CN118431366B - 发光二极管外延片及其制备方法、led - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、氮化物插入层、电子阻挡层、P型GaN层；所述氮化物插入层包括依次沉积在所述多量子阱层上的AlN层、P型含Ga氮化物层、Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层和含Ga氮化物层。本发明提供的发光二极管外延片能够减少电子溢流效应，提高活化Mg浓度，提高空穴浓度，提高空穴注入效率，提高电子与空穴辐射复合效率，减少漏电，提升发光二极管的发光效率。

Description

发光二极管外延片及其制备方法、LED

技术领域

本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、LED。

背景技术

氮化镓(GaN)是代表性的III-V族氮化物半导体材料， P型GaN材料的获取难度要比获得N型GaN的难度大很多，曾经严重制约了GaN材料与其器件研究的进展。尽管目前GaN的P型掺杂已取得了突破性进展，但至今仍存在P型杂质活化率低、难以实现高空穴浓度等问题。

具体地，其一，受主杂质Mg原子的激活能较高，导致空穴激活率低，一般条件下空穴浓度只能达到 10¹⁷~10¹⁸atoms/cm³量级；其二，由于空穴的有效质量大、迁移率低，导致空穴主要集中分布在靠近P侧的少数几个量子阱中，空穴注入效率低；其三，电子有效质量小、迁移率大，导致电子可以很轻易的越过有源区进入到P型层中造成电子泄漏。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片，其减少电子溢流效应，提高活化Mg浓度，提高空穴浓度，提高空穴注入效率，提高电子与空穴辐射复合效率，减少漏电，提升发光二极管的发光效率。

本发明所要解决的技术问题还在于，提供一种发光二极管外延片的制备方法，其工艺简单，能够稳定制得发光效率良好的发光二极管外延片。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、氮化物插入层、电子阻挡层、P型GaN层；

所述氮化物插入层包括依次沉积在所述多量子阱层上的AlN层、P型含Ga氮化物层、Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层和含Ga氮化物层。

在一种实施方式中，所述AlN层的厚度为0.5nm~5nm。

在一种实施方式中，所述P型含Ga氮化物层的厚度为1nm~10nm；

所述P型含Ga氮化物层的Mg掺杂浓度为1×10¹⁹atoms/cm³~1×10²⁰atoms/cm³。

在一种实施方式中，所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层的厚度为10nm~100nm；

所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层的Mg掺杂浓度为1×10²⁰atoms/cm³~1×10²¹atoms/cm³。

在一种实施方式中，所述含Ga氮化物层的厚度为1nm~10nm。

在一种实施方式中，所述含Ga氮化物包括GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN。

为了解决上述技术问题，本发明还提供了一种发光二极管外延片的制备方法，包括以下步骤：

S1、准备衬底；

S2、在所述衬底上依次沉积缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、氮化物插入层、电子阻挡层、P型GaN层；

所述氮化物插入层包括依次沉积在所述多量子阱层上的AlN层、P型含Ga氮化物层、Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层和含Ga氮化物层。

在一种实施方式中，所述P型含Ga氮化物层的生长温度为700℃~800℃；

所述P型含Ga氮化物层在生长过程中生长温度逐渐降低；

所述含Ga氮化物层的生长温度为700℃~900℃；

所述P型含Ga氮化物层在生长过程中生长温度逐渐升高。

在一种实施方式中，所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层采用下述方法制得：

先生长非掺杂含Ga氮化物层，生长完成后关闭金属有机化合物源，但不关闭N源氨气，并保持氨气流量不变，预通氨气5s~50s后开通Mg源，得到Mg δ掺杂层，交替生长所述非掺杂含Ga氮化物层和所述Mg δ掺杂层，得到所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层。

相应地，本发明还提供了一种LED，所述LED包括上述的发光二极管外延片。

实施本发明，具有如下有益效果：

本发明提供的发光二极管外延片，其在多量子阱层后，电子阻挡层和P型GaN层之前，插入了氮化物插入层，所述氮化物插入层包括AlN层、P型含Ga氮化物层、Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层和含Ga氮化物层。

所述AlN层能够减少电子溢流至P型GaN层与空穴发生非辐射复合，减少对空穴的阻挡，提高发光二极管的发光效率。所述P型含Ga氮化物层的掺杂浓度较低，提高空穴向有源层扩散效率，其生长温度逐渐降低能够减少与所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层的晶格失配，提高晶体质量。所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层的Mg掺杂浓度较高，提供足量的空穴注入到多量子阱层中与电子复合，并能有效抑制P-GaN位错的形成，提高晶体质量。所述含Ga氮化物层的生长温度逐渐升高，打断Mg-H，有效使Mg活化，激活P型氮化物，并且能够有效覆盖P型氮化物的不平整的表面，减少发光二极管漏电。

综上，本发明通过插入具有特定结构的氮化物插入层，减少电子溢流效应，提高活化Mg浓度，提高空穴浓度，提高空穴注入效率，提高电子与空穴辐射复合效率，减少漏电，提升发光二极管的发光效率。

附图说明

图1为本发明提供的发光二极管外延片的结构示意图；

图2为本发明提供的发光二极管外延片的制备方法的流程图；

图3为本发明提供的发光二极管外延片的制备方法的步骤S2的流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本发明作进一步地详细描述。

除非另外说明或存在矛盾之处，本文中使用的术语或短语具有以下含义：

本发明中，“优选”仅为描述效果更好的实施方式或实施例，应当理解，并不构成对本发明保护范围的限制。

本发明中，以开放式描述的技术特征中，包括所列举特征组成的封闭式技术方案，也包括包含所列举特征的开放式技术方案。

本发明中，涉及到数值区间，如无特别说明，则包括数值区间的两个端点。

为解决上述问题，本发明提供了一种发光二极管外延片，如图1所示，包括衬底100，所述衬底100上依次设有缓冲层200、非掺杂GaN层300、N型GaN层400、多量子阱层500、氮化物插入层600、电子阻挡层700、P型GaN层800；

所述氮化物插入层600包括依次沉积在所述多量子阱层500上的AlN层610、P型含Ga氮化物层620、Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层630和含Ga氮化物层640。

所述氮化物插入层600的具体结构如下：

在一种实施方式中，所述AlN层610的厚度为0.5nm~5nm；所述AlN层610的示例性厚度为1nm、1.5nm、2nm、2.5nm、3nm、3.5nm、4nm、4.5nm，但不限于此。所述AlN层610能够减少电子溢流至P型层与空穴发生非辐射复合，减少对空穴的阻挡，提高发光二极管的发光效率。

在一种实施方式中，所述P型含Ga氮化物层620的厚度为1nm~10nm，所述P型含Ga氮化物层620的示例性厚度为2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm，但不限于此。在一种实施方式中，所述P型含Ga氮化物层620的Mg掺杂浓度为1×10¹⁹atoms/cm³~1×10²⁰atoms/cm³，优选地，所述P型含Ga氮化物层620的Mg掺杂浓度为2×10¹⁹atoms/cm³~9×10¹⁹atoms/cm³。在一种实施方式中，所述P型含Ga氮化物层在生长过程中生长温度逐渐降低。所述P型含Ga氮化物层620的掺杂浓度较低，提高空穴向有源层扩散效率，其生长温度逐渐降低能够减少与所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层的晶格失配，提高晶体质量。

在一种实施方式中，所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层630的厚度为10nm~100nm；所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层630的示例性厚度为20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm，但不限于此。在一种实施方式中，所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层630的Mg掺杂浓度为1×10²⁰atoms/cm³~1×10²¹atoms/cm³，优选地，所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层630的Mg掺杂浓度为2×10²⁰atoms/cm³~9×10²⁰atoms/cm³。所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层630的Mg掺杂浓度较高，提供足量的空穴注入到多量子阱层中与电子复合，并能有效抑制P-GaN位错的形成，提高晶体质量。

在一种实施方式中，所述含Ga氮化物层640的厚度为1nm~10nm；所述含Ga氮化物层640的示例性厚度为2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm，但不限于此。在一种实施方式中，所述含Ga氮化物层640在生长过程中生长温度逐渐升高。所述含Ga氮化物层640的生长温度逐渐升高，打断Mg-H，有效使Mg活化，激活P型氮化物，并且能够有效覆盖P型氮化物的不平整的表面，减少发光二极管漏电。

在一种实施方式中，所述含Ga氮化物包括GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN，本发明对此不做限定。

综上，本发明通过插入具有特定结构的氮化物插入层600，减少电子溢流效应，提高活化Mg浓度，提高空穴浓度，提高空穴注入效率，提高电子与空穴辐射复合效率，减少漏电，提升发光二极管的发光效率。

相应地，本发明提供了一种发光二极管外延片的制备方法，如图2所示，包括以下步骤：

S1、准备衬底100；

衬底100可选用蓝宝石衬底、SiO₂蓝宝石复合衬底、硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、氧化锌衬底中的一种。优选地，衬底100选用蓝宝石衬底，蓝宝石是目前常用的GaN基LED衬底材料，蓝宝石衬底具有制备工艺成熟、价格较低、易于清洗和处理，高温下有很好的稳定性。

S2、在所述衬底100上依次沉积缓冲层200、非掺杂GaN层300、N型GaN层400、多量子阱层500、氮化物插入层600、电子阻挡层700、P型GaN层800。

如图3所示，所述步骤S2具体包括以下步骤：

S21、在衬底100上沉积缓冲层200。

在一种实施方式中，所述缓冲层200为AlN缓冲层。

S22、在缓冲层200上沉积非掺杂GaN层300。

在一种实施方式中，将反应室的温度控制在1050℃~1200℃，压力控制为100torr~600torr，通入N源、Ga源，生长厚度为1μm~5μm的非掺杂GaN层。

S23、在非掺杂GaN层300上沉积N型GaN层400。

在一种实施方式中，将反应室的温度控制在1050℃~1200℃，压力控制在100torr~600torr，通入N源、Ga源、Si源，生长所述N型GaN层。

S24、在N型GaN层400上沉积多量子阱层500。

在一种实施方式中，所述多量子阱层包括多个交替层叠的InGaN量子阱层和AlGaN量子垒层，堆叠周期数6~12个，其中所述InGaN量子阱层的生长温度为790℃~810℃，厚度为2nm~5nm，生长压力为50torr~300torr，所述AlGaN量子垒层的生长温度为800℃~900℃，厚度为5nm~15nm，生长压力为50torr~300torr。

S25、在多量子阱层500上沉积氮化物插入层600。

所述氮化物插入层600包括依次沉积在所述多量子阱层500上的AlN层610、P型含Ga氮化物层620、Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层630和含Ga氮化物层640。

在一种实施方式中，所述AlN层610采用下述方制得：

将反应室的温度控制在800℃~900℃，压力控制在50torr~500torr，通入N源、Al源，生长所述AlN层。

在一种实施方式中，所述P型含Ga氮化物层620采用下述方制得：

将反应室的温度控制在700℃~800℃，压力控制在50torr~500torr，生长气氛为N₂、NH₃和H₂混合气体，通入金属有机化合物源，生长所述P型含Ga氮化物层。

在一种实施方式中， 所述P型含Ga氮化物层在生长过程中生长温度逐渐降低。生长温度逐渐降低能够减少与所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层的晶格失配，提高晶体质量。

在一种实施方式中，所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层630采用下述方法制得：

先生长非掺杂含Ga氮化物层，生长完成后关闭金属有机化合物源，但不关闭N源氨气，并保持氨气流量不变，预通氨气5s~50s后开通Mg源，得到Mg δ掺杂层，交替生长所述非掺杂含Ga氮化物层和所述Mg δ掺杂层，得到所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层。

在一种实施方式中，所述含Ga氮化物层640采用下述方制得：

将反应室的温度控制在700℃~900℃，压力控制在50torr~500torr，生长气氛为N₂、NH₃和H₂混合气体，通入金属有机化合物源，生长所述含Ga氮化物层。

在一种实施方式中， 所述含Ga氮化物层在生长过程中生长温度逐渐升高。所述含Ga氮化物层的生长温度逐渐升高，打断Mg-H，有效使Mg活化，激活P型氮化物，并且能够有效覆盖P型氮化物的不平整的表面，减少发光二极管漏电。

S26、在氮化物插入层600上沉积电子阻挡层700。

在一种实施方式中，将反应室的温度控制在900℃~1000℃，压力控制在100torr~300torr，通入N源、Al源、Ga源、In源，生长厚度为10nm~40nm的AlInGaN电子阻挡层。

S27、在电子阻挡层700上沉积P型GaN层800。

在一种实施方式中，将反应室的温度控制在900℃~1050℃，压力控制在100torr~600torr，通入N源、Ga源、Mg源，生长厚度为10nm~50nm的P型GaN层。优选地，Mg掺杂浓度为1×10¹⁹atoms/cm³~1×10²¹atoms/cm³。

相应地，本发明还提供了一种LED，所述LED包括上述的发光二极管外延片。所述LED的光电效率得到有效提升，且其他项电学性能良好。

下面以具体实施例进一步说明本发明：

实施例1

本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、氮化物插入层、电子阻挡层、P型GaN层；

所述氮化物插入层包括依次沉积在所述多量子阱层上的AlN层、P型AlGaN层、Mg δ掺杂P型AlInGaN层和GaN层。

所述AlN层的厚度为1.5nm，所述P型AlGaN层的厚度为3.5nm，所述Mg δ掺杂P型AlInGaN层的厚度为25nm，所述GaN层的厚度为5nm。

所述P型AlGaN层的Mg掺杂浓度为3×10¹⁹atoms/cm³，所述Mg δ掺杂P型AlInGaN层的Mg掺杂浓度为5×10²⁰atoms/cm³。

所述Mg δ掺杂P型AlInGaN层采用下述方法制得：

先生长厚度为2.5nm的非掺杂AlInGaN层，生长完成后关闭Al源、In源、Ga源，但不关闭N源氨气，并保持氨气流量不变，预通氨气15s后开通Mg源，得到Mg δ掺杂层，交替生长所述非掺杂AlInGaN层和所述Mg δ掺杂层，得到所述Mg δ掺杂P型AlInGaN层。

实施例2

本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、氮化物插入层、电子阻挡层、P型GaN层；

所述氮化物插入层包括依次沉积在所述多量子阱层上的AlN层、P型GaN层、Mg δ掺杂P型AlGaN层和AlGaN层。

所述AlN层的厚度为1nm，所述P型GaN层的厚度为2.5nm，所述Mg δ掺杂P型AlGaN层的厚度为20nm，所述AlGaN层的厚度为3nm。

所述P型GaN层的Mg掺杂浓度为3×10¹⁹atoms/cm³，所述Mg δ掺杂P型AlGaN层的Mg掺杂浓度为5×10²⁰atoms/cm³。

所述Mg δ掺杂P型AlGaN层采用下述方法制得：

先生长厚度为2.5nm的非掺杂AlGaN层，生长完成后关闭Al源、Ga源，但不关闭N源氨气，并保持氨气流量不变，预通氨气15s后开通Mg源，得到Mg δ掺杂层，交替生长所述非掺杂AlGaN层和所述Mg δ掺杂层，得到所述Mg δ掺杂P型AlGaN层。

实施例3

本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、氮化物插入层、电子阻挡层、P型GaN层；

所述氮化物插入层包括依次沉积在所述多量子阱层上的AlN层、P型AlGaN层、Mg δ掺杂P型InGaN层和GaN层。

所述AlN层的厚度为1nm，所述P型AlGaN层的厚度为2.5nm，所述Mg δ掺杂P型InGaN层的厚度为20nm，所述GaN层的厚度为3nm。

所述P型AlGaN层的Mg掺杂浓度为3×10¹⁹atoms/cm³，所述Mg δ掺杂P型InGaN层的Mg掺杂浓度为5×10²⁰atoms/cm³。

所述Mg δ掺杂P型InGaN层采用下述方法制得：

先生长厚度为2.5nm的非掺杂InGaN层，生长完成后关闭In源、Ga源，但不关闭N源氨气，并保持氨气流量不变，预通氨气15s后开通Mg源，得到Mg δ掺杂层，交替生长所述非掺杂InGaN层和所述Mg δ掺杂层，得到所述Mg δ掺杂P型InGaN层。

实施例4

本实施例与实施例1不同之处在于：所述P型AlGaN层的Mg掺杂浓度为1×10¹⁹atoms/cm³，其余参照实施例1。

实施例5

本实施例与实施例1不同之处在于：所述P型AlGaN层的Mg掺杂浓度为5×10¹⁹atoms/cm³，其余参照实施例1。

实施例6

本实施例与实施例1不同之处在于：所述Mg δ掺杂P型AlInGaN层的Mg掺杂浓度为3×10²⁰atoms/cm³，其余参照实施例1。

实施例7

本实施例与实施例1不同之处在于：所述Mg δ掺杂P型AlInGaN层的Mg掺杂浓度为7×10²⁰atoms/cm³，其余参照实施例1。

实施例8

本实施例与实施例1不同之处在于： 所述Mg δ掺杂P型AlInGaN层采用下述方法制得：先生长厚度为2nm的非掺杂AlInGaN层，生长完成后关闭Al源、In源、Ga源，但不关闭N源氨气，并保持氨气流量不变，预通氨气10s后开通Mg源，得到Mg δ掺杂层，交替生长所述非掺杂AlInGaN层和所述Mg δ掺杂层，得到所述Mg δ掺杂P型AlInGaN层。其余参照实施例1。

实施例9

本实施例与实施例1不同之处在于： 所述Mg δ掺杂P型AlInGaN层采用下述方法制得：先生长厚度为3nm的非掺杂AlInGaN层，生长完成后关闭Al源、In源、Ga源，但不关闭N源氨气，并保持氨气流量不变，预通氨气20s后开通Mg源，得到Mg δ掺杂层，交替生长所述非掺杂AlInGaN层和所述Mg δ掺杂层，得到所述Mg δ掺杂P型AlInGaN层。其余参照实施例1。

对比例1

本对比例提供一种发光二极管外延片，其余实施例1不同之处在于：其不设有氮化物插入层，其余与实施例1相同。

对比例2

本对比例提供一种发光二极管外延片，其余实施例1不同之处在于：其所述氮化物插入层包括依次沉积在所述多量子阱层上的P型AlGaN层、Mg δ掺杂P型AlInGaN层和GaN层，其余参照实施例1。

对比例3

本对比例提供一种发光二极管外延片，其余实施例1不同之处在于：其所述氮化物插入层包括依次沉积在所述多量子阱层上的AlN层、Mg δ掺杂P型AlInGaN层和GaN层，其余参照实施例1。

对比例4

本对比例提供一种发光二极管外延片，其余实施例1不同之处在于：其所述氮化物插入层包括依次沉积在所述多量子阱层上的AlN层、P型AlGaN层、GaN层，其余参照实施例1。

对比例5

本对比例提供一种发光二极管外延片，其余实施例1不同之处在于：其所述氮化物插入层包括依次沉积在所述多量子阱层上的AlN层、P型AlGaN层、Mg δ掺杂P型AlInGaN层，其余参照实施例1。

以实施例1~实施例9和对比例1~对比例5制得发光二极管外延片使用相同芯片工艺条件制备成10mil×24mil芯片，分别抽取300颗LED芯片，在120mA电流下测试，以对比例1为参照，计算各实施例和对比例的发光效率提升率，具体测试结果如表1所示。

表1 实施例1~实施例9和对比例1~对比例5制得LED的性能测试结果

由上述结果可知，本发明通过插入具有特定结构的氮化物插入层，减少电子溢流效应，提高活化Mg浓度，提高空穴浓度，提高空穴注入效率，提高电子与空穴辐射复合效率，减少漏电，提升发光二极管的发光效率。

以上所述是发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、氮化物插入层、电子阻挡层、P型GaN层；

所述氮化物插入层包括依次沉积在所述多量子阱层上的AlN层、P型含Ga氮化物层、Mgδ掺杂P型含Ga氮化物层和含Ga氮化物层；

所述P型含Ga氮化物层在生长过程中生长温度逐渐降低；

所述含Ga氮化物层在生长过程中生长温度逐渐升高；

所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层采用下述方法制得：

先生长非掺杂含Ga氮化物层，生长完成后关闭金属有机化合物源，但不关闭N源氨气，并保持氨气流量不变，预通氨气5s~50s后开通Mg源，得到Mg δ掺杂层，交替生长所述非掺杂含Ga氮化物层和所述Mg δ掺杂层，得到所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层。

2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述AlN层的厚度为0.5nm~5nm。

3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P型含Ga氮化物层的厚度为1nm~10nm；

所述P型含Ga氮化物层的Mg掺杂浓度为1×10¹⁹atoms/cm³~1×10²⁰atoms/cm³。

4. 如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层的厚度为10nm~100nm；

所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层的Mg掺杂浓度为1×10²⁰atoms/cm³~1×10²¹atoms/cm³。

5.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述含Ga氮化物层的厚度为1nm~10nm。

6.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述含Ga氮化物包括GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN。

7.一种如权利要求1~6任一项所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、准备衬底；

S2、在所述衬底上依次沉积缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、氮化物插入层、电子阻挡层、P型GaN层；

所述氮化物插入层包括依次沉积在所述多量子阱层上的AlN层、P型含Ga氮化物层、Mgδ掺杂P型含Ga氮化物层和含Ga氮化物层。

8.如权利要求7所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述P型含Ga氮化物层的生长温度为700℃~800℃；

所述含Ga氮化物层的生长温度为700℃~900℃。

9.一种LED，其特征在于，所述LED包括如权利要求1~6任一项所述的发光二极管外延片。