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CN117641986A - 显示装置 - Google Patents

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Publication number
CN117641986A
CN117641986A CN202310494326.3A CN202310494326A CN117641986A CN 117641986 A CN117641986 A CN 117641986A CN 202310494326 A CN202310494326 A CN 202310494326A CN 117641986 A CN117641986 A CN 117641986A
Authority
CN
China
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layer
electrode
light emitting
display
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310494326.3A
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English (en)
Inventor
朴容焕
李圣俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

显示装置包括：显示面板，包括具有在包括显示区域以及非显示区域的基板上将显示区域区分为发光区域和非发光区域的像素界定膜的发光元件层、配置在发光元件层上的薄膜封装层以及具有配置在薄膜封装层上的屏蔽电极的屏蔽层；以及触摸面板，通过光学透明粘合剂附着到显示面板上，并包括触摸电极。发光元件层包括与发光区域相应的发光层，屏蔽电极与非发光区域重叠。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
最近的显示装置朝着具备图像显示功能以及信息输入功能的方向发展。显示装置的信息输入功能通常可以实现为用于接收用户的触摸或者来自预定的工具的触摸的触摸传感器。触摸传感器附着到显示面板的一面或者与显示面板一体形成来使用。
发明内容
本发明的一目的在于，提供一种包括在显示面板的薄膜封装层上与像素界定膜重叠配置的屏蔽电极的显示装置。
然而，本发明的目的不限于以上提及的目的，在不脱离本发明的构思和领域的范围内可以进行各种扩展。
为了达到本发明的一目的，可以是，根据本发明的实施例的显示装置包括：显示面板，包括具有在包括显示区域以及非显示区域的基板上将所述显示区域区分为发光区域和非发光区域的像素界定膜的发光元件层、配置在所述发光元件层上的薄膜封装层以及具有配置在所述薄膜封装层上的屏蔽电极的屏蔽层；以及触摸面板，通过光学透明粘合剂附着到所述显示面板上，并包括触摸电极。可以是，所述发光元件层包括与所述发光区域相应的发光层，所述屏蔽电极与所述非发光区域重叠。
根据一实施例，可以是，所述屏蔽层还包括覆盖所述屏蔽电极的至少一部分并与所述非发光区域重叠的黑矩阵。
根据一实施例，可以是，所述屏蔽层还包括与所述屏蔽电极的至少一部分以及所述发光区域重叠并与所述黑矩阵接触的滤色器。
根据一实施例，可以是，所述发光元件层包括：第一电极，在所述发光区域中暴露；发光层，配置在所述第一电极上；第二电极，配置在所述发光层上；以及低反射层，配置在所述显示区域的所述第二电极上，并包括铋(Bi)以及镱(Yb)中的至少一个。
根据一实施例，可以是，所述屏蔽层还包括包含吸收预设定的波长区域的光的染料或者颜料的反射调整层。
根据一实施例，可以是，所述显示面板包括：像素电路，配置在所述基板和所述发光元件层之间，并驱动所述发光元件层；以及焊盘，配置在所述基板的所述非显示区域上，并电连接于所述像素电路。
根据一实施例，可以是，所述屏蔽电极向所述非显示区域延伸，并电连接于所述焊盘中的一部分。
根据一实施例，可以是，所述屏蔽电极通过接触孔与所述焊盘中的所述一部分物理接触。
根据一实施例，可以是，连接于所述像素电路的第一电源或者第二电源供应到所述屏蔽电极。
根据一实施例，可以是，所述屏蔽层还包括：绝缘层，配置在所述薄膜封装层和所述屏蔽电极之间；以及钝化层，覆盖所述屏蔽电极的至少一部分。
根据本发明的实施例的显示装置可以包括在薄膜封装层上与像素界定膜重叠配置的屏蔽电极。屏蔽电极可以电连接于显示面板的一部分焊盘而接收第一电源或者第二电源。因此，在没有可识别性问题以及制造费用过度增加的情况下，可以抑制至最小化显示元件层和触摸电极之间的电容形成，可以改善触摸感测特性(感测准确度以及灵敏度)。
然而，本发明的效果不限于以上提及的效果，在不脱离本发明的构思和领域的范围内可以进行各种扩展。
附图说明
图1是概要示出根据本发明的实施例的显示装置的图。
图2是示出图1的显示装置的一例的概要截面图。
图3是示出包括在图1的显示装置中的像素的一例的等效电路图。
图4是示出包括在图1的显示装置中的触摸面板的一部分的一例的概要平面图。
图5是示出沿图4的触摸面板的I-I’线的一例的概要截面图。
图6是示出沿图4的触摸面板的II-II’线的一例的概要截面图。
图7是示出图1的显示装置的显示区域的一例的概要平面图。
图8是示出图1的显示装置的显示区域以及非显示区域的一例的概要截面图。
图9是示出图1的显示装置的显示区域以及非显示区域的一例的概要截面图。
图10是示出图1的显示装置的显示区域以及非显示区域的一例的概要截面图。
图11是示出图1的显示装置的显示区域以及非显示区域的一例的概要截面图。
图12是示出图1的显示装置的显示区域以及非显示区域的一例的概要截面图。
图13是示出图1的显示装置的显示区域以及非显示区域的一例的概要截面图。
图14是示出包括在图1的显示装置中的像素以及屏蔽电极的一例的概要平面图。
图15是示出包括在图1的显示装置中的像素以及屏蔽电极的一例的概要平面图。
具体实施方式
以下，将参照所附附图，更详细地说明本发明的优选实施例。针对附图中相同的构成要件，使用相同的附图标记并省略针对相同构成要件重复的说明。
本说明书中记载的实施例是为了向本发明所属技术领域中具有通常知识的人明确说明本发明的构思，因此，本发明不限于本说明书中记载的实施例，本发明的范围应被解释为包括在不脱离本发明的构思的修改例或者变形例。
本说明书中所附的附图是为了便于说明本发明，为了帮助理解本发明，附图中示出的形状可以根据需要放大示出，因此，本发明不限于附图。
在本说明书中，当判断为对本发明相关的公知构成或者功能的具体说明可能混淆本发明的宗旨时，根据需要省略针对其的详细说明。
图1是概要示出根据本发明的实施例的显示装置的图。
参照图1，显示装置DD可以包括显示面板DP以及触摸面板TSP。在一实施例中，显示装置DD可以包括连接于显示面板DP的第一电路基板PCB1以及连接于触摸面板TSP的第二电路基板PCB2。
显示面板DP可以通过显示面显示图像。图1所示的显示面板DP可以具备平面型显示面。本发明不限于此，显示面板DP可以具备曲面型显示面或者立体型显示面等各种形式的显示面。
在一实施例中，显示面板DP可以是柔性显示面板。例如，显示面板DP可以适用于可折叠显示装置、可弯曲显示装置、可卷曲显示装置等。本发明不限于此，也可以是刚性显示装置。
显示面板DP可以包括显示区域DA以及非显示区域NDA。
显示区域DA是提供像素PXL而显示图像的区域。像素PXL可以配置在显示区域DA内。
在一实施例中，像素PXL可以包括具有有机发光层的有机发光元件。然而，其是示例性的，像素可以包括包含无机发光物质的无机发光元件。
非显示区域NDA可以与显示区域DA相邻配置。非显示区域NDA可以提供在显示区域DA的至少一侧。作为一例，非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的缘边(或者边缘)。
非显示区域NDA是不提供像素PXL的区域，是不显示图像的区域。在非显示区域NDA中可以提供连接于像素PXL的布线的一部分和用于驱动像素PXL的驱动部。
在一实施例中，非显示区域NDA可以包括第一焊盘区域PDA1。在第一焊盘区域PDA1中焊盘PD可以对齐。例如，配置焊盘PD的区域可以理解为第一焊盘区域PDA1。图1中示出了焊盘PD对齐为一列，但不限于此，焊盘PD可以在非显示区域NDA中的各种位置中配置为各种形状。
焊盘PD可以物理和/或电连接于第一电路基板PCB1的第一焊盘P-PD1。
触摸面板TSP可以配置在显示面板DP上。在一实施例中，触摸面板TSP可以与显示面板DP单独形成，并通过预定的粘合部件附着到显示面板DP上。触摸面板TSP可以包括用于触摸等输入感测的触摸电极。触摸电极可以形成触摸激活区域。例如，触摸激活区域可以与显示区域DA整体重叠。
另外，触摸面板TSP可以还包括从触摸电极延伸的布线。布线可以向第二焊盘区域PDA2延伸。此时，触摸面板TSP的面积可以大于显示区域DA。第二焊盘区域PDA2可以包括在与触摸激活区域的至少一部分相邻的触摸非激活区域中。
在一实施例中，如图1所示，触摸面板TSP可以具有比显示面板DP小的面积。然而，其是示例性的，触摸面板TSP的面积也可以与显示面板DP实质相同。
在第二焊盘区域PDA2中触摸焊盘TPD可以对齐。例如，配置触摸焊盘TPD的区域可以理解为第二焊盘区域PDA2。图1中示出了触摸焊盘TPD对齐为一列，但不限于此，触摸焊盘TPD可以在触摸面板TSP中的各种位置中配置为各种形状。
换言之，可以是，传输用于显示的信号的焊盘PD形成及配置在显示面板DP上，传输用于触摸感测的信号的触摸焊盘TPD形成及配置在触摸面板TSP上。
触摸焊盘TPD可以物理和/或电连接于第二电路基板PCB2的第二焊盘P-PD2。
第一电路基板PCB1可以电连接于显示面板DP。第一电路基板PCB1可以包括排列有第一焊盘P-PD1的第三焊盘区域P_PDA1。在一实施例中，第一焊盘P-PD1可以与显示面板DP的焊盘PD电连接。
第一电路基板PCB1可以是刚性电路基板或者柔性电路基板。
在一实施例中，在第一电路基板PCB1中可以配置控制显示面板DP的工作的显示驱动部DIC。在一实施例中，显示驱动部DIC可以包括至少一个IC(集成电路)，并装配在第一电路基板PCB1上。然而，其是示例性的，实现显示驱动部DIC的方式不限于此。显示驱动部DIC可以包括时序控制部、数据驱动部以及扫描驱动部中的至少一个的功能。
在显示驱动部DIC中生成的信号可以通过第一焊盘P-PD1以及显示面板DP的焊盘PD提供给像素PXL。
第二电路基板PCB2可以电连接于触摸面板TSP。第二电路基板PCB2可以包括排列有第二焊盘P-PD2的第四焊盘区域P_PDA2。在一实施例中，第二焊盘P-PD2可以与触摸面板TSP的触摸焊盘TPD电连接。
第二电路基板PCB2可以是刚性电路基板或者柔性电路基板。
在一实施例中，在第二电路基板PCB2中可以配置控制触摸面板TSP的工作的触摸驱动部TIC。在一实施例中，触摸驱动部TIC可以包括至少一个IC(集成电路)，并装配在第二电路基板PCB2上。然而，其是示例性的，实现触摸驱动部TIC的方式不限于此。
触摸驱动部TIC和触摸面板TSP可以通过第二焊盘P-PD2以及触摸面板TSP的触摸焊盘TPD接收和发送电信号。
图2是示出图1的显示装置的一例的概要截面图。
参照图1以及图2，显示装置DD可以包括显示面板DP以及触摸面板TSP。显示装置DD可以还包括偏振器POL以及窗体WIN。
在一实施例中，可以通过第一光学透明粘合剂OCA1在显示面板DP上附着及配置偏振器POL。偏振器POL可以抑制显示区域DA中的外部光的反射来提高图像的可识别性。
例如，偏振器POL可以是膜类型或者液晶涂层类型。可以是，膜类型包括拉伸型合成树脂膜，液晶涂层类型包括以预定的陈列排列的液晶。
在一实施例中，可以通过第二光学透明粘合剂OCA2在偏振器POL上附着触摸面板TSP。例如，触摸面板TSP可以以膜类型提供。触摸面板TSP可以包括用于触摸输入感测的感测电极。
可以通过第三光学透明粘合剂OCA3在触摸面板TSP上附着窗体WIN。在一实施例中，窗体WIN可以包括玻璃基板和/或合成树脂膜等。
在一实施例中，窗体WIN可以还包括遮光图案。遮光图案可以界定显示装置DD的非显示区域NDA(例如，边框)。遮光图案可以包括有色的有机膜，并以涂布方式形成。
在一实施例中，窗体WIN可以还包括功能性涂布层。例如，功能性涂布层可以包括防指纹层、防反射层以及硬涂层等。
根据实施例，第一至第三光学透明粘合剂OCA1、OCA2、OCA3可以以膜或者树脂类型提供。
图3是示出包括在图1的显示装置中的像素的一例的等效电路图。
为了便于说明，图3中示出了位于第i个水平线(或者，第i个像素行)并与第j个数据线Dj接通的像素PXL(其中，i、j是自然数)。
参照图1以及图3，显示装置DD的显示面板DP可以包括像素PXL。像素PXL可以包括像素电路PXC以及发光元件LD。
发光元件LD的第一电极(阳极电极或者阴极电极)可以接通于像素电路PXC且第二电极(阴极电极或者阳极电极)接通于提供第二电源VSS的第二电源线PL2。发光元件LD可以与从第一晶体管T1供应的电流量相对应地生成预定亮度的光。
在一实施例中，发光元件LD可以是包括有机发光层的有机发光二极管。在另一实施例中，发光元件LD可以是由无机物质形成的无机发光元件。在另一实施例中，发光元件LD也可以是无机物质以及有机物质复合构成的发光元件。或者，发光元件LD也可以具有多个无机发光元件在第二电源VSS和像素电路PXC之间并联和/或串联连接的形式。
像素电路PXC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2以及存储电容器Cst。然而，像素电路PXC的结构不限于图3所示的实施例。
第一晶体管T1(驱动晶体管)可以接通在传输第一电源VDD的第一电源线PL1和发光元件LD之间。第一晶体管T1的栅极电极可以接通于第一节点N1。第一晶体管T1与第一节点N1的电压相对应地控制供应到发光元件LD的驱动电流的量。
第二晶体管T2(开关晶体管)可以接通在数据线Dj和第一节点N1之间。第二晶体管T2的栅极电极可以接通于扫描线Si。
第二晶体管T2可以响应于供应到扫描线Si的扫描信号而导通，数据信号传输给第一节点N1。传输给第一节点N1的数据信号可以充电到存储电容器Cst。
存储电容器Cst可以接通在第一电源VDD和第一节点N1之间。存储电容器Cst充电与供应到第一节点N1的数据信号相对应的电压，并保持充电的电压直到下一帧的数据信号被供应为止。
像素电路PXC的结构可以不同地变更来实施。作为一例，像素电路PXC可以进一步还包括用于补偿第一晶体管T1的阈值电压的晶体管、用于初始化第一节点N1的晶体管和/或用于控制发光元件LD的发光时间的晶体管等之类至少一个晶体管或用于提升第一节点N1的电压的升压电容器等之类其它电路元件。
另外，图3中示出了第一及第二晶体管T1、T2均为P类型，但其是示例性的，第一及第二晶体管T1、T2中的至少一个也可以变更为N类型的晶体管。另外，由于晶体管类型变更，一部分构成要件的接通位置可以变更。
图4是示出包括在图1的显示装置中的触摸面板的一部分的一例的概要平面图。
参照图1以及图4，触摸面板TSP(例如，触摸面板TSP的触摸激活区域)可以在一个交叉区域中包括第一触摸电极TE1、第二触摸电极TE2、第一连接部CP1以及第二连接部CP2。
图4示出了触摸面板TSP的触摸激活区域的一部分，图4的图案可以在上下左右方向上重复。
第一触摸电极TE1可以彼此隔开配置。第一触摸电极TE1可以通过第一连接部CP1彼此连接。第一连接部CP1可以通过接触孔连接以桥接形式相互相邻的第一触摸电极TE1。
第二触摸电极TE2和第二连接部CP2可以在一个平面上彼此连接。例如，第二触摸电极TE2和第二连接部CP2可以一体形成。第二触摸电极TE2可以与第一触摸电极TE1隔开配置。
在一实施例中，第一触摸电极TE1、第二触摸电极TE2、第一连接部CP1以及第二连接部CP2可以包括透明导电物质。例如，第一触摸电极TE1以及第二触摸电极TE2可以包括ITO(铟锡氧化物；indium tin oxide)、IZO(铟锌氧化物；indium zinc oxide)、ZnO(锌氧化物；zinc oxide)、ITZO(铟锡锌氧化物；indium tin zinc oxide)等之类透明的导电性氧化物。
在一实施例中，第一触摸电极TE1、第二触摸电极TE2、第一连接部CP1以及第二连接部CP2可以包括PEDOT之类导电性高分子、金属纳米线、石墨烯等。
在一实施例中，为了防止被用户识别，第一触摸电极TE1以及第二触摸电极TE2的每一个也可以具有网格(mesh)形状。
包括触摸面板TSP的触摸传感器可以通过第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2之间的电容变化来感测触摸。
图4的触摸电极TE1、TE2的平面形状是示例性的，不限于此。触摸电极TE1、TE2的平面形状以及排列方向可以变形为各种形式。另外，连接部CP1、CP2的位置以及平面形状也可以不同地变形。
图5是示出沿图4的触摸面板的I-I’线的一例的概要截面图，图6是示出沿图4的触摸面板的II-II’线的一例的概要截面图。
参照图2、图4、图5以及图6，触摸面板TSP可以包括两个触摸电极层TEL1、TEL2和它们之间的绝缘膜INF。
在一实施例中，第一触摸电极层TEL1可以配置在第二光学透明粘合剂OCA2上。第一触摸电极层TEL1可以包括第一连接部CP1。
绝缘膜INF可以覆盖第一触摸电极层TEL1，并配置在第二光学透明粘合剂OCA2上。绝缘膜INF可以具有单层或者多层结构。绝缘膜INF可以包括无机物或者有机物或者复合材料。
在绝缘膜INF中可以界定部分地暴露第一触摸电极层TEL1的接触孔。
第二触摸电极层TEL2可以配置在绝缘膜INF上。第二触摸电极层TEL2的一部分可以通过接触孔与第一触摸电极层TEL1连接。连接于第一触摸电极层TEL1的第二触摸电极层TEL2可以是第一触摸电极TE1。
第二触摸电极层TEL2的一部分可以与第一触摸电极层TEL1交叉及重叠。与第一触摸电极层TEL1交叉及重叠的第二触摸电极层TEL2可以是第二连接部CP2。另外，第二触摸电极层TEL2可以包括一体形成的第二触摸电极TE2和第二连接部CP2。
然而，其是示例性的，也可以是，第一触摸电极层TEL1包括第一触摸电极TE1、第二触摸电极TE2以及第二连接部CP2，第二触摸电极层TEL2包括第一连接部CP1。
图7是示出图1的显示装置的显示区域的一例的概要平面图。
参照图1、图2、图3以及图7，在显示装置DD的显示区域DA中可以配置像素PXL1、PXL2、PXL3、屏蔽电极SDE以及触摸电极TE。
为了便于说明及理解，图7中说明为像素的发光区域是各自的像素PXL1、PXL2、PXL3。
像素PXL1、PXL2、PXL3可以包括第一像素PXL1、第二像素PXL2以及第三像素PXL3。可以是，第一像素PXL1发出第一颜色(例如，红色)的光，第二像素PXL2发出第二颜色(例如，绿色)的光，第三像素PXL3发出第三颜色(例如，蓝色)的光。
在一实施例中，如图7所示，可以是，第三像素PXL3沿第二方向DR2排列，第一像素PXL1以及第二像素PXL2彼此交替而沿第二方向DR2排列。另外，第一像素PXL1以及第二像素PXL2可以与第三像素PXL3交替而沿第一方向DR1排列。
第一像素PXL1、第二像素PXL2以及第三像素PXL3的区分可以通过像素界定膜构成。换言之，像素界定膜可以界定第一像素PXL1、第二像素PXL2以及第三像素PXL3的每一个的发光区域。图7中划分为第一像素PXL1、第二像素PXL2以及第三像素PXL3的部分之外的区域均是非发光区域，可以是与像素界定膜相对应的部分。
在一实施例中，第一像素PXL1、第二像素PXL2以及第三像素PXL3的每一个的发光区域可以具有第一电极(例如，阳极电极)、发光层以及第二电极(例如，阴极电极)层叠的结构。
触摸面板TSP的触摸电极TE可以与显示区域DA重叠配置。例如，如图7所示，触摸电极TE的至少一部分可以通过波浪形状的边界隔开配置。为了便于理解，图7中示出了触摸电极TE基于波浪形状的边界隔开配置，但是，触摸电极TE的平面上的配置形式不限于此。例如，触摸电极TE也可以配置成如图4所示的平面形状那样。
在一实施例中，一个触摸电极TE可以与多个像素PXL1、PXL2、PXL3重叠。例如，触摸电极TE可以跨像素PXL1、PXL2、PXL3的发光区域以及非发光区域而重叠。换言之，触摸电极TE的平面面积可以大于像素PXL1、PXL2、PXL3的每一个的平面面积。
在显示装置DD驱动时，可以在触摸面板TSP的触摸电极TE和构成显示面板DP的像素PXL1、PXL2、PXL3的发光元件的第二电极(例如，阴极电极)之间形成电容。这种电容可以在触摸面板TSP以及显示面板DP的每一个驱动时影响另一个驱动。例如，触摸电极TE和第二电极之间的电容(以下，称为噪声电容)可能作为噪声发挥作用来降低触摸感测性能。
为了改善这种噪声，可以增加第二电极和触摸电极TE之间的距离。例如，若在显示面板DP上利用光学透明粘合物质来附着外置型的触摸面板TSP，则第二电极和触摸电极TE之间的距离可以变远而减少噪声电容。但是，当显示装置DD为大型化时，即使这种显示面板DP和触摸面板TSP之间的距离增加，也可以产生上述的噪声电容导致的噪声影响。
根据这种本发明的实施例的显示装置DD可以包括用于去除至最小化噪声电容的影响的屏蔽电极SDE。在一实施例中，显示面板DP可以包括具有屏蔽电极SDE的屏蔽层。
屏蔽电极SDE可以配置在显示面板的薄膜封装层上。屏蔽电极SDE可以与非发光区域重叠。例如，屏蔽电极SDE可以回避发光区域(例如，像素PXL1、PXL2、PXL3)来与像素界定膜重叠。即，屏蔽电极SDE可以配置为不降低图像的可识别性。
在一实施例中，屏蔽电极SDE可以向非显示区域NDA延伸，并电连接于显示面板DP的焊盘PD中的一部分。预定的直流电源可以供应到连接有屏蔽电极SDE的焊盘PD。例如，第一电源VDD或者第二电源VSS的电压可以供应到屏蔽电极SDE。然而，其是示例性的，屏蔽电极SDE也可以连接于接地。
如上所述，被提供预定的直流电源的屏蔽电极SDE可以通过配置在显示面板DP的第二电极和触摸面板TSP的触摸电极TE之间来降低至最小化噪声电容。因此，可以改善触摸感测特性(感测准确度以及灵敏度)。
在一实施例中，屏蔽电极SDE可以包括不透明的金属。例如，屏蔽电极SDE可以由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)之类金属中的至少一个或者金属的合金构成。
在一实施例中，显示区域DA中屏蔽电极SDE的宽度可以窄于与其重叠的像素界定膜的宽度。因此，屏蔽电极SDE与发光区域不重叠。屏蔽电极SDE的宽度也可以不均匀。
例如，与第三像素PXL3之间的间隔相对宽的一区域(表示为A1)重叠的屏蔽电极SDE的一部分可以具有比其它部分宽的宽度(以及宽的面积)。然而，其是示例性的，屏蔽电极SDE的宽度可以在不超过与其相对应的像素界定膜的宽度的范围内自由变形。
图8是示出图1的显示装置的显示区域以及非显示区域的一例的概要截面图。
图8中示出了沿图7的显示区域DA的III-III’线的部分以及非显示区域NDA。
参照图1、图2、图3、图4、图7以及图8，显示装置DD可以包括显示面板DP、触摸面板TSP、偏振器POL以及窗体WIN。
显示面板DP可以包括基板SUB、电路元件层CL、显示元件层DPL、薄膜封装层TFE以及屏蔽层SDL。
基板SUB可以包括显示区域DA以及非显示区域NDA。显示区域DA可以包括发光区域EA以及非发光区域NEA。非显示区域NDA可以包括配置焊盘PD的第一焊盘区域PDA1。
基板SUB可以包括合成树脂膜。合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层，其材料不受特别限制。除此之外，基板SUB可以包括玻璃基板、金属基板或者有机/无机复合材料基板等。
电路元件层CL可以包括至少一个绝缘层和电路元件。例如，电路元件层CL可以包括缓冲层BF、栅极绝缘层GI、绝缘层INS1、INS2以及用于电路元件构成的有源图案ACT以及各种导电层。
缓冲层BF可以防止杂质扩散到包括第一晶体管T1的电路元件。缓冲层BF可以是由无机材料构成的无机绝缘层。
在缓冲层BF上可以配置有源图案ACT。有源图案ACT由半导体材料形成。有源图案ACT可以分别包括源极区域、漏极区域以及提供在源极区域和漏极区域之间的沟道区域。有源图案ACT可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等构成的半导体图案。
在有源图案ACT上可以提供栅极绝缘层GI。栅极绝缘层GI可以是由无机材料构成的无机绝缘层。
在栅极绝缘层GI上可以提供栅极电极GE和电容器下电极LE。栅极电极GE形成为覆盖与有源图案ACT的沟道区域相对应的区域。
栅极电极GE以及电容器下电极LE可以由金属构成。例如，栅极电极GE可以由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)之类金属中的至少一个或者金属的合金构成。另外，栅极电极GE可以由单层或者由金属以及合金中的两个以上物质层叠的多层形成。
在栅极电极GE以及电容器下电极LE上可以提供第一绝缘层INS1。第一绝缘层INS1可以是由无机材料构成的无机绝缘层。作为无机材料，可以利用聚硅氧烷、硅氮化物、硅氧化物、硅氧氮化物等。
在第一绝缘层INS1上可以提供电容器上电极UE。电容器上电极UE可以包括金属。
电容器下电极LE和电容器上电极UE可以隔着第一绝缘层INS1构成存储电容器Cst。
在电容器上电极UE上可以提供第二绝缘层INS2。第二绝缘层INS2可以是由无机材料构成的无机绝缘层。作为无机材料，可以利用聚硅氧烷、硅氮化物、硅氧化物、硅氧氮化物等。
在第二绝缘层INS2上可以提供源极电极SE和漏极电极DE。源极电极SE和漏极电极DE通过形成在第二绝缘层INS2、第一绝缘层INS1以及栅极绝缘层GI中的接触孔与有源图案ACT的源极区域和漏极区域分别接触。
源极电极SE和漏极电极DE可以由金属构成。
在一实施例中，数据线Dj、扫描线Si、电源线PL1、PL2中的至少一个可以在与源极电极SE以及漏极电极DE相同的层中由相同的材料提供。这种布线可以作为信号线SGL向非显示区域NDA延伸。另外，信号线SGL可以在第一焊盘区域PDA1中暴露而作为焊盘PD发挥功能。焊盘PD可以物理/电连接于第一电路基板PCB1。
在源极电极SE、漏极电极DE以及信号线SGL上可以配置通孔层VIA。通孔层VIA可以是由有机材料构成的有机绝缘层。作为有机材料，可以利用聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、特氟龙之类氟类碳化合物、苯并环丁烯化合物等之类有机绝缘物质。
在一实施例中，通孔层VIA也可以配置在第一焊盘区域PDA1中。
显示元件层DPL可以包括发光元件LD以及像素界定膜PDL。
发光元件LD可以包括第一电极EL1、发光层OL以及第二电极EL2。
第一电极EL1可以配置在通孔层VIA上。第一电极EL1可以通过贯通通孔层VIA的接触孔而连接于漏极电极DE。第一电极EL1可以根据实施例用作阳极或阴极中的一个。
第一电极EL1可以由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、它们的合金等的金属层和/或ITO(铟锡氧化物；indium tin oxide)、IZO(铟锌氧化物；indium zinc oxide)、ZnO(锌氧化物；zinc oxide)、ITZO(铟锡锌氧化物；indium tin zinc oxide)等构成。
在形成有第一电极EL1的通孔层VIA上可以提供划分发光区域EA的像素界定膜PDL以与各像素PXL相对应。像素界定膜PDL可以是有机绝缘层。另外，像素界定膜也可以配置在非显示区域NDA的一部分中。
像素界定膜PDL可以暴露第一电极EL1的上面并沿发光区域EA的缘边从基板SUB凸出。
在一实施例中，在像素界定膜PDL上可以还配置间隔体SPC。间隔体SPC可以为了确保发光区域EA和非发光区域NEA之间的台阶而配置。间隔体SPC可以是包括有机物质的有机绝缘层。
在通过像素界定膜PDL围绕的发光区域EA中可以提供发光层OL。发光层OL可以提供为单层，但是，可以提供为包括各种功能层的多层。当发光层OL提供为多层时，可以具有空穴注入层(HIL：Hole Injection Layer)、空穴输送层(HTL：Hole Transport Layer)、发光层(EML：Emission Layer)、电子输送层(ETL：Electron Transport Layer)、电子注入层(EIL：Electron Injection Layer)等以单一或者复合的结构层叠的结构。
在发光层OL上提供第二电极EL2。第二电极EL2也可以针对每个像素PXL提供，但是，也可以提供为覆盖显示区域DA的大部分。
第二电极EL2可以根据实施例用作阳极或阴极中的一个，可以是，当第一电极EL1是阳极时，第二电极EL2用作阴极，当第一电极EL1是阴极时，第二电极EL2用作阳极。
第二电极EL2可以由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr等的金属层和/或ITO(铟锌氧化物；indium tin oxide)、IZO(铟锌氧化物；indium zinc oxide)、ZnO(锌氧化物；zincoxide)、ITZO(铟锡锌氧化物；indium tin zinc oxide)等的透明导电性层构成。在一实施例中，第二电极EL2可以由包括金属薄层的双层以上的多层构成，例如，可以由ITO/Ag/ITO的三层构成。
在第二电极EL2上可以提供薄膜封装层TFE。在一实施例中，薄膜封装层TFE可以包括第一封装层TFE1、第二封装层TFE2以及第三封装层TFE3。第一封装层TFE1、第二封装层TFE2以及第三封装层TFE3可以由有机材料和/或无机材料构成。位于最上层的第三封装层TFE3可以由无机材料构成。在本发明的一实施例中，第一封装层TFE1可以由无机材料、第二封装层TFE2由有机材料以及第三封装层TFE3由无机材料构成。当无机材料的情况下，与有机材料相比，水分或氧气的渗透少，但是，弹性或柔性小而易受破裂的影响。随之，可以通过将第二封装层TFE2由有机材料形成来防止破裂的传播。在此，由有机材料构成的层，即，第二封装层TFE2可以通过第三封装层TFE3完全覆盖以使端部不暴露于外部。作为有机材料，可以利用聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、特氟龙之类氟类碳化合物、苯并环丁烯化合物等之类有机绝缘物质，作为无机材料，可以利用聚硅氧烷、硅氮化物、硅氧化物、硅氧氮化物等。
在一实施例中，薄膜封装层TFE可以覆盖显示区域DA，并延伸至显示区域DA的外侧(即，非显示区域NDA的一部分)。
在一实施例中，由有机材料构成的通孔层VIA和/或像素界定膜PDL可以不会连续延伸至非显示区域NDA，并具有沿显示区域DA的缘边去除其一部分的开口。
在一实施例中，在非显示区域NDA中可以还包括第一坝部DAM1以及第二坝部DAM2。第一坝部DAM1以及第二坝部DAM2可以围绕显示区域DA。
第一坝部DAM1可以具有二层结构。例如，第一坝部DAM1的下侧结构物可以与通孔层VIA同时形成，上侧结构物可以与像素界定膜PDL同时形成。
第二坝部DAM2可以具有三层结构，并形成为比第一坝部DAM1高。例如，第二坝部DAM2可以通过通孔层VIA、像素界定膜PDL以及间隔体SPC工艺形成。
第一坝部DAM1以及第二坝部DAM2可以在形成第二封装层TFE2的过程中防止液态的有机物质朝向第一焊盘区域PDA1溢出。
然而，其是示例性的，根据实施例，也可以去除第一坝部DAM1以及第二坝部DAM2中的至少一个，也可以还配置附加的坝部。
在薄膜封装层TFE上可以配置屏蔽层SDL。在一实施例中，屏蔽层SDL可以包括第三绝缘层INS3、屏蔽电极SDE以及钝化层PAS。
第三绝缘层INS3可以配置在薄膜封装层TFE上。第三绝缘层INS3可以形成在显示区域DA以及非显示区域NDA整面中。第三绝缘层INS3的一部分可以去除以暴露焊盘PD。第三绝缘层INS3可以是无机绝缘层或者有机绝缘层。
在第三绝缘层INS3上可以配置屏蔽电极SDE。屏蔽电极SDE可以配置在显示区域DA以及非显示区域NDA中。
在一实施例中，在显示区域DA中屏蔽电极SDE可以与像素界定膜PDL重叠。另外，屏蔽电极SDE的宽度可以小于与其重叠的像素界定膜PDL的宽度。在显示区域DA中屏蔽电极SDE可以抑制第二电极EL2和触摸面板TSP之间的电容形成。
屏蔽电极SDE可以向非显示区域NDA延伸。在一实施例中，屏蔽电极SDE可以延伸至第一焊盘区域PDA1，并通过暴露焊盘PD的接触孔CNT物理及电连接于焊盘PD。此时，连接到焊盘PD的信号线SGL可以是提供第一电源VDD的电压的第一电源线PL1或者传输第二电源VSS的电压的第二电源线PL2。因此，恒定电压可以供应到屏蔽电极SDE。
钝化层PAS可以覆盖屏蔽电极SDE并配置在第三绝缘层INS3上。钝化层PAS可以提供在显示区域DA整体以及非显示区域NDA的一部分中。例如，钝化层PAS不提供在第一焊盘区域PDA1中。钝化层PAS可以是无机绝缘层。
屏蔽层SDL可以在显示面板DP的制造工艺中形成。
在一实施例中，可以是，在屏蔽层SDL上提供第一光学透明粘合剂OCA1，偏振器POL通过第一光学透明粘合剂OCA1附着到显示面板DP上。
可以是，在偏振器POL上提供第二光学透明粘合剂OCA2，触摸面板TSP通过第二光学透明粘合剂OCA2附着到偏振器POL上。
偏振器POL以及触摸面板TSP可以与显示区域DA整体以及非显示区域NDA的一部分重叠。
触摸面板TSP可以包括第一触摸电极层TEL1、绝缘膜INF以及第二触摸电极层TEL2。根据实施例，与显示区域DA相对应地，第一触摸电极层TEL1和第二触摸电极层TEL2可以形成如通过图4说明的那样的触摸电极。
在一实施例中，触摸面板TSP可以包括与非显示区域NDA的一部分重叠来连接于第一触摸电极层TEL1或者第二触摸电极层TEL2的触摸焊盘TPD。排列有触摸焊盘TPD的区域可以定义为第二焊盘区域PDA2。在第二焊盘区域PDA2中可以电/物理连接在前面说明的第二电路基板PCB2。
可以是，在触摸面板TSP上提供第三光学透明粘合剂OCA3，窗体WIN通过第三光学透明粘合剂OCA3附着到触摸面板TSP上。
如上所述，根据本发明的实施例的显示装置DD可以包括在薄膜封装层TFE上与像素界定膜PDL重叠配置的屏蔽电极SDE。屏蔽电极SDE可以电连接于显示面板DP的一部分焊盘PD而接收第一电源VDD或者第二电源VSS。因此，在没有可识别性问题以及制造费用过度增加的情况下，可以抑制至最小化显示元件层DPL和触摸电极TE之间的电容形成，可以改善触摸感测特性(感测准确度以及灵敏度)。
图9是示出图1的显示装置的显示区域以及非显示区域的一例的概要截面图，图10是示出图1的显示装置的显示区域以及非显示区域的一例的概要截面图。
图9以及图10中针对参照图8说明的构成要件使用相同的附图标记，并省略针对这种构成要件的重复说明。除了屏蔽层SDL的构成之外，图9以及图10的显示装置具有与图8的显示装置实质相同或类似的构成。
参照图9以及图10，显示装置DD可以包括显示面板DP、触摸面板TSP、偏振器POL以及窗体WIN。在显示面板DP的屏蔽层SDL中可以省略绝缘层的一部分构成。
在一实施例中，如图9所示，屏蔽层SDL可以包括屏蔽电极SDE以及钝化层PAS。即，可以省略第三绝缘层INS3。屏蔽电极SDE可以直接图案化在封装层TEF上。
在一实施例中，如图10所示，屏蔽层SDL可以包括第三绝缘层INS3以及屏蔽电极SDE。即，可以省略钝化层PAS。因此，屏蔽电极SDE可以直接图案化在封装层TEF上。可以直接提供第一光学透明粘合剂OCA1。
与图8的显示装置相比，根据图9以及图10的实施例的显示装置减少了形成显示面板DP的蒸镀工艺，因此，可能在制造费用方面有利。
图11是示出图1的显示装置的显示区域以及非显示区域的一例的概要截面图。
图11中针对参照图8说明的构成要件使用相同的附图标记，并省略针对这种构成要件的重复说明。除了偏振器POL和触摸面板TSP的位置之外，图11的显示装置具有与图8的显示装置实质相同或类似的构成。
参照图11，显示装置DD可以包括显示面板DP、触摸面板TSP、偏振器POL以及窗体WIN。
在一实施例中，可以是，在显示面板DP上配置触摸面板TSP，在触摸面板TSP上配置偏振器POL。此时，与图8的实施例相比，可以提高外部光反射效果，在可识别性方面有利。
在图8的实施例的情况下，与图11的实施例相比，触摸面板TSP和显示面板DP之间的距离更大，因此，与图11的显示装置相比，图8的显示装置可能在触摸感测性能方面优异。
图12是示出图1的显示装置的显示区域以及非显示区域的一例的概要截面图。
图12中针对参照图8说明的构成要件使用相同的附图标记，并省略针对这种构成要件的重复说明。图12的显示装置可以具有去除偏振器POL的结构。
参照图12，显示装置DD可以包括显示面板DP、触摸面板TSP以及窗体WIN。
显示装置DD可以包括用于代替图8所示的偏振器POL的功能的屏蔽层SDL的结构。在一实施例中，屏蔽层SDL可以包括第三绝缘层INS3、屏蔽电极SDE、黑矩阵BM、滤色器CF以及钝化层PAS。
黑矩阵BM可以覆盖屏蔽电极SDE的至少一部分。黑矩阵BM可以吸收或者阻断从外部流入的光。黑矩阵BM可以包括有机遮光材料。例如，有机遮光材料可以包括碳黑(carbonblack；CB)以及钛黑(titan black；TiBK)中的至少一个，但并非一定限定于此。
由此，黑矩阵BM可以防止至最小化来自屏蔽电极SDE的未预料的光反射等。因此，可以防止屏蔽电极SDE的配置导致的可识别性不良。
滤色器CF可以配置在第三绝缘层INS3上。滤色器CF可以与发光区域EA重叠。滤色器CF可以与屏蔽电极SDE的至少一部分重叠，并与黑矩阵BM接触。
滤色器CF可以具有与重叠于其的像素PXL相对应的颜色。例如，可以是，与红色像素重叠的滤色器CF是红色滤色器，与绿色像素重叠的滤色器CF是绿色滤色器，与蓝色像素重叠的滤色器CF是蓝色滤色器。
如上所述，为了代替偏振器POL，在屏蔽层SDL中配置滤色器CF，从而可以最小化屏蔽层SDL插入导致的显示装置DD的厚度增加或者使得显示装置DD薄型化。
钝化层PAS可以覆盖黑矩阵BM以及滤色器CF。
在一实施例中，像素界定膜PDL可以具有黑色。由此，可以改善黑色视感。
图13是示出图1的显示装置的显示区域以及非显示区域的一例的概要截面图。
参照图13，显示装置DD可以包括显示面板DP、触摸面板TSP以及窗体WIN。
显示装置DD可以包括用于代替图8所示的偏振器POL的功能的屏蔽层SDL以及显示元件层DPL的结构。
在一实施例中，显示元件层DPL可以还包括配置在第二电极EL2上的低反射层RRL。例如，低反射层RRL可以包括反射率低的无机材料，可以包括金属或者金属氧化物。
低反射层RRL可以包括铋(Bi)以及镱(Yb)中的至少一个。例如，低反射层RRL可以蒸镀铋(Bi)来形成或者共沉积铋(Bi)以及镱(Yb)来形成。铋(Bi)以及镱(Yb)可以是能够以配置在低反射层RRL的下方的发光层OL等构成不损坏的温度蒸镀的金属。
低反射层RRL的折射率可以是1.4以上且3.0以下。低反射层RRL的吸收系数(absorption coefficient，k)可以是1.5以下。例如，低反射层RRL的吸收系数可以是大于0.5且1.5以下。满足预定的折射率范围以及吸收系数的范围的低反射层RRL可以降低光的反射率。
低反射层RRL可以引导向显示装置DD内部入射的光和从配置在低反射层RRL的下方的金属(例如，第二电极EL2)反射的光的相消干涉来降低外部光反射率。由此，包括低反射层RRL的显示装置DD可以提高显示质量以及光效率。
在一实施例中，屏蔽层SDL可以包括第三绝缘层INS3、屏蔽电极SDE、黑矩阵BM以及反射调整层RAL。例如，反射调整层RAL可以代替图8的钝化层PAS。
在一实施例中，反射调整层RAL可以包括吸收预设定的波长区域的光的染料或者颜料。反射调整层RAL可以配置在第三绝缘层INS3上，并覆盖黑矩阵BM以及屏蔽电极SDE的至少一部分。
在一实施例中，反射调整层RAL可以吸收约490nm以上且约500nm以下的波长区域或者约500nm以上且约600nm以下的波长区域的光。
如上所述，反射调整层RAL和低反射层RRL可以代替现有的偏振器(图8的POL)的功能，因此，可以去除偏振器。因此，可以最小化屏蔽层SDL插入导致的显示装置DD的厚度增加或者去除偏振器来使得显示装置DD薄型化。
在一实施例中，像素界定膜PDL可以具有黑色。由此，可以改善黑色视感。
图14是示出包括在图1的显示装置中的像素以及屏蔽电极的一例的概要平面图，图15是示出包括在图1的显示装置中的像素以及屏蔽电极的一例的概要平面图。
参照图1、图2、图8、图14以及图15，显示区域DA中屏蔽电极SDE可以回避发光区域来与非发光区域(即，像素界定膜PDL)重叠。
像素PXL1、PXL2、PXL3可以具有各种排列形式、平面形状以及尺寸。
在一实施例中，如图14所示，可以是，第一行中第一像素PXL1和第三像素PXL3沿第一方向DR1交替排列，第二行中第二像素PXL2沿第一方向DR1排列，第三行中第三像素PXL3和第一像素PXL1沿第一方向DR1交替排列。第四行中第二像素PXL2可以沿第一方向DR1排列。这种像素PXL1、PXL2、PXL3的排列规则可以重复。
在一实施例中，如图15所示，各行中第一像素PXL1、第二像素PXL2、第三像素PXL3的排列可以重复。
屏蔽电极SDE可以与区分像素PXL1、PXL2、PXL3的非发光区域(即，像素界定膜)重叠配置。
以上，参照本发明的实施例进行了说明，但对于本技术领域的熟练人员来说，能够理解可以在不超出所附的权利要求书中记载的本发明的构思以及领域的范围内，对本发明进行多种修改及变更。

Claims (10)

1.一种显示装置，其中，包括：
显示面板，包括具有在包括显示区域以及非显示区域的基板上将所述显示区域区分为发光区域和非发光区域的像素界定膜的发光元件层、配置在所述发光元件层上的薄膜封装层以及具有配置在所述薄膜封装层上的屏蔽电极的屏蔽层；以及
触摸面板，通过光学透明粘合剂附着到所述显示面板上，并包括触摸电极，
所述发光元件层包括与所述发光区域相应的发光层，
所述屏蔽电极与所述非发光区域重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述屏蔽层还包括覆盖所述屏蔽电极的至少一部分并与所述非发光区域重叠的黑矩阵。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述屏蔽层还包括与所述屏蔽电极的至少一部分以及所述发光区域重叠并与所述黑矩阵接触的滤色器。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述发光元件层包括：
第一电极，在所述发光区域中暴露；
发光层，配置在所述第一电极上；
第二电极，配置在所述发光层上；以及
低反射层，配置在所述显示区域的所述第二电极上，并包括铋以及镱中的至少一个。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述屏蔽层还包括包含吸收预设定的波长区域的光的染料或者颜料的反射调整层。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示面板包括：
像素电路，配置在所述基板和所述发光元件层之间，并驱动所述发光元件层；以及
焊盘，配置在所述基板的所述非显示区域上，并电连接于所述像素电路。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述屏蔽电极向所述非显示区域延伸，并电连接于所述焊盘中的一部分。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述屏蔽电极通过接触孔与所述焊盘中的所述一部分物理接触。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
连接于所述像素电路的第一电源或者第二电源供应到所述屏蔽电极。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述屏蔽层还包括：
绝缘层，配置在所述薄膜封装层和所述屏蔽电极之间；以及
钝化层，覆盖所述屏蔽电极的至少一部分。
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