CN118418034B - 化学机械抛光的光学终点检测方法及相关设备 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种化学机械抛光的光学终点检测方法及相关设备，该方法包括：在化学机械抛光过程中，获取采集的反射相干光谱数据，并根据反射相干光谱数据得到反射相干光谱曲线；在反射相干光谱曲线上选取一段波长区域，在该段波长区域内，标定反射相干光谱曲线的特征极值，以及获取目标相干级数；对比目标相干级数与预设的标准终点光谱曲线的标准相干级数是否相等；若两者相等，获取反射相干光谱曲线与标准终点光谱曲线的差异，根据差异进行光学终点检测；本申请能够准确快速分析出是否真正到达抛光终点，不会受到电源电压波动、温度变化等因素的影响，检测精确度较高、检测效率高。
Description
技术领域
本申请涉及半导体集成电路芯片制造的设备领域，尤其涉及一种化学机械抛光的光学终点检测方法及相关设备。
背景技术
化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）技术是实现硅晶圆表面全面平坦化的关键技术，集在线量测、在线终点检测、清洗等技术于一体。在CMP工艺过程中，有效的终点检测（End Point Detection，EPD）技术，能精确控制晶圆表面薄膜厚度的变化，避免表层材料去除过多或不足，并保证了晶圆表面的平坦度。目前，在线终点检测技术主要基于光学、电学、声学或振动、热学、摩檫力、化学或电化学原理，通过检测晶圆表面反射光强度变化、驱动电机的电流变化、声发射信号、抛光垫温度、抛光液中离子浓度等参数的变化来实现。
市面上比较常见的一种光学终点检测技术，是单色激光检测方法，主要通过监测抛光面反射光强变化曲线，来确定晶圆表面的抛光终点。但是，在单色激光检测方法中，电源电压波动、设备震动、温度波动等其他因素都会造成反射光强数值的波动，降低光学终点检测的精度。
发明内容
本申请实施例公开了一种化学机械抛光的光学终点检测方法及相关设备，能够消除光学终点检测中电源电压波动、温度变化等因素对检测结果的影响，提高光学终点检测的精度以及光学终点检测的效率。
本申请实施例第一方面公开了一种化学机械抛光的光学终点检测方法，所述方法包括：
在化学机械抛光过程中，获取采集的反射相干光谱数据，并根据所述反射相干光谱数据得到反射相干光谱曲线；
在所述反射相干光谱曲线上选取一段波长区域，在所述一段波长区域内，标定所述反射相干光谱曲线的特征极值，以及获取目标相干级数，所述特征极值指示所述反射相干光谱曲线的干涉波峰和干涉波谷，所述目标相干级数为所述一段波长区域内的最高相干级数；
对比所述目标相干级数与预设的标准终点光谱曲线的标准相干级数是否相等，所述标准相干级数为所述标准终点光谱曲线在所述一段波长区域内的最高相干级数；
若两者相等，获取所述反射相干光谱曲线与所述标准终点光谱曲线的差异，根据所述差异进行光学终点检测。
作为一种可选的实施方式，在本申请实施例第一方面中，所述获取目标相干级数，包括：
在所述一段波长区域内标定的特征极值中，确定至少两个特征极值；
根据所述至少两个特征极值分别对应的波长，获取所述目标相干级数。
作为一种可选的实施方式，在本申请实施例第一方面中，所述根据所述至少两个特征极值分别对应的波长，获取所述目标相干级数，包括：
从所述至少两个特征极值中选择任意两个特征极值，作为第一特征极值，获取所述第一特征极值对应的波长和标定编号，所述标定编号为按序给每一个特征极值赋予的序号；
根据所述第一特征极值对应的波长和标定编号，获得所述目标相干级数。
作为一种可选的实施方式，在本申请实施例第一方面中，所述获取所述第一特征极值对应的波长和标定编号，包括：
获取所述第一特征极值对应的波长；
从所述一段波长区域内最小波长右侧的首个干涉波峰开始按序给标定的干涉波峰和干涉波谷赋予所述标定编号，获取所述第一特征极值对应的标定编号。
作为一种可选的实施方式，在本申请实施例第一方面中，所述根据所述至少两个特征极值分别对应的波长，获取所述目标相干级数，包括：
从所述至少两个特征极值中选择两个特征极值，作为第二特征极值，获取所述第二特征极值对应的波长以及所述第二特征极值之间的特征极值的个数；
根据所述第二特征极值对应的波长和所述个数，获取所述目标相干级数。
作为一种可选的实施方式，在本申请实施例第一方面中，所述从所述至少两个特征极值中选择两个特征极值，作为第二特征极值，获取所述第二特征极值对应的波长以及所述第二特征极值之间的特征极值的个数，包括：
从所述至少两个特征极值中选择指示干涉波峰的两个特征极值，作为第二特征极值，获取所述第二特征极值对应的波长以及所述第二特征极值之间的指示干涉波谷的特征极值的个数；或者，
从所述至少两个特征极值中选择指示干涉波谷的两个特征极值，作为所述第二特征极值，获取所述第二特征极值对应的波长以及所述第二特征极值之间的指示干涉波峰的特征极值的个数；或者，
从所述至少两个特征极值中选择一个指示干涉波峰的特征极值和一个指示干涉波谷的特征极值，作为所述第二特征极值，获取指示干涉波峰的所述第二特征极值的波长、指示干涉波谷的所述第二特征极值的波长、以及所述第二特征极值之间的指示干涉波峰的特征极值的个数或所述第二特征极值之间的指示干涉波谷的特征极值的个数。
作为一种可选的实施方式，在本申请实施例第一方面中，所述差异为均方误差MSE、均方根误差RMSE、平均绝对误差MAE或者拟合优度GOF中的至少一个。
作为一种可选的实施方式，在本申请实施例第一方面中，所述根据所述差异进行光学终点检测，包括：
若所述差异满足预设条件，停止化学机械抛光。
本申请实施例第二方面公开了一种化学机械抛光方法，根据本申请实施例第一方面中任意一项所述的化学机械抛光的光学终点检测方法，对样品进行抛光，直至达到抛光终点。
本申请实施例第三方面公开了一种化学机械抛光的光学终点检测装置，包括：
采集模块，用于在化学机械抛光过程中，获取采集的反射相干光谱数据，并根据所述反射相干光谱数据得到反射相干光谱曲线；
标定模块，用于在所述反射相干光谱曲线上选取一段波长区域，在所述一段波长区域内，标定所述反射相干光谱曲线的特征极值，以及获取目标相干级数，所述特征极值指示所述反射相干光谱曲线的干涉波峰和干涉波谷，所述目标相干级数为所述一段波长区域内的最高相干级数；
判断模块，用于对比所述目标相干级数与预设的标准终点光谱曲线的标准相干级数是否相等，所述标准相干级数为所述标准终点光谱曲线在所述一段波长区域内的最高相干级数；
检测模块，用于在所述判断模块的判定结果为两者相等时，获取所述反射相干光谱曲线与所述标准终点光谱曲线的差异，根据所述差异，检测是否到达所述抛光的光学终点。
本申请实施例第四方面公开了一种电子设备，可包括：
存储有可执行程序代码的存储器；
与所述存储器耦合的处理器；
所述处理器调用所述存储器中存储的所述可执行程序代码，执行本申请实施例第一方面公开的一种化学机械抛光的光学终点检测方法。
本申请实施例第五方面公开一种计算机可读存储介质，其存储计算机程序，其中，所述计算机程序使得计算机执行本申请实施例第一方面公开的一种化学机械抛光的光学终点检测方法。
与现有技术相比，本申请实施例具有以下有益效果：
在本申请实施例中，在化学机械抛光过程中，获取采集的反射相干光谱数据，根据反射相干光谱数据得到反射相干光谱曲线，进一步的，在反射相干光谱曲线上选取一段波长区域，在该段波长区域内，标定反射相干光谱曲线的特征极值，以及获取目标相干级数，该特征极值指示反射相干光谱曲线的干涉波峰和干涉波谷，而目标相干级数为该段波长区域内的最高相干级数；最后，对比目标相干级数与预设的标准终点光谱曲线的标准相干级数是否相等，该标准相干级数为标准终点光谱曲线在该段波长区域内的最高相干级数；在两者相等时，获取反射相干光谱曲线与标准终点光谱曲线的差异，根据差异进行光学终点检测；通过实施本申请实施例，能够通过分析反射相干光谱曲线，根据目标相干级数确定化学机械抛光的是否接近抛光终点，再对比分析反射相干光谱曲线与标准终点光谱曲线的差异，来准确快速分析出是否到达抛光终点，不会受到电源电压波动、温度变化等因素的影响，检测精确度较高，并且抛光终点检测的效率高。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例公开的化学机械抛光的光学终点检测系统的应用原理示意图；
图2为本申请实施例公开的入射光束在晶圆抛光面形成的光照区域的应用示意图；
图3为本申请实施例公开的晶圆的氧化物透光层和硅衬底层的反射光干涉示意图；
图4为本申请实施例公开的反射相干光谱曲线的示意图；
图5为本申请实施例公开的化学机械抛光的光学终点检测方法的原理示意图；
图6为本申请实施例一公开的化学机械抛光的光学终点检测方法的流程示意图；
图7为本申请实施例二公开的化学机械抛光的光学终点检测方法的流程示意图；
图8为本申请实施例公开的光学终点检测的判定原理示意图；
图9为本申请实施例三公开的化学机械抛光的光学终点检测方法的流程示意图；
图10为本申请实施例公开的目标相干级数的判定示意图；
图11为本申请实施例四公开的化学机械抛光的光学终点检测方法的流程示意图；
图12为本申请实施例一公开的化学机械抛光的光学终点检测装置的结构示意图；
图13为本申请实施例公开的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”、“第三”及“第四”等是用于区别不同的对象，而不是用于描述特定顺序。本申请实施例的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
示例性的，请参阅图1，图1为本申请实施例公开的化学机械抛光的光学终点检测系统的应用原理示意图。图1所示的化学机械抛光的光学终点检测系统10（后续简称光学终点检测系统10）与化学机械抛光平台20配合使用。
在图1中，化学机械抛光平台20上铺有抛光垫40，抛光垫40上放置晶圆30，在化学机械抛光过程中，化学机械抛光平台20和晶圆30会各自旋转，实现抛光垫40对晶圆30的抛光研磨。另外，该化学机械抛光平台20和抛光垫40上开设有检测窗口201，检测窗口201提供给光学终点检测系统10进行光学终点检测时使用。
其中，上述光学终点检测系统10包括：入射光源101、光学通道103、光学分析单元104、数据采集分析单元105。
上述入射光源101，用于发射稳定的连续入射光束102，入射光束102具有一定的波长范围。
上述光学通道103，用于将入射光束102导入检测窗口201，照射到晶圆30的抛光面产生相干的反射光，反射光再被光学通道103接收，发送到光学分析单元104。
上述光学分析单元104，包括反射光栅1041和电荷耦合器件（Charge CoupledDevice，CCD）探测器1042。其中，反射光栅1041具有很强的色散功能，对反射光进行分光处理，后被CCD探测器接收。
上述数据采集分析单元105，用于从上述光学分析单元104完成数据采集，还可以进行抛光的光学终点检测，并将检测结果传输给电脑，或者完成数据采集后将采集数据传输给电脑。
进一步的，请参阅图2，图2为本申请实施例公开的入射光束在晶圆抛光面形成的光照区域的应用示意图。结合图2，上述入射光源101发射的入射光束102，通过光学通道103，照射到晶圆30的抛光面，在晶圆30上形成光照区域102a。其中，入射光源101可选择但不限于线、点、点阵等入射形式，因此，会得到不同形状的光照区域102a。图2中以入射光源101为一字形平行光束为例，抛光时晶圆30旋转，光照区域102a会形成一个环形检测区301。
进一步的，经晶圆30抛光面反射的反射光，为动态变化的相干特征光谱，通过光学通道103射入光学分析单元104。光学分析单元104中的反射光栅1041是一种干涉光栅，具有很强的色散功能，对反射光进行分光处理。其中，以入射光源101为一字形平行光束为例，晶圆30抛光面反射的反射光直接平行照射至反射光栅1041上，此时，CCD探测器1042可以优选为面阵列探测器，接收到分光后的相干光谱的线阵光信号；而对于任意形式（包括一字形的入射形式）的入射光源101，若晶圆30抛光面反射的反射光，先经过聚焦单元聚焦至反射光栅1041上，此时，CCD探测器1042可以优选为线阵列探测器。本申请对CCD探测器的探测形式不作具体的限定。
进一步的，晶圆30的抛光面包括氧化物透光层（Ox透光层）和硅衬底层（Si衬底层），请参阅图3，图3为本申请实施例公开的晶圆的氧化物透光层和硅衬底层的反射光干涉示意图。如图3所示，入射光束102照射在晶圆30抛光面上，会产生两束反射光。其中，一束为空气与氧化物透光层之间界面产生的反射光，强度为IA；一束为氧化物透光层与硅衬底层之间界面产生的反射光，强度为IB。由于强度为IB的反射光穿过氧化物透光层被硅衬底层反射，与强度为IA的反射光之间存在光程差，两束反射光会相互干涉，从而形成反射相干光谱。假定氧化物透光层的折射率为n，有光程差公式，则反射相干光谱曲线的相干公式（1）满足：
（公式1）
其中，d为氧化物透光层的厚度，为反射相干光谱曲线中的波长。
其中，在反射相干光谱中，当光程差满足时，干涉相长，当光程差满足时，干涉相消；其中，该N为相干级数，取值整数1、2、3……，为干涉波峰的波长，为干涉波谷的波长，相干级数从左往右随着波长增大依次递减，将在下面结合图4进行详细说明。
请参阅图4，图4为本申请实施例公开的反射相干光谱曲线的示意图；图4所示的反射相干光谱曲线可以是采集分析单元105根据采集的反射相干光谱数据进行拟合得到，采集的反射相干光谱数据包括反射光的强度等，然后根据上述相干公式（1），分别得到如图4所示的抛光起点时的反射相干光谱曲线和抛光终点时的反射相干光谱曲线。在图4中，横坐标为波长，单位为（nm），纵坐标为光的强度（Intensity），a和b分别是入射光束102的波长范围的上下限值，所示、、……分别对应于相干级数N取值1、2、3……的干涉波峰的波长。结合干涉波峰的光程差方程，由于折射率随着波长的变化值较小，可假定为常数，随着化学机械抛光的进行，氧化物透光层厚度d减小，相同级数N的干涉波峰的波长同步变小，得到公式，反射相干光谱曲线向左漂移，每个干涉波峰的漂移值与抛光厚度变化值都存在近似比例关系。
因此，假定待抛光晶圆的氧化物透光层初始厚度为d0，到达抛光终点时厚度变为d2，检测用的入射光束102波长范围取值[a,b]，在抛光过程中，随着厚度的减小，检测所得的反射相干光谱曲线向a侧方向漂移，如图4所示。随着光谱曲线的漂移，a侧反射相干光谱曲线的特征极值（波峰或波谷）会出现消失的情况。因此，在抛光过程中，对于任意一条实时采集的反射相干光谱曲线，由相干光程差公式，可得，a侧波长较小，最靠近a侧干涉波峰对应的相干级数N较大，且随着波长由a到b，逐次递减。
而随着反射相干光谱曲线不断向a侧漂移，更高相干级数的干涉波峰会不断漂移出波长范围[a,b]，从a侧消失。因此，根据抛光过程中干涉波峰的消失情况，将抛光终点检测区间分为初步判断区域和精确判断区域。
那么，晶圆30的氧化物透光层初始厚度为d0，最后到达抛光终点时厚度为d2。在厚度为d2时对应的晶圆30抛光面的反射相干光谱曲线为标准终点光谱曲线，标准终点光谱曲线在波长范围[a,b]内的最高相干级数为m。在化学机械抛光过程中，随着厚度减小，实时检测晶圆30抛光面的反射相干光谱曲线在波长范围[a,b]内的最高相干级数不断变小。若实时检测到晶圆30抛光面的反射相干光谱曲线在波长范围[a,b]内对应的最高相干级数大于m，则认定抛光点处于初步判断区域，若实时检测到晶圆30抛光面的反射相干光谱曲线在波长范围[a,b]内对应的最高相干级数等于m，则认定抛光点处于精确判断区域。
进一步请参阅图5，图5为本申请实施例公开的化学机械抛光的光学终点检测方法的原理示意图；在图5为例的示意图中，晶圆30的氧化物透光层初始厚度为d0，到达抛光终点时厚度为d2，d1为在d0和d2之间的一个厚度。在化学机械抛光（CMP抛光）过程中，假设抛光终点对应的最高相干级数为3，若实时检测到反射相干光谱曲线的最高相干级数为4，确定抛光点处于初步判断区域；当实时检测到反射相干光谱曲线的最高相干级数为3，确定抛光点处于精确判断区域。结合图5右边子图可以看出，随着抛光厚度的不断减小，干涉波峰不断向左漂移出波长a的范围，其中，图5中的、、、分别为相干级数为1、相干级数为2、相干级数为3、相干级数为4对应的干涉波峰的波长。
结合上述介绍，本申请实施例公开了一种化学机械抛光的光学终点检测方法及相关设备，可以提高抛光的光学终点检测的精度和效率。下面将通过具体实施例，对本申请进行详细介绍。
实施例一
请参阅图6，图6为本申请实施例一公开的化学机械抛光的光学终点检测方法的流程示意图；如图6所示，该化学机械抛光的光学终点检测方法可包括：
601、在化学机械抛光过程中，获取采集的反射相干光谱数据，并根据反射相干光谱数据得到反射相干光谱曲线。
本申请实施例的执行主体可以为化学机械抛光的光学终点检测装置（可以如图1中的数据采集分析单元105或独立于化学机械抛光的光学终点检测系统的装置），也可以是独立的电子设备（如终端设备），本申请不做具体限定。其中，上述发射相干光谱数据包括但不仅限于反射光的强度、波长等。
本申请实施例可以基于如图1所示的光学终点检测系统10和化学机械抛光平台20的配合进行化学机械抛光过程中实现的。结合图1所示，化学机械抛光的光学终点检测系统10，在采用CMP技术对晶圆进行抛光过程中，入射光源101发射的入射光束102先照射到晶圆的氧化物透光层上，经空气与氧化物透光层之间界面产生一束反射光，强度为IA，而入射光束102继续透过氧化物透光层照射到晶圆的硅衬底层，在氧化物透光层与硅衬底层之间界面产生另一束反射光，强度为IB。由于强度为IA的反射光与强度为IB的反射光之间存在光程差，两束反射光束会相互干涉，因此，形成了反射相干光谱。进一步的，反射相干光谱先经反射光栅1041进行分光处理后，被CCD探测器接收，再利用数据采集分析单元105从CCD探测器实时采集反射相干光谱数据。因此，在本申请实施例中，光学终点检测装置或者电子设备从数据采集分析单元105获取其实时采集到的反射相干光谱数据。
602、在反射相干光谱曲线上选取一段波长区域，在一段波长区域内，标定反射相干光谱曲线的特征极值，以及获取目标相干级数，该特征极值指示反射相干光谱曲线的干涉波峰和干涉波谷，该目标相干级数为所述一段波长区域内的最高相干级数。
在步骤602中，在反射相干光谱曲线上，选取一段波长区域，在该段波长区域内，将特征极值标定出来，以及获取该段波长区域内的目标相干级数，其中，特征极值指示反射相干光谱曲线的干涉波峰和干涉波谷，而目标相干级数是该段波长区域内的最高相干级数。其中，该段波长区域可以是如上述介绍的光源101发射的入射光束102的波长范围[a,b]，也可以是入射光束102的波长范围[a,b]内的一部分。进一步的，该段波长区域还可以是实时采集的反射相干光谱曲线中信噪比较高的采样数据对应的波长区间。
其中，波长越大的干涉波峰和/或干涉波谷所对应的相干级数越小，波长越小的干涉波峰和/或干涉波谷所对应的相干级数越大，具体可以参阅上述附图4对应的详细说明。
603、对比目标相干级数与预设的标准终点光谱曲线的标准相干级数是否相等，该标准相干级数为标准终点光谱曲线在一段波长区域内的最高相干级数；其中，若两者相等，执行步骤604，若两者不相等，结束本流程。
在本申请实施例中，预设的标准终点光谱曲线可以是预先测量标准晶圆样品得到，也可以预先通过理论计算得到。其中，在预设的标准终点光谱曲线上也选定同样的一段波长区域，获取该段波长区域内的最高相干级数作为标准相干级数。
另外，结合图5所示，根据标准晶圆样品的厚度，得到初步判断区域和精确判断区域。在步骤603中，对比目标相干级数和标准相干级数，在两者相等时，认为化学机械抛光进入到精确判断区域，以进一步执行步骤604；反之，两者不相等，可以结束本流程，转向执行步骤601。
604、获取反射相干光谱曲线与标准终点光谱曲线的差异，根据差异进行光学终点检测。
上述差异为均方误差MSE、均方根误差RMSE、平均绝对误差MAE或者拟合优度GOF中的至少一个。
可选的，上述根据差异进行光学终点检测，包括：
若差异满足预设条件，停止化学机械抛光。
其中，预设条件可以预先设定，在满足预设条件时，确定化学机械抛光到达抛光终点，停止化学机械抛光，完成对当前晶圆的化学机械抛光（更多实现方式在后续进行详细介绍）。在未满足预设条件时，确定化学机械抛光还未到达抛光终点，转向执行步骤601，直至检测到达抛光终点，停止化学机械抛光。
可见，在化学机械抛光过程中，获取采集的反射相干光谱数据，根据反射相干光谱数据得到反射相干光谱曲线，进一步的，在反射相干光谱曲线上选取一段波长区域，在该段波长区域内，标定反射相干光谱曲线的特征极值，以及获取目标相干级数，该特征极值指示反射相干光谱曲线的干涉波峰和干涉波谷，而目标相干级数为该段波长区域内的最高相干级数；最后，对比目标相干级数与预设的标准终点光谱曲线的标准相干级数是否相等，该标准相干级数为标准终点光谱曲线在该段波长区域内的最高相干级数；在两者相等时，获取反射相干光谱曲线与标准终点光谱曲线的差异，根据差异进行光学终点检测；通过实施本申请实施例，能够通过分析反射相干光谱曲线，根据目标相干级数确定化学机械抛光的抛光位置，再对比分析反射相干光谱曲线与标准终点光谱曲线的差异，来准确快速分析出是否到达抛光终点，不会受到电源电压波动、温度变化等因素的影响，检测精确度较高、检测效率高。
实施例二
请参阅图7，图7为本申请实施例二公开的化学机械抛光的光学终点检测方法的流程示意图；如图7所示，该化学机械抛光的光学终点检测方法可包括：
701、在化学机械抛光过程中，获取采集的反射相干光谱数据。
本申请实施例的执行主体可以为化学机械抛光的光学终点检测装置（可以如图1中的数据采集分析单元105或独立于化学机械抛光的光学终点检测系统的装置），也可以是独立的电子设备（如终端设备），本申请不做具体限定。其中，上述发射相干光谱数据包括但不仅限于反射光的强度、波长等。
本申请实施例可以基于如图1所示的光学终点检测系统10和化学机械抛光平台20的配合进行化学机械抛光过程中实现的。更多内容请参阅步骤601中的说明，在此不再赘述。
702、根据反射相干光谱数据，拟合对应的反射相干光谱曲线。
在步骤702中，根据采集的反射相干光谱数据，拟合出对应的反射相干光谱曲线。
示例性的，如获取晶圆的氧化物透光层的厚度d及氧化物透光层的折射率n等，结合上述相干公式（1）拟合得到反射相干光谱曲线。
703、在反射相干光谱曲线上选取一段波长区域，在一段波长区域内，标定反射相干光谱曲线的特征极值，该特征极值指示反射相干光谱曲线的干涉波峰和干涉波谷。
在步骤703中，在反射相干光谱曲线上，选取一段波长区域，在该段波长区域内，将特征极值标定出来。特征极值标定后，能够明确该段波长区域内的干涉波峰和干涉波谷，获得干涉波峰和干涉波谷分别对应的波长、该段波长区域内的首个特征极值（干涉波峰或干涉波谷）对应的波长、最后一个特征极值（干涉波峰或干涉波谷）等对应的波长，进而可以根据各特征极值对应的波长，确定干涉波峰的个数、干涉波谷的个数、干涉波峰和干涉波谷的总数，以及确定干涉波峰和干涉波谷在该段波长区域内的位置关系等。
704、在一段波长区域内标定的特征极值中，确定至少两个特征极值。
可以理解的是，结合图4，在标定特征极值后，可以从该段波长区域内确定出任意的特征极值。因此，确定至少两个特征极值具体是指：能够从该段波长区域内的所有特征极值中确定出所要选择的至少两个特征极值，能够获取到该至少两个特征极值对应的波长，以及明确该至少两个特征极值在该段波长区域内中的位置关系。
705、根据至少两个特征极值分别对应的波长，获取目标相干级数；该目标相干级数为一段波长区域内的最高相干级数。
经过步骤704确定出的至少两个特征极值，可以获得该至少两个特征极值分别对应的波长，以及明确该至少两个特征极值在该段波长区域内的所有特征极值中的位置关系，然后基于所获知的信息，获取该段波长区域内的目标相干级数，即该段波长区域内的最高相干级数。
706、对比目标相干级数与预设的标准终点光谱曲线的标准相干级数是否相等，该标准相干级数为标准终点光谱曲线在一段波长区域内的最高相干级数；若两者相等，执行步骤707，若不相等，转向步骤701。
结合图5所示，在步骤706中，对比目标相干级数和标准相干级数，在两者相等时，认为化学机械抛光进入到精确判断区域，以进一步执行步骤707；反之，两者不相等，则可认为化学机械抛光仍处于初步判断区域，可以结束当前流程，转向执行步骤701。
707、获取反射相干光谱曲线与标准终点光谱曲线的差异，若差异满足预设条件，停止化学机械抛光。
上述差异为均方误差MSE、均方根误差RMSE、平均绝对误差MAE或者拟合优度GOF中的至少一个。
可选的，上述若差异满足预设条件，停止化学机械抛光，包括：
当差异满足预设的判定值区间时，确定到达抛光终点，停止化学机械抛光。
其中，判定值区间可以预先根据标准终点光谱曲线计算得到，或者，通过理论计算得到，能够通过实时获得的强度差异值准确检测是否到达抛光终点，以在到达抛光终点时，及时停止化学机械抛光，提高化学机械抛光的精确度。
当差异为均方误差MSE时，示例性的，请参阅图8，图8为本申请实施例公开的光学终点检测的判定原理示意图；在图8中，实线为标准终点光谱曲线，黑圆点为从反射相干光谱曲线上实测得到的目标数据点（）、（）、（）、…、（）…；对应的，从标准终点光谱曲线上选择标准数据点（）、（）、（）、…、（）…。对于 i对应的目标数据点和标准数据点，有，获得个，然后根据，计算得到强度差异值S，即均方误差MSE，为目标数据点的数量,i为正整数。
通过上述实施方式，计算反射相干光谱曲线与标准终点光谱曲线的MSE，提高光学终点检测的准确率。若MSE满足预设的判定值区间时，确定到达抛光终点，停止化学机械抛光。
另一可选的，在本申请另一实施方式中，当差异为拟合优度GOF时，上述获取反射相干光谱曲线与标准终点光谱曲线的差异，包括：
在反射相干光谱曲线的该段波长区域内采集至少一段目标子范围对应的光谱曲线段，以及在标准终点光谱曲线的该段波长区域内采集相应的至少一段标准子范围对应的标准曲线段；
对每段光谱曲线段与对应的标准曲线段进行拟合，获得拟合优度值。
在上述实施方式中，在选取的该段波长区域内可以取一段或者多段目标子范围对应的光谱曲线段，同样的，在标准终点光谱曲线中也对应取标准曲线段，对光谱曲线段和对应的标准曲线段进行拟合，获得拟合优度值，根据至少一段光谱曲线段，获得至少一个拟合优度值。
进而，上述若差异满足预设条件，停止化学机械抛光，包括：
判断所有拟合优度值是否均大于阈值，若均大于阈值，确定到达抛光终点，停止化学机械抛光；若至少一个拟合优度值小于或等于所述阈值，确定未到达抛光终点，转向执行步骤701。其中，阈值可以预先根据经验值设置。
进一步的，当光谱曲线段的数量为2或2以上时，计算所有拟合优度值的平均值，判断平均值是否大于阈值，若大于阈值，确定到达抛光终点，停止化学机械抛光；若小于或等于阈值，确定未到达抛光终点。
在上述实施方式中，无论哪种差异，均可以在波长区域内取一段或多段目标子范围对应的光谱曲线段，同样的，在标准终点光谱曲线中也对应取标准曲线段，分别获取每段目标子范围的差异，然后，可以采用两种方式检测是否到达抛光终点，第一种方式是：判定每个差异是否满足预设条件，如果每个差异均满足预设条件，确定到达抛光终点；第二种方式是：先计算出所有差异的平均值，如果平均值满足预设条件，确定到达抛光终点；通过上述两种实施方式，提高抛光终点的检测准确率。
通过实施本申请实施例，能够通过分析反射相干光谱曲线，从反射相干光谱曲线中确定出至少两个特征极值，根据至少两个特征极值来计算出目标相干级数，在根据目标相干级数来确定是否到达精确判断区域，在抛光进入到精确判定区域时，才进一步对比分析反射相干光谱曲线与标准终点光谱曲线的差异，从而能够准确快速分析出是否到达抛光终点，操作简单，精确度较高。
实施例三
进一步的，在一种实施方式中，请参阅图9，图9为本申请实施例三公开的化学机械抛光的光学终点检测方法的流程示意图；在图9中，上述步骤705中的根据至少两个特征极值分别对应的波长，获取目标相干级数，包括：
901、从至少两个特征极值中选择任意两个特征极值，作为第一特征极值，获取第一特征极值对应的波长和标定编号，该标定编号为按序给每一个特征极值赋予的序号。
902、根据第一特征极值对应的波长和标定编号，获得目标相干级数。
进一步的，上述获取第一特征极值对应的波长和标定编号，包括：
获取第一特征极值对应的波长；
从选取的一段波长区域内最小波长右侧的首个干涉波峰开始按序给标定的干涉波峰和干涉波谷赋予标定编号，获取第一特征极值对应的标定编号。
在上述实施方式中，从该段波长区域内最小波长右侧的首个干涉波峰开始按序对标定的干涉波峰和干涉波谷赋予标定编号，然后获取第一特征极值对应的波长和标定编号。
例如，该段波长区域内最小波长右侧的首个干涉波峰作为第1个特征极值，而第一特征极值包括该段波长区域内的第k个特征极值和第p个特征极值，获取第k个特征极值对应的波长和标定编号k、和获取第p个特征极值对应的波长和标定编号p，k小于p、且k和p为正整数。然后，通过公式（2）来计算得到目标相干级数，公式（2）如下：
（公式2）
经上述公式（2）计算得到值，从而获得目标相干级数。若为非整数，可以进一步对值取整处理，最后获得目标相干级数。
示例性的，请参阅图10，图10为本申请实施例公开的目标相干级数的判定示意图；在图10中，横坐标为波长（单位nm）、纵坐标为光的强度（Intensity），该段波长区域为波长范围[a,b]，在最小波长a的右侧开始，第1个干涉波峰被确定为第1个特征极值，标定编号为1，紧接着第1个干涉波谷被确定为第2个特征极值，标定编号为2，第2个干涉波峰被确定为第3个特征极值，标定编号为3，第2个干涉波谷被确定为第4个特征极值，标定编号为4，依此类推，按序将波长范围[a,b]内的其他特征极值赋予标定编号。
在经图10赋予标定编号后，从中获取第一特征极值（如上述介绍的第k个特征极值和第p个特征极值）分别对应的标定编号，然后根据第一特征极值分别对应的波长和标定编号，采用上述公式（2）即可计算出目标相干级数。
通过上述实施方式，按序对一段波长区域内的特征极值赋予标定编号，根据选择的两个特征极值分别对应的波长和标定编号，利用公式（2）就可以准确计算出目标相干级数，以有助于准确检测是否到达抛光终点。
实施例四
在另一种实施方式中，请参阅图11，图11为本申请实施例四公开的化学机械抛光的光学终点检测方法的流程示意图；在图11中，上述步骤705中的根据至少两个特征极值分别对应的波长，获取目标相干级数，包括：
1101、从至少两个特征极值中选择两个特征极值，作为第二特征极值，获取第二特征极值对应的波长以及第二特征极值之间的特征极值的个数。
1102、根据第二特征极值对应的波长和个数，获取目标相干级数。
在上述实施方式中，选择两个特征极值，可以根据两个特征极值的波长和该两个特征极值之间的特征极值的个数来计算出准确的目标相干级数，以进一步根据目标相干级数来快速检测是否到达抛光终点，不会受到电源电压波动、温度变化等因素的影响，检测精确度较高。
结合上述介绍，由光程差公式,在干涉相长的情况下，在干涉相消的情况下，可得，在第一种可能的实现方式中，上述步骤1101中从至少两个特征极值中选择两个特征极值，作为第二特征极值，获取第二特征极值对应的波长以及第二特征极值之间的特征极值的个数，包括：
从至少两个特征极值中选择指示干涉波峰的两个特征极值，作为第二特征极值，获取第二特征极值对应的波长以及第二特征极值之间的指示干涉波谷的特征极值的个数。
其中，基于标定后的特征极值，可以获得第二特征极值分别对应的波长，且由于第二特征极值指示干涉波峰，结合干涉相长时的公式，可知，，而与的差值的绝对值，即表示两个第二特征极值之间的指示干涉波谷的特征极值的个数，从而可以获得和的值，和分别为第二特征极值对应的相干级数，相干级数为N1的第二特征极值的波长为 1，相干级数为N2的第二特征极值的波长为 2。
或者，在第二种可能的实现方式中，上述步骤1101中从至少两个特征极值中选择两个特征极值，作为第二特征极值，获取第二特征极值对应的波长以及第二特征极值之间的特征极值的个数，包括：
从至少两个特征极值中选择指示干涉波谷的两个特征极值，作为第二特征极值，获取第二特征极值对应的波长以及第二特征极值之间的指示干涉波峰的特征极值的个数。
其中，基于标定后的特征极值，可以获得第二特征极值分别对应的波长，且由于第二特征极值指示干涉波谷，结合干涉相消时的公式，可知，，而与的差值的绝对值，即表示两个第二特征极值之间的指示干涉波峰的特征极值的个数，从而可以获得和的值，和分别为第二特征极值对应的相干级数，相干级数为的第二特征极值的波长为，相干级数的第二特征极值的波长为。
或者，在第三种可能的实现方式中，上述步骤1101中从至少两个特征极值中选择两个特征极值，作为第二特征极值，获取第二特征极值对应的波长以及第二特征极值之间的特征极值的个数，包括：
从至少两个特征极值中选择一个指示干涉波峰的特征极值和一个指示干涉波谷的特征极值，作为第二特征极值，获取指示干涉波峰的第二特征极值的波长、指示干涉波谷的第二特征极值的波长、以及第二特征极值之间的指示干涉波峰的特征极值的个数或第二特征极值之间的指示干涉波谷的特征极值的个数。
其中，基于标定后的特征极值，可以获得第二特征极值分别对应的波长，由干涉相长和干涉相消两种情况下的光程差公式可知，，而表示两个第二特征极值之间的指示干涉波峰或干涉波谷的特征极值的个数，从而可以获得和的值，为第二特征极值中指示干涉波谷对应的相干级数，为第二特征极值中指示干涉波峰的相干级数，相干级数为的第二特征极值的波长为，相干级数的第二特征极值的波长。
通过上述任意一种实施方式，都可以准确计算出目标相干级数，以有助于最后准确检测是否到达抛光终点。
实施例五
请参阅图12，图12为本申请实施例一公开的化学机械抛光的光学终点检测装置的结构示意图；如图12所示，该化学机械抛光的光学终点检测装置可包括：
采集模块1201，用于在化学机械抛光过程中，获取采集的反射相干光谱数据，并根据反射相干光谱数据得到反射相干光谱曲线；
标定模块1202，用于在反射相干光谱曲线上选取一段波长区域，在一段波长区域内，标定反射相干光谱曲线的特征极值，以及获取目标相干级数，该特征极值指示反射相干光谱曲线的干涉波峰和干涉波谷，目标相干级数为一段波长区域内的最高相干级数；
判断模块1203，用于对比目标相干级数与预设的标准终点光谱曲线的标准相干级数是否相等，标准相干级数为标准终点光谱曲线在一段波长区域内的最高相干级数；
检测模块1204，用于在判断模块1203的判定结果为两者相等时，获取反射相干光谱曲线与标准终点光谱曲线的差异，根据差异，检测是否到达抛光的光学终点。
可选的，该差异为均方误差MSE、均方根误差RMSE、平均绝对误差MAE或者拟合优度GOF中的至少一个。
实施上述装置，在化学机械抛光过程中，获取采集的反射相干光谱数据，根据反射相干光谱数据得到反射相干光谱曲线，进一步的，在反射相干光谱曲线上选取一段波长区域，在该段波长区域内，标定反射相干光谱曲线的特征极值，以及获取目标相干级数，该特征极值指示反射相干光谱曲线的干涉波峰和干涉波谷，而目标相干级数为该段波长区域内的最高相干级数；最后，对比目标相干级数与预设的标准终点光谱曲线的标准相干级数是否相等，该标准相干级数为标准终点光谱曲线在该段波长区域内的最高相干级数；在两者相等时，获取反射相干光谱曲线与标准终点光谱曲线的差异，根据差异进行光学终点检测；通过实施本申请实施例，能够通过分析反射相干光谱曲线，根据目标相干级数确定化学机械抛光的抛光位置，再对比分析反射相干光谱曲线与标准终点光谱曲线的差异，来准确快速分析出是否到达抛光终点，不会受到电源电压波动、温度变化等因素的影响，检测精确度较高、检测效率高。
其中，该标定模块1202用于获取目标相干级数的方式具体为：
在一段波长区域内标定的特征极值中，确定至少两个特征极值；根据至少两个特征极值分别对应的波长，获取目标相干级数。
可选的，上述标定模块1202用于根据至少两个特征极值分别对应的波长，获取目标相干级数的方式具体为：
从至少两个特征极值中选择任意两个特征极值，作为第一特征极值，获取第一特征极值对应的波长和标定编号，标定编号为按序给每一个特征极值赋予的序号；根据第一特征极值对应的波长和标定编号，获得目标相干级数。
进一步的，上述标定模块1202用于获取第一特征极值对应的波长和标定编号的方式具体为：
获取第一特征极值对应的波长；从一段波长区域内最小波长右侧的首个干涉波峰开始按序给标定的干涉波峰和干涉波谷赋予标定编号，获取第一特征极值对应的标定编号。
另一可选的，上述标定模块1202用于根据至少两个特征极值分别对应的波长，获取目标相干级数的方式具体为：
从至少两个特征极值中选择两个特征极值，作为第二特征极值，获取第二特征极值对应的波长以及第二特征极值之间的特征极值的个数；
根据第二特征极值对应的波长和所述个数，获取目标相干级数。
进一步的，上述标定模块1202用于从至少两个特征极值中选择两个特征极值，作为第二特征极值，获取第二特征极值对应的波长以及第二特征极值之间的特征极值的个数的方式具体为：
从至少两个特征极值中选择指示干涉波峰的两个特征极值，作为第二特征极值，获取第二特征极值对应的波长以及第二特征极值之间的指示干涉波谷的特征极值的个数；或者，
从至少两个特征极值中选择指示干涉波谷的两个特征极值，作为第二特征极值，获取第二特征极值对应的波长以及第二特征极值之间的指示干涉波峰的特征极值的个数；或者，
从至少两个特征极值中选择一个指示干涉波峰的特征极值和一个指示干涉波谷的特征极值，作为第二特征极值，获取指示干涉波峰的第二特征极值的波长、指示干涉波谷的第二特征极值的波长、以及第二特征极值之间的指示干涉波峰的特征极值的个数或第二特征极值之间的指示干涉波谷的特征极值的个数。
可选的，上述检测模块1204用于根据差异进行光学终点检测的方式具体为：
若差异满足预设条件，停止化学机械抛光。
有关于装置的更多内容请参阅上述方法实施例对应的说明，在此不再赘述。
实施例七
本申请实施例还公开了一种化学机械抛光方法，能够利用上述化学机械抛光的光学终点检测方法，对样品进行抛光，直至达到抛光终点。
具体实现方式请参阅上述介绍，在此不再赘述。
实施例八
本申请实施例还公开了一种化学机械抛光的光学终点检测系统，包括入射光源、光学通道、光学分析单元、数据采集分析单元。其中，该数据采集分析单元可以为上述介绍的化学机械抛光的光学终点检测装置。
或者，化学机械抛光的光学终点检测系统，包括入射光源、光学通道、光学分析单元、数据采集分析单元、和上述介绍的化学机械抛光的光学终点检测装置或本申请介绍的电子设备。
其中，更多内容可以参阅上述介绍，在此不再赘述。
实施例九
请参阅图13，图13为本申请实施例公开的电子设备的结构示意图；图13所示的电子设备可包括：
存储有可执行程序代码的存储器1301；与存储器1301耦合的处理器1302；其中，处理器1302调用存储器1301中存储的可执行程序代码，执行图6、图7、图9或图11任意一种化学机械抛光的光学终点检测方法的部分步骤或者全部步骤。
本申请实施例还公开一种计算机可读存储介质，其存储计算机程序，其中，所述计算机程序使得计算机执行图6、图7、图9或图11公开的一种化学机械抛光的光学终点检测方法。
本申请实施例还公开一种计算机程序产品，当所述计算机程序产品在计算机上运行时，使得所述计算机执行图6、图7、图9或图11公开的任意一种方法的部分或全部步骤。
本申请实施例还公开一种应用发布平台，所述应用发布平台用于发布计算机程序产品，其中，当所述计算机程序产品在计算机上运行时，使得所述计算机执行图6、图7、图9或图11公开的任意一种方法的部分或全部步骤。
本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储介质中，存储介质包括只读存储器（Read-Only Memory，ROM）、随机存储器（Random Access Memory，RAM）、可编程只读存储器（Programmable Read-only Memory，PROM）、可擦除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM）、一次可编程只读存储器（One-time Programmable Read-Only Memory，OTPROM）、电子抹除式可复写只读存储器（Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM）、只读光盘（CompactDisc Read-Only Memory，CD-ROM）或其他光盘存储器、磁盘存储器、磁带存储器、或者能够用于携带或存储数据的计算机可读的任何其他介质。
以上对本申请实施例公开的一种化学机械抛光的光学终点检测方法及相关设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种化学机械抛光的光学终点检测方法，其特征在于，所述方法包括：
在化学机械抛光过程中，获取采集的反射相干光谱数据，并根据所述反射相干光谱数据得到反射相干光谱曲线；
在所述反射相干光谱曲线上选取一段波长区域，在所述一段波长区域内，标定所述反射相干光谱曲线的特征极值，以及获取目标相干级数，所述特征极值指示所述反射相干光谱曲线的干涉波峰和干涉波谷，所述目标相干级数为所述一段波长区域内的最高相干级数；
对比所述目标相干级数与预设的标准终点光谱曲线的标准相干级数是否相等，所述标准相干级数为所述标准终点光谱曲线在所述一段波长区域内的最高相干级数；
若两者相等，获取所述反射相干光谱曲线与所述标准终点光谱曲线的差异，根据所述差异进行光学终点检测；
所述获取目标相干级数，包括：
在所述一段波长区域内标定的特征极值中，确定至少两个特征极值；
根据所述至少两个特征极值分别对应的波长，获取所述目标相干级数；
所述根据所述差异进行光学终点检测，包括：
若所述差异满足预设条件，停止化学机械抛光。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述至少两个特征极值分别对应的波长，获取所述目标相干级数，包括：
从所述至少两个特征极值中选择任意两个特征极值，作为第一特征极值，获取所述第一特征极值对应的波长和标定编号，所述标定编号为按序给每一个特征极值赋予的序号；
根据所述第一特征极值对应的波长和标定编号，获得所述目标相干级数。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取所述第一特征极值对应的波长和标定编号，包括：
获取所述第一特征极值对应的波长；
从所述一段波长区域内最小波长右侧的首个干涉波峰开始按序给标定的干涉波峰和干涉波谷赋予所述标定编号，获取所述第一特征极值对应的标定编号。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述至少两个特征极值分别对应的波长，获取所述目标相干级数，包括：
从所述至少两个特征极值中选择两个特征极值，作为第二特征极值，获取所述第二特征极值对应的波长以及所述第二特征极值之间的特征极值的个数；
根据所述第二特征极值对应的波长和所述个数，获取所述目标相干级数。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述从所述至少两个特征极值中选择两个特征极值，作为第二特征极值，获取所述第二特征极值对应的波长以及所述第二特征极值之间的特征极值的个数，包括：
从所述至少两个特征极值中选择指示干涉波峰的两个特征极值，作为第二特征极值，获取所述第二特征极值对应的波长以及所述第二特征极值之间的指示干涉波谷的特征极值的个数；或者，
从所述至少两个特征极值中选择指示干涉波谷的两个特征极值，作为所述第二特征极值，获取所述第二特征极值对应的波长以及所述第二特征极值之间的指示干涉波峰的特征极值的个数；或者，
从所述至少两个特征极值中选择一个指示干涉波峰的特征极值和一个指示干涉波谷的特征极值，作为所述第二特征极值，获取指示干涉波峰的所述第二特征极值的波长、指示干涉波谷的所述第二特征极值的波长、以及所述第二特征极值之间的指示干涉波峰的特征极值的个数或所述第二特征极值之间的指示干涉波谷的特征极值的个数。
6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述差异为均方误差MSE、均方根误差RMSE、平均绝对误差MAE或者拟合优度GOF中的至少一个。
7.一种化学机械抛光方法，其特征在于，根据权利要求1-6任意一项所述的化学机械抛光的光学终点检测方法，对样品进行抛光，直至达到抛光终点。
8.一种化学机械抛光的光学终点检测装置，采用权利要求1至6任一项所述的化学机械抛光的光学终点检测方法，其特征在于，包括：
采集模块，用于在化学机械抛光过程中，获取采集的反射相干光谱数据，并根据所述反射相干光谱数据得到反射相干光谱曲线；
标定模块，用于在所述反射相干光谱曲线上选取一段波长区域，在所述一段波长区域内，标定所述反射相干光谱曲线的特征极值，以及获取目标相干级数，所述特征极值指示所述反射相干光谱曲线的干涉波峰和干涉波谷，所述目标相干级数为所述一段波长区域内的最高相干级数；
判断模块，用于对比所述目标相干级数与预设的标准终点光谱曲线的标准相干级数是否相等，所述标准相干级数为所述标准终点光谱曲线在所述一段波长区域内的最高相干级数；
检测模块，用于在所述判断模块的判定结果为两者相等时，获取所述反射相干光谱曲线与所述标准终点光谱曲线的差异，根据所述差异，检测是否到达所述抛光的光学终点。
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
存储有可执行程序代码的存储器；
与所述存储器耦合的处理器；
所述处理器调用所述存储器中存储的所述可执行程序代码，用于执行如权利要求1至6任一项所述的方法或如权利要求7所述的方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储计算机程序，所述计算机程序使得计算机执行如权利要求1至6任一项所述的方法或如权利要求7所述的方法。
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