CN117479616A - 显示面板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 242
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 claims description 18
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 18
- 230000009194 climbing Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 16
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 16
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 14
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 silicon nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
- G09F9/335—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes being organic light emitting diodes [OLED]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请提供了一种显示面板，该显示面板包括主体区和设置于主体区外围的抗裂纹区，显示面板还包括衬底、设置与衬底上的无机层以及设置于无机层上的抗裂纹堤坝，无机层上形成有至少一条抗裂纹沟槽，抗裂纹沟槽设置于抗裂纹区，抗裂纹沟槽围绕主体区设置，通过将抗裂纹堤坝设置于抗裂纹沟槽靠近主体区的一侧，抗裂纹堤坝围绕主体区设置，抗裂纹堤坝至少包括延展性大于无机层的应力释放层，以此利用抗裂纹堤坝将抗裂纹沟槽与主体区隔开，并增加无机层在抗裂纹堤坝处的高度，利用应力释放层将显示面板边缘处切割时产生的应力在爬坡抗裂纹堤坝的过程中逐渐释放，从而可以避免抗裂纹沟槽处的裂纹向显示面板的主体区延伸。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。
背景技术
近年来，随着智能终端设备和可穿戴设备的技术发展，对于平板显示的需求越来越多样化。诸如有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板，具有自发光特性，相比液晶显示屏省去了背光模组而显得更节能。目前显示面板的制造均是在母板上进行整体工艺制作后再切割分离，进一步完成后段模组工艺，以柔性显示面板为例，在母板上形成多个柔性显示面板，之后切割母板形成独立的柔性显示面板，然后根据实际产品的外形需求，通过激光切割的方式依照需求外形对独立的柔性显示面板进行二次切割。
为减弱显示面板因进行二切切割时在切割边缘产生的裂纹，在显示面板内侧距离切割道一定距离的位置设置了抗裂纹的沟槽，但仍然存在裂纹向内延伸的现象。
故，有必要提供一种显示面板来改善这一缺陷。
发明内容
本申请的实施例提供了一种显示面板，通过改变抗裂纹沟槽处的膜层结构，可以避免抗裂纹沟槽处的裂纹向内延伸。
本申请的实施例提供了一种显示面板，包括主体区和设置于所述主体区外围的抗裂纹区，所述显示面板还包括：
衬底；
无机层，设置于所述衬底上，所述无机层上形成有至少一条抗裂纹沟槽，所述抗裂纹沟槽设置于所述抗裂纹区，所述抗裂纹沟槽围绕所述主体区设置；以及，
抗裂纹堤坝，设置于所述无机层上且位于至少部分所述抗裂纹沟槽与所述主体区之间，所述抗裂纹堤坝围绕所述主体区设置，所述抗裂纹堤坝至少包括延展性大于所述无机层的延展性的应力释放层。
根据本申请一实施例，所述应力释放层的材料为金属，所述无机层的材料为无机非金属材料。
根据本申请一实施例，所述应力释放层具有至少两层叠设的金属膜层，相邻两层所述金属膜层的材料不同。
根据本申请一实施例，所述显示面板还包括栅极金属层和源漏电极金属层，所述栅极金属层包括栅极，所述源漏电极金属层包括源极和漏极；
其中，所述应力释放层与所述栅极金属层和所述源漏电极金属层中的一个同层设置且材料相同。
根据本申请一实施例，所述无机层上形成有至少两条所述抗裂纹沟槽，所述抗裂纹堤坝包括间隔设置的第一抗裂纹堤坝和第二抗裂纹堤坝，所述第一抗裂纹堤坝设置于所述抗裂纹沟槽靠近所述主体区一侧的所述无机层上，所述第二抗裂纹堤坝设置于相邻两条所述抗裂纹沟槽之间。
根据本申请一实施例，所述第一抗裂纹堤坝为所述应力释放层，所述应力释放层设置于所述无机层背离所述衬底的表面上。
根据本申请一实施例，所述第二抗裂纹堤坝包括无机堤坝和所述应力释放层，所述应力释放层设置于所述无机堤坝背离所述衬底的表面上，所述应力释放层的延展性大于所述无机堤坝的延展性。
根据本申请一实施例，所述抗裂纹沟槽的槽底为所述无机层中靠近所述衬底的部分材料层。
根据本申请一实施例，所述抗裂纹沟槽贯穿所述无机层，所述抗裂纹沟槽的槽底为所述衬底。
根据本申请一实施例，所述显示面板还包括有机层，所述有机层填充所述抗裂纹沟槽并且覆盖所述抗裂纹堤坝。
本申请实施例的有益效果：本申请提供了一种显示面板，显示面板包括主体区和设置于主体区外围的抗裂纹区，显示面板还包括衬底、设置与衬底上的无机层以及设置于无机层上的抗裂纹堤坝，无机层上形成有至少一条抗裂纹沟槽，抗裂纹沟槽设置于抗裂纹区，抗裂纹沟槽围绕主体区设置，通过将抗裂纹堤坝设置于抗裂纹沟槽靠近主体区的一侧，抗裂纹堤坝围绕主体区设置，抗裂纹堤坝至少包括延展性大于无机层的应力释放层，以此利用抗裂纹堤坝将抗裂纹沟槽与主体区隔开，并增加无机层在抗裂纹堤坝处的高度，利用应力释放层将显示面板边缘处切割时产生的应力在爬坡抗裂纹堤坝的过程中逐渐释放，从而可以避免抗裂纹沟槽处的裂纹向显示面板的主体区延伸。
附图说明
图1为本申请的实施例提供的第一种显示面板的平面结构示意图；
图2为图1所示的显示面板沿A-A’方向的剖面图；
图3为本申请的实施例提供的第二种显示面板的平面结构示意图；
图4为图3所示的显示面板沿B-B’方向的剖面图；
图5为本申请的实施例提供的第三种显示面板沿图3所示的B-B’方向的剖面图；
图6为图3所示的显示面板沿C-C’方向的剖面图；
图7为本申请的实施例提供的第四种显示面板的剖面图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
下面结合附图和具体实施例对本申请做进一步的说明。
本申请的实施例提供了一种显示面板，通过改变抗裂纹沟槽处的膜层结构，可以避免抗裂纹沟槽处的裂纹向内延伸。
结合图1所示，图1为本申请的实施例提供的第一种显示面板的平面结构示意图，显示面板包括主体区A1和设置于主体区A1外围的抗裂纹区A2，主体区A1为主要用于实现图像显示功能的区域，实现图像画面显示功能所需的发光器件、电路结构等均设置于主体区A1，抗裂纹区A2内并未设置有电路结构，抗裂纹区A2在本申请的实施例中主要起到防止裂纹延伸至主体区A1的作用。
具体来说，主体区A1可以包括位于显示面板中间的显示区和围绕显示区设置的非显示区，显示区内可以设置有多个呈阵列分布的发光器件以及用于控制并驱动发光器件进行发光的像素驱动电路以及相关的信号走线，显示区左右两侧的非显示区可以用于设置栅极驱动电路以及相关的信号走线，显示区下方的非显示区可以用于放置扇出走线以及用于绑定连接集成电路芯片或者电路板。
结合图2所示，图2为图1所示的显示面板沿A-A’方向的剖面图，图2仅示意出了显示面板的抗裂纹区A2以及主体区A1靠近抗裂纹区A的部分膜层结构，显示面板包括衬底10和设置于衬底10上的无机层11。
在本申请的实施例中，衬底10可以为单层结构或者多层结构。衬底10为单层结构时，衬底10的材料可以是有机材料，有机材料可以是但不限于聚酰亚胺。衬底10为多层结构时，衬底10是有机材料和无机材料相互叠加形成的多层结构。例如，衬底10可以为第一有机衬底、无机衬底和第二有机衬底依次叠加形成的三层结构，无机衬底设置于第一有机衬底和第二有机衬底之间，第一有机衬底和第二有机衬底的材料均为聚酰亚胺，无机衬底的材料可以为但不限于氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。
在实际应用中，衬底10的膜层数量不仅限于上述实施例中的1层或者3层，也可以是由2层或者3层以上有机材料和/或无机材料叠加形成多层结构，此处不做限制。
在本申请的实施例中，无机层11可以为单层结构或者多层结构。例如，无机层11为多层结构，无机层11可以包括但不限于层叠设置于衬底10上的阻挡层111、第一无机绝缘层112和第二无机绝缘层113。阻挡层111、第一无机绝缘层112和第二无机绝缘层113的材料均可以为但不限于氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等中的任意一种或者多种的组合，此处不做限定。
进一步地，无机层上形成有至少一条抗裂纹沟槽，抗裂纹沟槽设置于抗裂纹区，抗裂纹区围绕主体区设置。
在其中一个实施例中，结合图1和图2所示，无机层11上形成有一条抗裂纹沟槽111，抗裂纹沟槽111由无机层11远离衬底10的表面朝向衬底10的方向凹陷形成。抗裂纹沟槽111设置于抗裂纹区A2，抗裂纹沟槽111包围主体区A1的左右两侧边缘以及上端边缘，并且沿主体区A1的左右两侧边缘以及上端边缘连续设置，抗裂纹沟槽111并未包围主体区A1的下端边缘，主体区A1的下端部分可以视为显示面板的绑定区，绑定区不需要进行二切切割。
需要说明的是，抗裂纹区A2远离主体区A1一侧的部分可以视为切割区A3，切割区A3内设置有切割道沟槽(图中未示出)。在进行二切切割时，可以沿切割道沟槽对显示面板进行切割形成如图2所示的显示面板。
在本申请的实施例中，通过在主体区A1外围设置抗裂纹沟槽111，将抗裂纹区A2内的无机层11挖除，以此避免切割过程中主体区A1以外的无机层11中产生的裂纹延伸至主体区A1。
如图2所示，抗裂纹沟槽111的槽底为无机层11中靠近衬底10的部分材料层，即抗裂纹沟槽111的槽底位于无机层11内，抗裂纹沟槽111并未贯穿无机层11的全部膜层，抗裂纹沟槽111的底部仍保留有部分无机层，抗裂纹沟槽111底部保留的部分无机层可以属于阻挡层111，也可以属于阻挡层111和第一无机绝缘层112以及第二无机绝缘层113中的至少两个。在切割过程中，抗裂纹沟槽111底部残留的无机层使得显示面板边缘在切割时容易产生裂纹并向主体区A1延伸。
显示面板还包括抗裂纹堤坝12，抗裂纹堤坝12设置于无机层11上且位于至少部分抗裂纹沟槽111与主体区A1之间。抗裂纹堤坝12位于抗裂纹区A2内，抗裂纹堤坝12围绕主体区A1设置，抗裂纹堤坝12至少包括延展性大于无机层11的延展性的应力释放层120。
需要说明的是，抗裂纹堤坝12设置于无机层11上，指的是抗裂纹堤坝12位于无机层11远离衬底10的一侧，并且与无机层11远离衬底10的表面直接接触。通过在抗裂纹区A2内的无机层11上设置抗裂纹堤坝12，可以增加抗裂纹沟槽111靠近主体区A1一侧的无机层11的高度，使得切割过程中产生的应力传播到抗裂纹堤坝12时，在爬坡抗裂纹堤坝12的过程中可以被延展性较好的应力释放层120吸收并逐渐释放，如此可以避免切割过程中产生的应力传导至主体区A1的无机层11造成主体区A1内的无机层11产生裂纹。
在一具体实施例中，无机层11上形成有一条抗裂纹沟槽111，抗裂纹沟槽111靠近主体区A1一侧的无机层11上形成有一个抗裂纹堤坝12，抗裂纹堤坝12仅具有延展性大于无机层11的延展性的应力释放层120，应力释放层120即为抗裂纹堤坝12，应力释放层120设置于无机层11背离衬底10的表面上。
在其他一些实施例中，抗裂纹沟槽111靠近主体区A1一侧的无机层11上的抗裂纹堤坝12的数量不仅限于上述实施例中的1个，也可以为2个及以上，2个及以上的抗裂纹堤坝12可以逐层围绕主体区A1设置。
在一些实施例中，无机层11上形成有至少两条抗裂纹沟槽，抗裂纹堤坝12包括间隔设置的第一抗裂纹堤坝12a和第二抗裂纹堤坝12b，第一抗裂纹堤坝12a设置于抗裂纹沟槽111靠近主体区A1一侧的无机层11上，第二抗裂纹堤坝12b设置于相邻两条抗裂纹沟槽111之间。
在一具体实施例中，结合图3和图4所示，图3为本申请的实施例提供的第二种显示面板的平面结构示意图，图4为图3所示的显示面板沿B-B’方向的剖面图，无机层11上形成有两条抗裂纹沟槽111，两条抗裂纹沟槽111均设置于抗裂纹区A2，且逐层围绕主体区A1。两条抗裂纹沟槽111靠近主体区A1一侧的无机层11上设置有第一抗裂纹堤坝12a，两条抗裂纹沟槽111之间设置有第二抗裂纹堤坝12b。
第一无机堤坝12a为应力释放层120，即第一无机堤坝12a由应力释放层120形成，第二无机堤坝12b包括应力释放层120和无机堤坝121，应力释放层120设置于无机堤坝121背离衬底10的表面上，应力释放层120的延展性大于无机堤坝121的延展性。无机堤坝121的膜层结构与无机层11的膜层结构相同，无机堤坝121可以看作是由无机层11蚀刻形成抗裂纹沟槽111时所形成的与无机层11的主体分隔开的部分。第二抗裂纹堤坝12b可以阻止距离主体区A1较远的抗裂纹沟槽111处产生的裂纹向第二抗裂纹堤坝12b靠近主体区A1一侧传导，无机层11上的第一抗裂纹堤坝12a可以进一步阻止抗裂纹区A2产生的裂纹向主体区A1传导。
相较于图1和图2所示的实施例，图4所示的实施例通过设置2条抗裂纹沟槽111，在抗裂纹沟槽111靠近主体区A1一侧的无机层11上设置第一抗裂纹堤坝12a，并在相邻两条抗裂纹沟槽111之间设置第二抗裂纹堤坝12b，可以进一步降低裂纹向主体区A1延伸的概率。
在实际应用中，无机层11和无机堤坝121上的应力释放层120的数量不仅限于上述实施例中的1个，无机层11和无机堤坝121上均可以设置2个及以上的相互间隔设置的应力释放层120，此处不做唯一限定。
在其中一个实施例中，请参阅图5，图5为本申请的实施例提供的第三种显示面板沿图3所示的B-B’方向的剖面图，其结构与图4所示的显示面板的结构大致相同，区别在于：第二抗裂纹堤坝12b为应力释放层120，即第二抗裂纹堤坝12b仅由应力释放层120形成，第二抗裂纹堤坝12b不具有无机堤坝121，应力释放层120设置于无机层11中靠近衬底的部分材料层的表面上。在此结构下，应力释放层120同样也可以将显示面板边缘处切割时产生的应力吸收并逐渐释放，降低裂纹向主体区A1延伸扩散的风险。
在本申请的实施例中，应力释放层120的材料的延展性大于无机层11的材料的延展性。切割过程中产生的应力传导至抗裂纹堤坝12时，应力释放层120在应力的作用下发生形变且不会产生裂纹，并将应力吸收，从而可以阻止应力进一步延伸至主体区A1。
在一些实施例中，应力释放层120的材料为金属，无机层11的材料为无机非金属材料。相较于无机非金属材料，金属材料具有延展性好、机械强度大的优良的物理性质，可以抵抗并吸收切割显示面板边缘过程中产生的应力，从而可以改善显示面板出现裂纹的现象。
在一具体实施例中，应力释放层120可以为单层金属结构。应力释放层120的材料可以是但不限于钛、铝、铜、钼等金属材料。
在一些实施例中，应力释放层120具有至少两层叠设的金属膜层，相邻两层金属膜层的材料不同。
在一具体实施例中，应力释放层120由依次层叠设置的第一金属膜层、第二金属膜层和第三金属膜层(图中未示出)组成，第二金属膜层设置于第一金属膜层与第三金属膜层之间，第一金属膜层和第三金属膜层的材料为钛，第二金属膜层的材料为铝。钛/铝/钛所形成的金属叠层结构具有良好的延展性和机械强度，可以抵抗并吸收切割显示面板边缘过程中产生的应力，从而可以改善显示面板出现裂纹的现象。此外，钛/铝/钛所形成的金属叠层结构的单位方阻较小，如此可以减小应力释放层120的阻抗。
在其他一些实施例中，应力释放层120中的金属膜层数量不仅限于上述实施例中的三层，应力释放层120也可以由2层或者3层以上的金属膜层构成。
如图6所示，图6为图3所示的显示面板沿C-C’方向的剖面图，其与图4的结构大致相同，区别在于，图6还示意出了主体区A1中显示区的膜层结构，显示面板还可以包括有源层13、栅极金属层14、源漏电极金属层15，有源层13设置于阻挡层111上，栅极金属层14设置于第一无机绝缘层112上，源漏电极金属层15设置于第二无机绝缘层113上。栅极金属层14包括栅极141和多条用于传递栅极控制信号的扫描线，源漏电极金属层15可以包括源极151、漏极152和多条用于传递显示信号的数据线。
显示面板还可以包括层叠设置于源漏电极金属层15上的第一有机层16、像素定义层17、阳极18、发光层19、阴极20、封装层21、第二有机层22和触控层23。
在其中一个实施例中，封装层21的靠近抗裂纹区A2的边缘设置于抗裂纹堤坝12靠近主体区A1的一侧。
如图6所示，封装层21为薄膜封装结构，封装层21具体可以包括第一无机封装层211、有机封装层212和第二无机封装层213，第一无机封装层211、有机封装层212和第二无机封装层213均设置于主体区A1，第一无机封装层211和第二无机封装层213的靠近抗裂纹区A2的边缘均设置于抗裂纹堤坝12靠近主体区A2的一侧，如此可以避免显示面板的边缘在切割时产生的应力使第一无机封装层211和第二无机封装层213产生裂纹导致封装层21失效。
触控层23可以包括第一触控绝缘层231、至少一层触控金属层232和第二触控绝缘层233，触控金属层232设置于第一触控绝缘层231与第二触控绝缘层233。触控金属层232中可以具有多个触控电极和触控信号走线。在本申请的实施例中，显示面板的触控类型可以是自容式触控结构或者互容式触控结构，此处不做唯一限定。第一有机层16、第二有机层22、第一触控绝缘层231以及第二触控绝缘层233均可以分布于主体区A1和抗裂纹区A2。
需要说明的是，图6仅对显示面板的主体区A1和抗裂纹区A2的部分膜层结构进行示意，并不代表实际应用中显示面板的膜层结构。显示面板中的源漏电极金属层和栅极金属层的数量不仅限于上述实施例中的一层，显示面板也可以具有2层栅极金属层和/或2层源漏电极金属层，此处不做限定。
在其中一个实施例中，应力释放层120与源漏电极金属层15同层设置。如图3所示，应力释放层120设置于第二无机绝缘层113背离衬底10的表面上，源漏电极金属层15设置于第二无机绝缘层113背离衬底10的表面上。应力释放层120的膜层结构以及材料与源漏电极金属层15的膜层结构和材料均相同。在实际制备过程中，可以采用源漏电极金属层的金属成膜工艺同时在第二无机绝缘层113背离衬底10的表面制备形成源漏电极金属层15和应力释放层120如此可以在不增加制程步骤的前提下，增设应力释放层120，实现阻止切割显示面板产生的裂纹向主体区A1内延伸的效果。
在其中一个实施例中，应力释放层120与栅极金属层同层设置(图中未示出)。具体来说，源漏电极金属层15设置于第一无机绝缘层112背离衬底10的表面上，应力释放层120设置于第一无机绝缘层112背离衬底10的表面上，应力释放层120上方可以不设置第二无机绝缘层113。
进一步地，显示面板还包括有机层，有机层填充抗裂纹沟槽并且覆盖抗裂纹堤坝。
如图1所示，在抗裂纹区A2，有机层24的厚度大于抗裂纹沟槽112的深度与抗裂纹堤坝12的厚度之和，有机层24填充抗裂纹沟槽112并且覆盖抗裂纹堤坝12。有机层24的材料为聚酰亚胺，聚酰亚胺具有优良的机械性能，抗张强度大且弹性模量高，在受到显示面板切割过程中的边缘应力时产生的形变较小，因此不易开裂，从而可以改善显示面板切割时产生裂纹的现象。
在其中一个实施例中，有机层24与第一有机层16同层设置，有机层24和第一有机层16的材料相同，可以通过第一有机层16的制程同步形成有机层24，如此可以避免增设有机层24导致显示面板的制程步骤增加。
请参阅图7，图7为本申请的实施例提供的第四种显示面板的剖面图，其结构与图1所示的大致相同，区别在于：图7所示的实施例中的抗裂纹沟槽111贯穿无机层11，抗裂纹沟槽111的槽底为衬底10，即抗裂纹沟槽111可以裸露出衬底10。通过使抗裂纹沟槽111贯穿抗裂纹区A2内的无机层11，并使用有机层24将抗裂纹沟槽111填充并且覆盖抗裂纹堤坝12，可以改善显示面板切割时产生裂纹的现象。
本申请实施例的有益效果：本申请的实施例提供了一种显示面板，显示面板包括主体区和设置于主体区外围的抗裂纹区，显示面板还包括衬底、设置与衬底上的无机层以及设置于无机层上的抗裂纹堤坝，无机层上形成有至少一条抗裂纹沟槽，抗裂纹沟槽设置于抗裂纹区，抗裂纹沟槽围绕主体区，通过将抗裂纹堤坝设置于抗裂纹沟槽靠近主体区的一侧，抗裂纹堤坝围绕主体区，以此利用抗裂纹堤坝将抗裂纹沟槽与主体区隔开，并增加无机层在抗裂纹堤坝处的高度，使得显示面板边缘处切割时产生的应力在爬坡抗裂纹堤坝的过程中可以被逐渐释放，从而可以避免抗裂纹沟槽处的裂纹向显示面板的主体区延伸。
综上所述，虽然本申请以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为基准。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括主体区和设置于所述主体区外围的抗裂纹区，所述显示面板还包括：
衬底；
无机层，设置于所述衬底上，所述无机层上形成有至少一条抗裂纹沟槽，所述抗裂纹沟槽设置于所述抗裂纹区，所述抗裂纹沟槽围绕所述主体区设置；以及，
抗裂纹堤坝，设置于所述无机层上且位于至少部分所述抗裂纹沟槽与所述主体区之间，所述抗裂纹堤坝围绕所述主体区设置，所述抗裂纹堤坝至少包括延展性大于所述无机层的延展性的应力释放层。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述应力释放层的材料为金属，所述无机层的材料为无机非金属材料。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述应力释放层具有至少两层叠设的金属膜层，相邻两层所述金属膜层的材料不同。
4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括栅极金属层和源漏电极金属层，所述栅极金属层包括栅极，所述源漏电极金属层包括源极和漏极；
其中，所述应力释放层与所述栅极金属层和所述源漏电极金属层中的一个同层设置且材料相同。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述无机层上形成有至少两条所述抗裂纹沟槽，所述抗裂纹堤坝包括间隔设置的第一抗裂纹堤坝和第二抗裂纹堤坝，所述第一抗裂纹堤坝设置于所述抗裂纹沟槽靠近所述主体区一侧的所述无机层上，所述第二抗裂纹堤坝设置于相邻两条所述抗裂纹沟槽之间。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一抗裂纹堤坝为所述应力释放层，所述应力释放层设置于所述无机层背离所述衬底的表面上。
7.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二抗裂纹堤坝包括无机堤坝和所述应力释放层，所述应力释放层设置于所述无机堤坝背离所述衬底的表面上，所述应力释放层的延展性大于所述无机堤坝的延展性。
8.如权利要求1至7中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述抗裂纹沟槽的槽底为所述无机层中靠近所述衬底的部分材料层。
9.如权利要求1至7中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述抗裂纹沟槽贯穿所述无机层，所述抗裂纹沟槽的槽底为所述衬底。
10.如权利要求1至7中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括有机层，所述有机层填充所述抗裂纹沟槽并且覆盖所述抗裂纹堤坝。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310816161.7A CN117479616A (zh) | 2023-07-04 | 2023-07-04 | 显示面板 |
| PCT/CN2023/133996 WO2025007479A1 (zh) | 2023-07-04 | 2023-11-24 | 显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310816161.7A CN117479616A (zh) | 2023-07-04 | 2023-07-04 | 显示面板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117479616A true CN117479616A (zh) | 2024-01-30 |
Family
ID=89622737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310816161.7A Pending CN117479616A (zh) | 2023-07-04 | 2023-07-04 | 显示面板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117479616A (zh) |
| WO (1) | WO2025007479A1 (zh) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101965260B1 (ko) * | 2012-10-09 | 2019-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치용 어레이 기판 |
| CN107068715B (zh) * | 2017-03-28 | 2019-12-20 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板、有机发光显示装置以及有机发光显示面板的制备方法 |
| CN106992263B (zh) * | 2017-04-01 | 2019-08-13 | 上海天马微电子有限公司 | 一种柔性显示面板 |
| CN109616506A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-04-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 全屏显示面板及其制作方法 |
| CN111768703A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-10-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN115715106A (zh) * | 2021-08-20 | 2023-02-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
-
2023
- 2023-07-04 CN CN202310816161.7A patent/CN117479616A/zh active Pending
- 2023-11-24 WO PCT/CN2023/133996 patent/WO2025007479A1/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2025007479A1 (zh) | 2025-01-09 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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