检测结果进行计数，可以提前设置计数器计数的次数，例如，可以使计数器响应于接收到的检测结果计数N次，N次计数乘以完成一次计数周期的时间等于第一时间，当计数器的计数值达到N次时，输出贴标信号。

上述技术方案中，贴标机105能够在绝缘基材30的走带过程中，实时对体积大于预设值的导电颗粒所在的位置进行贴标处理，从而实现高效定位。

参考图5、图6以及图8，根据本申请的一些实施例，检测系统还包括：传送机构106，用于传送绝缘基材30，其中，磁场生成装置101产生的磁场40形成于传送机构106传送绝缘基材30的传送路径上。

传送机构106可以包括但不限于齿轮传送机构、链传送机构或者带传送机构。示例性地，传送机构106可以包括可转动的收卷辊和放卷辊，绝缘基材30的两端分别卷绕于收卷辊1061和放卷辊1062上，收卷辊1061能够转动以牵引卷绕于收卷辊1061上的绝缘基材30展开并沿着传送路径走带。

在一些实施例中，传送机构106可以用于将绝缘基材30传送至下一道工序，例如，对于隔膜，传送机构106可以将隔膜送料至卷绕装置42的传送路径上。

在另一些实施例中，传送机构106也可以不用于将绝缘基材30传送至下一道工序，而是在绝缘基材30后续使用过程中，若发现异常，可以将绝缘基材30放置于传送机构106中，模拟绝缘基材30走带的场景。例如，在隔膜被卷绕成电极组件之后，若电极组件在使用过程中发现自放电异常，则可以将电极组件中的隔膜拆解下来，放置到传送机构106中，以使隔膜进行走带。在走带过程中，隔膜依次经过磁场，检测装置102能够检测隔膜经过磁场40时的磁场强度的变化，进而能够判断隔膜上的导电颗粒的体积是否大于预设值。

在一些实施例中，测量装置可以安装于传送机构106上，如，安装于放卷辊1062上，或者贴标机105可以面向传送机构106的传送路径设置，从而能够定位体积大于预设值的导电颗粒位于绝缘基材30上的位置。

可以理解的是，本申请实施例中的检测系统也可以不包括传送机构106。在不包括传送机构106的情况下，仅需将磁场生成装置101和检测装置102放置于绝缘基材30走带的传送路径上，即可对绝缘基材30上是否有体积大于预设值的导电颗粒进行检测。

上述技术方案中，在需要对绝缘基材上的导电颗粒进行检测时，可以将绝缘基材放置到传送机构上，在绝缘基材传送过程中，通过磁场生成装置、检测装置能够检测绝缘基材上是否具有体积大于预设值的导电颗粒。

根据本申请的一些实施例，磁场生成装置101包括螺线管、电磁线圈、电磁铁中的任一者。

磁场生成装置101可以面向绝缘基材30的传送路径放置，使得磁场生成装置101产生磁场40能够位于传送路径上，又不会影响绝缘基材30的传送。

不论是螺线管、电磁线圈还是电磁铁，均具有两个极性不同的磁极，分别为N极（北极）和S极（南极）。产生的磁场40的磁感线从N极指向S极，

在一些实施例中，磁场生成装置101的N极指向S极的方向可以与绝缘基材30的传送路径的方向相交，例如可以形成直角，或者形成锐角，或者形成钝角。在另一些实施例中，磁场生成装置101的N极指向S极的方向也可以与绝缘基材30的传送路径的方向平行。

可以理解的是，当螺线管、电磁线圈或者电磁铁通电之后，会相应的产生磁场40，并且可以通过控制通入的电流的大小来调节产生的磁场40的磁场强度，如此，易于检测磁场强度的变化。

采用上述结构，能够产生磁场强度大小可控的磁场40，有利于根据不同的测试需求调整磁场40本身的强度，也即调整标准磁场强度。

本申请实施例提供了一种卷绕设备，其包括：卷绕装置，被构造为能够将隔膜、正极片和负极片相重叠并绕制成卷绕结构，正极片和负极片之间设置有至少一层隔膜；第一输送装置，被构造为能够传送隔膜、正极片和负极片至卷绕装置；上述实施例中的检测系统，被构造为在隔膜的传送路径上形成磁场，并检测经过磁场的隔膜上的导电颗粒的体积是否大于预设值。

参考图2，第一输送装置可以包括隔膜放卷装置，可以通过隔膜放卷装置来对隔膜进行放卷，还可以设置过渡辊43，放卷后的隔膜绕过过渡辊43，再被卷绕至卷绕装置42中。第一输送装置还可以包括正极片放卷装置和负极片放卷装置，分别用于对正极片和负极片进行放卷。

在一些实施例中，隔膜可以包括第一隔膜51和第二隔膜52。第一隔膜51位于正极片53和负极片54之间，第二隔膜52和第一隔膜51分别位于正极片53的两侧。卷绕结构可以作为电极组件的部分或者全部，电极组件是电池中发生电化学反应的部件。

检测系统可以面向隔膜送料至卷绕装置42的传送路径放置，从而能够在隔膜卷绕成卷绕结构之前就能够提前检测隔膜上的导电颗粒。

由于在绝缘基材30传送的过程中，即可判断隔膜上是否有体积大于预设值的导电颗粒，且通过检测磁场强度变化来检测隔膜，能够实现隔膜传送过程中的无接触检测，在保证正常的生产节拍的同时，在一定程度上避免隔膜在后续使用过程中由于导电颗粒的体积过大而影响使用可靠性的问题，大大提高制备得到的卷绕结构的稳定性。

本申请实施例提供了一种叠片设备，其包括：第二输送装置，被构造为能够传送隔膜、正极片和负极片；上述实施例中的检测系统，被构造为在隔膜的传送路径上形成磁场，并检测经过磁场的隔膜上的导电颗粒的体积是否大于预设值；裁切装置，被构造为能够接收并裁切第二输送装置传送的正极片和负极片；叠片装置，叠片装置被构造为将裁切后的正极片、隔膜和负极片层叠布置以形成叠片结构，正极片和正极片之间至少设置一层隔膜。

第二输送装置可以包括隔膜放卷装置、正极片放卷装置和负极片放卷装置，以分别传送隔膜、正极片和负极片。检测系统可以在隔膜放卷装置传送隔膜的路径上形成磁场。

第二输送装置将隔膜、正极片和负极片传送至裁切装置。裁切装置可以包括正极裁切装置和负极裁切装置，以分别对正极片和负极片进行裁切，以形成长度较小的正极片和负极片，或者在正极片和负极片上形成刻痕，以便后续弯折形成叠片结构。

叠片结构可以为电极组件的部分或者全部。

由于在绝缘基材30传送的过程中，即可判断隔膜上是否有体积大于预设值的导电颗粒，且通过检测磁场强度变化来检测隔膜，能够实现隔膜传送过程中的无接触检测，在保证正常的生产节拍的同时，在一定程度上避免隔膜在后续使用过程中由于导电颗粒的体积过大而影响使用可靠性的问题，大大提高制备得到的叠片结构的稳定性。

结合参考图1以及图7，图7为本申请一些实施例的检测方法的流程图之一。

本申请实施例提供了一种检测方法，应用于上述实施例中的检测系统，其包括：

步骤110，在绝缘基材30走带的传送路径上形成磁场40，磁场40具有标准磁场强度，标准磁场强度为绝缘基材未经过磁场40时磁场的磁场强度；

步骤120，获取绝缘基材30经过磁场40时磁场40的当前磁场强度相较于标准磁场强度的磁场强度变化；

步骤130，基于磁场强度变化确定经过磁场40的绝缘基材30上的导电颗粒的体积是否大于预设值。

可以通过上述实施例中的检测系统中的磁场生成装置101形成磁场40，通过检测装置102获取绝缘基材30经过磁场40时的磁场强度变化。

绝缘基材30的传送路径可以为将绝缘基材30传送至下一道工序的传送路径上，或者也可以是其他传送路径上。

若绝缘基材30上存在导电颗粒，在经过磁场40时，会引起磁场强度的变化，且不同体积的导电颗粒引起的磁场强度的变化不同，因此，能够基于磁场强度变化来准确判断经过磁场的绝缘基材30上的导电颗粒的体积是否大于预设值。

有关导电颗粒的描述以及预设值的描述可以参考上述实施例中的相关描述，以下不再赘述。

上述技术方案中，通过在绝缘基材30的传送路径上形成磁场40，能够在传送过程中对绝缘基材上是否有体积大于预设值的导电颗粒进行无接触检测，实现绝缘基材30使用之前的提前检测，大大提高绝缘基材30在后续使用过程中的可靠性，且能够保证正常的生产节拍。

根据本申请的一些实施例，步骤120可以包括：采用磁力仪检测标准磁场强度以及当前磁场强度。

参考图8，图8为本申请一些实施例的检测方法的流程图之二。

步骤130可以包括：

步骤131，获取标准磁场强度和当前磁场强度的第一差值；

步骤132，基于第一差值大于预设第一差值，确定经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值，预设第一差值为经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒体积等于预设值时对应的第一差值。

有关磁力仪的描述可参考上述实施例的相关描述，以下不再赘述。

步骤120中，磁力仪可以在绝缘基材传送之前，检测没有任何物体通过磁场40时的磁场强度作为标准磁场强度。

在绝缘基材传送过程中，磁力仪实时检测磁场强度，获取磁场的实时值，以作为当前磁场强度。

步骤132中，预设第一差值即为同一时刻位于同一磁场内的所有导电颗粒的体积等于预设值时对应的当前磁场强度和标准磁场强度之间的第一差值。预设第一差值根据设定的不同预设值而变化。可以提前进行实验获取预设第一差值，示例性地，可以在绝缘基材上设置预设值的导电颗粒，并使经过磁场通过上述计算方式获取对应的预设第一差值。

以预设值为一个粒径为50μm的铁颗粒的体积为例，预设第一差值可以为1nt（纳特斯拉），nt为磁场强度单位。当在绝缘基材走带过程中获取的第一差值小于1nt时，则认为绝缘基材没有体积大于预设值的铁颗粒。

在一些实施例中，步骤131和步骤132可以通过人工执行，也可以通过软件自动计算来执行。在一些实施例中，磁力仪自身能够输出第一差值，并能够响应于第一差值大于预设第一差值的检测结果进行报警。

在一些实施例中，磁力仪还可以连接控制绝缘基材传送启停的电源控制器，当磁力仪检测到第一差值大于预设第一差值时，可以向电源控制器发送控制信号，电源控制器响应于控制信号停止绝缘基材的传送，进而能够及时对绝缘基材上的导电颗粒进行处理。

上述技术方案中，不同体积的导电颗粒经过磁场时会导致磁场产生不同程度变化，因此，可以通过利用当前磁场强度和标准磁场强度的第一差值与预设第一差值进行比较，来准确判定经过磁场的绝缘基材上是否有体积大于预设值的导电颗粒。

根据本申请的一些实施例，步骤120也可以包括：采用磁力传感器检测当前磁场强度相较于标准磁场强度的磁场强度变化并生成检测信号。

步骤130也可以包括：

基于检测信号与预设检测信号的变化值确定经过磁场的绝缘基材上是否有体积大于预设值的导电颗粒，预设检测信号为经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒体积等于预设值时对应的检测信号。

有关磁力传感器的描述可参考上述相关描述，以下不再赘述。

步骤120中，磁力传感器可以包括电磁线圈和信号处理器，电磁线圈置于磁场生成装置101产生的磁场40中。当导电颗粒在磁场40中时，引起磁场强度的变化，当磁场强度变化时，会在电磁线圈中产生感应电动势。信号处理器连接电磁线圈，对感应电动势进行处理并输出相应的检测信号，检测信号包括但不限于电压信号、电流信号或者电阻信号等。

步骤130中，由于不同体积的导电颗粒的经过磁场将引起不同程度的磁场强度的变化，从而使得磁力传感器输出不同大小的检测信号。

预设检测信号即为同一时刻位于同一磁场内的所有导电颗粒的体积等于预设值时，磁力传感器检测到的检测信号。预设检测信号根据设定的不同预设值而变化。可以提前进行实验获取预设检测信号，示例性地，可以在绝缘基材30上设置预设值的导电颗粒，并使其经过磁场，通过磁力传感器能够检测到检测信号，作为预设检测信号。

在一些实施例中，上述步骤130可以通过人工执行，也即，在磁力传感器输出检测信号之后，人工和预设检测信号进行比对。

在另一些实施例中，上述步骤130也可以由磁力传感器执行，在磁力传感器中提前输入用于进行比对的预设检测信号即可。

在一些实施例中，磁力传感器可以基于检测到经过磁场的绝缘基材30上的导电颗粒的体积大于预设值进行报警。

在一些实施例中，磁场传感器还可以连接控制绝缘基材30传送启停的电源控制器，当磁场传感器检测到经过磁场的绝缘基材30上具有体积大于预设值的导电颗粒的检测结果时，可以向电源控制器发送控制信号，电源控制器响应于控制信号停止绝缘基材30的传送，进而能够及时对绝缘基材30上的导电颗粒进行处理。

上述技术方案中，磁力传感器能够感知微弱的磁场变化，即使对于弱磁性的导电颗粒经过磁场所引起的磁场强度变化，也能够检测到，因此，可以提高检测装置检测出绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值的检出率。

参考图9，图9为本申请一些实施例的检测方法的流程图之三。

根据本申请的一些实施例，方法还包括：

步骤140，响应于经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值，获取体积大于预设值的导电颗粒在绝缘基材上的位置。

绝缘基材中可能存在多个不同位置均具有体积大于预设值的导电颗粒，在绝缘基材的走带过程中，这些不同的位置分别在不同时刻经过磁场，检测装置在这些位置经过磁场时能够一一检测到具有体积大于预设值的导电颗粒。

步骤140中，可以在绝缘基材的走带过程中，基于不同时刻检测到的具有体积大于预设值的导电颗粒的检测结果，分别获取体积大于预设值的导电颗粒在绝缘基材上的位置。

这里所指的获取体积大于预设值的导电颗粒在绝缘基材上的位置可以为获取位置信息，也可以是直接在绝缘基材上将位置标记出来。

上述技术方案中，在绝缘基材的走带过程中，对体积大于预设值的导电颗粒进行定位，便于工作人员及时进行处理，提高生产效率。

结合参考图5以及图10，图10为本申请一些实施例的检测方法的流程图之四。

根据本申请的一些实施例，步骤140可以包括：

步骤141，在绝缘基材30上选取参考位置P1，在绝缘基材30走带的起始时刻，参考位置P1在传送路径上具有第一映射位置Q1，且沿传送路径上，第一映射位置Q1与磁场40相隔第一距离L1；

步骤142，在检测到经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值时刻，获取绝缘基材的走带长度；

步骤143，基于走带长度、参考位置和第一距离获取体积大于预设值的导电颗粒在绝缘基材上的位置。

步骤141中，在绝缘基材30走带的起始时刻，参考位置在传送路径上具有第一映射位置。也即，在绝缘基材30走带的起始时刻，绝缘基材30的参考位置已经位于传送路径上，如此，有利于在绝缘基材30走带的起始时刻，对参考位置相对于磁场40的位置进行定位。

可以理解的是，由于参考位置对应的第一映射位置不一定是磁场40所在的位置，因此，需要获取参考位置和磁场40之间的第一距离L1，后续用于在基于参考位置和走带长度来定位体积大于预设值的导电颗粒在绝缘基材30上的位置时起到补偿作用。

参考位置可以选取绝缘基材30的一个端部，或者是靠近端部的位置。可以在绝缘基材30的走带开始前，人工测量参考位置P1，示例性地，可以测量参考位置P1到绝缘基材30的一端之间的距离，从而对参考位置P1进行定位。若第一映射位置Q1不是磁场40所在的位置，则可以在绝缘基材30的走带开始前，人工确定参考位置P1在传送路径上的第一映射位置Q1，并测量第一映射位置Q1与磁场40的间隔距离。

在一些实施例中，在绝缘基材30走带之前，部分绝缘基材30已经放置于传送路径上，且绝缘基材30的一个端部位于传送路径的终点处。例如，传送路径为隔膜送料至卷绕装置42的传送路径时，传送路径的起点可以为隔膜放卷装置，传送路径的终点为卷绕装置42。在隔膜未开始走带时，隔膜的一个端部位于卷绕装置42处，隔膜的另一端卷绕于隔膜放卷装置，也即，此时，隔膜已经置于传输路径上，参考位置P1可以选取为隔膜未开始走带时，位于传送路径上的隔膜的任一位置。示例性地，参考位置P1可以选取为位于磁场40处的位置。

步骤142中，当前的走带长度指的是：绝缘基材自走带的起始时刻起，至检测到经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值的时刻止的期间，绝缘基材在传送路径上行走的路程。

如图7所示，绝缘基材30走带的起始时刻，参考位置P1在传送路径上具有第一映射位置Q1。在检测到经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值的时刻，绝缘基材30的P2位置位于传送路径上的第一映射位置Q1，则P1和P2之间的绝缘基材30的长度为当前的走带长度。

可以通过包括但不限于编码器104、激光测距仪、视觉传感器或者超声波探测器中的任一者来获取走带长度。有关编码器104获取走带长度的原理可参考上述实施例的相关描述，以下不再赘述。

步骤143中，通过参考位置P1和走带长度，能够在绝缘基材30上定位位置P2。在检测到经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值的时刻，绝缘基材30的P2位置位于第一映射位置Q1。

可以理解的是，由于体积大于预设值的导电颗粒被检测到的时刻，体积大于预设值的导电颗粒所在区域的绝缘基材30正好位于磁场40中，因此，若第一映射位置Q1是磁场40所在的位置，也即，第一距离L1为0，则绝缘基材30上的位置P2即为该体积大于预设值的导电颗粒所在的位置。

若第一映射位置Q1不是磁场40所在的位置，即第一距离L1大于0，则在体积大于预设值的导电颗粒被检测到的时刻，绝缘基材30上的位置P2不是体积大于预设值的导电颗粒所在的位置，绝缘基材30中体积大于预设值的导电颗粒所在的位置P3与P2相隔的距离等于第一距离L1。

在已知绝缘基材30的位置P2的基础上，结合第一距离L1，能够定位绝缘基材30中体积大于预设值的导电颗粒所在的位置P3。

示例性地，若第一映射位置Q1位于磁场40之后的传输路径上，则位置P2位于位置P1和位置P3之间。

若第一映射位置Q1位于磁场40之前的传输路径上，则位置P3位于位置P1和位置P2之间。

上述技术方案中，通过获取检出导电颗粒大于预设值时刻绝缘基材的走带长度，能够定位体积大于预设值的导电颗粒位于绝缘基材上的位置，从而有利于工作人员及时对绝缘基材上导电颗粒进行处理。

结合参考图6以及图11，图11为本申请一些实施例的检测方法的流程图之五。

根据本申请的一些实施例，步骤140也可以包括：

步骤141’，将贴标机105面向绝缘基材30走带的传送路径放置，以使绝缘基材30依次经过磁场40与贴标机105，贴标机105在传送路径上的第二映射位置与磁场40相隔第二距离L2；

步骤142’，在检测到经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值时刻，控制贴标机基于第二距离L2以及绝缘基材30的走带速度对体积大于预设值的导电颗粒所在的位置进行贴标处理。

有关贴标机105的描述可以参考上述相关描述，以下不再赘述。

步骤142’中，当贴标机105接收到检测装置102检测到经过磁场的绝缘基材30上有体积大于预设值的导电颗粒的检测结果时，基于第二距离L2和绝缘基材30的走带速度计算绝缘基材30走带第二距离L2所需的第一时间，并在距离接收到检测结果时刻的第一时间后对当前经过贴标机105的绝缘基材30进行贴标。走带速度可以是提前设定好的，且第二距离L2固定不变，通过测量第二距离L2，能够提前计算出第一时间。这样，可以设定贴标机105的传感部件在接收到检测结果的第一时间之后向贴标部件发出贴标信号。

在一些实施例中，传感部件可以包括计数器，计数器用于响应于接收到的检测结果进行计数，可以提前设置计数器计数的次数，例如，可以使计数器响应于接收到的检测结果计数N次，N次计数乘以完成一次计数周期的时间等于第一时间，当计数器的计数值达到N次时，输出贴标信号。

上述技术方案中，贴标机105能够在绝缘基材30的走带过程中，实时对对体积大于预设值的导电颗粒的位置贴标处理，从而实现高效定位。

根据本申请的一些实施例，绝缘基材30为隔膜，在隔膜送料至卷绕装置42的传送路径上形成磁场40，卷绕装置42用于卷绕正极片53、负极片54和隔膜以形成卷绕结构。

有关隔膜送料至卷绕装置42的描述可参考上述实施例中的相关描述，以下不再赘述。

参考图4，在一些实施例中，隔膜可以包括第一隔膜51和第二隔膜52。第一隔膜51位于正极片53和负极片54之间，第二隔膜52和第一隔膜51分别位于正极片53的两侧。则可以分别在第一隔膜51和第二隔膜52送料至卷绕装置42的传送路径上形成磁场40，分别对第一隔膜51和第二隔膜52上是否有体积大于预设值的导电颗粒进行检测。

上述技术方案中，在隔膜被卷绕成卷绕结构之前，提前对隔膜上是否有体积大于预设值的导电颗粒进行检测，可以大大提升制备得到的卷绕结构的可靠性，提升制备卷绕结构的良率，在一定程度上避免在卷绕结构使用过程中发生短路的问题。

根据本申请的一些实施例，在电极组件的传送路径上形成磁场40，电极组件包括隔膜，则步骤120可以包括：

获取电极组件经过磁场40时磁场40的当前磁场强度相较于标准磁场强度的磁场强度变化。

步骤130可以包括：

基于磁场强度变化确定经过磁场的电极组件的隔膜上的导电颗粒的体积是否大于预设值。

在一些实施例中，电极组件的传送路径可以为在隔膜和极片卷绕成电极组件之后，电极组件被输送至下一道加工工序的传送路径。

可以理解的是，电极组件中具有导电的正极片53和负极片54，在电极组件经过磁场时，即使隔膜上不存在导电颗粒，也会导致磁场强度的变化。

但是，由于不同体积的导体经过磁场，会导致磁场强度发生不同程度的变化，因此，可以通过判断磁场强度变化的幅度来判断电极组件的隔膜上是否有体积大于预设值的导电颗粒。

基于磁场强度变化判断电极组件的隔膜上是否有体积大于预设值的导电颗粒的方法可以参考上述判断绝缘基材30上是否有体积大于预设值的导电颗粒的方法，以下不再赘述。

上述技术方案中，在电极组件制备完成后，能够在电极组件的传送路径上检测电极组件的隔膜上是否有体积大于预设值的导电颗粒，一方面能够基于检测结果及时判断制备电极组件的工序是否出现异常，另一方面，有利于进一步提高电极组件在后续使用过程中的可靠性和稳定性。

本申请实施例提供了一种检测系统，参考图2，其包括：磁场生成装置101，用于产生磁场40，磁场40形成于隔膜走带的传送路径上，磁场具有标准磁场强度，标准磁场强度为绝缘基材未经过磁场时磁场的磁场强度；检测装置102，被配置为能够检测绝缘基材经过磁场40时磁场40的磁场强度相较于标准磁场强度的变化，以确定经过磁场40的绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值。

隔膜走带的传送路径可以包括两种情形，其一为仅传送隔膜的传送路径，例如可以为隔膜送料至卷绕装置42的路径，其二为包括隔膜的电极组件的传送路径。

检测装置102可以包括磁力仪，磁力仪用于获取磁场40的磁场强度的变化值，基于磁场强度变化值来确定经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值。

检测装置102也可以包括磁场传感器，磁场传感器用于基于绝缘基材经过磁场40时磁场的磁场强度相较于标准磁场强度的变化生成检测信号，检测信号用于表征经过磁场40的绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值。磁场传感器可以包括电磁线圈和信号处理器，电磁线圈可以置于磁场生成装置101产生的磁场40中，当导电颗粒经过磁场时，引起磁场强度的变化，当磁场强度变化时，会在电磁线圈中产生感应电动势。信号处理器连接电磁线圈，对感应电动势进行处理并输出相应的电压信号。

检测系统还包括：磁屏蔽装置103，磁场生成装置101以及检测装置102位于磁屏蔽装置103内。

检测系统还包括：测量装置，与检测装置102通讯连接，被配置为：在检测装置检测到经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值时刻，测量绝缘基材的走带长度。测量装置可以包括但不限于编码器、激光测距仪、视觉传感器或者超声波探测器中的任一者。

参考图8，检测系统还包括：贴标机105，与检测装置102通讯连接，贴标机105用于基于检测装置102检测到经过磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值，对体积大于预设值的导电颗粒所在的位置进行贴标处理。

检测系统还包括：传送机构106，用于传送绝缘基材30，其中，磁场生成装置101产生的磁场40形成于传送机构106传送绝缘基材30的传送路径上。

磁场生成装置101包括螺线管、电磁线圈、电磁铁中的任一者。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本申请的权利要求和说明书的范围当中。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本申请并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (15)

1.一种检测系统，用于检测绝缘基材，其特征在于，包括：

磁场生成装置，用于产生磁场，所述磁场形成于所述绝缘基材走带的传送路径上，所述磁场具有标准磁场强度，所述标准磁场强度为所述绝缘基材未经过所述磁场时所述磁场的磁场强度；

检测装置，被配置为能够检测所述绝缘基材经过所述磁场时所述磁场的磁场强度相较于所述标准磁场强度的变化，以确定经过所述磁场的绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值；

所述检测系统还包括：

测量装置，与所述检测装置通讯连接，被配置为：在所述检测装置检测到经过所述磁场的所述绝缘基材上的导电颗粒的体积大于所述预设值时刻，测量所述绝缘基材的走带长度，其中，所述绝缘基材上设置有参考位置，在所述绝缘基材走带的起始时刻，所述参考位置在所述传送路径上具有第一映射位置，且沿所述传送路径上，所述第一映射位置与所述磁场相隔第一距离；

所述测量装置还包括第一计算单元，所述第一计算单元被配置为：基于所述走带长度、所述参考位置和所述第一距离获取体积大于所述预设值的导电颗粒在所述绝缘基材上的位置。

2.根据权利要求1所述的检测系统，其特征在于，所述检测装置包括磁力仪，所述磁力仪用于检测所述磁场的磁场强度。

3.根据权利要求1所述的检测系统，其特征在于，所述检测装置包括磁场传感器，所述磁场传感器用于基于所述绝缘基材经过所述磁场时所述磁场的磁场强度相较于所述标准磁场强度的变化生成检测信号，所述检测信号用于表征经过所述磁场的所述绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于所述预设值。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的检测系统，其特征在于，所述检测系统还包括：磁屏蔽装置，所述磁场生成装置以及所述检测装置位于所述磁屏蔽装置内。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的检测系统，其特征在于，所述检测系统还包括：

贴标机，与所述检测装置通讯连接，所述贴标机用于响应于所述检测装置检测到经过所述磁场的所述绝缘基材上的导电颗粒的体积大于所述预设值，对体积大于所述预设值的导电颗粒所在的位置进行贴标处理。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的检测系统，其特征在于，所述检测系统还包括：

传送机构，用于传送所述绝缘基材，其中，

所述磁场生成装置产生的磁场形成于所述传送机构传送所述绝缘基材的传送路径上。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的检测系统，其特征在于，所述磁场生成装置包括螺线管、电磁线圈、电磁铁中的任一者。

8.一种卷绕设备，其特征在于，包括：

卷绕装置，被构造为能够将隔膜、正极片和负极片相重叠并绕制成卷绕结构，所述正极片和所述负极片之间设置有至少一层所述隔膜；

第一输送装置，被构造为能够传送所述隔膜、所述正极片和所述负极片至所述卷绕装置；

上述权利要求1-7中任一项所述的检测系统，被构造为在所述隔膜的传送路径上形成磁场，并检测经过所述磁场的所述隔膜上的导电颗粒的体积是否大于预设值。

9.一种叠片设备，其特征在于，包括：

第二输送装置，被构造为能够传送隔膜、正极片和负极片；

上述权利要求1-7中任一项所述的检测系统，被构造为在所述隔膜的传送路径上形成磁场，并检测经过所述磁场的所述隔膜上的导电颗粒的体积是否大于预设值；

裁切装置，被构造为能够接收并裁切所述第二输送装置传送的所述正极片和所述负极片；

叠片装置，所述叠片装置被构造为将裁切后的正极片、隔膜和裁切后的负极片层叠布置以形成叠片结构，所述正极片和所述正极片之间至少设置一层所述隔膜。

10.一种检测方法，其特征在于，包括：

在绝缘基材走带的传送路径上形成磁场，所述磁场具有标准磁场强度，所述标准磁场强度为所述绝缘基材未经过所述磁场时所述磁场的磁场强度；

获取所述绝缘基材经过所述磁场时所述磁场的当前磁场强度相较于所述标准磁场强度的磁场强度变化；

基于所述磁场强度变化确定经过所述磁场的所述绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值；所述方法还包括：

响应于经过所述磁场的所述绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值，获取体积大于所述预设值的导电颗粒在所述绝缘基材上的位置，所述获取体积大于所述预设值的导电颗粒在所述绝缘基材上的位置包括：

在所述绝缘基材上选取参考位置，在所述绝缘基材走带的起始时刻，所述参考位置在所述传送路径上具有第一映射位置，且沿所述传送路径上，所述第一映射位置与所述磁场相隔第一距离；

在检测到经过所述磁场的所述绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值时刻，获取所述绝缘基材的走带长度；

基于所述走带长度、所述参考位置和所述第一距离获取体积大于所述预设值的导电颗粒在所述绝缘基材上的位置。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，获取所述磁场强度变化包括：

采用磁力仪检测所述标准磁场强度以及所述当前磁场强度；以及

确定经过所述磁场的所述绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值包括：

获取所述标准磁场强度和所述当前磁场强度的第一差值；

基于所述第一差值大于预设第一差值，确定经过所述磁场的所述绝缘基材上的导电颗粒的体积大于所述预设值，所述预设第一差值为经过所述磁场的所述绝缘基材上的导电颗粒体积等于预设值时对应的所述第一差值。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，获取所述磁场强度变化包括：

采用磁力传感器检测所述当前磁场强度相较于所述标准磁场强度的磁场强度变化并生成检测信号；以及

确定经过所述磁场的所述绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值包括：

基于所述检测信号与预设检测信号的变化值确定经过所述磁场的所述绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值，所述预设检测信号为经过所述磁场的绝缘基材上的导电颗粒体积等于预设值时对应的所述检测信号。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述获取体积大于所述预设值的导电颗粒在所述绝缘基材上的位置还包括：

将贴标机面向所述绝缘基材走带的传送路径放置，以使所述绝缘基材依次经过所述磁场与所述贴标机，所述贴标机在所述传送路径上的第二映射位置与所述磁场相隔第二距离；

在检测到经过所述磁场的所述绝缘基材上的导电颗粒的体积大于预设值时刻，控制所述贴标机基于所述第二距离以及所述绝缘基材的走带速度对体积大于所述预设值的导电颗粒所在的位置进行贴标处理。

14.根据权利要求10-12中任一项所述的方法，其特征在于，所述绝缘基材为隔膜，在所述隔膜送料至卷绕装置的传送路径上形成所述磁场，所述卷绕装置用于卷绕正极片、负极片和所述隔膜以形成卷绕结构。

15.根据权利要求10-12中任一项所述的方法，其特征在于，在电极组件走带的传送路径上形成所述磁场，所述电极组件包括隔膜，获取所述磁场强度变化包括：

获取所述电极组件经过所述磁场时所述磁场的当前磁场强度相较于所述标准磁场强度的磁场强度变化；以及

所述基于所述磁场强度变化确定经过所述磁场的所述绝缘基材上的导电颗粒的体积是否大于预设值包括：

基于所述磁场强度变化确定经过所述磁场的所述电极组件的隔膜上的导电颗粒的体积是否大于预设值。