CN117673221A - 发光二极管和发光装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开发光二极管，所述发光二极管包括：半导体外延叠层，至少包含依次叠置的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一台面，由所述半导体外延叠层凹陷露出的第一导电半导体层形成；第二台面，由所述第二导电半导体层形成；第一接触电极，位于所述第一台面上，与所述第一导电半导体层电连接；第二接触电极，位于所述第二台面之上，与所述第二导电半导体层电连接；第一焊盘电极和第二焊盘电极，位于所述第一接触电极和第二台面之上；其特征在于：所述第二焊盘电极和第二接触电极在所述半导体外延叠层上的水平投影不重叠。本发明通过第二接触电极的位置优化，提升电流扩展的均匀性，从而提升发光二极管的发光效率。

Description

发光二极管和发光装置

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，属于半导体光电子器件与技术领域。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。近年来，LED已在日常生活中得到广泛应用，例如照明、信号显示、背光源、车灯和大屏幕显示等领域，同时这些应用也对LED的亮度、发光效率和可靠性提出了更高的要求。

现有发光二极管的第一焊盘电极和第二焊盘电极之间需要维持一定的间距，第一接触电极和第二接触电极一般设计在第一焊盘电极和第二焊盘电极的水平投影之下，如图1所示。现有发光二极管中流经第二接触电极的电流主要通过半导体外延叠层进行扩展，如图2中近场分布图所示，存在电流拥挤的现象，从而导致发光二极管的发光效率下降。

为了解决发光二极管存在的上述问题，提供一种能够有效提高发光二极管的电流扩展的均匀性，从而提高其发光效率的技术方案实属必要。

发明内容

为了解决上述的问题，提升发光二极管的电流扩展的均匀性和发光效率，本发明提供一种发光二极管，所述发光二极管包括；半导体外延叠层，至少包含依次叠置的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一台面，由所述半导体外延叠层凹陷露出的第一导电半导体层形成；第二台面，由所述第二导电半导体层形成；第一接触电极，位于所述第一台面之上，与所述第一导电半导体层电连接；第二接触电极，位于所述第二台面之上，与所述第二导电半导体层电连接；第一焊盘电极，位于所述第一接触电极之上；第二焊盘电极，位于所述第二台面之上；其特征在于：所述第二焊盘电极和第二接触电极在所述半导体外延叠层上的水平投影不重叠。

在一些可选的实施例中，所述第二接触电极在所述半导体外延叠层上的水平投影位于所述第二台面的水平投影的中心位置。

在一些可选的实施例中，所述第二接触电极在所述半导体外延叠层上的水平投影面积为所述第二台面的水平投影面积的1%~15%。

在一些可选的实施例中，所述第二接触电极的厚度为50~500 nm。

在一些可选的实施例中，所述第二电极为ITO、IZO、AuZn、AuBe、Ni/Au、Ti/Pt/Au中的一种或者组合。

在一些可选的实施例中，所述发光二极管还包含金属反射层，所述金属反射层位于所述第二导电半导体层和第二接触电极之上，与所述第二焊盘电极相接触，形成电连接。

在一些可选的实施例中，所述金属反射层包含Ag、Au、Al、Rh、Pd、Ru、Mg、Zn、Pt的至少一个的金属或者合金形成。

在一些可选的实施例中，所述金属反射层的厚度为50~500 nm。

在一些可选的实施例中，所述金属反射层与所述第二导电半导体层之间含有透明介质层，所述金属反射层与所述透明介质层形成全反射ODR结构。

在一些可选的实施例中，所述透明介质层选自SiO₂、SiN_x、Al₂O₃、MgF₂、TiO₂、Ta₂O₅或者ZrO₂。

在一些可选的实施例中，所述透明介质层的厚度为100~500 nm。

在一些可选的实施例中，所述发光二极管还包含绝缘保护层，所述绝缘保护层位于所述半导体外延的上表面和侧壁。

在一些可选的实施例中，所述绝缘保护层的厚度为100~500 nm。

在一些可选的实施例中，所述第一焊盘电极和第二焊盘电极包括Ti、Al、Pt、Au、Ni、Sn、In、Ag、Cu或它们中的任意组合的合金或它们中的任意组合的叠层。

在一些可选的实施例中，所述第一焊盘电极和第二焊盘电极的厚度为1~5μm。

在一些可选的实施例中，所述第一焊盘电极延伸至所述第二台面之上，与所述第二焊盘电极平齐。

在一些可选的实施例中，所述发光二极管为倒装发光二极管。

所述第一导电半导体层远离有源层的表面具有粗化结构。

在一些可选的实施例中，所述发光二极管辐射波长为400~950 nm的光。

本发明还提出一种发光装置，所述发光装置包含前述任一项所述的发光二极管。

本发明通过第二接触电极的位置优化，优化电流的传输路径，提升电流扩展的均匀性，从而提升发光二极管的发光效率。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

虽然在下文中将结合一些示例性实施及使用方法来描述本发明，但本领域技术人员应当理解，并不旨在将本发明限制于这些实施例。反之，旨在覆盖包含在所附的权利要求书所定义的本发明的精神与范围内的所有替代品、修正及等效物。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述的位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。

图1为现有技术中所提到的发光二极管的剖面结构示意图。

图2为现有技术中所提到的发光二极管的近场电流分布图。

图3为本发明实施例1中所提到的发光二极管的剖面结构示意图。

图4为本发明实施例1中所提到的发光二极管的近场电流分布图。

图5~图9为本发明实施例2中所提到的发光二极管制备过程中的结构示意图。

图10为本发明实施例3中所提到的发光二极管的剖面结构示意图。

图11为本发明实施例4中所提到的发光装置的结构示意图。

图中元件标号说明：10：生长衬底； 101：第一导电半导体层；102：有源层；103：第二导电半导体层； 104：第一接触电极；S1：第一台面；S2：第二台面； 105：第二接触电极；106：透明介质层；107：金属反射层；108：绝缘保护层；109：第一焊盘电极；110：第二焊盘电极；300：发光装置；1：发光二极管。

实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。

实施例1

图3为本发明一实施例的一种发光二极管芯片的剖面结构示意图。

请参考图3，为达本发明欲实现的优点至少其中之一或其他优点，本发明的一实施例提供一种发光二极管芯片，其包括如下堆叠层：101：第一导电半导体层；102：有源层；103：第二导电半导体层； 104：第一接触电极； 105：第二接触电极；106：透明介质层；107：金属反射层；108：绝缘保护层；109：第一焊盘电极；110：第二焊盘电极。

发光二极管芯片可为常规尺寸的发光二极管芯片。发光二极管芯片可具有约90000μm²以上且约2000000μm²以下的水平截面积。

发光二极管芯片也可为小尺寸或者微尺寸的发光二极管芯片。发光二极管芯片可具有约90000μm²以下的水平截面积。例如，发光二极管芯片的可具有100μm以上至300μm以下的长度和/或宽度，进而可具有40μm以上至100μm以下的厚度。

发光二极管芯片还可为更小尺寸的微型发光二极管芯片。发光二极管芯片可具有约10000μm²以下的水平截面积的发光二极管芯片。例如，发光二极管芯片可具有2μm以上至100μm以下的长度和/或宽度，进而可具有2μm以上至100μm以下的厚度。本实施例的发光二极管芯片可以具有上述水平截面积及厚度，因此所述发光二极管芯片可容易地应用到要求小型和/或微型发光装置的各种电子装置。

请再参考图3，半导体外延叠层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。半导体外延叠层通过MOCVD或其它的生长方式获得，为能够提供常规的如蓝、绿、黄、红、红外光等辐射的半导体材料，具体的可以是400~950nm的材料，如常见的氮化物，具体的如氮化镓基半导体外延叠层，氮化镓基外延叠层常见有掺杂铝、铟等元素，主要提供400~550nm波段的辐射；或者常见的铝镓铟磷基或铝镓砷基半导体外延叠层，主要提供550~950nm波段的辐射。

半导体外延叠层包括第一导电半导体层101、第二导电半导体层103以及位于第一导电半导体层101和第二导电半导体层103之间的有源层102；半导体外延叠层具有第一台面S1和第二台面S2，第一台面S1，由所述半导体外延叠层凹陷露出的第一导电半导体层101形成；第二台面S2，由所述第二导电半导体层103形成；

第一导电半导体层101和第二导电半导体层103具有不同的导电型态、电性、极性或依掺杂的元素以提供电子或空穴，即：第一导电半导体层101具有第一导电性，第二导电半导体层103具有第二导电性，其中第一导电性与第二导电性不同，例如第一导电半导体层101可为p型半导体层，第二导电半导体层103可为n型半导体层；反之亦然。来自于n型半导体层的电子与来自于p型半导体层的空穴在外加电流驱动的下，在有源层102实现将电能转换成光能并发射出光线。

在本实施例中，半导体外延叠层为砷化镓(gallium arsenide，GaAs)系列的材料，其中，第一导电类型半导体层101的掺杂为n型，第二导电类型半导体层103的掺杂为p型。

在本发明公开的其他实施例中，第一导电半导体层101的材料包含Ⅱ-Ⅵ族材料(例如，硒化锌(ZnSe))或Ⅲ-Ⅴ氮族化合物材料(例如，砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)或氮化铝铟镓(AlInGaN))，且第一导电半导体层102的材料还可包含可包含硅(Si)或锗(Ge)等掺杂物，但本公开实施例并非以此为限。在一些其他实施例中，第一导电半导体层101也可以是单层或多层结构。

在本发明公开的其他实施例中，第二导电半导体层103的材料包含Ⅲ-Ⅴ氮族化合物材料(例如，砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)或氮化铝铟镓(AlInGaN))，且所述第二导电半导体层103的材料可包含镁(Mg)、碳(C)、锌（Zn）等掺杂物，但本公开实施例并非以此为限。在一些其他实施例中，第二导电半导体层103也可以是单层或多层结构。

在本实施例中，有源层102采用砷化镓(GaAs)系列的半导体材料。具体来说，当有源层102以磷化铝铟镓(AlGaInP)系列、砷化镓(GaAs)系列的半导体材料为基础时，可以发出红光、橙光或黄光；当以氮化铝镓铟(AlGaInN)系列的半导体材料为基础时，可以发出蓝光或绿光。在本发明的一些实施例中，所述有源层102可包含至少一无掺杂(un-doped)半导体层或是至少一低掺杂层。在本发明的一些实施例中，所述有源层102可为单异质结构(singleheterostructure,SH)，双异质结构(doubleheterostructure,DH)，双侧双异质结构(double-sidedoubleheterostructure,DDH)，或多层量子阱结构(multi-quantumwell,MQW)，但本公开实施例并非以此为限。

为了将后述的第一接触电极104及第二接触电极105配置于第一导电半导体层101及第二导电半导体层103的同一面侧，可以以第一导电半导体层101的一部分露出的方式将第二导电半导体层103层积于第一导电半导体层101上，或者以第二导电半导体层103的一部分露出的方式将第一导电半导体层101层积于第二导电半导体层103上。举例来说，请再参考图3，在本实施例中，半导体外延叠层包括至少局部地贯通第二导电半导体层103、有源层102而露出第一导电半导体层101的第一台面S1。

发光二极管包括位于第一导电半导体层101上并且直接或间接地电连接至第一导电半导体层101的一个或多个第一接触电极104，以及位于第二导电半导体层103上并且直接或间接地电连接至第二导电半导体层103的一个或多个第二接触电极105。在第一导电半导体层101为p型的情况下，第一接触电极104是指p侧接触电极；在第一导电半导体层101为n型的情况下，第一接触电极104是指n侧接触电极。而第二接触电极105与第一接触电极104相反。本实施例中，优选所述第一接触电极104为n侧接触电极。

所述第一接触电极104和第二接触电极105可以是金属电极，例如，第一接触电极104优选为Au、Ge或者Ni组成的合金或者它们中的任意组合的叠层。第二接触电极105优选为ITO、IZO、AuZn、AuBe、Ni/Au、Ti/Pt/Au中的一种或者组合。第一接触电极104和第二接触电极105的厚度为0.5~3μm，优选为1μm以上，以保证第一接触电极104和第二接触电极105与半导体外延叠层形成良好的欧姆接触。

现有发光二极管的第一焊盘电极109和第二焊盘电极110之间需要维持一定的间距，第一接触电极104和第二接触电极105一般设计在第一焊盘电极109和第二焊盘电极110的水平投影之下，如图1所示，流经第二接触电极的电流主要通过半导体外延叠层进行扩展，存在电流拥挤的现象，从而导致发光二极管的发光效率下降。为了解决上述问题，本实施例中第二接触电极105和第二焊盘电极110在半导体外延叠层上的水平投影不重叠，优选所述第二接触电极105在半导体外延叠层上的水平投影位于所述第二台面S2的中心位置。所述第二接触面积105在所述半导体外延叠层上的投影面积为所述第二台面S2的面积的1%~15%，优选为5%，8%或者10%，以保证足够的欧姆接触面积，第二接触电极105与第二导电半导体层103之间形成良好的欧姆接触。

本实施例中，在第二导电半导体层103和第二接触电极105之上设置金属反射层107，所述金属反射层107与第二焊盘电极110和第二接触电极105相接触，形成电连接。由于金属反射层107电流传导较半导体外延叠层快，流经第二焊盘电极110的电流通过金属反射层107传导至位于第二台面中心位置的第二接触电极105，可较大地提升发光二极管的电流扩展的均匀性。图4为本实施例中发光二极管的近场分布图，与图2中现有发光二极管的近场分布图相比，发现本实施例中电流分布的均匀性有明显的提升改善，可解决电流扩展不均拥挤的问题，提升发光二极管的发光效率。

所述金属反射层107可将有源层103辐射的光线反射至出光面出射，从而提升发光二极管的出光效率。所述金属反射层107包含Ag、Au、Al、Rh、Pd、Ru、Mg、Zn、Pt的至少一个的金属或者合金形成。本实施例中优选所述金属反射层107为Au、Ag或者Al。所述金属反射层107的厚度为50~500 nm，优选为100nm以上，400nm以下。本实施例中所述金属反射层107的厚度为200nm。

所述金属反射层107与第二导电半导体层103之间含有透明介质层106，所述透明介质层106与金属反射层106形成全反射ODR结构，可提升发光二极管的发光效率。所述透明介质层106选自SiO₂、SiN_x、Al₂O₃、MgF₂、TiO₂、Ta₂O₅或者ZrO₂。所述透明介质层106的厚度为100~500 nm，优选所述透明介质层106的厚度为300nm。

绝缘保护层108覆盖半导体外延叠层的上表面及侧面，并且覆盖第一接触电极104、第二接触电极105。所述绝缘保护层108用于保护半导体外延叠层免受水汽或者污染物的损坏，保证半导体外延叠层的光学及电学性能。所述绝缘保护层108可为单层或者多层结构，所述绝缘保护层108可为SiO₂、SiN_x、Al₂O₃等材料组成，所述绝缘保护层108的厚度优选为100~300nm。

所述绝缘保护层108具有第一开口和第二开口，第一焊盘电极109及第二焊盘电极110布置于所述绝缘保护层108的上部。第一焊盘电极109可通过所述绝缘保护层108的第一开口电连接至所述第一接触电极4。第二焊盘电极110可通过所述第二开口电连接至所述金属反射层107。第一开口和第二开口可以是呈圆形形状，在一些其他的实施例中，该第一开口和第二开口也可是方形等，各开口部的形状与个数不受特别的限制，可以是仅设置有一个开口部，若是设置有多个开口部，则可以更为均匀地分散电流。此外，在一些其他的实施例中，设置有多个开口部的情况下，各开口部可依据实际需求，而选择等间距或非等间距的分布形式，并不以本发明公开的实施例为限。在一些实施例中，所述第一焊盘电极109包括Ti、Al、Pt、Au、Ni、Sn或它们中的任意组合的合金或它们中的任意组合的叠层。在一些实施例中，所述第二焊盘电极110包括Ti、Al、Pt、Au、Ni、Sn或它们中的任意组合的合金或它们中的任意组合的叠层。所述第一焊盘电极109和第二焊盘电极110的厚度为1~5μm，优选为1~3μm。

本实施例中所述第二接触电极105在半导体外延叠层的水平投影与第二焊盘电极110的水平投影不重叠，所述第二接触电极105位于第二台面S2的中心位置，通过金属反射层107进行电流传导，可优化电流的传输路径，提升电流扩展的均匀性，从而提升发光二极管的发光效率。

实施例2

下面对上述实施例1的发光二极管的制作工艺进行详细的说明。

请参考图5，在生长衬底10上形成半导体外延叠层，通常可利用已知的各种方法生长，例如可利用有机金属化学气相沉积(Metal Organic Chemical VaporDeposition，MOCVD)、分子束磊晶(Molecular Beam Epitaxy，MBE)或氢化物气相磊晶(Hydride VaporPhase Epitaxy，HVPE)等技术生长。所述生长衬底10为砷化镓衬底。所述半导体外延叠层为砷化镓(gallium arsenide，GaAs)系列的材料，所述半导体外延叠层包括第一导电半导体层102、第二导电半导体层104以及位于第一导电半导体层102和第二导电半导体层104之间的有源层103。

然后，参考图6，通过干法蚀刻方式移除部分的半导体外延叠层形成第一台面S1和第二台面S2，第一台面S1，由半导体外延叠层凹陷露出的第一导电半导体层101构成，第二台面S2，由第二导电半导体层103构成；形成侧壁，位于半导体外延叠层外边缘，位于第一台面和第二台面之间。

接着，在第一台面S1和第二台面S2上分别制作第一接触电极104和第二接触电极105，所述第一接触电极104和第二接触电极105分别与所述第一导电半导体层101和第二导电半导体层103形成欧姆接触。所述第一接触电极和第二接触电极的材料可以例如Au/AuGeNi/Au或者Au/AuZn/Au，在本步骤中可对第一接触电极104和第二接触电极105进行熔合，使其与半导体外延叠层构形成良好的欧姆接触；然后在第一台面S1和第二台面S2之上覆盖透明介质层106，在第二台面S2上透明介质层106上覆盖金属反射层107，如图7所示。

接着，参见图8，在所述半导体外延叠层的侧壁和第一台面S1和第二台面S2上覆盖绝缘保护层108，通过掩膜和蚀刻工艺，所述绝缘保护层108在第一接触电极104和金属反射层107上具有开口。优选，所述绝缘保护层108采用SiNx或者SiO2，所述绝缘保护层108的厚度优选为100~300nm。

接着，参见图9，在所述第一接触电极104和金属反射层107上形成第一焊盘电极109和第二焊盘电极110，所述第一焊盘电极109和第二焊盘电极110通过绝缘保护层108的开口与所述第一接触电极104和金属反射层107进行电连接，所述第一焊盘电极1097覆盖侧壁，延伸至所述第二台面S2上，与所述第二焊盘电极110平齐。

最后，通过湿法蚀刻去除生长衬底10，露出第一导电半导体层102的表面，得到如图3所示的发光二极管

本实施例中制备方法得到的发光二极管，所述第二接触电极105在半导体外延叠层的水平投影与第二焊盘电极110的水平投影不重叠，所述第二接触电极105位于第二台面S2的中心位置，通过金属反射层107进行电流传导，可优化电流的传输路径，提升电流扩展的均匀性，从而提升发光二极管的发光效率。

实施例3

图10为本实施例中所述发光二极管的剖面结构示意图。为了进一步提升发光二极管的出光效率，本实施例中对第一导电半导体101远离有源层102的表面进行粗化处理，可进一步提升发光二极管的发光效率。

实施例4

本实施例提供一种发光装置300，所述发光装置包含驱动单元和发光二极管，所述驱动单元电连接所述发光二极管。请参考图11，发光装置300包括如前述任意实施例的多个阵列排布的发光二极管，在图11中用放大显示的示意方式显示了一部分发光二极管1。

另外，本领域技术人员应当理解，尽管现有技术中存在许多问题，但是，本发明的每个实施例或技术方案可以仅在一个或几个方面进行改进，而不必同时解决现有技术中或者背景技术中列出的全部技术问题。本领域技术人员应当理解，对于一个权利要求中没有提到的内容不应当作为对于该权利要求的限制。

尽管本文中较多的使用了诸如衬底、生长衬底、半导体外延叠层、第一导电类型半导体层、发光层、第二导电类型半导体层、第一接触电极、第一焊盘电极、第二接触电极、第二焊盘电极、绝缘保护层等术语，但并不排除使用其它术语的可能性。使用这些术语仅仅是为了更方便地描述和解释本发明的本质；把它们解释成任何一种附加的限制都是与本发明精神相违背的；本发明实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (20)

1.发光二极管包括；

半导体外延叠层，至少包含依次叠置的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；

第一台面，由所述半导体外延叠层凹陷露出的第一导电半导体层形成；

第二台面，由所述第二导电半导体层形成；

第一接触电极，位于所述第一台面之上，与所述第一导电半导体层电连接；

第二接触电极，位于所述第二台面之上，与所述第二导电半导体层电连接；

第一焊盘电极，位于所述第一接触电极之上；

第二焊盘电极，位于所述第二台面之上；

其特征在于：所述第二焊盘电极和第二接触电极在所述半导体外延叠层上的水平投影不重叠。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二接触电极在半导体外延叠层上的水平投影位于所述第二台面的水平投影的中心位置。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二接触电极在所述半导体外延叠层上的水平投影面积为所述第二台面的水平投影面积的1%~15%。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二接触电极的厚度为50~500nm。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二接触电极为ITO、IZO、AuZn、AuBe、Ni/Au、Ti/Pt/Au中的一种或者组合。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：其特征在于：所述发光二极管还包含金属反射层，所述金属反射层位于所述第二导电半导体层和第二接触电极之上，与所述第二焊盘电极相接触，形成电连接。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述金属反射层包含Ag、Au、Al、Rh、Pd、Ru、Mg、Zn、Pt中的至少一个的金属或者合金形成。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述金属反射层的厚度为50~500nm。

9.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述金属反射层与所述第二导电半导体层之间含有透明介质层，所述金属反射层与所述透明介质层形成全反射ODR结构。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述透明介质层选自SiO₂、SiN_x、Al₂O₃、MgF₂、TiO₂、Ta₂O₅或者ZrO₂。

11.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述透明介质层的厚度为100~500nm。

12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包含绝缘保护层，所述绝缘保护层位于所述半导体外延的上表面和侧壁。

13.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘保护层的厚度为100~500 nm。

14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一焊盘电极和第二焊盘电极包括Ti、Al、Pt、Au、Ni、Sn、In、Ag、Cu或它们中的任意组合的合金或它们中的任意组合的叠层。

15.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一焊盘电极和第二焊盘电极的厚度为1~5μm。

16.根据权利要求所述的发光二极管，其特征在于：所述第一焊盘电极延伸至所述第二台面之上，与所述第二焊盘电极平齐。

17.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管为倒装发光二极管。

18.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一导电半导体层远离有源层的表面具有粗化结构。

19.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管辐射波长为400~950 nm的光。

20.一种发光装置，其特征在于：所述发光装置包含权利要求1~19中任一项所述的发光二极管。