CN118539117B - 一种基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器，涉及微波通信技术领域，包括多层陶瓷体(1)、陶瓷体(1)内部的电路层和陶瓷体(1)底部的外电极，所述外电极包括输入端(2)、接地端(3)和输出端(4)，所述输入端(2)、接地端(3)和输出端(4)依次对称放置于陶瓷体(1)底部，并分别经由通孔与陶瓷体(1)内部的电路层连接。本发明解决了传统滤波器无法满足小体积、低成本和高性能滤波器的迫切需求的问题。

Description

一种基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器

技术领域

本发明涉及微波通信技术领域，特别是涉及一种基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器。

背景技术

随着现代通讯技术的迅猛发展，小体积、轻量化、高可靠性已经成为现代通讯系统发展的必然趋势。滤波器作为收发系统中的核心选频器件，在通信系统中的作用是提取或滤除不同频率的信号。传统的微带低通滤波器由于结构尺寸大，阻带较窄且抑制不够高，并且不便于与其他紧凑型的移动通讯终端进行集成，限制了它在微波通信系统中的使用。因此研制小体积、低插损、宽阻带和高抑制的带通滤波器已成为当前的研究热点和难点。

与传统形式的滤波器相比，低温共烧陶瓷技术(LTCC)采用电阻率较低的金、银、铜等作为导电介质，通过金属过孔连接将等效电路内埋于陶瓷体内部，实现了结构布局的灵活选择，大大缩小了无源器件的体积，在提高滤波器的集成度、可靠性以及电性能方面发挥了重要作用。相对于其他传统的滤波器形式，LTCC技术具有以下优点：良好的兼容性及高频传输特性、可实现多层布线和各种空腔结构、较高的集成度和组装密度、较小的体积重量和较高的可靠性、较低的成本和较短的生产周期。

发明内容

针对现有技术中的上述不足，本发明提供的一种基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器解决了传统滤波器无法满足小体积、低成本和高性能滤波器的迫切需求的问题。

为了达到上述发明目的，本发明采用的技术方案为：一种基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器，包括多层陶瓷体、陶瓷体内部的电路层和陶瓷体底部的外电极，所述外电极包括输入端、接地端和输出端，所述输入端、接地端和输出端依次对称放置于陶瓷体底部，并分别经由通孔与陶瓷体内部的电路层连接。

上述方案的有益效果是：本发明提供的基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器，将构成滤波器的等效电路集成在陶瓷体内部，具有体积紧凑、性能优良、可靠性高等特点，适用于各种小型化无线通讯终端及系统，解决了传统滤波器无法满足小体积、低成本和高性能滤波器的迫切需求的问题。

进一步地，电路层从上至下依次包括第一电路层、第二电路层、第三电路层、第四电路层、第五电路层、第六电路层、第七电路层、第八电路层、第九电路层、第十电路层、第十一电路层和第十二电路层；

所述第一电路层包括第一传输线P1、第二传输线P2、第三传输线P3、第一过孔H1、第二过孔H2、第三过孔H3、第四过孔H4、第五过孔H5和第六过孔H6；

所述第二电路层包括第四传输线P4、第五传输线P5、第六传输线P6、第一过孔H1、第二过孔H2、第三过孔H3、第四过孔H4、第五过孔H5和第六过孔H6；

所述第三电路层包括第七传输线P7、第八传输线P8、第一过孔H1、第二过孔H2、第三过孔H3、第四过孔H4、第五过孔H5、第六过孔H6和第七过孔H7；

所述第四电路层包括第九传输线P9、第十传输线P10、第一过孔H1、第二过孔H2、第三过孔H3、第四过孔H4、第五过孔H5、第六过孔H6和第七过孔H7；

所述第五电路层包括第十一传输线P11、第十二传输线P12、第一过孔H1、第二过孔H2、第四过孔H4、第五过孔H5、第六过孔H6、第七过孔H7和第八过孔H8；

所述第六电路层包括第十三传输线P13、第十四传输线P14、第一过孔H1、第二过孔H2、第四过孔H4、第六过孔H6、第七过孔H7、第八过孔H8和第九过孔H9；

所述第七电路层包括第十五金属片P15、第十六金属片P16、第一过孔H1、第四过孔H4、第六过孔H6、第七过孔H7和第九过孔H9；

所述第八电路层包括第十七金属片P17、第十八金属片P18、第一过孔H1、第四过孔H4、第六过孔H6、第七过孔H7和第九过孔H9；

所述第九电路层包括第十九金属片P19、第二十金属片P20、第一过孔H1、第四过孔H4、第七过孔H7、第九过孔H9、第十过孔H10、第十一过孔H11和第十二过孔H12；

所述第十电路层包括第二十一金属片P21、第一过孔H1、第四过孔H4、第七过孔H7、第九过孔H9、第十过孔H10、第十一过孔H11、第十二过孔H12和第十三过孔H13；

所述第十一电路层包括第二十二金属片P22、第二十三金属片P23、第二十四金属片P24、第一过孔H1、第七过孔H7、第九过孔H9、第十过孔H10、第十一过孔H11、第十二过孔H12和第十三过孔H13；

所述第十二电路层包括第二十五金属片P25、第一过孔H1、第九过孔H9、第十过孔H10、第十一过孔H11、第十二过孔H12、第十四过孔H14、第十五过孔H15、第十六过孔H16、第十七过孔H17、第十八过孔H18和第十九过孔H19；

所述第一传输线P1、第四传输线P4、第七传输线P7、第九传输线P9、第十一传输线P11和第十三传输线P13经由第一过孔H1、第二过孔H2和第七过孔H7首尾依次连接，共同构成第一等效电感L1；

所述第二传输线P2、第五传输线P5、第八传输线P8和第十传输线P10经由第三过孔H3、第四过孔H4和第七过孔H7首尾依次连接，共同构成第二等效电感L2；

所述第三传输线P3、第六传输线P6、第十二传输线P12和第十四传输线P14经由第五过孔H5、第六过孔H6和第八过孔H8首尾依次连接，共同构成第三等效电感L3；

所述第二十三金属片P23和第二十五金属片P25垂直耦合，共同构成第一等效电容C1；

所述第二十二金属片P22和第二十五金属片P25垂直耦合，共同构成第二等效电容C2；

所述第二十四金属片P24和第二十五金属片P25垂直耦合，共同构成第三等效电容C3；

所述第十七金属片P17和第十九金属片P19垂直耦合，共同构成第四等效电容C4；

所述第十五金属片P15和第十七金属片P17垂直耦合，共同构成第五等效电容C5；

所述第十六金属片P16和第十八金属片P18垂直耦合，共同构成第六等效电容C6；

所述第十八金属片P18和第二十金属片P20垂直耦合，共同构成第七等效电容C7；

所述第二十金属片P20和第二十一金属片P21垂直耦合，共同构成第八等效电容C8。

上述进一步方案的有益效果是：本发明采用特殊的多层电路印刷工艺，将构成滤波器谐振单元的等效元件内置于介质陶瓷体的十二个电路层中，不同层电路通过金属化过孔连接，可满足极致小型化的系统集成需求。通过合理利用绕线电感的垂直耦合效应，可降低其自身的寄生电阻，提高电路品质因数，在5G工作频段内实现小于0.5dB的带内插入损耗。

进一步地，在第一等效电感L1中，所述第一传输线P1、第四传输线P4和第七传输线P7在垂直方向重合，并经由第一过孔H1和第二过孔H2首尾连接，实现三段传输线的并联；所述第九传输线P9、第十一传输线P11和第十三传输线P13在垂直方向重合，并经由第二过孔H2和第七过孔H7首尾连接，实现三段传输线的并联；

在第二等效电感L2中，所述第二传输线P2和第五传输线P5在垂直方向重合，并经由第三过孔H3和第四过孔H4首尾连接，实现两段传输线的并联；所述第八传输线P8和第十传输线P10在垂直方向重合，并经由第三过孔H3和第七过孔H7首尾连接，实现两段传输线的并联；

在第三等效电感L3中，所述第三传输线P3和第六传输线P6在垂直方向重合，并经由第五过孔H5和第六过孔H6首尾连接，实现两段传输线的并联。

上述进一步方案的有益效果是：上述的并联方式可以降低等效电感自身的寄生电阻，提高整个滤波器的品质因数，实现更低的插入损耗和更高的带外抑制。

进一步地，第一等效电感L1的一端经由第一过孔H1和第十过孔H10与外电极上的输入端连接，其另一端经由第七过孔H7与第二等效电感L2的一端连接，所述第二等效电感L2的另一端经由第四过孔H4和第十三过孔H13与第三等效电容C3的一端连接，所述第三等效电容C3的另一端经由第十四过孔H14、第十五过孔H15、第十六过孔H16、第十七过孔H17、第十八过孔H18和第十九过孔H19与外电极上的接地端连接；

所述第一等效电容C1的一端经由一小段微带线与第一过孔H1连接，其另一端经由第十四过孔H14、第十五过孔H15、第十六过孔H16、第十七过孔H17、第十八过孔H18和第十九过孔H19与外电极上的接地端连接，所述第一等效电感L1和第二等效电感L2的共同连接处经由第七过孔H7与第二等效电容C2的一端连接，所述第二等效电容C2的另一端经由第十四过孔H14、第十五过孔H15、第十六过孔H16、第十七过孔H17、第十八过孔H18和第十九过孔H19与外电极上的接地端连接；

所述第四等效电容C4的一端经由一小段微带线与第一过孔H1连接，其另一端经由第七过孔H7与第一等效电感L1和第二等效电感L2的共同连接处连接，所述第五等效电容C5的一端经由一小段微带线与第四过孔H4连接，其另一端经由第七过孔H7与第一等效电感L1和第二等效电感L2的共同连接处连接；

所述第六等效电容C6的一端经由一小段微带线与第四过孔H4连接，其另一端经由第六过孔H6与第三等效电感L3的一端连接，所述第三等效电感L3的另一端经由第九过孔H9与第二十五金属片P25连接，所述第七等效电容C7的一端经由第六过孔H6与第三等效电感L3的一端连接，其另一端经由第十一过孔H11和第十二过孔H12与外电极上的输出端连接，所述第八等效电容C8的一端经由一小段微带线与第十三过孔H13连接，其另一端经由第十一过孔H11和第十二过孔H12与外电极上的输出端连接。

上述进一步方案的有益效果是：通过上述等效元件，构成电路层的等效电路，将各等效元件布置在十二个电路层中，不同电路层之间通过金属化过孔连接。

进一步地，第一等效电感L1、第二等效电感L2、第一等效电容C1、第二等效电容C2、第三等效电容C3、第四等效电容C4和第五等效电容C5构成两阶低通滤波器；

所述第三等效电感L3、第六等效电容C6、第七等效电容C7和第八等效电容C8构成一阶高通滤波器。

上述进一步方案的有益效果是：滤波器内部设置为多层电路，包括一个两阶低通滤波器单元和一个一阶高通滤波器单元，其中低通滤波器单元包含两个等效电感和五个等效电容，高通滤波器单元包含一个等效电感和三个等效电容。

进一步地，带通滤波器还包括标识，所述标识位于陶瓷体顶部。

上述进一步方案的有益效果是：上述陶瓷体顶部的标识用于辨识各端口的位置。

进一步地，带通滤波器的制造工艺包括基于多层印制电路板的制造工艺、基于低温共烧陶瓷的制造工艺、基于IPD的制造工艺或基于CMOS半导体的制造工艺。

上述进一步方案的有益效果是：通过采用上述制造工艺，可以将滤波器的多层电路内置于陶瓷介质体中，在三维介质层上实现各种等效元件的集成，实现电路的小型化和高密度化。

进一步地，电路层采用的内埋金属材料为铜或者钯银。

上述进一步方案的有益效果是：通过上述技术方案，有利于提高电路系统的品质因数，采用钯银作为内埋金属材料，在烧结过程中不会氧化，可以无需电镀保护。

附图说明

图1为基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器的外形封装示意图。

图2为基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器的内部结构示意图。

图3为第一层电路结构示意图。

图4为第二层电路结构示意图。

图5为第三层电路结构示意图。

图6为第四层电路结构示意图。

图7为第五层电路结构示意图。

图8为第六层电路结构示意图。

图9为第七层电路结构示意图。

图10为第八层电路结构示意图。

图11为第九层电路结构示意图。

图12为第十层电路结构示意图。

图13为第十一层电路结构示意图。

图14为第十二层电路结构示意图。

图15为基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器的等效电路图。

图16为基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器的电性能曲线图。

其中：1、陶瓷体；2、输入端；3、接地端；4、输出端；5、标识。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步说明。

如图1所示，一种基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器，包括多层陶瓷体1、陶瓷体1内部的电路层和陶瓷体1底部的外电极，所述外电极包括输入端2、接地端3和输出端4，所述输入端2、接地端3和输出端4依次对称放置于陶瓷体1底部，并分别经由通孔与陶瓷体1内部的电路层连接。

本实施例中，滤波器的叠层电路内置于1.0mm×0.5mm×0.4mm的陶瓷体内部，并在885℃±10℃的温度下烧结成型。

如图2所示，电路层从上至下依次包括第一电路层、第二电路层、第三电路层、第四电路层、第五电路层、第六电路层、第七电路层、第八电路层、第九电路层、第十电路层、第十一电路层和第十二电路层；

如图3所示，所述第一电路层包括第一传输线P1、第二传输线P2、第三传输线P3、第一过孔H1、第二过孔H2、第三过孔H3、第四过孔H4、第五过孔H5和第六过孔H6；

如图4所示，所述第二电路层包括第四传输线P4、第五传输线P5、第六传输线P6、第一过孔H1、第二过孔H2、第三过孔H3、第四过孔H4、第五过孔H5和第六过孔H6；

如图5所示，所述第三电路层包括第七传输线P7、第八传输线P8、第一过孔H1、第二过孔H2、第三过孔H3、第四过孔H4、第五过孔H5、第六过孔H6和第七过孔H7；

如图6所示，所述第四电路层包括第九传输线P9、第十传输线P10、第一过孔H1、第二过孔H2、第三过孔H3、第四过孔H4、第五过孔H5、第六过孔H6和第七过孔H7；

如图7所示，所述第五电路层包括第十一传输线P11、第十二传输线P12、第一过孔H1、第二过孔H2、第四过孔H4、第五过孔H5、第六过孔H6、第七过孔H7和第八过孔H8；

如图8所示，所述第六电路层包括第十三传输线P13、第十四传输线P14、第一过孔H1、第二过孔H2、第四过孔H4、第六过孔H6、第七过孔H7、第八过孔H8和第九过孔H9；

如图9所示，所述第七电路层包括第十五金属片P15、第十六金属片P16、第一过孔H1、第四过孔H4、第六过孔H6、第七过孔H7和第九过孔H9；

如图10所示，所述第八电路层包括第十七金属片P17、第十八金属片P18、第一过孔H1、第四过孔H4、第六过孔H6、第七过孔H7和第九过孔H9；

如图11所示，所述第九电路层包括第十九金属片P19、第二十金属片P20、第一过孔H1、第四过孔H4、第七过孔H7、第九过孔H9、第十过孔H10、第十一过孔H11和第十二过孔H12；

如图12所示，所述第十电路层包括第二十一金属片P21、第一过孔H1、第四过孔H4、第七过孔H7、第九过孔H9、第十过孔H10、第十一过孔H11、第十二过孔H12和第十三过孔H13；

如图13所示，所述第十一电路层包括第二十二金属片P22、第二十三金属片P23、第二十四金属片P24、第一过孔H1、第七过孔H7、第九过孔H9、第十过孔H10、第十一过孔H11、第十二过孔H12和第十三过孔H13；

如图14所示，所述第十二电路层包括第二十五金属片P25、第一过孔H1、第九过孔H9、第十过孔H10、第十一过孔H11、第十二过孔H12、第十四过孔H14、第十五过孔H15、第十六过孔H16、第十七过孔H17、第十八过孔H18和第十九过孔H19；

传输线都是金属导体传输线，本实施例中，将块状的定义为“金属片”，将带状线条直接用传输线表示。

所述第一传输线P1、第四传输线P4、第七传输线P7、第九传输线P9、第十一传输线P11和第十三传输线P13经由第一过孔H1、第二过孔H2和第七过孔H7首尾依次连接，共同构成第一等效电感L1；

所述第二传输线P2、第五传输线P5、第八传输线P8和第十传输线P10经由第三过孔H3、第四过孔H4和第七过孔H7首尾依次连接，共同构成第二等效电感L2；

所述第三传输线P3、第六传输线P6、第十二传输线P12和第十四传输线P14经由第五过孔H5、第六过孔H6和第八过孔H8首尾依次连接，共同构成第三等效电感L3；

所述第二十三金属片P23和第二十五金属片P25垂直耦合，共同构成第一等效电容C1；

所述第二十二金属片P22和第二十五金属片P25垂直耦合，共同构成第二等效电容C2；

所述第二十四金属片P24和第二十五金属片P25垂直耦合，共同构成第三等效电容C3；

所述第十七金属片P17和第十九金属片P19垂直耦合，共同构成第四等效电容C4；

所述第十五金属片P15和第十七金属片P17垂直耦合，共同构成第五等效电容C5；

所述第十六金属片P16和第十八金属片P18垂直耦合，共同构成第六等效电容C6；

所述第十八金属片P18和第二十金属片P20垂直耦合，共同构成第七等效电容C7；

所述第二十金属片P20和第二十一金属片P21垂直耦合，共同构成第八等效电容C8。

在所述第一等效电感L1中，所述第一传输线P1、第四传输线P4和第七传输线P7在垂直方向重合，并经由第一过孔H1和第二过孔H2首尾连接，实现三段传输线的并联；所述第九传输线P9、第十一传输线P11和第十三传输线P13在垂直方向重合，并经由第二过孔H2和第七过孔H7首尾连接，实现三段传输线的并联；

在所述第二等效电感L2中，所述第二传输线P2和第五传输线P5在垂直方向重合，并经由第三过孔H3和第四过孔H4首尾连接，实现两段传输线的并联；所述第八传输线P8和第十传输线P10在垂直方向重合，并经由第三过孔H3和第七过孔H7首尾连接，实现两段传输线的并联；

在所述第三等效电感L3中，所述第三传输线P3和第六传输线P6在垂直方向重合，并经由第五过孔H5和第六过孔H6首尾连接，实现两段传输线的并联。

如图15所示，第一等效电感L1的一端经由第一过孔H1和第十过孔H10与外电极上的输入端2连接，其另一端经由第七过孔H7与第二等效电感L2的一端连接，所述第二等效电感L2的另一端经由第四过孔H4和第十三过孔H13与第三等效电容C3的一端连接，所述第三等效电容C3的另一端经由第十四过孔H14、第十五过孔H15、第十六过孔H16、第十七过孔H17、第十八过孔H18和第十九过孔H19与外电极上的接地端3连接；

所述第一等效电容C1的一端经由一小段微带线与第一过孔H1连接，其另一端经由第十四过孔H14、第十五过孔H15、第十六过孔H16、第十七过孔H17、第十八过孔H18和第十九过孔H19与外电极上的接地端3连接，所述第一等效电感L1和第二等效电感L2的共同连接处经由第七过孔H7与第二等效电容C2的一端连接，所述第二等效电容C2的另一端经由第十四过孔H14、第十五过孔H15、第十六过孔H16、第十七过孔H17、第十八过孔H18和第十九过孔H19与外电极上的接地端3连接；

所述第四等效电容C4的一端经由一小段微带线与第一过孔H1连接，其另一端经由第七过孔H7与第一等效电感L1和第二等效电感L2的共同连接处连接，所述第五等效电容C5的一端经由一小段微带线与第四过孔H4连接，其另一端经由第七过孔H7与第一等效电感L1和第二等效电感L2的共同连接处连接；

所述第六等效电容C6的一端经由一小段微带线与第四过孔H4连接，其另一端经由第六过孔H6与第三等效电感L3的一端连接，所述第三等效电感L3的另一端经由第九过孔H9与第二十五金属片P25连接，所述第七等效电容C7的一端经由第六过孔H6与第三等效电感L3的一端连接，其另一端经由第十一过孔H11和第十二过孔H12与外电极上的输出端4连接，所述第八等效电容C8的一端经由一小段微带线与第十三过孔H13连接，其另一端经由第十一过孔H11和第十二过孔H12与外电极上的输出端4连接。

第一等效电感L1、第二等效电感L2、第一等效电容C1、第二等效电容C2、第三等效电容C3、第四等效电容C4和第五等效电容C5构成两阶低通滤波器；

所述第三等效电感L3、第六等效电容C6、第七等效电容C7和第八等效电容C8构成一阶高通滤波器。

带通滤波器还包括标识5，所述标识5位于陶瓷体1顶部。

带通滤波器的制造工艺包括基于多层印制电路板的制造工艺、基于低温共烧陶瓷的制造工艺、基于IPD的制造工艺或基于CMOS半导体的制造工艺。

电路层采用的内埋金属材料为铜或者钯银。

在本发明的一个实施例中，滤波器尺寸为1.0mm×0.5mm×0.4mm，基于叠层技术加工为贴片元件。LTCC陶瓷材料的相对介电常数为7.8，电介质损耗角为0.001。

图16为本发明实施例中LTCC多层带通滤波器的示意性频率响应特性曲线图。如图16所示，滤波器工作在5G频段，其通带频率为5.15-5.95GHz，通带内插损低于0.5dB。在下阻带2.4-2.5GHz和上阻带10.3-11.9GHz、15.45-17.85GHz分别可实现大于30dB的带外抑制。上述指标体现了该滤波器极低的插入损耗和较高的阻带抑制效果。

本发明提供的基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器采用LTCC多层布局结构，通过合理利用绕线电感的垂直耦合效应，可降低其自身的寄生电阻，提高电路品质因数，在5G工作频段内实现小于0.5dB的带内插入损耗。同时，在下阻带的Wi-Fi频段2.4-2.5GHz和上阻带的二次、三次谐波频段10.3-11.9GHz、15.45-17.85GHz，均能实现高达30dB以上的带外抑制。

本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理，应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在发明的保护范围内。

Claims (7)

1.一种基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器，其特征在于，包括多层陶瓷体（1）、陶瓷体（1）内部的电路层和陶瓷体（1）底部的外电极，所述外电极包括输入端（2）、接地端（3）和输出端（4），所述输入端（2）、接地端（3）和输出端（4）依次对称放置于陶瓷体（1）底部，并分别经由通孔与陶瓷体（1）内部的电路层连接；

所述电路层从上至下依次包括第一电路层、第二电路层、第三电路层、第四电路层、第五电路层、第六电路层、第七电路层、第八电路层、第九电路层、第十电路层、第十一电路层和第十二电路层；

所述第一电路层包括第一传输线P1、第二传输线P2、第三传输线P3、第一过孔H1、第二过孔H2、第三过孔H3、第四过孔H4、第五过孔H5和第六过孔H6；

所述第二电路层包括第四传输线P4、第五传输线P5、第六传输线P6、第一过孔H1、第二过孔H2、第三过孔H3、第四过孔H4、第五过孔H5和第六过孔H6；

所述第三电路层包括第七传输线P7、第八传输线P8、第一过孔H1、第二过孔H2、第三过孔H3、第四过孔H4、第五过孔H5、第六过孔H6和第七过孔H7；

所述第四电路层包括第九传输线P9、第十传输线P10、第一过孔H1、第二过孔H2、第三过孔H3、第四过孔H4、第五过孔H5、第六过孔H6和第七过孔H7；

所述第五电路层包括第十一传输线P11、第十二传输线P12、第一过孔H1、第二过孔H2、第四过孔H4、第五过孔H5、第六过孔H6、第七过孔H7和第八过孔H8；

所述第六电路层包括第十三传输线P13、第十四传输线P14、第一过孔H1、第二过孔H2、第四过孔H4、第六过孔H6、第七过孔H7、第八过孔H8和第九过孔H9；

所述第七电路层包括第十五金属片P15、第十六金属片P16、第一过孔H1、第四过孔H4、第六过孔H6、第七过孔H7和第九过孔H9；

所述第八电路层包括第十七金属片P17、第十八金属片P18、第一过孔H1、第四过孔H4、第六过孔H6、第七过孔H7和第九过孔H9；

所述第九电路层包括第十九金属片P19、第二十金属片P20、第一过孔H1、第四过孔H4、第七过孔H7、第九过孔H9、第十过孔H10、第十一过孔H11和第十二过孔H12；

所述第十电路层包括第二十一金属片P21、第一过孔H1、第四过孔H4、第七过孔H7、第九过孔H9、第十过孔H10、第十一过孔H11、第十二过孔H12和第十三过孔H13；

所述第十一电路层包括第二十二金属片P22、第二十三金属片P23、第二十四金属片P24、第一过孔H1、第七过孔H7、第九过孔H9、第十过孔H10、第十一过孔H11、第十二过孔H12和第十三过孔H13；

所述第十二电路层包括第二十五金属片P25、第一过孔H1、第九过孔H9、第十过孔H10、第十一过孔H11、第十二过孔H12、第十四过孔H14、第十五过孔H15、第十六过孔H16、第十七过孔H17、第十八过孔H18和第十九过孔H19；

所述第一传输线P1、第四传输线P4、第七传输线P7、第九传输线P9、第十一传输线P11和第十三传输线P13经由第一过孔H1、第二过孔H2和第七过孔H7首尾依次连接，共同构成第一等效电感L1；

所述第二传输线P2、第五传输线P5、第八传输线P8和第十传输线P10经由第三过孔H3、第四过孔H4和第七过孔H7首尾依次连接，共同构成第二等效电感L2；

所述第三传输线P3、第六传输线P6、第十二传输线P12和第十四传输线P14经由第五过孔H5、第六过孔H6和第八过孔H8首尾依次连接，共同构成第三等效电感L3；

所述第二十三金属片P23和第二十五金属片P25垂直耦合，共同构成第一等效电容C1；

所述第二十二金属片P22和第二十五金属片P25垂直耦合，共同构成第二等效电容C2；

所述第二十四金属片P24和第二十五金属片P25垂直耦合，共同构成第三等效电容C3；

所述第十七金属片P17和第十九金属片P19垂直耦合，共同构成第四等效电容C4；

所述第十五金属片P15和第十七金属片P17垂直耦合，共同构成第五等效电容C5；

所述第十六金属片P16和第十八金属片P18垂直耦合，共同构成第六等效电容C6；

所述第十八金属片P18和第二十金属片P20垂直耦合，共同构成第七等效电容C7；

所述第二十金属片P20和第二十一金属片P21垂直耦合，共同构成第八等效电容C8。

2.根据权利要求1所述的基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器，其特征在于，在所述第一等效电感L1中，所述第一传输线P1、第四传输线P4和第七传输线P7在垂直方向重合，并经由第一过孔H1和第二过孔H2首尾连接，实现三段传输线的并联；所述第九传输线P9、第十一传输线P11和第十三传输线P13在垂直方向重合，并经由第二过孔H2和第七过孔H7首尾连接，实现三段传输线的并联；

在所述第二等效电感L2中，所述第二传输线P2和第五传输线P5在垂直方向重合，并经由第三过孔H3和第四过孔H4首尾连接，实现两段传输线的并联；所述第八传输线P8和第十传输线P10在垂直方向重合，并经由第三过孔H3和第七过孔H7首尾连接，实现两段传输线的并联；

在所述第三等效电感L3中，所述第三传输线P3和第六传输线P6在垂直方向重合，并经由第五过孔H5和第六过孔H6首尾连接，实现两段传输线的并联。

3.根据权利要求2所述的基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器，其特征在于，所述第一等效电感L1的一端经由第一过孔H1和第十过孔H10与外电极上的输入端（2）连接，其另一端经由第七过孔H7与第二等效电感L2的一端连接，所述第二等效电感L2的另一端经由第四过孔H4和第十三过孔H13与第三等效电容C3的一端连接，所述第三等效电容C3的另一端经由第十四过孔H14、第十五过孔H15、第十六过孔H16、第十七过孔H17、第十八过孔H18和第十九过孔H19与外电极上的接地端（3）连接；

所述第一等效电容C1的一端经由一小段微带线与第一过孔H1连接，其另一端经由第十四过孔H14、第十五过孔H15、第十六过孔H16、第十七过孔H17、第十八过孔H18和第十九过孔H19与外电极上的接地端（3）连接，所述第一等效电感L1和第二等效电感L2的共同连接处经由第七过孔H7与第二等效电容C2的一端连接，所述第二等效电容C2的另一端经由第十四过孔H14、第十五过孔H15、第十六过孔H16、第十七过孔H17、第十八过孔H18和第十九过孔H19与外电极上的接地端（3）连接；

所述第四等效电容C4的一端经由一小段微带线与第一过孔H1连接，其另一端经由第七过孔H7与第一等效电感L1和第二等效电感L2的共同连接处连接，所述第五等效电容C5的一端经由一小段微带线与第四过孔H4连接，其另一端经由第七过孔H7与第一等效电感L1和第二等效电感L2的共同连接处连接；

所述第六等效电容C6的一端经由一小段微带线与第四过孔H4连接，其另一端经由第六过孔H6与第三等效电感L3的一端连接，所述第三等效电感L3的另一端经由第九过孔H9与第二十五金属片P25连接，所述第七等效电容C7的一端经由第六过孔H6与第三等效电感L3的一端连接，其另一端经由第十一过孔H11和第十二过孔H12与外电极上的输出端（4）连接，所述第八等效电容C8的一端经由一小段微带线与第十三过孔H13连接，其另一端经由第十一过孔H11和第十二过孔H12与外电极上的输出端（4）连接。

4.根据权利要求3所述的基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器，其特征在于，所述第一等效电感L1、第二等效电感L2、第一等效电容C1、第二等效电容C2、第三等效电容C3、第四等效电容C4和第五等效电容C5构成两阶低通滤波器；

所述第三等效电感L3、第六等效电容C6、第七等效电容C7和第八等效电容C8构成一阶高通滤波器。

5.根据权利要求1所述的基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器，其特征在于，所述带通滤波器还包括标识（5），所述标识（5）位于陶瓷体（1）顶部。

6.根据权利要求1所述的基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器，其特征在于，所述带通滤波器的制造工艺包括基于多层印制电路板的制造工艺、基于低温共烧陶瓷的制造工艺、基于IPD的制造工艺或基于CMOS半导体的制造工艺。

7.根据权利要求1所述的基于多层技术的紧凑型低插损带通滤波器，其特征在于，所述电路层采用的内埋金属材料为铜或者钯银。