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CN117518644A - 显示面板及电子装置 - Google Patents

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CN117518644A
CN117518644A CN202310503432.3A CN202310503432A CN117518644A CN 117518644 A CN117518644 A CN 117518644A CN 202310503432 A CN202310503432 A CN 202310503432A CN 117518644 A CN117518644 A CN 117518644A
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Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本申请提供了一种显示面板及电子装置，该显示面板包括基底、遮光层、有源层和转换层，通过在有源层靠近基底的一侧设置转换层，利用转换层吸收光照中能量较高的蓝光和绿光，并转换为能量较低的光，从而可以减少直射有源层的强光，降低光照对薄膜晶体管的影响。

Description

显示面板及电子装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及电子装置。
背景技术
随着光电与半导体技术的演进，也带动了平板显示器的蓬勃发展，而在诸多平板显示器中，液晶显示器(liquid crystal display，LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已成为市场的主流。与传统非晶硅薄膜晶体管相比，低温多晶硅薄膜晶体管具有薄膜电路面积小、电子迁移速率快、结构稳定等优点。
在现有低温多晶硅薄膜晶体管显示面板中，为防止过大的光强直接照射有源层造成漏电流的问题，通常在有源层下方设置金属遮光层进行遮光。当背光模组的亮度过高(达到10万至20万尼特)时，部分光线可以穿透遮光层并照射到有源层，若只通过增加遮光层的厚度减少照射到有源层的光线，则会导致静电释放的问题。若在单层金属遮光层的基础上，增设一层金属遮光层和一层基底来减少照射到有源层的光线，则不仅会增加生产工序，还会增加显示面板的厚度和重量。
故，有必要提供一种显示面板及电子装置来改善这一缺陷。
发明内容
本申请的实施例提供了一种显示面板及电子装置，可以减少照射至有源层的蓝光，降低光照对薄膜晶体管的影响。
本申请的实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括：
基底；
有源层，设置于所述基底的一侧；
遮光层，设置于所述基底与所述有源层之间，与所述有源层相对设置，且所述遮光层在所述基底上的正投影至少覆盖所述有源层在所述基底上的正投影；以及
转换层，设置于所述有源层的靠近所述基底的一侧，所述转换层与所述有源层相对设置，且所述转换层在所述基底上的正投影至少覆盖所述有源层在所述基底上的正投影；
其中，所述转换层吸收波长介于400纳米至600纳米之间的光线。
根据本申请一实施例，所述转换层的组分为Zn(Py)L1Ln(NO3)3，Py为吡啶，L1为席夫碱配体，Ln为镧系金属离子。
根据本申请一实施例，L1为邻香兰素缩2,3-二氨基萘配体。
根据本申请一实施例，Ln为Yb3+、Nd2+或者Er3+。
根据本申请一实施例，所述转换层的组分还包括[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2。
根据本申请一实施例，所述转换层设置于所述遮光层与所述基底或者所述有源层之间。
根据本申请一实施例，所述显示面板包括至少一层所述转换层，所述基底背离所述有源层的表面、所述遮光层与所述基底之间、所述遮光层靠近所述有源层的表面以及所述有源层靠近所述遮光层的表面中的至少一个位置设置有所述转换层。
根据本申请一实施例，所述显示面板包括多层所述转换层，所述转换层的组分包括Zn(Py)L1Ln(NO3)3和[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2；
其中，多层所述转换层中的Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比由距离所述有源层最远的一层至距离所述有源层最近的一层逐渐增大。
根据本申请一实施例，按照距离所述有源层最远的一层至距离所述有源层最近的一层的顺序，第n层所述转换层中的Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比为(2n-1)：1，其中n大于或等于1。
根据本申请一实施例，所述转换层的厚度大于或等于0.1微米且小于或等于1微米。
依据本申请上述实施例提供的一种电子装置，本申请的实施例还提供了一种电子装置，所述电子装置包括如上述的显示面板。
本申请实施例的有益效果：本申请的实施例提供了一种显示面板及电子装置，所述显示面板包括基底、遮光层、有源层和转换层，遮光层设置于基底上，有源层设置于遮光层上，并且与遮光层正对设置，转换层设置于有源层的靠近基底的一侧，并且与有源层正对设置，通过在有源层的靠近基底的一侧设置转换层，转换层吸收波长介于400纳米至600纳米的光线，利用转换层吸收光照中能量较高的蓝光和绿光，并转换为能量较低波段的光，从而可以减少直射有源层的强光，降低光照对薄膜晶体管的影响。
附图说明
图1为本申请的实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2为本申请的实施例提供的第一种阵列基板的结构示意图；
图3为本实施例提供的激发波长示意图；
图4为本实施例提供的发射波长示意图；
图5为本实施例提供的第二种阵列基板的结构示意图；
图6为本实施例提供的第三种阵列基板的结构示意图；
图7为本实施例提供的第四种阵列基板的结构示意图；
图8为本实施例提供的第五种阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
下面结合附图和具体实施例对本申请做进一步的说明。
请参阅图1，本申请的实施例提供了一种显示面板，显示面板为液晶显示面板，显示面板包括阵列基板10、对置基板20、液晶层30和背光模组40，阵列基板10与对置基板20相对设置，液晶层30设置于阵列基板10与对置基板20之间，背光模组40设置于阵列基板10的背离对置基板20的一侧。
在本实施例中，显示面板可以包括彩色滤光层，彩色滤光层可以设置于对置基板20上，也可以设置于阵列基板10上。
请参阅图2，阵列基板10包括基底11、遮光层12和有源层13，有源层13设置于基底11的一侧，遮光层12设置于基底11与有源层13之间。
需要说明的是，有源层13设置于基底11的一侧指的是有源层13位于基底11上方，并且有源层13与基底11之间至少被遮光层12以及其他绝缘层隔开。
请参阅图1，遮光层12设置于基底11的背离背光模组40的表面上，基底11上还设置有缓冲层，缓冲层15覆盖遮光层12，有源层13设置于缓冲层15的背离基底11的表面上。在显示面板的厚度方向上，遮光层12与有源层13相对设置，且遮光层12在基底11上的正投影至少覆盖有源层13在基底上的正投影，遮光层12可以用于阻止背光模组40发出的光线照射至有源层13。
在本实施例中，遮光层12在基底11上的正投影范围大于有源层13在基底11上的正投影范围，遮光层12在基底11上的正投影可以将有源层13在基底11上的正投影完全覆盖。在其他一些实施例中，遮光层12在基底11上的正投影范围与有源层13在基底11上的正投影范围相同，遮光层12在基底11上的正投影与有源层13在基底11上的正投影可以完全重叠。
在本实施例中，缓冲层15包括氮化硅层和氧化硅层，氧化硅层设置于氮化硅层上。
在本实施例中，有源层13的材料为多晶硅。有源层13是由准分子激光作为热源，激光经过透射系统后会产生能量均匀分布的激光束并被透射于非晶硅结构的有源层上，非晶硅结构的有源层13吸收准分子激光的能量后转变为多晶硅结构。
在本实施例中，阵列基板10还包括依次层叠设置于有源层13的背离基底11一侧之上的第一绝缘层16、第一金属层18、第二绝缘层17、第二金属层19、平坦层101、公共电极层102、第三绝缘层103和像素电极层104。第一金属层18可以包括多个图案化的栅极和多条沿行方向延伸的扫描线，第二金属层19可以包括多个图案化的源极、漏极和多条沿列方向延伸的数据线。
需要说明的是，图1仅对转换层14与有源层13和遮光层12的位置关系进行示意，图1所示的显示面板以及阵列基板的结构并不代表实际应用中显示面板以及阵列基板的结构，显示面板以及阵列基板的具体膜层结构可以参照现有技术，此处不做限制。
进一步地，阵列基板10包括转换层14，转换层14设置于有源层13靠近基底11的一侧，转换层14与有源层13相对设置，且转换层14在基底11上的正投影至少覆盖有源层13在基底11上的正投影。
在本实施例中，如图2所示，转换层14与有源层13相对设置，转换层14的面积大于有源层13的面积，转换层14在基底11上的正投影可以将有源层13在基底11上的正投影完全覆盖，如此可以减少由显示面板底部照射至有源层13的光线。
在其他一些实施例中，转换层14的面积与有源层13的面积可以相同，转换层14在基底11上的正投影与有源层13在基底11上的正投影可以完全重叠。
在本实施例中，转换层14吸收波长介于400纳米至600纳米之间的光线。在此结构下，利用转换层14吸收背光模组发出的光线中能量较强的蓝光和绿光并转换为能量较低的近红外光或者红外光，如此可以降低直射有源层13的光强，从而可以减少光照对薄膜晶体管的影响。
进一步地，转换层14在基底11上的正投影至少覆盖遮光层12在基底11上的正投影。
如图2所示，转换层14与遮光层12相对设置，转换层14的面积与遮光层12的面积相同，转换层14在基底11上的正投影与遮光层12在基底上的正投影完全重叠，如此可以保证透过转换层14的光线能够被遮光层12所吸收，避免光线通过转换层14与遮光层12之间的缝隙直射到有源层13，从而可以进一步减少光照对薄膜晶体管的影响。
在其他一些实施例中，转换层14的面积也可以大于遮光层12的面积，转换层14在基底11上的正投影可以将遮光层12在基底11上的正投影完全覆盖。
进一步地，转换层14的组分包括Zn(Py)L1Ln(NO3)3，Py为吡啶，L1为席夫碱配体，Ln为镧系金属离子。
具体来说，L1为邻香兰素缩2,3-二氨基萘配体，邻香兰素缩2,3-二氨基萘配体L1可以通过2,3-二氨基萘与邻香兰素通过缩合反应生成，L1的结构如结构式(1)所示：
具体来说，Ln为Yb3+、Nd2+或者Er3+，即转换层14的组分可以包括Zn(Py)L1Yb(NO3)3、Zn(Py)L1Nd(NO3)3或者Zn(Py)L1Er(NO3)3中的任意一个。
在实际制备过程中，可以通过硝酸锌与配体L1生成配合物ZnL1，然后用四氢呋喃回流镧系硝酸盐和吡啶的混合物生成组分Zn(Py)L1Ln(NO3)3。
请参阅图3，图3为本实施例提供的激发波长示意图，本实施例提供的转换层14的组分Zn(Py)L1Yb(NO3)3、Zn(Py)L1Nd(NO3)3以及Zn(Py)L1Er(NO3)3中的任意一个对于波长介于300至500纳米的光线的吸收率明显大于配体L1和配体Zn(Py)L1。
请参阅图4，图4为本实施例提供的发射波长示意图，Zn(Py)L1Yb(NO3)3发射的波长约为900至1100纳米，Zn(Py)L1Nd(NO3)3发射的波长约为1000至1100纳米，Zn(Py)L1Er(NO3)3发射的波长约为1400至1600纳米。
在其中一个实施例中，Zn(Py)L1Ln(NO3)3为Zn(Py)L1Yb(NO3)3。Zn(Py)L1Yb(NO3)3可以吸收背光模组发出的波长介于400纳米至500纳米之间且能量较强的蓝光，并将其转换为波长介于900纳米至1100纳米之间且能量更低的近红外光或者红外光，从而可以减少直射有源层13的强光，降低光照对薄膜晶体管的影响。
优选地，Ln为Er3+，即Zn(Py)L1Ln(NO3)3优选为Zn(Py)L1Er(NO3)3。相较于Zn(Py)L1Yb(NO3)3和Zn(Py)L1Nd(NO3)3，由于Zn(Py)L1Er(NO3)3发射光线的波长最长，Zn(Py)L1Er(NO3)3发射光线的能量也就最低，因此对有源层13的影响也最低。
进一步地，转换层14的组分还包括[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2，[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2可以吸收波长介于500纳米至600纳米之间的绿光，并将其转换为波长在700纳米以上的近红外光。
在本实施例中，转换层14由Zn(Py)L1Ln(NO3)3和[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2组成，其中Zn(Py)L1Ln(NO3)3优选为Zn(Py)L1Er(NO3)3。Zn(Py)L1Ln(NO3)3的液态摩尔消光系数为4.5×104M–1cm–1，[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的液态摩尔消光系数为5.24×103M–1cm–1。转换层14可以吸收波长介于400纳米至600纳米之间的光线，并将其转换为波长在700纳米以上的近红外光或红外光，从而可以进一步减少直射有源层13的强光，降低光照对薄膜晶体管的影响。
进一步地，显示面板包括至少一层转换层14，基底11背离有源层13的表面、遮光层12与基底11之间、遮光层12靠近有源层13的表面以及有源层13靠近遮光层12的表面中的至少一个位置设置有转换层14。
在其中一个实施例中，结合图1和图2所示，显示面板包括一层转换层14，转换层14设置于基底11背离有源层13的表面上，转换层14与基底11背离有源层13的表面直接接触。在其他一些实施例中，转换层14设置于基底11背离有源层13的表面上，转换层14与基底11背离有源层13的表面之间可以被其他膜层隔开，此处不做唯一限定。
在本实施例中，转换层14中的Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比为1:1。在实际应用中，转换层14中的Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比不仅限于上述实施例中的1:1，也可以为2:1、3:1或者3:2等，仅需要大于或等于1:1即可。如此，可以增大转换层14中的Zn(Py)L1Ln(NO3)3占比，减小能量更高的蓝光对有源层13的影响。
在本实施例中，转换层14的厚度为0.1微米，Zn(Py)L1Ln(NO3)3在蓝光波段的摩尔消光系数约为4.5×104M–1cm–1，转换层14的吸收蓝光效率约为65％，即约65％的蓝光波段将被转换其他能量较低的波段的光，而转换成近红外或者红外波段时量子产率只有约1％，因此可以降低直射有源层13的光强，从而可以减少对薄膜晶体管的影响。
在其他一些实施例中，转换层14的厚度不仅限于上述实施例中的0.1微米，也可以是但不限于0.2、0.4、0.6、0.8或者1微米等，仅需要介于0.1至1微米之间即可。
请参阅图5，图5为本实施例提供的第二种阵列基板的结构示意图，其结构与图2所示的阵列基板的结构大致相同，区别在于：转换层14设置于遮光层12与基底11之间。
具体来说，转换层14形成于基底11背离背光模组40的表面上，遮光层12形成于转换层14背离基底11的表面上。
请参阅图6，图6为本实施例提供的第三种阵列基板的结构示意图，其结构与图2所示的阵列基板的结构大致相同，区别在于：转换层14设置于遮光层12靠近有源层13的表面，转换层14与遮光层12靠近有源层13的表面直接接触，转换层14与有源层13之间被缓冲层15隔开。
请参阅图7，图7为本实施例提供的第四种阵列基板的结构示意图，其结构与图2所示的阵列基板的结构大致相同，区别在于：转换层14有源层13靠近遮光层12的表面，转换层14设置于缓冲层15背离基底11的表面上，有源层13设置于转换层14上，并且与转换层14背离基底11的表面直接接触。
请参阅图8，图8为本实施例提供的第五种阵列基板的结构示意图，其结构与图2所示的阵列基板的结构大致相同，区别在于：显示面板包括多层转换层，多层转换层分别设置于所述基底背离所述有源层的表面、所述遮光层与所述基底之间、所述遮光层靠近所述有源层的表面以及所述有源层靠近所述遮光层的表面中的至少两个位置。
以图8为例，显示面板具有4层转换层，分别为第一转换层141、第二转换层142、第三转换层143和第四转换层144，第一转换层141设置于基底11背离有源层13的表面上，第二转换层142设置于遮光层12与基底11之间，第三转换层143设置于遮光层12靠近有源层13的表面，第四转换层144设置于有源层13靠近遮光层12的表面。
第一转换层141、第二转换层142、第三转换层143和第四转换层144均由Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2组成。
在其他一些实施例中，显示面板中的转换层的数量可以根据实际需求进行设置，而不仅限于上述实施例中的4层。例如，显示面板也可以具有2层、3层或者4层以上的转换层。
在其中一个实施例中，多层转换层中的Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比相等，转换层中的Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比可以于或等于1:1。
在其中一个实施例中，多层所述转换层中的Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比由距离所述有源层最远的一层至距离所述有源层最近的一层逐渐增大。在此结构下，可以使越靠近有源层的转换层中的Zn(Py)L1Ln(NO3)3占比越高，减小能量更高的蓝光对有源层13的影响。
以图8为例，第二转换层142中Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比大于第一转换层141中Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比；第三转换层143中Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比大于第二转换层142中Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比；第四转换层144中Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比大于第三转换层143中Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[R，u(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比。
进一步地，按照距离所述有源层最远的一层至距离所述有源层最近的一层的顺序，第n层所述转换层中的Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比为(2n-1)：1，其中n大于或等于1。
以图8为例，显示面板具有4层转换层，当n＝1，第一转换层141中的Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比为1:1；当n＝2，第二转换层142中的Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比为3:1；当n＝3，第三转换层143中的Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比为5:1；当n＝4，第四转换层144中的Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比为7:1。
依据本申请上述实施例提供的一种电子装置，本申请的实施例还提供了一种电子装置，所述电子装置包括如上述实施例所提供的显示面板。所述电子装置可以是但不限于手机、笔记本电脑、台式电脑、电视、虚拟现实显示设备或者抬头显示设备等。
本申请实施例的有益效果：本申请的实施例提供了一种显示面板及电子装置，所述显示面板包括基底、遮光层、有源层和转换层，遮光层设置于基底上，有源层设置于遮光层上，并且与遮光层正对设置，转换层设置于有源层的靠近基底的一侧，并且与有源层正对设置，通过在有源层的靠近基底的一侧设置转换层，转换层吸收波长介于400纳米至600纳米的光线，利用转换层吸收光照中能量较高的蓝光和绿光，并转换为能量较低的光，从而可以减少直射有源层的强光，降低光照对薄膜晶体管的影响。
综上所述，虽然本申请以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为基准。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
基底；
有源层，设置于所述基底的一侧；
遮光层，设置于所述基底与所述有源层之间，与所述有源层相对设置，且所述遮光层在所述基底上的正投影至少覆盖所述有源层在所述基底上的正投影；以及
转换层，设置于所述有源层靠近所述基底的一侧，所述转换层与所述有源层相对设置，且所述转换层在所述基底上的正投影至少覆盖所述有源层在所述基底上的正投影；
其中，所述转换层吸收波长介于400纳米至600纳米之间的光线。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述转换层的组分包括Zn(Py)L1Ln(NO3)3，Py为吡啶，L1为席夫碱配体，Ln为镧系金属离子。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，L1为邻香兰素缩2,3-二氨基萘配体。
4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，Ln为Yb3+、Nd2+或者Er3+。
5.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述转换层的组分还包括[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括至少一层所述转换层，所述基底背离所述有源层的表面、所述遮光层与所述基底之间、所述遮光层靠近所述有源层的表面以及所述有源层靠近所述遮光层的表面中的至少一个位置设置有所述转换层。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多层所述转换层，所述转换层的组分包括Zn(Py)L1Ln(NO3)3和[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2；
其中，多层所述转换层中的Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比由距离所述有源层最远的一层至距离所述有源层最近的一层逐渐增大。
8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，按照距离所述有源层最远的一层至距离所述有源层最近的一层的顺序，第n层所述转换层中的Zn(Py)L1Ln(NO3)3与[Ru(cpmp)(ddpd)][PF6]2的摩尔比为(2n-1)：1，其中n大于或等于1。
9.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述转换层的厚度大于或等于0.1微米且小于或等于1微米。
10.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1至9中任意一项所述的显示面板。
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