CN118259078B - TaN电阻的阻值测试电路及其构建方法和测试方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了TaN电阻的阻值测试电路及其构建方法和测试方法，包括与电路板上的TaN电阻第一端相连的第一金PAD、与TaN电阻的第二端相连的第二金PAD以及电路板上的第三金PAD和第四金PAD、第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘，第一焊盘焊接在第一金PAD上方，第三焊盘焊接在第三金PAD上方，第三焊盘和第一焊盘通过金丝连接，第二焊盘焊接在第二金PAD上方，第四焊盘焊接在第四金PAD上方，第四焊盘和第二焊盘通过金丝连接，万用表测试表笔分别与第三焊盘和第四焊盘连接。将与TaN电阻两端相连的金PAD引导到相邻大尺寸的金PAD上触电，再使用万用表与大尺寸金PAD连接形成回路，测量TaN电阻的阻值。

Description

TaN电阻的阻值测试电路及其构建方法和测试方法

技术领域

本发明涉及电阻阻值测量技术领域，具体涉及TaN电阻的阻值测试电路及其构建方法和测试方法。

背景技术

TaN电阻具有低电阻温度系数、机械强度高、耐高温、化学稳定性好、不溶于盐酸、硝酸和氢氟酸等优点，且其阻值可调范围大(从导体到绝缘体)，广泛用于微波集成电路中，TaN电阻的组成从下到上依次由基板、电阻膜、过渡金属层和导电金层电极连接组成；过渡金属层和导电金层电极分别有两个，两个过渡金属层分别设置在电阻膜的两侧；两个导电金层电极分别附着在两个过渡金属层上表面；电阻膜附着在基板上表面。将TaN 电阻焊接在电路板上时会形成金PAD，但是金PAD的尺寸较小，一般小于0.2mm*0.2mm，且由于TaN电阻的大小较小，电阻的尺寸仅有50-100μm。

现有技术中，电阻的阻值测量一般采用的是万用表电阻检测法，然而受万用表测试表笔的笔尖头大小的限制，由于TaN电阻两端焊盘较小，且两个焊盘之间的距离较近，当待测试的电阻两端的焊盘小于0.2mm*0.2mm规格时，在用万用表测试时，两个测试表笔的笔尖头会相互接触形成回路，从而无法使用万用测试表笔检测TaN电阻的阻值。

发明内容

本发明的目的在于提供TaN电阻的阻值测试电路及其构建方法和测试方法，采用金丝键合方法将电路板将TaN电阻的两端引出至相邻大尺寸的金PAD触电，万用表接触相邻金PAD触电后形成回路测量，解决现有万用表无法测量具有极小金PAD尺寸的TaN电阻阻值的问题。

为了实现上述目的，本申请采用以下技术方案：

第一方面，本申请提供一种TaN电阻的阻值测试电路，包括与电路板上的TaN电阻第一端相连的第一金PAD、与TaN电阻的第二端相连的第二金PAD以及电路板上的第三金PAD和第四金PAD，第一金PAD和第二金PAD结构大小相同，第三金PAD和第四金PAD的内切圆直径均大于第一金PAD的内切圆直径，还包括第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘，第一焊盘通过金丝键合机焊接在第一金PAD上方，第三焊盘通过金丝键合机焊接在第三金PAD上方，第三焊盘和第一焊盘通过金丝连接，第二焊盘通过金丝键合机焊接在第二金PAD上方，第四焊盘通过金丝键合机焊接在第四金PAD上方，第四焊盘和第二焊盘通过金丝连接，万用表的两个测试表笔分别与第三焊盘和第四焊盘连接。

在一些优选地实施方式中，第一焊盘和第二焊盘的最大长度均小于第一金PAD的内切圆直径。

在一些优选地实施方式中，第一焊盘和第二焊盘的最大长度均大于等于最小焊盘的最大长度，最小焊盘的最大长度为金丝键合时能与第一金PAD和第二金PAD结合的焊盘中的最小焊盘的大小。

在一些优选地实施方式中，第一金PAD和第二金PAD最大长度均小于0.2mm，金丝的最大长度为40±5μm。

在一些优选地实施方式中，第三焊盘和第四焊盘的最大长度均大于万用表的测试表笔的笔尖头直径。

第二方面，本申请提供一种构建TaN电阻的阻值测试电路的方法，具体包括以下步骤：

S1、将含有待测TaN电阻的电路板放置在金丝键合机的基座上，设置金丝键合机的第一键合功率；

S2、控制金丝键合机的打火杆尖端放电，将金丝融成小球，小球在金丝键合机的瓷嘴下压过程中，在待测TaN电阻的第一金PAD上方形成第一焊盘；

S3、移动基座，将金丝拉伸到电路板上的第三金PAD上方，第三金PAD的最大长度大于第一金PAD的最大长度，调节金丝键合机的键合功率为第三键合功率，控制金丝键合机的打火杆尖端放电，将金丝融成小球，小球在金丝键合机的瓷嘴下压作用下形成第三焊盘；

S4、将待测TaN电阻第二金PAD移动到瓷嘴下方，调节金丝键合机的键合功率为第二键合功率，在待测TaN电阻的第二金PAD上方形成第二焊盘；

S5、移动基座，将金丝拉伸到电路板上的第四金PAD上方，第四金PAD的最大长度大于第一金PAD的最大长度，调节金丝键合机的键合功率为第四键合功率，控制金丝键合机的打火杆尖端放电，将金丝融成小球，小球在金丝键合机的瓷嘴下压作用下形成第四焊盘；

S6、将万用表的测试表笔分别与第三焊盘和第四焊盘连接。

在一些优选地实施方式中，所述第一键合功率为第一焊盘的最大长度小于第一金PAD的最大长度时对应的功率大小，第二键合功率为第二焊盘的最大长度小于第二金PAD的最大长度时对应的功率大小。

在一些优选地实施方式中，所述第一键合功率和第二键合功率相等，均为最小键合功率，最小键合功率为能与第一金PAD和第二金PAD结合的焊盘中的最小焊盘对应的功率大小；最小键合功率的确定方法为：

S11、设置金丝键合机的键合功率，从最大焊盘对应的键合功率开始，利用金丝键合机在实验用TaN电阻表面形成焊盘，观察金丝能否与实验用TaN电阻的金PAD结合；

S12、若能，调节键合功率，将键合功率依次减小一个最小调节单位；最小调节单位为金丝键合机单次能调节的最小功率大小；

S13、每次调节键合功率后，根据调节后的键合功率，利用金丝键合机在实验用TaN电阻表面形成焊盘，观察金丝能否与实验用TaN电阻的金PAD结合；当观察到金丝无法与实验用TaN电阻的金PAD结合时，记录此时的键合功率，得到最小键合功率。

在一些优选地实施方式中，所述第三键合功率为第三焊盘的最大长度大于万用表的测试表笔的笔尖头直径时对应的功率大小，第四键合功率为第四焊盘的最大长度大于万用表的测试表笔的笔尖头直径时对应的功率大小。

第三方面，本申请提供一种TaN电阻的阻值测试方法，应用于第一方面的一种TaN电阻的阻值测试电路，具体过程包括：

步骤1、将万用表的选择开关置于欧姆档，根据待测TaN电阻的标定大小，选择万用表的测试量程；

步骤2、将万用表的两个测试表笔短接，调节欧姆档零位调整旋钮，使指针或显示器指向零位；

步骤3、将万用表的两个测试表笔分别接触在与待测TaN电阻两端的金PAD相连的第三焊盘和第四焊盘，形成测量回路；

步骤4、读取万用表显示器的读数，得到待测TaN电阻的阻值。

本发明具有的有益效果：

本申请的TaN电阻的阻值测试电路，将与TaN电阻两端相连的金PAD引导到相邻大尺寸的金PAD上触电，再使用万用表与大尺寸的金PAD连接形成回路，测量TaN电阻的阻值，由于万用表的测试表笔笔尖头较大，而TaN电阻两端的金PAD的尺寸小且TaN电阻本身尺寸小，若采用测试表笔直接接触TaN电阻两端的金PAD，两个测试表笔的笔尖相触形成回路，从而无法准确测量TaN电阻的阻值。

为了使得针对不同尺寸TaN电阻的金PAD进行键合，且键合时，金PAD的内切圆直径必须大于焊盘的最大长度，因此，可以找到一个最小焊盘尺寸，针对各种尺寸的金PAD均能实现焊接触电，且为了使得万用表笔能准确测量，相邻的大尺寸金PAD的最大长度需要大于万用表笔的表笔笔尖直径。

本申请构建的测试电路可以采用万用表测量具有极小金PAD尺寸的TaN电阻阻值,且适用于不同尺寸的TaN电阻测量，有效地解决电阻较小、采用万用表无法测量的问题。

附图说明

图1为本发明实施例提供的阻值测试电路连接示意图；

图2为本发明实施例提供的在TaN电阻上焊接第一焊盘的放大示意图；

图3为本发明实施例提供的第一焊盘和第三焊盘的连接示意图。

附图标记

1-第一焊盘，2-第二焊盘，3-第三焊盘，4-第四焊盘，5-TaN电阻，6-第一金PAD，7-第二金PAD，8-第三金PAD，9-第四金PAD，10-万用表，11-金丝。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。

另外，为了清楚和简洁起见，可能省略了对公知的结构、功能和配置的描述。本领域普通技术人员将认识到，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以对本文描述的示例进行各种改变和修改。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。

实施例1

如图1-图2所示，本申请提供一种TaN电阻的阻值测试电路，包括与电路板上的TaN电阻5第一端相连的第一金PAD6、与TaN电阻5的第二端相连的第二金PAD7以及电路板上的第三金PAD8和第四金PAD9，第一金PAD6和第二金PAD7的结构大小尺寸相同，第三金PAD8和第四金PAD9的内切圆直径均大于第一金PAD6的内切圆直径，还包括第一焊盘1、第二焊盘2、第三焊盘3和第四焊盘4，第一焊盘1通过金丝11键合机焊接在第一金PAD6上方，第三焊盘3通过金丝11键合机焊接在第三金PAD8上方，第三焊盘3和第一焊盘1通过金丝11连接，第二焊盘2通过金丝11键合机焊接在第二金PAD7上方，第四焊盘4通过金丝11键合机焊接在第四金PAD9上方，第四焊盘4和第二焊盘2通过金丝11连接，万用表10的两个测试表笔分别与第三焊盘3和第四焊盘4连接。选择第二和第四焊盘4位置时，选择电路板上其他大金PAD，且第四焊盘4的直径大于第二焊盘2的最大长度，第三焊盘3的直径大于第一焊盘1的最大长度。以下实施例中，金丝键合机焊接的焊盘一般为圆形，因此，以下最大长度可以理解为焊盘的直径，内切圆直径可以认为是PAD的最大宽度。

可以理解的是，第三金PAD和第四金PAD考虑选择电路板上其他大的PAD，例如芯片引脚一般焊盘结构比较大，可以选择相邻的芯片引脚PAD作为第三金PAD和第四金PAD，起到引出桥接的作用，且不会影响电路板其他器件的运行。

具体地，为了使得焊盘位置焊接在电阻的金PAD上不影响电路板上其他元器件，第一焊盘1的最大长度小于第一金PAD6的内切圆直径（图中为宽度），第二焊盘2的最大长度小于第二金PAD7的内切圆直径。且为了满足更低尺寸的TaN电阻5测量，确定了最小焊盘的尺寸，第一焊盘1和第二焊盘2的最大长度均需要大于等于最小焊盘的最大长度，最小焊盘的最大长度为金丝11键合时能与第一金PAD6和第二金PAD7结合的焊盘中的最小焊盘的大小，优先地，本申请给出了最小焊盘的最大长度为100μm。

如图3所示，一般TaN电阻5的尺寸十分小， TaN电阻5的金PAD尺寸小于0.2mm，如图110.21μm，在电路板上时，直接用万用表10测试时，两个测试表笔笔头容易相接触，从而无法用万用表10测量TaN电阻5的阻值。因此，本申请通过在电路板上找一个比TaN电阻5的PAD的内切圆直径大且大于万用表10表笔直径的金PAD，通过金丝11键合机在电阻的第一金PAD6上形成第一焊盘1引出到大PAD上形成第三焊盘3，将第三焊盘3作为中间焊盘，将万用表10通过第一金PAD6和第二金PAD7测量阻值转变为通过第三焊盘3和第四焊盘4测试阻值。焊接时，为了保证不影响其他器件，第一焊盘1的最大长度需要小于第一金PAD6的内切圆直径，为了得到一个适应多种PAD尺寸的最小焊盘，因此，本申请给出了最小焊盘的最大长度为100μm，是金丝11能与金PAD结合时的最小焊接尺寸。而第三焊盘的最大长度为了需要大于测试表笔的直径，对于万用表小于0.2mm的焊盘无法接触，因此，第三焊盘和第四焊盘的最大长度大于0.2mm，且第三金PAD和第四金PAD的宽度大于第三焊盘和第四焊盘。

具体地，为了充分利用现有资源，将TaN电阻5两端的金PAD引导到与TaN电阻5相邻的其他大尺寸焊盘上，第三焊盘3和第四焊盘4的金丝11键合位置在电路板上分别与第一金PAD6和第三金PAD8相邻的其他金PAD上方。且第三焊盘3和第四焊盘4的最大长度大小必须大于万用表10的测试表笔的笔尖头直径且第三焊盘3小于第三金PAD8，第四焊盘4的最大长度小于第四金PAD9的内切圆直径。

根据测试电路，测试流程为：

步骤1、将万用表10的选择开关置于欧姆档，根据待测TaN电阻5的标定大小，选择万用表10的测试量程；

步骤2、将万用表10的两个测试表笔短接，调节欧姆档零位调整旋钮，使指针或显示器指向零位；

步骤3、将万用表10的两个测试表笔分别接触在与待测TaN电阻5两端的金PAD相连的第三焊盘3和第四焊盘4，形成测量回路；

步骤4、读取万用表10显示器的读数，得到待测TaN电阻5的阻值。

实施例2

本实施例为了得到上述阻值测试电路的第一焊盘1、第二焊盘2、第三焊盘3和第四焊盘4，本实施例提出一种金丝11键合的方法形成上述焊盘，本实施例金丝11键合采用WT-0超声波金丝11键合机为例，其中，WT-0超声波金丝11键合机包括送线系统、显微镜系统、打火组件、夹具组件、控制面板、基座和操作杆，打火组件包括打火杆和瓷嘴，瓷嘴设置在基座上方。使用时，高精度的显微镜系统来检测并定位电路板上TaN电阻5的金PAD位置。一旦准确定位，TaN电阻5就会固定在基座上，接着自动从送线系统中的金线卷盘上取出金丝11，并通过张力控制系统将其拉伸到适当的长度。然后，金线被送入瓷嘴头中准备进行下一步的键合操作。瓷嘴尖嘴伸出金丝11，在瓷嘴在下压过程中，打火杆尖端放电，将伸出的金丝11瞬间融成小球，小球在压力的作用下焊接在了金PAD上。从显微镜观察TaN电阻5寻找另一焊盘位置，焊盘位置与瓷嘴对齐后重复上述操作，形成第二焊盘2，焊盘间以金丝11连接，形成的效果示意图如图2所示。

具体的，WT-0超声波金丝11键合机使用时需要设置的设备参数包括焊接时间和焊接功率等，其中焊接时间只会影响焊接的牢固程度，而焊盘的焊接点直径（最大长度）的变量只和焊接功率有关。WT-0超声波金丝11键合机的功率调节是以0.5W为最小调节单位，功率量程是0-10W，采用的金丝11直径为40±5μm。具体地，利用WT-0超声波金丝11键合机构建出测试电路的过程具体包括以下步骤：

S1、将含有待测TaN电阻5的电路板放置在金丝11键合机的基座上，设置金丝11键合机的第一键合功率；优选，第一键合功率为5.5W，

经过实验测试发现，发现金丝11键合机的功率越大，焊盘直径越大，则可以通过调节功率控制焊盘的最大长度大小，为本实施例中得到的焊接功率与焊盘最大长度大小的对应关系如表1：

表1

焊接功率/W	7	6.5	6	5.5	＜5.5
						焊盘最大长度/μm	155	133	124	100	无法与金层结合

因此，只要知道了TaN电阻5两端金PAD的宽度大小，只要满足金PAD宽度大于第一焊盘的最大长度即可，为了适应所有焊盘尺寸，可以直接采用最小焊盘尺寸，本实施例中在5.5w处测得最小直径约100μm，小于5.5则触电无法焊接，则最小焊盘直径为100μm，此时的最佳焊接功率为5.5W。

因此，第一键合功率为第一焊盘1的最大长度小于第一金PAD6的最大长度时对应的功率大小，第二键合功率为第二焊盘2的最大长度小于第二金PAD7的最大长度时对应的功率大小，优选，第一键合功率和第二键合功率相等，均设置为最小键合功率即5.5W.

其中，最小键合功率的确定方法为：

S11、设置金丝11键合机的键合功率，从最大焊盘对应的功率开始（本实施例中为7W）开始，利用金丝11键合机在实验用TaN电阻5表面形成焊盘，观察金丝11能否与实验用TaN电阻5的金PAD结合；

S12、若能，调节键合功率，将键合功率依次减小一个最小调节单位；最小调节单位为金丝11键合机单次能调节的最小功率大小（本实施例为0.5W）；

S13、每次调节键合功率后，根据调节后的键合功率，利用金丝11键合机在实验用TaN电阻5表面形成焊盘，观察金丝11能否与实验用TaN电阻5的金PAD结合；当观察到金丝11无法与实验用TaN电阻5的金PAD结合时，记录此时的键合功率，得到最小键合功率。需要说明的是，确定最小键合功率是为了找到一个能使用本器件键合的最小尺寸的金PAD，金PAD的内切圆直径大于最小焊盘直径均可以使用本发明方法。

S2、控制金丝11键合机的打火杆尖端放电，将金丝11融成小球，小球在金丝11键合机的瓷嘴下压过程中，在待测TaN电阻5的第一金PAD6上方形成第一焊盘1；

S3、移动基座，将金丝11拉伸到电路板上的第三金PAD8上方，第三金PAD8的内切圆直径大于第一金PAD6，调节金丝11键合机的键合功率为第三键合功率，控制金丝11键合机的打火杆尖端放电，将金丝11融成小球，小球在金丝11键合机的瓷嘴下压作用下形成第三焊盘3；优先，第三键合功率为5.5W。

S4、将待测TaN电阻5第二金PAD7移动到瓷嘴下方，调节金丝11键合机的键合功率为第二键合功率，在待测TaN电阻5的第二金PAD7上方形成第二焊盘2；

S5、移动基座，将金丝11拉伸到电路板上的第四金PAD9上方，第四金PAD9的内切圆直径大于第一金PAD6的内切圆直径，调节金丝11键合机的键合功率为第四键合功率，控制金丝11键合机的打火杆尖端放电，将金丝11融成小球，小球在金丝11键合机的瓷嘴下压作用下形成第四焊盘4；

S6、将万用表10的测试表笔分别与第三焊盘3和第四焊盘4连接。

具体地，第三键合功率为第三焊盘3的最大长度大于万用表10的测试表笔的笔尖头直径时对应的功率大小，第四键合功率为第四焊盘4的最大长度大于万用表10的测试表笔的笔尖头直径时对应的功率大小。需要说明的是，由于第三焊盘3和第四焊盘4的最大长度需要大于万用表10笔的变尖头直径，因此，若金丝11键合机产生的焊盘尺寸太小，则可以采用其他焊接方式补焊，保证第三焊盘3和第四焊盘4的最大长度需要大于万用表10笔的变尖头直径，最终在电路板上的其他金PAD上形成第三焊盘3和第四焊盘4。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，依据本发明的技术实质，在本发明的精神和原则之内，对以上实施例所作的任何简单的修改、等同替换与改进等，均仍属于本发明技术方案的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种TAN电阻的阻值测试电路，包括与电路板上的TaN电阻（5）第一端相连的第一金PAD（6）、与TaN电阻（5）的第二端相连的第二金PAD（7）以及电路板上的第三金PAD（8）和第四金PAD（9），第一金PAD（6）和第二金PAD（7）的结构大小相同，其特征在于，第三金PAD和第四金PAD选择电路板上其他芯片引脚PAD作为第三金PAD和第四金PAD，且第三金PAD（8）和第四金PAD（9）的内切圆直径均大于第一金PAD（6）的内切圆直径，还包括第一焊盘（1）、第二焊盘（2）、第三焊盘（3）和第四焊盘（4），第一焊盘（1）通过金丝键合机以第一键合功率焊接在第一金PAD（6）上方，第三焊盘（3）通过金丝键合机焊接在第三金PAD（8）上方，第三焊盘（3）和第一焊盘（1）通过金丝（11）连接，第二焊盘（2）通过金丝键合机以第二键合功率焊接在第二金PAD（7）上方，第四焊盘（4）通过金丝键合机焊接在第四金PAD（9）上方，第四焊盘（4）和第二焊盘（2）通过金丝（11）连接，万用表（10）的两个测试表笔分别与第三焊盘（3）和第四焊盘（4）连接，所述第一键合功率和第二键合功率相等，均为最小键合功率，最小键合功率为能与第一金PAD（6）和第二金PAD（7）结合的焊盘中的最小焊盘对应的功率大小。

2.根据权利要求1所述的一种TAN电阻的阻值测试电路，其特征在于，第一焊盘（1）和第二焊盘（2）的最大长度均小于第一金PAD（6）的内切圆直径。

3.根据权利要求2所述的一种TAN电阻的阻值测试电路，其特征在于，第一焊盘（1）和第二焊盘（2）的最大长度均大于等于最小焊盘的最大长度，最小焊盘的最大长度为金丝（11）键合时能与第一金PAD（6）结合的焊盘中的最小焊盘的大小。

4.根据权利要求1所述的一种TAN电阻的阻值测试电路，其特征在于，第一金PAD（6）和第二金PAD（7）的内切圆直径均小于0.2mm，金丝（11）的直径为40±5μm。

5.根据权利要求1所述的一种TAN电阻的阻值测试电路，其特征在于，第三焊盘（3）和第四焊盘（4）的最大长度均大于万用表（10）的测试表笔的笔尖头直径。

6.一种构建TAN电阻的阻值测试电路的方法，其特征在于，应用如权利要求1所述的一种TAN电阻的阻值测试电路，具体包括以下步骤：

S1、将含有待测TaN电阻（5）的电路板放置在金丝键合机的基座上，设置金丝键合机的第一键合功率；

S2、控制金丝键合机的打火杆尖端放电，将金丝（11）融成小球，小球在金丝键合机的瓷嘴下压过程中，在待测TaN电阻（5）的第一金PAD（6）上方形成第一焊盘（1）；

S3、移动基座，将金丝（11）拉伸到电路板上的第三金PAD（8）上方，第三金PAD（8）的最大长度大于第一金PAD（6）的最大长度，调节金丝键合机的键合功率为第三键合功率，控制金丝键合机的打火杆尖端放电，将金丝（11）融成小球，小球在金丝键合机的瓷嘴下压作用下形成第三焊盘（3）；

S4、将待测TaN电阻（5）第二金PAD（7）移动到瓷嘴下方，调节金丝键合机的键合功率为第二键合功率，在待测TaN电阻（5）的第二金PAD（7）上方形成第二焊盘（2）；

S5、移动基座，将金丝（11）拉伸到电路板上的第四金PAD（9）上方，第四金PAD（9）的最大长度大于第一金PAD（6）的最大长度，调节金丝键合机的键合功率为第四键合功率，控制金丝键合机的打火杆尖端放电，将金丝（11）融成小球，小球在金丝键合机的瓷嘴下压作用下形成第四焊盘（4）；

S6、将万用表（10）的测试表笔分别与第三焊盘（3）和第四焊盘（4）连接。

7.根据权利要求6所述的一种构建TAN电阻的阻值测试电路的方法，其特征在于，所述第一键合功率为第一焊盘（1）的最大长度小于第一金PAD（6）的最大长度时对应的功率大小，第二键合功率为第二焊盘（2）的最大长度小于第二金PAD（7）的最大长度时对应的功率大小。

8.根据权利要求7所述的一种构建TAN电阻的阻值测试电路的方法，其特征在于，所述第一键合功率和第二键合功率相等，均为最小键合功率，最小键合功率为能与第一金PAD（6）和第二金PAD（7）结合的焊盘中的最小焊盘对应的功率大小；最小键合功率的确定方法为：

S11、设置金丝键合机的键合功率，从最大焊盘对应的键合功率开始，利用金丝键合机在实验用TaN电阻（5）表面形成焊盘，观察金丝（11）能否与实验用TaN电阻（5）的金PAD结合；

S12、若能，调节键合功率，将键合功率依次减小一个最小调节单位；最小调节单位为金丝键合机单次能调节的最小功率大小；

S13、每次调节键合功率后，根据调节后的键合功率，利用金丝键合机在实验用TaN电阻（5）表面形成焊盘，观察金丝（11）能否与实验用TaN电阻（5）的金PAD结合；当观察到金丝（11）无法与实验用TaN电阻（5）的金PAD结合时，记录此时的键合功率，得到最小键合功率。

9.根据权利要求6所述的一种构建TAN电阻的阻值测试电路的方法，其特征在于，所述第三键合功率为第三焊盘（3）的最大长度大于万用表（10）的测试表笔的笔尖头直径时对应的功率大小，第四键合功率为第四焊盘（4）的最大长度大于万用表（10）的测试表笔的笔尖头直径时对应的功率大小。

10.一种TAN电阻的阻值测试方法，其特征在于，应用于如权利要求1所述的一种TAN电阻的阻值测试电路，具体过程包括：

步骤1、将万用表（10）的选择开关置于欧姆档，根据待测TaN电阻（5）的标定大小，选择万用表（10）的测试量程；

步骤2、将万用表（10）的两个测试表笔短接，调节欧姆档零位调整旋钮，使指针或显示器指向零位；

步骤3、将万用表（10）的两个测试表笔分别接触在与待测TaN电阻（5）两端的金PAD相连的第三焊盘（3）和第四焊盘（4），形成测量回路；

步骤4、读取万用表（10）显示器的读数，得到待测TaN电阻（5）的阻值。