[go: up one dir, main page]

CN117954433A - 电容器结构及其形成方法 - Google Patents

电容器结构及其形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117954433A
CN117954433A CN202211349113.3A CN202211349113A CN117954433A CN 117954433 A CN117954433 A CN 117954433A CN 202211349113 A CN202211349113 A CN 202211349113A CN 117954433 A CN117954433 A CN 117954433A
Authority
CN
China
Prior art keywords
finger
shaped polar
electrode
forming
shaped
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211349113.3A
Other languages
English (en)
Inventor
吴轶超
金吉松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN202211349113.3A priority Critical patent/CN117954433A/zh
Publication of CN117954433A publication Critical patent/CN117954433A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
    • H10D1/692—Electrodes
    • H10D1/711—Electrodes having non-planar surfaces, e.g. formed by texturisation
    • H10D1/716—Electrodes having non-planar surfaces, e.g. formed by texturisation having vertical extensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/642—Capacitive arrangements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

一种电容器结构及其形成方法，其中电容结构包括：衬底；位于衬底上的介质层；位于介质层内的第一电极部和第二电极部，第一电极部包括：第一电极端，分别与第一电极端连接的若干第一指状极板；分别与第一电极端连接的若干第二指状极板；第二电极部包括：第二电极端，第二电极端包围若干第一指状极板和若干第二指状极板；分别与第二电极端连接的若干第三指状极板；分别与第二电极端连接的若干第四指状极板。由于第二电极部的第二电极端包围若干第一指状极板和若干第二指状极板，因此电容结构的存储密度还可以源自于：位于最外侧的第一指状极板与第二电极端之间、以及位于最外侧的第二指状极板与第二电极端之间，以此提升电容结构的存储密度。

Description

电容器结构及其形成方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种电容器结构及其形成方法。
背景技术
在半导体集成电路中，与晶体管电路制作在同一芯片上的集成电容被广泛地应用。其形式主要有金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)电容和金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal，MOM)电容两种。其中，MIM电容使用上下层金属作为电容极板，制作MIM电容一般需要新增光刻层次，同时电容介质层击穿电压与电容大小是无法调和的矛盾量，而且平板电容一般都需要较大的面积，不利于器件的集成。而MOM电容采用指状结构和叠层相结合的方法可以在相对较小的面积上制作容量更大的电容。此外，在制作MOM电容时，无需额外的光刻胶层和掩模，从而制作工艺相对于MIM电容也更简单，成本更低。
然而，现有技术的MOM电容仍存在诸多问题。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种电容器结构及其形成方法，以提升电容器结构的存储密度。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种电容器结构，包括：衬底；位于所述衬底上的介质层；位于所述介质层内的第一电极部和第二电极部，其中，所述第一电极部包括：第一电极端，所述第一电极端包括相对的第一侧壁和第二侧壁；分别与所述第一侧壁连接的若干第一指状极板，若干所述第一指状极板沿第一方向平行排布；以及分别与所述第二侧壁连接的若干第二指状极板，若干所述第二指状极板沿所述第一方向平行排布；所述第二电极部包括：第二电极端，所述第二电极端包围若干所述第一指状极板和若干所述第二指状极板，所述第二电极端包括相对的第三侧壁和第四侧壁；分别与所述第三侧壁连接的若干第三指状极板，若干所述第三指状极板沿所述第一方向平行排布，且若干所述第三指状极板和若干所述第一指状极板交叉排布；以及分别与所述第四侧壁连接的若干第四指状极板，若干所述第四指状极板沿所述第一方向平行排布，且若干所述第四指状极板和若干所述第二指状极板交叉排布。
可选的，所述介质层的材料包括：低K介电材料；所述低K介电材料包括：氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
可选的，所述第一电极部的材料包括：铜。
可选的，所述第二电极部的材料包括：铜。
相应的，本发明技术方案中还提供一种电容器结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成介质层；在所述介质层内形成第一电极部和第二电极部，其中，所述第一电极部包括：第一电极端，所述第一电极端包括相对的第一侧壁和第二侧壁；分别与所述第一侧壁连接的若干第一指状极板，若干所述第一指状极板沿第一方向平行排布；以及分别与所述第二侧壁连接的若干第二指状极板，若干所述第二指状极板沿所述第一方向平行排布；所述第二电极部包括：第二电极端，所述第二电极端包围若干所述第一指状极板和若干所述第二指状极板，所述第二电极端包括相对的第三侧壁和第四侧壁；分别与所述第三侧壁连接的若干第三指状极板，若干所述第三指状极板沿所述第一方向平行排布，且若干所述第三指状极板和若干所述第一指状极板交叉排布；以及分别与所述第四侧壁连接的若干第四指状极板，若干所述第四指状极板沿所述第一方向平行排布，且若干所述第四指状极板和若干所述第二指状极板交叉排布。
可选的，在所述介质层内形成第一电极部和第二电极部之前，还包括：在所述介质层上形成掩膜结构；在所述掩膜结构上形成牺牲层。
可选的，在形成所述牺牲层之后，还包括：在所述牺牲层内形成若干沿所述第一方向平行排布的初始指状极板凹槽；在所述牺牲层内形成第一电极端凹槽，所述第一电极端凹槽沿所述第一方向贯穿若干所述初始指状极板凹槽，使得若干所述初始指状极板凹槽形成若干第一指状极板凹槽和若干第二指状极板凹槽，若干所述第一指状极板凹槽和若干所述第二指状极板凹槽分别位于所述第一电极端凹槽的两侧；在所述第一电极端凹槽的侧壁表面、所述第一指状极板凹槽的侧壁表面、以及所述第二指状极板凹槽的侧壁表面形成侧墙；以所述侧墙为掩膜刻蚀所述牺牲层，在所述牺牲层内形成第二电极端凹槽、以及分别与所述第二电极端凹槽连通的若干第三指状极板凹槽和若干第四指状极板凹槽。
可选的，所述侧墙的形成方法包括：在所述第一电极端凹槽的侧壁和底部表面、所述第一指状极板凹槽的侧壁和底部表面、所述第二指状极板凹槽的侧壁和底部表面、以及所述牺牲层的顶部表面形成侧墙材料层；回刻蚀所述侧墙材料层，直至暴露出所述牺牲层的顶部表面、以及第一电极端凹槽底部表面、所述第一指状极板凹槽底部表面、所述第二指状极板凹槽底部表面为止，形成所述侧墙。
可选的，所述侧墙材料层的形成工艺包括：原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺。
可选的，所述侧墙的材料与所述牺牲层的材料不同。
可选的，所述侧墙的材料包括：非晶硅、氧化硅和氮化硅中的一种或多种。
可选的，所述牺牲层的材料包括：氧化钛和氮化钛中的一种或多种。
可选的，在所述介质层内形成第一电极部和第二电极部的方法包括：在以所述侧墙为掩膜刻蚀所述牺牲层之后，以所述牺牲层为掩膜刻蚀所述掩膜结构和所述介质层，在所述介质层内形成第一电极端目标槽、第二电极端目标槽、若干第一指状极板目标槽、若干第二指状极板目标槽、若干第三指状极板目标槽、以及若干第四指状极板目标槽；去除所述牺牲层和所述掩膜结构；在所述第一电极端目标槽、若干第一指状极板目标槽以及若干第二指状极板目标槽内形成所述第一电极部，在所述第二电极端目标槽、若干第三指状极板目标槽以及若干第四指状极板目标槽内形成所述第二电极部。
可选的，所述介质层的材料包括：低K介电材料；所述低K介电材料包括：氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
可选的，所述第一电极部的材料包括：铜。
可选的，所述第二电极部的材料包括：铜。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案提供的电容器结构中，所述第二电极部包括：第二电极端，所述第二电极端包围若干所述第一指状极板和若干所述第二指状极板，所述第二电极端包括相对的第三侧壁和第四侧壁；分别与所述第三侧壁连接的若干第三指状极板，若干所述第三指状极板沿所述第一方向平行排布，且若干所述第三指状极板和若干所述第一指状极板交叉排布；以及分别与所述第四侧壁连接的若干第四指状极板，若干所述第四指状极板沿所述第一方向平行排布，且若干所述第四指状极板和若干所述第二指状极板交叉排布。所述电容结构的存储密度不但可以源自于：相邻的所述第一指状极板和所述第三指状极板之间、相邻的所述第二指状极板和所述第四指状极板之间、所述第一指状极板的端头部与所述第二电极端之间、所述第二指状极板的端头部与所述第二电极端之间、所述第三指状极板的端头部与所述第一电极端之间、所述第四指状极板的端头部与所述第一电极端之间，还可以源自于：位于所述最外侧的所述第一指状极板与所述第二电极端之间、以及位于最外侧的所述第二指状极板与所述第二电极端之间，以此提升所述电容结构的存储密度。
本发明技术方案提供的电容器结构的形成方法中，所述第二电极部包括：第二电极端，所述第二电极端包围若干所述第一指状极板和若干所述第二指状极板，所述第二电极端包括相对的第三侧壁和第四侧壁；分别与所述第三侧壁连接的若干第三指状极板，若干所述第三指状极板沿所述第一方向平行排布，且若干所述第三指状极板和若干所述第一指状极板交叉排布；以及分别与所述第四侧壁连接的若干第四指状极板，若干所述第四指状极板沿所述第一方向平行排布，且若干所述第四指状极板和若干所述第二指状极板交叉排布。所述电容结构的存储密度不但可以源自于：相邻的所述第一指状极板和所述第三指状极板之间、相邻的所述第二指状极板和所述第四指状极板之间、所述第一指状极板的端头部与所述第二电极端之间、所述第二指状极板的端头部与所述第二电极端之间、所述第三指状极板的端头部与所述第一电极端之间、所述第四指状极板的端头部与所述第一电极端之间，还可以源自于：位于所述最外侧的所述第一指状极板与所述第二电极端之间、以及位于最外侧的所述第二指状极板与所述第二电极端之间，以此提升所述电容结构的存储密度。
附图说明
图1是一种电容器结构的结构示意图；
图2至图11是本发明实施例电容器结构的形成方法各步骤结构示意图。
具体实施方式
如背景技术所述，现有技术的MOM电容仍存在诸多问题。以下将结合附图进行具体说明。
图1是一种电容器结构的结构示意图。
请参考图1，一种电容器结构，包括：衬底(未图示)；位于所述衬底上的介质层100；位于所述介质层100内的第一电极部和第二电极部，所述第一电极部包括：第一电极端101、以及分别与所述第一电极端101连接的若干第一指状极板102，若干所述第一指状极板102沿第一方向X平行排布；所述第二电极部包括：第二电极端103，所述第一电极端101和所述第二电极端103沿第二方向Y平行排布，所述第一方向X与所述第二方向Y垂直、以及分别与所述第二电极端103连接的若干第二指状极板104，若干所述第二指状极板104沿所述第一方向X平行排布，且若干所述第一指状极板102和若干所述第二指状极板104交叉排布。
在本实施例中，所述第一电极部和所述第二电极部连接不同电位，所述电容器结构中存储密度主要源自：相邻的所述第一指状极板102和所述第二指状极板104之间、所述第一指状极板102的端头部与所述第二电极端103之间、以及所述第二指状极板104的端头部与所述第一电极端101之间。因此，本实施例中的所述电容器结构的存储密度仍有待提升。
为了解决上述问题，本发明提供一种电容器结构及其形成方法，由于所述第二电极部的所述第二电极端包围若干所述第一指状极板和若干所述第二指状极板，因此所述电容结构的存储密度还可以源自于：位于所述最外侧的所述第一指状极板与所述第二电极端之间、以及位于最外侧的所述第二指状极板与所述第二电极端之间，以此提升所述电容结构的存储密度。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图2至图11是本发明实施例电容器结构的形成方法各步骤结构示意图。
请参考图2，提供衬底200。
在本实施例中，所述衬底200的材料采用硅。
在其他实施例中，衬底的材料还可以采用锗、硅锗、绝缘体上硅、绝缘体上锗或绝缘体上硅锗。
请参考图3，在所述衬底200上形成介质层201。
所述介质层201的材料包括：低K介电材料；所述低K介电材料包括：氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
在本实施例中，所述介质层201的材料采用氧化硅。
在本实施例中，在形成所述介质层201之后，还包括：在所述介质层201内形成第一电极部和第二电极部。所述第一电极部和所述第二电极部的具体形成过程请参考图4至图11。
请参考图4和图5，图5是图4中沿A-A线截面示意图，在所述介质层201上形成掩膜结构202；在所述掩膜结构202上形成牺牲层203。
在本实施例中，所述掩膜结构202还可以采用单层结构。
在其他实施例中，所述掩膜结构采用多层结构。
所述牺牲层203的材料包括：氧化钛和氮化钛中的一种或多种。
在本实施例中，所述牺牲层203的材料采用氮化钛。
请参考图6，图6和图4的视图方向一致，在所述牺牲层203内形成若干沿所述第一方向X平行排布的初始指状极板凹槽204。
在本实施例中，所述初始指状极板凹槽204的形成方法包括：在所述牺牲层203上形成第一图形化层(未图示)，所述第一图形化层暴露出部分所述牺牲层203的顶部表面；以所述第一图形化层为掩膜刻蚀所述牺牲层203，在所述牺牲层203内形成若干所述初始指状极板凹槽204。
请参考图7，在所述牺牲层203内形成第一电极端凹槽205，所述第一电极端凹槽205沿所述第一方向X贯穿若干所述初始指状极板凹槽204，使得若干所述初始指状极板凹槽204形成若干第一指状极板凹槽206和若干第二指状极板凹槽207，若干所述第一指状极板凹槽206和若干所述第二指状极板凹槽207分别位于所述第一电极端凹槽205的两侧。
在本实施例中，所述第一电极端凹槽205的形成方法包括：在所述牺牲层203上形成第二图形化层(未图示)，所述第二图形化层暴露出部分所述牺牲层203的顶部表面；以所述第二图形化层为掩膜刻蚀所述牺牲层203，在所述牺牲层203内形成所述第一电极端凹槽205。
请参考图8，在所述第一电极端凹槽205的侧壁表面、所述第一指状极板凹槽206的侧壁表面、以及所述第二指状极板凹槽207的侧壁表面形成侧墙208。
在本实施例中，所述侧墙208的形成方法包括：在所述第一电极端凹槽205的侧壁和底部表面、所述第一指状极板凹槽206的侧壁和底部表面、所述第二指状极板凹槽207的侧壁和底部表面、以及所述牺牲层203的顶部表面形成侧墙材料层(未图示)；回刻蚀所述侧墙材料层，直至暴露出所述牺牲层203的顶部表面、以及第一电极端凹槽205底部表面、所述第一指状极板凹槽206底部表面、所述第二指状极板凹槽207底部表面为止，形成所述侧墙208。
所述侧墙材料层的形成工艺包括：原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺。
在本实施例中，所述侧墙材料层的形成工艺采用原子层沉积工艺。
在本实施例中，所述侧墙208的材料与所述牺牲层203的材料不同，其目的在于：在后续以所述侧墙208为掩膜刻蚀所述牺牲层203的过程中，减少对所述侧墙208的刻蚀损伤，以保证图形化工艺的精度。
所述侧墙208的材料包括：非晶硅、氧化硅和氮化硅中的一种或多种。
在本实施例中，所述侧墙208的材料采用氮化硅。
请参考图9，以所述侧墙208为掩膜刻蚀所述牺牲层203，在所述牺牲层203内形成第二电极端凹槽209、以及分别与所述第二电极端凹槽209连通的若干第三指状极板凹槽210和若干第四指状极板凹槽211。
在本实施例中，所述第二电极端凹槽209的形成方法包括：在所述牺牲层203上形成第三图形化层(未图示)，所述第三图形化层暴露出所述牺牲层203的部分顶部表面；以所述侧墙208和所述第三图形化层为掩膜刻蚀所述牺牲层203，形成所述第二电极端凹槽209。
在本实施例中，以所述侧墙208为掩膜刻蚀所述牺牲层203的工艺采用湿法刻蚀工艺。
请参考图10，在以所述侧墙208为掩膜刻蚀所述牺牲层203之后，以所述牺牲层203为掩膜刻蚀所述掩膜结构202和所述介质层201，在所述介质层201内形成第一电极端目标槽212、第二电极端目标槽213、若干第一指状极板目标槽214、若干第二指状极板目标槽215、若干第三指状极板目标槽216、以及若干第四指状极板目标槽217。
在本实施例中，以所述牺牲层203为掩膜刻蚀所述掩膜结构202和所述介质层201的工艺采用湿法刻蚀工艺。
在其他实施例中，以所述牺牲层为掩膜刻蚀所述掩膜结构和所述介质层的工艺还可以采用干法刻蚀工艺。
请继续参考图10，在本实施例中，在刻蚀所述掩膜结构202和所述介质层201之后，还包括：去除所述牺牲层203和所述掩膜结构202。
请参考图11，在所述第一电极端目标槽212、若干第一指状极板目标槽214以及若干第二指状极板目标槽215内形成所述第一电极部，在所述第二电极端目标槽213、若干第三指状极板目标槽216以及若干第四指状极板目标槽217内形成所述第二电极部。
在本市实施例中，所述第一电极部包括：第一电极端218，所述第一电极端218包括相对的第一侧壁和第二侧壁；分别与所述第一侧壁连接的若干第一指状极板219，若干所述第一指状极板219沿所述第一方向X平行排布；以及分别与所述第二侧壁连接的若干第二指状极板220，若干所述第二指状极板220沿所述第一方向X平行排布。
在本市实施例中，所述第二电极部包括：第二电极端221，所述第二电极端221包围若干所述第一指状极板219和若干所述第二指状极板220，所述第二电极端221包括相对的第三侧壁和第四侧壁；分别与所述第三侧壁连接的若干第三指状极板222，若干所述第三指状极板222沿所述第一方向X平行排布，且若干所述第三指状极板222和若干所述第一指状极板219交叉排布；以及分别与所述第四侧壁连接的若干第四指状极板223，若干所述第四指状极板223沿所述第一方向X平行排布，且若干所述第四指状极板223和若干所述第二指状极板220交叉排布。
在本实施例中，所述第一电极部和所述第二电极部的方法包括：在所述第一电极端目标槽212、若干第一指状极板目标槽214、若干第二指状极板目标槽形215、所述第二电极端目标槽213、若干第三指状极板目标槽216以及若干第四指状极板目标槽217内、以及所述介质层201上形成电极材料层(未图示)；对所述电极材料层进行平坦化处理，直至暴露出所述介质层201的顶部表面为止，形成所述第一电极部和所述第二电极部。
在本实施例中，所述第一电极部的材料采用铜。
在本实施例中，所述第二电极部的材料采用铜。
在本实施例中，所述电容结构的存储密度不但可以源自于：相邻的所述第一指状极板219和所述第三指状极板222之间、相邻的所述第二指状极板220和所述第四指状极板223之间、所述第一指状极板219的端头部与所述第二电极端221之间、所述第二指状极板220的端头部与所述第二电极端221之间、所述第三指状极板222的端头部与所述第一电极端218之间、所述第四指状极板223的端头部与所述第一电极端218之间，还可以源自于：位于所述最外侧的所述第一指状极板219与所述第二电极端221之间、以及位于最外侧的所述第二指状极板222与所述第二电极端221之间，以此提升所述电容结构的存储密度。
相应的，本发明实施例中还提供了一种电容器结构，请继续参考图11，包括：衬底200；位于所述衬底200上的介质层201；位于所述介质层201内的第一电极部和第二电极部，其中，所述第一电极部包括：第一电极端218，所述第一电极端218包括相对的第一侧壁和第二侧壁；分别与所述第一侧壁连接的若干第一指状极板219，若干所述第一指状极板219沿第一方向X平行排布；以及分别与所述第二侧壁连接的若干第二指状极板220，若干所述第二指状极板220沿所述第一方向X平行排布；所述第二电极部包括：第二电极端221，所述第二电极端221包围若干所述第一指状极板219和若干所述第二指状极板220，所述第二电极端221包括相对的第三侧壁和第四侧壁；分别与所述第三侧壁连接的若干第三指状极板222，若干所述第三指状极板222沿所述第一方向X平行排布，且若干所述第三指状极板222和若干所述第一指状极板219交叉排布；以及分别与所述第四侧壁连接的若干第四指状极板223，若干所述第四指状极板223沿所述第一方向X平行排布，且若干所述第四指状极板223和若干所述第二指状极板220交叉排布。
在本实施例中，所述电容结构的存储密度不但可以源自于：相邻的所述第一指状极板219和所述第三指状极板222之间、相邻的所述第二指状极板220和所述第四指状极板223之间、所述第一指状极板219的端头部与所述第二电极端221之间、所述第二指状极板220的端头部与所述第二电极端221之间、所述第三指状极板222的端头部与所述第一电极端218之间、所述第四指状极板223的端头部与所述第一电极端218之间，还可以源自于：位于所述最外侧的所述第一指状极板219与所述第二电极端221之间、以及位于最外侧的所述第二指状极板222与所述第二电极端221之间，以此提升所述电容结构的存储密度。
所述介质层201的材料包括：低K介电材料；所述低K介电材料包括：氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
在本实施例中，所述介质层201的材料采用氧化硅。
在本实施例中，所述第一电极部的材料采用铜。
在本实施例中，所述第二电极部的材料采用铜。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (16)

1.一种电容器结构，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的介质层；
位于所述介质层内的第一电极部和第二电极部，其中，
所述第一电极部包括：第一电极端，所述第一电极端包括相对的第一侧壁和第二侧壁；分别与所述第一侧壁连接的若干第一指状极板，若干所述第一指状极板沿第一方向平行排布；以及分别与所述第二侧壁连接的若干第二指状极板，若干所述第二指状极板沿所述第一方向平行排布；
所述第二电极部包括：第二电极端，所述第二电极端包围若干所述第一指状极板和若干所述第二指状极板，所述第二电极端包括相对的第三侧壁和第四侧壁；分别与所述第三侧壁连接的若干第三指状极板，若干所述第三指状极板沿所述第一方向平行排布，且若干所述第三指状极板和若干所述第一指状极板交叉排布；以及分别与所述第四侧壁连接的若干第四指状极板，若干所述第四指状极板沿所述第一方向平行排布，且若干所述第四指状极板和若干所述第二指状极板交叉排布。
2.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，所述介质层的材料包括：低K介电材料；所述低K介电材料包括：氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
3.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，所述第一电极部的材料包括：铜。
4.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，所述第二电极部的材料包括：铜。
5.一种电容器结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成介质层；
在所述介质层内形成第一电极部和第二电极部，其中，
所述第一电极部包括：第一电极端，所述第一电极端包括相对的第一侧壁和第二侧壁；分别与所述第一侧壁连接的若干第一指状极板，若干所述第一指状极板沿第一方向平行排布；以及分别与所述第二侧壁连接的若干第二指状极板，若干所述第二指状极板沿所述第一方向平行排布；
所述第二电极部包括：第二电极端，所述第二电极端包围若干所述第一指状极板和若干所述第二指状极板，所述第二电极端包括相对的第三侧壁和第四侧壁；分别与所述第三侧壁连接的若干第三指状极板，若干所述第三指状极板沿所述第一方向平行排布，且若干所述第三指状极板和若干所述第一指状极板交叉排布；以及分别与所述第四侧壁连接的若干第四指状极板，若干所述第四指状极板沿所述第一方向平行排布，且若干所述第四指状极板和若干所述第二指状极板交叉排布。
6.如权利要求5所述的电容器结构的形成方法，其特征在于，在所述介质层内形成第一电极部和第二电极部之前，还包括：在所述介质层上形成掩膜结构；在所述掩膜结构上形成牺牲层。
7.如权利要求6所述的电容器结构的形成方法，其特征在于，在形成所述牺牲层之后，还包括：在所述牺牲层内形成若干沿所述第一方向平行排布的初始指状极板凹槽；在所述牺牲层内形成第一电极端凹槽，所述第一电极端凹槽沿所述第一方向贯穿若干所述初始指状极板凹槽，使得若干所述初始指状极板凹槽形成若干第一指状极板凹槽和若干第二指状极板凹槽，若干所述第一指状极板凹槽和若干所述第二指状极板凹槽分别位于所述第一电极端凹槽的两侧；在所述第一电极端凹槽的侧壁表面、所述第一指状极板凹槽的侧壁表面、以及所述第二指状极板凹槽的侧壁表面形成侧墙；以所述侧墙为掩膜刻蚀所述牺牲层，在所述牺牲层内形成第二电极端凹槽、以及分别与所述第二电极端凹槽连通的若干第三指状极板凹槽和若干第四指状极板凹槽。
8.如权利要求7所述的电容器结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的形成方法包括：在所述第一电极端凹槽的侧壁和底部表面、所述第一指状极板凹槽的侧壁和底部表面、所述第二指状极板凹槽的侧壁和底部表面、以及所述牺牲层的顶部表面形成侧墙材料层；回刻蚀所述侧墙材料层，直至暴露出所述牺牲层的顶部表面、以及第一电极端凹槽底部表面、所述第一指状极板凹槽底部表面、所述第二指状极板凹槽底部表面为止，形成所述侧墙。
9.如权利要求8所述的电容器结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙材料层的形成工艺包括：原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺。
10.如权利要求7所述的电容器结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料与所述牺牲层的材料不同。
11.如权利要求7所述的电容器结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料包括：非晶硅、氧化硅和氮化硅中的一种或多种。
12.如权利要求7所述的电容器结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括：氧化钛和氮化钛中的一种或多种。
13.如权利要求7所述的电容器结构的形成方法，其特征在于，在所述介质层内形成第一电极部和第二电极部的方法包括：在以所述侧墙为掩膜刻蚀所述牺牲层之后，以所述牺牲层为掩膜刻蚀所述掩膜结构和所述介质层，在所述介质层内形成第一电极端目标槽、第二电极端目标槽、若干第一指状极板目标槽、若干第二指状极板目标槽、若干第三指状极板目标槽、以及若干第四指状极板目标槽；去除所述牺牲层和所述掩膜结构；在所述第一电极端目标槽、若干第一指状极板目标槽以及若干第二指状极板目标槽内形成所述第一电极部，在所述第二电极端目标槽、若干第三指状极板目标槽以及若干第四指状极板目标槽内形成所述第二电极部。
14.如权利要求5所述的电容器结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料包括：低K介电材料；所述低K介电材料包括：氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
15.如权利要求5所述的电容器结构的形成方法，其特征在于，所述第一电极部的材料包括：铜。
16.如权利要求5所述的电容器结构的形成方法，其特征在于，所述第二电极部的材料包括：铜。
CN202211349113.3A 2022-10-31 2022-10-31 电容器结构及其形成方法 Pending CN117954433A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211349113.3A CN117954433A (zh) 2022-10-31 2022-10-31 电容器结构及其形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211349113.3A CN117954433A (zh) 2022-10-31 2022-10-31 电容器结构及其形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117954433A true CN117954433A (zh) 2024-04-30

Family

ID=90803791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211349113.3A Pending CN117954433A (zh) 2022-10-31 2022-10-31 电容器结构及其形成方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117954433A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7869189B2 (en) Methods of fabricating integrated circuit devices including capacitors having high-aspect ratio support patterns and related devices
CN109326596B (zh) 具有电容连接垫的半导体结构与电容连接垫的制作方法
CN110957303A (zh) 电容器及其形成方法、半导体器件及其形成方法
TW201727874A (zh) 具有增大記憶胞接觸區域的半導體記憶體裝置及其製作方法
CN110970403B (zh) 电容器阵列结构及其形成方法、半导体器件
KR100589078B1 (ko) 커패시터 제조 방법 및 이를 채용한 디램 장치의 제조 방법
KR100960933B1 (ko) 반도체 소자 및 그의 제조방법
CN117954433A (zh) 电容器结构及其形成方法
CN114823540B (zh) 半导体结构的制作方法及半导体结构
KR100508861B1 (ko) 박막 커패시터 및 그 제조 방법
TW202339317A (zh) 包括電容器的積體電路及其形成方法
CN112635467A (zh) 存储单元结构及形成方法
TWI602309B (zh) 電容器結構及其製造方法
CN107808875B (zh) 电容器结构及其制造方法
CN118016651A (zh) 电容器结构及其形成方法
KR19990003904A (ko) 반도체 장치의 전하 저장 전극 및 그 형성 방법
CN112992785A (zh) 半导体结构的形成方法
TWI847737B (zh) 半導體結構與製造半導體結構的方法
US20240057318A1 (en) Semiconductor structure and manufacturing method thereof
JP2008277434A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR100639000B1 (ko) 금속-절연체-금속 커패시터의 제조방법
CN102013423A (zh) 半导体器件及其制造方法
CN117577584A (zh) 一种存储器的制造方法、存储器以及电子设备
KR20050060401A (ko) 고유전물질을 포함하는 수직 핑거 커패시터 제조 방법
KR20090001383A (ko) 커패시터의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination