CN118466678B - 温度补偿电路及芯片、电子设备 - Google Patents

Abstract

一种温度补偿电路及芯片、电子设备，属于电子电路技术领域，与用于对温度进行检测以输出采样电压的温度采样电路连接，通过第一选择电路将采样电压和所述最大预设电压中较小的电压作为第一电压输出；电流镜电路对第一电压进行跟随，且对第一电流进行镜像，以输出第二电流；第一转换电路将跟随后的第一电压和最小预设电压的压差转换为所述第一电流；第二转换电路根据基准电压将第二电流转换为第一驱动电压；作为最大补偿量由最大预设电压也是根据电流镜电路转换得出，最大补偿量不再是固定值，而是与镜像倍数相关联，从而实现了最大补偿量会与可变的斜率之间的匹配。

Description

温度补偿电路及芯片、电子设备

技术领域

本申请属于电子电路技术领域，尤其涉及一种温度补偿电路及芯片、电子设备。

背景技术

随着科技迅速发展，电子设备的控制精度的要求越来越高，温度补偿电路得到广泛应用。

例如，汽车电子的屏显背光驱动就是其中之一。车规背光芯片提供栅极电压至所驱动的薄膜晶体管（thin film transistor，TFT），TFT的阈值电压与温度成反比。在低温情况下为实现对TFT的合理驱动，需要对其进行额外的温度补偿，因此需要合适的温度补偿电路，整体芯片框架图如图1所示。温度补偿电路常用固定提供最低温度和最高温度，设置集中不同档位的补偿。不同档位补偿主要体现在最低温度对应的补偿量和最高温度对应的补偿量中间的斜率的不同，以负温度系数的温度采样电路为例，如图2所示，目前的温度补偿电路设置的固定的最高温度对应的补偿量会与可变的斜率产生不匹配。

故相关的温度补偿电路存在最大补偿量与可变的斜率产生不匹配的缺陷。

发明内容

本申请的目的在于提供一种温度补偿电路及芯片、电子设备，旨在解决相关的温度补偿电路存在最大补偿量与可变的斜率产生不匹配的问题。

本申请实施例提供了一种温度补偿电路，与用于对温度进行检测以输出采样电压的温度采样电路连接，所述温度补偿电路包括：

第一选择电路，与所述温度采样电路连接，配置为接入最大预设电压，将所述采样电压和所述最大预设电压中较小的电压作为第一电压输出；

电流镜电路，与所述第一选择电路连接，配置为对所述第一电压进行跟随，且对第一电流进行镜像，以输出第二电流；

第一转换电路，与所述电流镜电路连接，配置为将跟随后的所述第一电压和最小预设电压的压差转换为所述第一电流；

第二转换电路，与所述电流镜电路连接，配置为根据基准电压将所述第二电流转换为第一驱动电压。

在其中一个实施例中，还包括：

钳位电路，与所述第二转换电路连接，配置为对所述第一驱动电压进行钳位。

在其中一个实施例中，还包括：

第一跟随电路，与所述第一转换电路连接，配置为对所述最小预设电压进行跟随；

所述第一转换电路具体配置为将所述第一电压和跟随后的所述最小预设电压的压差转换为所述第一电流。

在其中一个实施例中，还包括：

第二跟随电路，与所述第二转换电路连接，配置为对所述基准电压进行跟随；

所述第二转换电路具体配置为根据跟随后的基准电压将所述第二电流转换为第一驱动电压。

在其中一个实施例中，所述第一选择电路包括：

比较模块，配置为将所述采样电压和所述最大预设电压进行比较，并根据比较结果输出比较信号；

第一选择模块，与所述比较模块和所述电流镜电路连接，配置为根据所述比较信号选择所述采样电压或所述最大预设电压作为第一电压输出。

在其中一个实施例中，所述电流镜电路包括第一运算放大器、第一PMOS管、n个场效应管以及n个开关管；

所述第一运算放大器的负相输入端作为所述电流镜电路的第一电压输入端，与所述第一选择电路连接，以接入所述第一电压；

所述第一运算放大器的输出端与所述第一PMOS管的栅极和n个所述场效应管的栅极连接，

所述第一运算放大器的正相输入端和所述第一PMOS管的漏极连接并共同构成所述电流镜电路的第一电压输出端，与所述第一转换电路连接，以输出跟随后的所述第一电压；所述第一运算放大器的正相输入端和所述第一PMOS管的漏极连接并还共同构成所述电流镜电路的第一电流输入端，与所述第一转换电路连接，以接入所述第一电流；

n个所述场效应管的漏极和n个所述开关管的输入端一一对应连接；

n个所述开关管的输出端连接并共同构成所述电流镜电路的第二电流输出端，与所述第二转换电路连接，以输出所述第二电流；

n个所述场效应管的源极共接于第一电源。

本申请实施例还提供一种芯片，所述芯片包括上述的温度补偿电路。

在其中一个实施例中，还包括：

第一数字电路，配置为根据第一配置信号和基准信号输出最大驱动信号；其中，所述第一配置信号与第一驱动电压的最大值相关联；

数模转换电路，与所述第一数字电路连接，配置为将所述最大驱动信号转换为最大驱动电压，并将所述基准信号转换为基准电压；最大驱动电压等于第一驱动电压的最大值；

第二选择电路，与所述温度补偿电路和所述数模转换电路连接，配置为根据比较信号选择输出所述最大驱动电压或所述第一驱动电压；其中，所述比较信号由所述采样电压和所述最大预设电压进行比较而得到。

在其中一个实施例中，所述第一转换电路具体配置为基于第二配置信号将所述第一电压和最小预设电压的压差转换为所述第一电流；

所述芯片还包括：

第二数字电路，与所述温度补偿电路连接，配置为根据所述第一配置信号输出所述第二配置信号。

在其中一个实施例中，还包括：

第三选择电路，与所述第二选择电路连接，配置为接入基准电压和最大驱动电压，并根据选择信号选择所述基准电压、所述最大驱动电压或所述第一驱动电压以作为第二驱动电压输出。

在其中一个实施例中，所述第三选择电路包括：

第二选择模块，与所述第二选择电路连接，配置为根据第一选择信号选择输出所述最大驱动电压或所述第一驱动电压；

第三选择模块，与所述第二选择模块连接，配置为根据第二选择信号选择基准电压、所述最大驱动电压或所述第一驱动电压以作为第二驱动电压输出。

在其中一个实施例中，还包括：

升压电路，与所述第三选择电路连接，配置为对所述第二驱动电压进行升压，以输出目标驱动电压。

本申请实施例还提供一种电子设备，所述电子设备包括上述的芯片。

本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：由于第一选择电路选择所述采样电压和所述最大预设电压中较小的电压作为第一电压输出，电流镜电路对所述第一电压进行跟随，第一转换电路将跟随后的所述第一电压和最小预设电压的压差转换为所述第一电流，电流镜电路对第一电流进行镜像，以输出第二电流，第二转换电路根据基准电压将所述第二电流转换为第一驱动电压，故最低温度对应的补偿量和最高温度对应的补偿量中间的上升斜率变化时（即电流镜电路的镜像倍数变化时），最大补偿量由最大预设电压也是根据电流镜电路转换得出，最大补偿量不再是固定值，而是与镜像倍数相关联，从而实现了最大补偿量会与可变的斜率之间的匹配。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术发明，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为相关的温度补偿电路的一种结构示意图；

图2为相关的温度补偿电路的输出的驱动信号和温度的关系示意图；

图3为本申请一实施例提供的温度补偿电路的一种结构示意图；

图4为本申请一实施例提供的温度补偿电路的另一种结构示意图；

图5为本申请一实施例提供的温度补偿电路的另一种结构示意图；

图6为本申请一实施例提供的温度补偿电路的另一种结构示意图；

图7为本申请一实施例提供的温度补偿电路的另一种结构示意图；

图8为本申请一实施例提供的温度补偿电路的一种部分示例电路原理图；

图9为本申请一实施例提供的芯片的一种部分结构示意图；

图10为本申请一实施例提供的芯片的另一种部分结构示意图；

图11为本申请一实施例提供的芯片的另一种部分结构示意图；

图12为本申请一实施例提供的芯片的另一种部分结构示意图；

图13为本申请一实施例提供的芯片输出的第二驱动信号和温度的关系示意图；

图14为本申请一实施例提供的芯片的另一种部分结构示意图。

具体实施方式

为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

图3示出了本申请较佳实施例提供的温度补偿电路的结构示意图，为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分，详述如下：

上述温度补偿电路与用于对温度进行检测以输出采样电压V_NTCR的温度采样电路（图中未示出）连接，温度补偿电路包括第一选择电路11、电流镜电路12、第一转换电路13以及第二转换电路14。

第一选择电路11，与温度采样电路连接，配置为接入最大预设电压V_NTC2，将采样电压V_NTCR和最大预设电压V_NTC2中较小的电压作为第一电压输出。

电流镜电路12，与第一选择电路11连接，配置为对第一电压进行跟随，且对第一电流进行镜像，以输出第二电流。

第一转换电路13，与电流镜电路12连接，配置为将跟随后的第一电压和最小预设电压的压差转换为第一电流。

第二转换电路14，与电流镜电路12连接，配置为根据基准电压V_NT将第二电流转换为第一驱动电压V_{NTC_REF}。

需要说明的是，温度采样电路可以为正温度系数，也可以为负温度系数。温度采样电路可以为热敏电阻。

在温度采样电路为正温度系数的情况下，最大预设电压V_NTC2与温度补偿的最高温度相关联，最小预设电压与温度补偿的最低温度相关联。

在温度采样电路为负温度系数的情况下，最大预设电压V_NTC2与温度补偿的最低温度相关联，最小预设电压与温度补偿的最高温度相关联。

如图4所示，温度补偿电路还包括钳位电路15。

钳位电路15，与第二转换电路14连接，配置为对第一驱动电压V_{NTC_REF}进行钳位。

通过对第一驱动电压V_{NTC_REF}进行钳位，减少了第一驱动电压V_{NTC_REF}过大而导致后级电路击穿的可能性，提高了温度补偿电路的可靠性和安全性。

如图5所示，温度补偿电路还包括第一跟随电路16。

第一跟随电路16，与第一转换电路13连接，配置为对最小预设电压V_NTC1进行跟随。

第一转换电路13具体配置为将第一电压和跟随后的最小预设电压V_NTC1的压差转换为第一电流。

由于第一电流流经的支路具有较大的漏电流，通过设置第一跟随电路16，使得第一电流不再通过最小预设电压的电源接入电源地，从而，保护了最小预设电压的电源，提高了温度补偿电路的可靠性和安全性。

如图6所示，温度补偿电路还包括第二跟随电路17。

第二跟随电路17，与第二转换电路14连接，配置为对基准电压V_NT进行跟随。

第二转换电路14具体配置为根据跟随后的基准电压V_NT将第二电流转换为第一驱动电压V_{NTC_REF}。

由于第二电流流经的支路具有较大的漏电流，通过设置第二跟随电路17，使得第二电流不再通过基准电压V_NT的电源接入电源地，从而，保护了基准电压V_NT的电源，提高了温度补偿电路的可靠性和安全性。

如图7所示，第一选择电路11包括比较模块111和第一选择模块112。

比较模块111，配置为将采样电压和最大预设电压V_NTC2进行比较，并根据比较结果输出比较信号Vcp。

第一选择模块112，与比较模块111和电流镜电路12连接，配置为根据比较信号Vcp选择采样电压或最大预设电压V_NTC2以作为第一电压输出。

通过上述的比较模块111和第一选择模块112，实现了选择输出采样电压和最大预设电压V_NTC2中较小的电压，电路简单可靠。

图8示出了本发明实施例提供的温度补偿电路的一种部分示例电路结构，为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分，详述如下：

电流镜电路12包括第一运算放大器U1、第一PMOS管P1、n个场效应管Mi以及n个开关管Qi。

第一运算放大器U1的反相输入端作为电流镜电路12的第一电压输入端，与第一选择电路11连接，以接入第一电压。

第一运算放大器U1的输出端与第一PMOS管P1的栅极和n个场效应管Mi的栅极连接。

第一运算放大器U1的正相输入端和第一PMOS管P1的漏极连接并共同构成电流镜电路12的第一电压输出端，与第一转换电路13连接，以输出跟随后的第一电压；第一运算放大器U1的正相输入端和第一PMOS管P1的漏极连接并还共同构成电流镜电路12的第一电流输入端，与第一转换电路13连接，以接入第一电流。

n个场效应管Mi的漏极和n个开关管Qi的输入端一一对应连接。

n个开关管Qi的输出端连接并共同构成电流镜电路12的第二电流输出端，与第二转换电路14连接，以输出第二电流。

n个场效应管Mi的源极共接于第一电源VAA。

需要说明的是，n个开关管Qi的控制端作为电流镜电路12的开关控制信号输入端，以接入开关控制信号。

通过开关控制信号控制导通的开关管Qi的数量，从而调节电流镜电路12镜像电流的大小，提高了温度补偿电路的灵活性。

该电流镜电路12同时实现了电流镜像和电压跟随，电路简单可靠。

第一跟随电路16包括第二运算放大器U2、第一电流源I1和第二PMOS管P2；

第二运算放大器U2的反相输入端作为第一跟随电路16的最小预设电压输入端，以接入最小预设电压V_NTC1。

第二运算放大器U2的正相输入端与第二PMOS管P2的漏极以及第一电流源I1的正极连接并共同构成第一跟随电路16的最小预设电压输出端，与第一转换电路13连接，以输出跟随后的最小预设电压V_NTC1。

第二PMOS管P2的源极与第一电源VAA连接，第一电流源I1的负极与电源地连接。

第二跟随电路17包括第三运算放大器U3、第二电流源I2和第三PMOS管P3；

第三运算放大器U3的反相输入端作为第二跟随电路17的基准电压输入端，以接入基准电压V_NT；

第三运算放大器U3的正相输入端与第三PMOS管P3的漏极以及第二电流源I2的正极连接并共同构成第二跟随电路17的基准电压VNT输出端，与第二转换电路14连接，以输出跟随后的基准电压V_NT；

第三PMOS管P3的源极与第一电源VAA连接，第二电流源I2的负极与电源地连接。

比较模块111包括比较器U4；

比较器U4的反相输入端作为比较模块111的最大预设电压VNTC2输入端，以接入最大预设电压V_NTC2。

比较器U4的正相输入端作为比较模块111的采样电压输入端，以接入采样电压V_NTCR。

比较器U4的输出端作为比较模块111的比较信号Vcp输出端，与第一选择模块112连接，以输出比较信号Vcp。

第一转换模块包括第一可调电阻R1。

第一可调电阻R1的第一端作为第一转换模块的第一电压输入端和第一转换模块的第一电流输出端，与电流镜电路12连接，以接入第一电压并输出第一电流。

第一可调电阻R1的第二端作为第一转换模块的最小预设电压输入端，以接入最小预设电压。

第一可调电阻R1的调节端作为第一转换模块的第二配置信号输入端，以接入第二配置信号R1_SELECT。

第二转换模块包括第二可调电阻R2。

第二可调电阻R2的第一端作为第二转换模块的第一驱动电压输出端和第二转换模块的第二电流输入端，与电流镜电路12连接，以输出第一驱动电压V_{NTC_REF}并接入第二电流。

第二可调电阻R2的第二端作为第一转换模块的基准电压V_NT输入端，以接入基准电压V_NT。

第二可调电阻R2的调节端作为第一转换模块的第三配置信号输入端，以接入第三配置信号。

需要说明的是，第三配置信号用于修调第二可调电阻R2的阻值。

以下结合工作原理对图8所示的作进一步说明：

比较器U4的反相输入端接入最大预设电压V_NTC2，比较器U4的正相输入端接入采样电压V_NTCR；当采样电压大于等于最大预设电压V_NTC2的情况下，比较器U4的输出端输出高电平的比较信号Vcp；当采样电压V_NTCR小于最大预设电压V_NTC2的情况下，比较器U4的输出端输出低电平的比较信号Vcp；第一选择模块112接入最大预设电压V_NTC2、采样电压V_NTCR和比较信号Vcp，并根据高电平的比较信号Vcp将最大预设电压V_NTC2作为第一电压输出，且根据低电平的比较信号Vcp将采样电压V_NTCR作为第一电压输出。

第一运算放大器U1的正相输入端和第一运算放大器U1的反相输入端虚短，故第一电压经跟随后输出至第一可调电阻R1的第一端；第二运算放大器U2的正相输入端和第二运算放大器U2的反相输入端虚短，故最小预设电压V_NTC1经跟随后输出至第一可调电阻R1的第二端；从而第一可调电阻R1根据第一电压和最小预设电压的压差输出第一电流至第一PMOS管P1的漏极，电流镜电路12对第一电流进行预设倍数的镜像以从n个场效应管Mi的漏极输出第二电流，第二电流经n个开关管Qi输出至第二可调电阻R2的第一端；第三运算放大器U3的正相输入端和第三运算放大器U3的反相输入端虚短，故基准电压V_NT经跟随后输出至第二可调电阻R2的第二端；从而在第二可调电阻R2的第一端输出第一驱动电压V_{NTC_REF}。

可以理解的是，设电流镜电路12镜像的预设倍数为K，第一驱动电压V_{NTC_REF}有两种情况：

第一种情况下，采样电压大于等于最大预设电压V_NTC2，此时第一驱动电压V_{NTC_REF}为

V_{NTC_REF}=[(V_NTC2-V_NTC1)/R1]*K*R2+V_NT

第二种情况下，采样电压大于等于最大预设电压VNTC2，此时第一驱动电压V_{NTC_REF}为

V_{NTC_REF}= [(V_NTCR-V_NTC1)/R1]*K*R2+V_NT

其中，V_{NTC_REF}为第一驱动电压，V_NTCR为采样电压，V_NTC2为最大预设电压，V_NTC2为最小预设电压，V_NT为基准电压。

本发明实施例还提供一种芯片，该放大器包括上述的温度补偿电路。

如图9所示，上述芯片还包括第一数字电路01、数模转换电路02和第二选择电路03。

第一数字电路01，配置为根据第一配置信号GAIN SELECT<K:0>和基准信号V_NT<m:0>输出最大驱动信号V_NTCMAX<m:0>；其中，第一配置信号GAIN SELECT<K:0>与第一驱动电压V_{NTC_REF}的最大值相关联。在一实施例中，第一数字电路01可以通过VERILOG A语言编程得到。

具体实施中，可以将第一配置信号GAIN SELECT<K:0>对应的二进制数值作为第一标识，并存储第一标识和补偿电压的对应关系，补偿电压为[(V_NTC2-V_NTC1)/R1]*K*R2和升压倍数（其中，第一驱动电压V_{NTC_REF}经升压后输出至负载）的乘积，再将补偿电压除以每个bit的步长以得到步数，最后将基准信号V_NT<m:0>对应的二进制数值和步数相加以得到最大驱动信号V_NTCMAX<m:0>对应的二进制数值。

例如，基准信号VNT<m:0>对应的二进制数值000000，第一配置信号GAIN SELECT<K:0>对应的二进制数值（第一标识）为010，010对应的补偿电压为2V，每个bit对应的步长为0.5V，010对应的步数为4步（100），从而最大驱动信号V_NTCMAX<m:0>对应的二进制数值为000100。

数模转换电路02，与第一数字电路01连接，配置为将最大驱动信号V_NTCMAX<m:0>转换为最大驱动电压V_NTCMAX，并将基准信号V_NT<m:0>转换为基准电压V_NT；其中，最大驱动电压V_NTCMAX等于第一驱动电压VNTC_REF的最大值。

第二选择电路03，与温度补偿电路和数模转换电路02连接，配置为根据比较信号Vcp选择输出最大驱动电压V_NTCMAX或第一驱动电压V_{NTC_REF}；其中，比较信号Vcp由采样电压和最大预设电压V_NTC2进行比较而得到。

通过第一数字电路01输出最大驱动电压V_NTCMAX对应的最大驱动信号V_NTCMAX<m:0>，使得最大驱动电压V_NTCMAX更接近第一驱动电压V_{NTC_REF}的最大值的理论值，减小了环境因素导致的第一驱动电压V_{NTC_REF}的最大值的偏差，并通过第二选择电路03输出最大驱动电压V_NTCMAX或第一驱动电压V_{NTC_REF}，提高了最终输出的驱动电压的精度。同时，如果最大驱动电压V_NTCMAX和基准电压V_NT通过两个独立的信号从不同数模转换电路引出，会因为两个信号不相关使得最终输出的信号存在一定的失配，数模转换电路02将第一驱动电压V_NTCMAX和基准电压V_NT关联在一起，即使第一驱动电压V_NTCMAX和基准电压V_NT具有同样方向的变化，最终曲线和最大补偿值依旧会重合。

如图10所示，第一转换电路13具体配置为基于第二配置信号R1_SELECT将第一电压和最小预设电压的压差转换为第一电流；芯片还包括第二数字电路04。

第二数字电路04，与温度补偿电路连接，配置为根据第一配置信号GAIN SELECT<K:0>输出第二配置信号R1_SELECT。

可以将第一配置信号GAIN SELECT<K:0>对应的二进制数值作为第一标识，并存储第一标识和补偿电压的对应关系，补偿电压为[(V_NTC2-V_NTC1)/R1]*K*R2和升压倍数（其中，第一驱动电压V_{NTC_REF}经升压后输出至负载）的乘积， 可以配置多种最大预设电压V_NTC2和多种最小预设电压V_NTC1，从而根据第一配置信号GAIN SELECT<K:0>输出第二配置信号R1_SELECT，其中，第二配置信号R1_SELECT的二进制数值与第一可调电阻R1的阻值相关联，并使得第一可调电阻R1的阻值与(V_NTC2-V_NTC1)呈正比，从而补偿电压为恒定值。

如图11所示，上述芯片还包括第三选择电路05。

第三选择电路05，与第二选择电路03连接，配置为接入基准电压V_NT和最大驱动电压V_NTCMAX，并根据选择信号选择基准电压V_NT、最大驱动电压V_NTCMAX或第一驱动电压V_{NTC_REF}以作为第二驱动电压V_NTC输出。

通过第三选择电路05可以选择输出多类驱动电压，丰富了产品的功能。

如图12所示，第三选择电路05包括第二选择模块051和第三选择模块052。

第二选择模块051，与第二选择电路03连接，配置为根据第一选择信号选择输出最大驱动电压V_NTCMAX或第一驱动电压V_{NTC_REF}；

第三选择模块052，与第二选择模块051连接，配置为根据第二选择信号选择基准电压V_NT、最大驱动电压V_NTCMAX或第一驱动电压V_{NTC_REF}以作为第二驱动电压V_NTC输出。

通过第二选择模块051可以通过外部输出选择输出最大驱动电压V_NTCMAX，通过第三选择模块052可以通过外部输出选择输出基准电压V_NT，丰富了产品的功能。

值得强调的是，第二驱动电压V_NTC与温度的关系如图13所示，可以理解的是，在图13中，最大补偿温度Tmax与最大预设电压V_NTC2相对应，最小补偿温度Tmin与最小预设电压V_NTC1相对应。其中，图13以负温度系数的温度采样电路为例。

如图13所示，上述芯片还包括升压电路06。

升压电路06，与第三选择电路05连接，配置为对第二驱动电压V_NTC进行升压，以输出目标驱动电压Vdriv。

可以配置升压电路06的升压倍数，从而拓展了芯片的应用范围。

本发明实施例还提供一种电子设备，该电子设备包括上述的芯片。

应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。

以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种温度补偿电路，其特征在于，与用于对温度进行检测以输出采样电压的温度采样电路连接，所述温度补偿电路包括：

第一选择电路，与所述温度采样电路连接，配置为接入最大预设电压，将所述采样电压和所述最大预设电压中较小的电压作为第一电压输出；

电流镜电路，与所述第一选择电路连接，配置为对所述第一电压进行跟随，且对第一电流进行镜像，以输出第二电流；

第一转换电路，与所述电流镜电路连接，配置为将跟随后的所述第一电压和最小预设电压的压差转换为所述第一电流；

第二转换电路，与所述电流镜电路连接，配置为根据基准电压将所述第二电流转换为第一驱动电压；

所述第一选择电路包括：

比较模块，配置为将所述采样电压和所述最大预设电压进行比较，并根据比较结果输出比较信号；

第一选择模块，与所述比较模块和所述电流镜电路连接，配置为根据所述比较信号选择所述采样电压或所述最大预设电压作为第一电压输出；

所述电流镜电路包括第一运算放大器、第一PMOS管、n个场效应管以及n个开关管；

所述第一运算放大器的负相输入端作为所述电流镜电路的第一电压输入端，与所述第一选择电路连接，以接入所述第一电压；

所述第一运算放大器的输出端与所述第一PMOS管的栅极和n个所述场效应管的栅极连接，

所述第一运算放大器的正相输入端和所述第一PMOS管的漏极连接并共同构成所述电流镜电路的第一电压输出端，与所述第一转换电路连接，以输出跟随后的所述第一电压；所述第一运算放大器的正相输入端和所述第一PMOS管的漏极连接并还共同构成所述电流镜电路的第一电流输入端，与所述第一转换电路连接，以接入所述第一电流；

n个所述场效应管的漏极和n个所述开关管的输入端一一对应连接；

n个所述开关管的输出端连接并共同构成所述电流镜电路的第二电流输出端，与所述第二转换电路连接，以输出所述第二电流；

n个所述场效应管的源极和所述第一PMOS管的源极共接于第一电源。

2.如权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，还包括：

钳位电路，与所述第二转换电路连接，配置为对所述第一驱动电压进行钳位。

3.如权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，还包括：

第一跟随电路，与所述第一转换电路连接，配置为对所述最小预设电压进行跟随；

所述第一转换电路具体配置为将所述第一电压和跟随后的所述最小预设电压的压差转换为所述第一电流。

4.如权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，还包括：

第二跟随电路，与所述第二转换电路连接，配置为对所述基准电压进行跟随；

所述第二转换电路具体配置为根据跟随后的基准电压将所述第二电流转换为第一驱动电压。

5.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括如权利要求1至4任意一项所述的温度补偿电路。

6.如权利要求5所述的芯片，其特征在于，还包括：

第一数字电路，配置为根据第一配置信号和基准信号输出最大驱动信号；其中，所述第一配置信号与第一驱动电压的最大值相关联；

数模转换电路，与所述第一数字电路连接，配置为将所述最大驱动信号转换为最大驱动电压，并将所述基准信号转换为基准电压；最大驱动电压等于第一驱动电压的最大值；

第二选择电路，与所述温度补偿电路和所述数模转换电路连接，配置为根据比较信号选择输出所述最大驱动电压或所述第一驱动电压；其中，所述比较信号由所述采样电压和所述最大预设电压进行比较而得到。

7.如权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述第一转换电路具体配置为基于第二配置信号将所述第一电压和最小预设电压的压差转换为所述第一电流；

所述芯片还包括：

第二数字电路，与所述温度补偿电路连接，配置为根据所述第一配置信号输出所述第二配置信号。

8.如权利要求6所述的芯片，其特征在于，还包括：

第三选择电路，与所述第二选择电路连接，配置为接入基准电压和最大驱动电压，并根据选择信号选择所述基准电压、所述最大驱动电压或所述第一驱动电压以作为第二驱动电压输出。

9.如权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述第三选择电路包括：

第二选择模块，与所述第二选择电路连接，配置为根据第一选择信号选择输出所述最大驱动电压或所述第一驱动电压；

第三选择模块，与所述第二选择模块连接，配置为根据第二选择信号选择基准电压、所述最大驱动电压或所述第一驱动电压以作为第二驱动电压输出。

10.如权利要求8所述的芯片，其特征在于，还包括：

升压电路，与所述第三选择电路连接，配置为对所述第二驱动电压进行升压，以输出目标驱动电压。

11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求5至10任意一项所述的芯片。