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CN117467443A - 蚀刻液组合物及显示面板 - Google Patents

蚀刻液组合物及显示面板 Download PDF

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CN117467443A
CN117467443A CN202211740374.8A CN202211740374A CN117467443A CN 117467443 A CN117467443 A CN 117467443A CN 202211740374 A CN202211740374 A CN 202211740374A CN 117467443 A CN117467443 A CN 117467443A
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CN
China
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etching
mass fraction
compounds
ammonium
etching solution
Prior art date
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Application number
CN202211740374.8A
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English (en)
Inventor
李恩庆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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Publication date
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    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
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Abstract

本申请实施例公开了一种蚀刻液组合物及显示面板，该蚀刻液组合物包括氧化剂、损伤抑制剂、蚀刻调节剂、蚀刻辅助剂，其中，在蚀刻液组合物中，氧化剂的质量分数为8％至25％，损伤抑制剂的质量分数为0.01％至1％，蚀刻调节剂的质量分数为0.1％至5％，蚀刻辅助剂的质量分数为0.005％至0.05％，本申请提供的蚀刻液组合物，通过氧化剂、损伤抑制剂、蚀刻调节剂、蚀刻辅助剂的加入，使蚀刻液组合物性质稳定的同时，提高了蚀刻液组合物的蚀刻性能，从而提高了蚀刻良率。

Description

蚀刻液组合物及显示面板
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种蚀刻液组合物及显示面板。
背景技术
液晶显示装置(liquid crystal display device,LCD device)具有根据出色的分辨率提供清晰影像、低耗电、使显示屏面板薄化的特性，在平板显示装置中最受关注。作为驱动这种液晶显示装置的电子回路，最具代表性的是薄膜晶体管(thin filmtransistor,TFT)电路，由典型的薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)器件构成了显示画面的像素。在TFT-LCD器件中，作为开关器件作用的TFT是在以矩阵形态排列的TFT用基板和与其基板相对的彩色过滤膜基板之间填充液晶而制作成的。TFT-LCD整体制造工艺大致分为TFT基板制造工艺、彩色过滤膜工艺、cell工艺和模组工艺，为了显示精准而清晰的影像，TFT基板和彩色过滤膜制造工艺尤其重要。
TFT-LCD装置的像素显示电极制造需要具有透明光学特性，并且导电性强的物质薄膜，目前以氧化铟(Indium Oxide)为基础的氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)和氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)作为透明导电膜的材料而使用。要想在像素显示的电极上体现出所希望的电路线路，就需要按照电路纹路将薄膜层蚀刻(Etching)。
目前，由于铟类氧化物的强耐化学性，常用王水(aqua regia,HCl+CH3COOH+HNO3)、氯化铁(III)的盐酸溶液(FeCl3/HCl)、磷酸(H3PO4)或氢溴酸(HBr)作为透明导电膜的湿式蚀刻液，若使用王水系蚀刻液或盐酸二价铁的盐酸溶液来蚀刻ITO膜，虽然价格低廉，但线路的侧面更容易被蚀刻，会导致形貌不良，且作为主要成分的盐酸或硝酸易挥发，随着时间的流逝，蚀刻液组成物的变化幅度较大。另外，磷酸具有铝腐蚀和高粘性、高单价的问题；氢溴酸具有高单价和剧毒性的问题。也有利用蓚酸(Oxalic Acid)蚀刻非晶体ITO(amorphousIndium Tin Oxide)的情况，但这种情况下，ITO膜周围容易发生残留，而且在低温时蓚酸的溶解度较低，会有存在析出物，可能会导致蚀刻设备出现故障。
因此，亟需一种蚀刻液组合物及显示面板以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供一种蚀刻液组合物及显示面板，可以缓解目前蚀刻液组合物的蚀刻良率不佳的问题。
本申请提供一种蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物包括氧化剂、损伤抑制剂、蚀刻调节剂、蚀刻辅助剂；
其中，在所述蚀刻液组合物中，所述氧化剂的质量分数为8％至25％，所述损伤抑制剂的质量分数为0.01％至1％，所述蚀刻调节剂的质量分数为0.1％至5％，所述蚀刻辅助剂的质量分数为0.005％至0.05％。
优选的，所述氧化剂包括主氧化剂以及辅助氧化剂，所述主氧化剂选自硫酸，所述辅助氧化剂选自硝酸。
优选的，在所述蚀刻液组合物中，所述主氧化剂的质量分数为5％至15％，所述辅助氧化剂的质量分数为3％至10％。
优选的，在所述蚀刻液组合物中，所述主氧化剂的质量分数为7％至9％，所述辅助氧化剂的质量分数为4％至7％。
优选的，所述损伤抑制剂选自环状铵化合物、吡咯系化合物、咪唑系化合物、三唑系化合物、四唑系化合物、五唑系化合物、噁唑系化合物、异唑系化合物、噻唑系化合物、异噻唑系化合物中的至少一种。
优选的，所述蚀刻调节剂选自硝酸铵、乙酸铵、柠檬酸铵、硫酸铵、磷酸氢二铵、氯化铵中的至少一种。
优选的，所述蚀刻辅助剂选自氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢钾、氟化氢钠、氟化氢钾中的至少一种。
优选的，所述蚀刻液组合物还包括去离子水，所述去离子水的电阻率大于或等于18MΩ·cm。
本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括图案化层，且所述图案化层采用如前所述的蚀刻液组合物制得。
优选的，所述图案化层的材料包括铟类氧化物。
本申请提供的蚀刻液组合物，通过氧化剂、损伤抑制剂、蚀刻调节剂、蚀刻辅助剂的加入，使蚀刻液组合物性质稳定的同时，提高了蚀刻液组合物的蚀刻性能，从而提高了蚀刻良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的蚀刻液组合物的第一种蚀刻结果形貌图；
图2是本申请实施例提供的蚀刻液组合物的第二种蚀刻结果形貌图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
目前，蚀刻液组合物存在蚀刻形貌不良、腐蚀性、剧毒性、易残留等性能缺陷，导致蚀刻良率不佳的技术问题。
本申请实施例提供一种蚀刻液组合物，包括氧化剂、损伤抑制剂、蚀刻调节剂、蚀刻辅助剂；
其中，在所述蚀刻液组合物中，所述氧化剂的质量分数为8％至25％，所述损伤抑制剂的质量分数为0.01％至1％，所述蚀刻调节剂的质量分数为0.1％至5％，所述蚀刻辅助剂的质量分数为0.005％至0.05％，余量为所述去离子水。
本申请实施例提供的蚀刻液组合物，通过氧化剂、损伤抑制剂、蚀刻调节剂、蚀刻辅助剂的加入，使蚀刻液组合物性质稳定的同时，提高了蚀刻液组合物的蚀刻性能，从而提高了蚀刻良率。
在一些实施例中，所述氧化剂包括主氧化剂以及辅助氧化剂，所述主氧化剂选自硫酸，所述辅助氧化剂选自硝酸。利用硫酸作为主氧化剂，起到蚀刻导电薄膜，如ITO的作用，硝酸作为辅助氧化剂，具有优秀的蚀刻性能，可减少对如光刻胶等光反应物质的冲击，避免残留物的发生。
优选的，硫酸的纯度可以为半导体工艺用的纯度。
在一些实施例中，在所述蚀刻液组合物中，所述主氧化剂的质量分数为5％至15％，所述辅助氧化剂的质量分数为3％至10％。在采用本发明实施例提供的蚀刻液组合物进行导电膜的蚀刻时，考虑到蚀刻液组合物对导电薄膜的蚀刻速度、对邻近金属以及光刻胶的化学冲击，根据验证分析得到，当所述主氧化剂为硫酸时，所述主氧化剂的质量分数不足5％时，可能会降低蚀刻速度；而当所述主氧化剂的质量分数超过12％时，可能会对光刻胶及/或邻近金属产生化学冲击。当所述主氧化剂的质量分数不足3％时，可能会降低导电薄膜的蚀刻速度；当所述主氧化剂的质量分数超过10％时，可能会对钼和铜等邻近金属产生化学冲击。优选的，在所述蚀刻液组合物中，所述主氧化剂的质量分数为7％至9％，可以在保持蚀刻速度的同时，避免对钼和铜等邻近金属产生化学冲击。当所述辅助氧化剂为硝酸时，硝酸的质量分数不足2％时，可能降低导电薄膜的蚀刻速度；当硝酸的质量分数超过10％时，则可能对钼和铜等邻近金属产生化学冲击。优选的，所述辅助氧化剂的质量分数为4％至7％，可以在保持蚀刻速度的同时，避免对钼和铜等邻近金属产生化学冲击。
在一些实施例中，当所述损伤抑制剂的质量分数不足0.01％时，对导电薄膜的下层膜的损伤控制效果不明显；当所述损伤抑制剂的质量分数大于1.0％时，会妨碍导电薄膜的蚀刻，降低蚀刻速度。
所述损伤抑制剂选自环状铵化合物、吡咯系化合物、咪唑系化合物、三唑系化合物、四唑系化合物、五唑系化合物、噁唑系化合物、异唑系化合物、噻唑系化合物、异噻唑系化合物中的至少一种。优选的，所述损伤抑制剂选自三唑系化合物、四唑系化合物中的至少一种；更优选的，所述损伤抑制剂选自甲基苯并三氮唑钠盐和5-甲基四唑和氨基四唑中的至少一种；进一步优选的，所述损伤抑制剂选自甲基苯并三氮唑钠盐。
在一些实施例中，所述蚀刻调节剂的质量分数不足0.1％时，无法获得电解质效果，可导致蚀刻量增加、直进度和残特性变差；当蚀刻调整剂的质量分数超过5％而造成所述蚀刻调节剂的过度使用时，蚀刻液的成本会上升。
所述蚀刻调节剂选自含铵离子的化合物；优选的，所述蚀刻调节剂选自硝酸铵、乙酸铵、柠檬酸铵、硫酸铵、磷酸氢二铵、氯化铵中的至少一种；更优选的，所述蚀刻调节剂选自乙酸铵、硫酸铵中的至少一种。
在一些实施例中，所述蚀刻辅助剂起到对局部结晶化深度化的导电薄膜(如：ITO)的蚀刻补助作用，有利于减少导电薄膜在待蚀刻区域的残留。所述蚀刻辅助剂的质量分数不足0.005％时，蚀刻补助作用不明显，当所述蚀刻辅助剂的质量分数大于0.05％时，则可能对其他结构(如：玻璃衬底)造成损伤。
所述蚀刻辅助剂选自氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢钾、氟化氢钠、氟化氢钾中的至少一种。
在一些实施例中，所述蚀刻液组合物还包括除残剂，所述除残剂包括标准还原电位(standard reduction potential)低于-1.5V的阳离子如Mg2+、Na+、K+、Li+的硫酸盐、硝酸盐或柠檬酸盐。具体的，所述除残剂可以选自LiSO4、LiNO3、MgSO4或MgNO3中的至少一种。
在一些实施例中，所述蚀刻液组合物还包括去离子水，所述去离子水的质量分数根据所述氧化剂、所述损伤抑制剂、所述蚀刻调整剂、所述蚀刻辅助剂的质量分数进行调整，以使得所述氧化剂、所述损伤抑制剂、所述蚀刻调整剂、所述蚀刻辅助剂以及所述去离子水的总质量分数为100％；当所述蚀刻液组合物中还存在所述除残剂时，所述去离子水的质量分数根据所述氧化剂、所述损伤抑制剂、所述蚀刻调整剂、所述蚀刻辅助剂、所述除残剂的质量分数进行调整，以使得所述氧化剂、所述损伤抑制剂、所述蚀刻调整剂、所述蚀刻辅助剂、所述除残剂以及所述去离子水的总质量分数为100％。优选的，所述去离子水的电阻率大于或等于18MΩ·cm。
下面结合具体实施例以及实验数据描述本发明实施例提供的蚀刻液组合物的蚀刻性能。
实施例1
首先，在玻璃基板上蒸镀有机绝缘膜，并在上面蒸镀400埃米的铟锡氧化膜(ITO)。在此基础上采用一定图案的光刻胶工艺，形成有图案的玻璃，使用钻石刀切割出4X3cm的试片。
其次，提供本发明实施例中的蚀刻液组合物M1，其中，该蚀刻组合物M1包括质量分数为6.0％的硫酸、质量分数为4.0％的硝酸、质量分数为0.1％的甲基苯并三氮唑(TT，Tolytriazole)、质量分数为0.01％的二氟化铵(ABF，Ammonium Bifluoride)、质量分数为0.5％的硫酸铵(AS，Ammonium Sulfate)以及质量分数为1.5％的硝酸锂(LiNO3)，余量为去离子水。
然后，将1kg的蚀刻液组合物M1放入烧杯中，当水浴锅的温度达到已设定的温度(41℃)时进行蚀刻。蚀刻速度是将铟锡氧化膜的厚度横向蚀刻完成，露出底面所需的时间进行量测的。将铟锡氧化膜暴露于蚀刻液组成物M1中80秒后，清洗已完成蚀刻的玻璃基板后吹干，再利用扫描电子显微镜确认Etching Profile(蚀刻轮廓)。在确认过程中，单侧蚀刻量(CD bias)观察的是光刻胶末端至ITO膜残存的区间，蚀刻残留物是在轮廓观察中看下层膜上面是否残留ITO。
此外，在试片ITO上分别蒸镀厚度为5000埃米、6000埃米、8000埃米的Cu(铜)膜，将蒸镀有Cu膜的试片暴露于蚀刻液组成物M1中300秒后，利用扫描电子显微镜确认是否有Cu膜损伤。
最终得出实验数据，如下表1所示。
实施例2
首先，在玻璃基板上蒸镀有机绝缘膜，并在上面蒸镀400埃米的铟锡氧化膜(ITO)。在此基础上采用一定图案的光刻胶工艺，形成有图案的玻璃，使用钻石刀切割出4X3cm的试片。
其次，提供本发明实施例中的蚀刻液组合物M2，其中，该蚀刻组合物M2包括质量分数为6.0％的硫酸、质量分数为4.0％的硝酸、质量分数为0.1％的甲基苯并三氮唑、质量分数为0.01％的二氟化铵以及质量分数为1.5％的硝酸锂，余量为去离子水。
然后，将1kg的蚀刻液组合物M2放入烧杯中，当水浴锅的温度达到已设定的温度(41℃)时进行蚀刻。蚀刻速度是将铟锡氧化膜的厚度横向蚀刻完成，露出底面所需的时间进行量测的。将铟锡氧化膜暴露于蚀刻液组成物M2中80秒后，清洗已完成蚀刻的玻璃基板后吹干，再利用扫描电子显微镜确认Etching Profile(蚀刻轮廓)。在确认过程中，单侧蚀刻量(CD bias)观察的是光刻胶末端至ITO膜残存的区间，蚀刻残留物是在轮廓观察中看下层膜上面是否残留ITO。
此外，在试片ITO上分别蒸镀厚度为5000埃米、6000埃米、8000埃米的Cu膜，将蒸镀有Cu膜的试片暴露于蚀刻液组成物M2中300秒后，利用扫描电子显微镜确认是否有Cu膜损伤。
最终得出实验数据，如下表1所示。
对比例1
首先，在玻璃基板上蒸镀有机绝缘膜，并在上面蒸镀400埃米的铟锡氧化膜(ITO)。在此基础上采用一定图案的光刻胶工艺，形成有图案的玻璃，使用钻石刀切割出4X3cm的试片。
其次，提供本发明实施例中的蚀刻液组合物D1，其中，该蚀刻组合物D1包括质量分数为6.0％的硫酸、质量分数为4.0％的硝酸、质量分数为0.1％的甲基苯并三氮唑、质量分数为0.5％的硫酸铵以及质量分数为0.5％的硝酸锂，余量为去离子水。
然后，将1kg的蚀刻液组合物D1放入烧杯中，当水浴锅的温度达到已设定的温度(41℃)时进行蚀刻。蚀刻速度是将铟锡氧化膜的厚度横向蚀刻完成，露出底面所需的时间进行量测的。将铟锡氧化膜暴露于蚀刻液组成物D1中80秒后，清洗已完成蚀刻的玻璃基板后吹干，再利用扫描电子显微镜确认Etching Profile(蚀刻轮廓)。在确认过程中，单侧蚀刻量(CD bias)观察的是光刻胶末端至ITO膜残存的区间，蚀刻残留物是在轮廓观察中看下层膜上面是否残留ITO。
此外，在试片ITO上分别蒸镀厚度为5000埃米、6000埃米、8000埃米的Cu膜，将蒸镀有Cu膜的试片暴露于蚀刻液组成物M1中300秒后，利用扫描电子显微镜确认是否有Cu膜损伤。
最终得出实验数据，如下表1所示。
对比例2
首先，在玻璃基板上蒸镀有机绝缘膜，并在上面蒸镀400埃米的铟锡氧化膜(ITO)。在此基础上采用一定图案的光刻胶工艺，形成有图案的玻璃，使用钻石刀切割出4X3cm的试片。
其次，提供本发明实施例中的蚀刻液组合物D2，其中，该蚀刻组合物D2包括质量分数为6.0％的硫酸、质量分数为4.0％的硝酸、质量分数为0.01％的二氟化铵、质量分数为0.5％的硫酸铵以及质量分数为1.5％的硝酸锂，余量为去离子水。
然后，将1kg的蚀刻液组合物D2放入烧杯中，当水浴锅的温度达到已设定的温度(41℃)时进行蚀刻。蚀刻速度是将铟锡氧化膜的厚度横向蚀刻完成，露出底面所需的时间进行量测的。将铟锡氧化膜暴露于蚀刻液组成物D2中80秒后，清洗已完成蚀刻的玻璃基板后吹干，再利用扫描电子显微镜确认Etching Profile(蚀刻轮廓)。在确认过程中，单侧蚀刻量(CD bias)观察的是光刻胶末端至ITO膜残存的区间，蚀刻残留物是在轮廓观察中看下层膜上面是否残留ITO。
此外，在试片ITO上分别蒸镀厚度为5000埃米、6000埃米、8000埃米的Cu膜，将蒸镀有Cu膜的试片暴露于蚀刻液组成物D2中300秒后，利用扫描电子显微镜确认是否有Cu膜损伤。
最终得出实验数据，如下表1所示。
对比例3
首先，在玻璃基板上蒸镀有机绝缘膜，并在上面蒸镀400埃米的铟锡氧化膜(ITO)。在此基础上采用一定图案的光刻胶工艺，形成有图案的玻璃，使用钻石刀切割出4X3cm的试片。
其次，提供本发明实施例中的蚀刻液组合物D3，其中，该蚀刻组合物D3包括质量分数为6.0％的硫酸、质量分数为0.5％的硝酸、质量分数为0.1％的甲基苯并三氮唑、质量分数为0.01％的二氟化铵、质量分数为0.5％的硫酸铵以及质量分数为1.5％的硝酸锂，余量为去离子水。
然后，将1kg的蚀刻液组合物D3放入烧杯中，当水浴锅的温度达到已设定的温度(41℃)时进行蚀刻。蚀刻速度是将铟锡氧化膜的厚度横向蚀刻完成，露出底面所需的时间进行量测的。将铟锡氧化膜暴露于蚀刻液组成物D3中80秒后，清洗已完成蚀刻的玻璃基板后吹干，再利用扫描电子显微镜确认Etching Profile(蚀刻轮廓)。在确认过程中，单侧蚀刻量(CD bias)观察的是光刻胶末端至ITO膜残存的区间，蚀刻残留物是在轮廓观察中看下层膜上面是否残留ITO。
此外，在试片ITO上分别蒸镀厚度为5000埃米、6000埃米、8000埃米的Cu膜，将蒸镀有Cu膜的试片暴露于蚀刻液组成物D3中300秒后，利用扫描电子显微镜确认是否有Cu膜损伤。
最终得出实验数据，如下表1所示。
对比例4
首先，在玻璃基板上蒸镀有机绝缘膜，并在上面蒸镀400埃米的铟锡氧化膜(ITO)。在此基础上采用一定图案的光刻胶工艺，形成有图案的玻璃，使用钻石刀切割出4X3cm的试片。
其次，提供本发明实施例中的蚀刻液组合物D4，其中，该蚀刻组合物D4包括质量分数为2.0％的硫酸、质量分数为4.0％的硝酸、质量分数为0.1％的甲基苯并三氮唑、质量分数为0.01％的二氟化铵、质量分数为0.5％的硫酸铵以及质量分数为1.5％的硝酸锂，余量为去离子水。
然后，将1kg的蚀刻液组合物D4放入烧杯中，当水浴锅的温度达到已设定的温度(41℃)时进行蚀刻。蚀刻速度是将铟锡氧化膜的厚度横向蚀刻完成，露出底面所需的时间进行量测的。将铟锡氧化膜暴露于蚀刻液组成物D4中80秒后，清洗已完成蚀刻的玻璃基板后吹干，再利用扫描电子显微镜确认Etching Profile(蚀刻轮廓)。在确认过程中，单侧蚀刻量(CD bias)观察的是光刻胶末端至ITO膜残存的区间，蚀刻残留物是在轮廓观察中看下层膜上面是否残留ITO。
此外，在试片ITO上分别蒸镀厚度为5000埃米、6000埃米、8000埃米的Cu膜，将蒸镀有Cu膜的试片暴露于蚀刻液组成物D4中300秒后，利用扫描电子显微镜确认是否有Cu膜损伤。
最终得出实验数据，如下表1所示。
对比例5
首先，在玻璃基板上蒸镀有机绝缘膜，并在上面蒸镀400埃米的铟锡氧化膜(ITO)。在此基础上采用一定图案的光刻胶工艺，形成有图案的玻璃，使用钻石刀切割出4X3cm的试片。
其次，提供本发明实施例中的蚀刻液组合物D5，其中，该蚀刻组合物D5包括质量分数为6.0％的硫酸、质量分数为4.0％的硝酸、质量分数为0.1％的甲基苯并三氮唑，余量为去离子水。
然后，将1kg的蚀刻液组合物D5放入烧杯中，当水浴锅的温度达到已设定的温度(41℃)时进行蚀刻。蚀刻速度是将铟锡氧化膜的厚度横向蚀刻完成，露出底面所需的时间进行量测的。将铟锡氧化膜暴露于蚀刻液组成物D5中80秒后，清洗已完成蚀刻的玻璃基板后吹干，再利用扫描电子显微镜确认Etching Profile(蚀刻轮廓)。在确认过程中，单侧蚀刻量(CD bias)观察的是光刻胶末端至ITO膜残存的区间，蚀刻残留物是在轮廓观察中看下层膜上面是否残留ITO。
此外，在试片ITO上分别蒸镀厚度为5000埃米、6000埃米、8000埃米的Cu膜，将蒸镀有Cu膜的试片暴露于蚀刻液组成物D4中300秒后，利用扫描电子显微镜确认是否有Cu膜损伤。
最终得出实验数据，如下表1所示。
表1蚀刻液组合物的时刻性能结果
其中，ITO Etch Rate可表示各示例中蚀刻液组合物的蚀刻速度，Bias可表示各示例中蚀刻液组合物的蚀刻线宽偏差，Residue可表示各示例中蚀刻液组合物蚀刻后是否有ITO残留物存在，Cu Damage可表示各示例中蚀刻液组合物蚀刻后是否存在铜膜损伤。且需要说明的是，在蚀刻液蚀刻过程中，可认为ITO Etch Rate达到以上为优秀，Bias控制在0.1μm～0.2μm之间为优秀，且不存在有Residue以及Cu Damage。
根据上述表1中的结果可知，本发明实施例提供的蚀刻液组合物M1、M2具有优秀的蚀刻性能，且从上述实施例可以看出，蚀刻液组合物M1的蚀刻效果和良率最佳。而在蚀刻液组合物对比例D1、D2、D3、D4以及D5中，由于至少缺少本发明实施例提供的蚀刻液组合物中的其中一组分，或将其中一组分的重量分数减少，进而使得对比例D1、D2、D3、D4以及D5中的蚀刻液组合物的蚀刻性能不理想，以及容易出现Residue以及Cu Damage现象。
此外，请参照图1以及图2，分别为本发明实施例中采用蚀刻液组合物M1和M2进行实验测试得到的两个蚀刻结构形貌图，可以看出，蚀刻得到的ITO图形形貌良好，且没有铟氧化膜残留物，表明本发明实施例提供的蚀刻液组合物优秀的蚀刻性能。
本发明实施例还提供一种显示面板，且该显示面板包括图案化层，该图案化层采用本发明实施例提供的蚀刻液组合物制得，例如蚀刻液组合物M1以及M2。
在一些实施例中，所述图案化层可为显示面板中的栅极金属层、源漏极金属层以及像素电极层等，在此不作限定。
在一些实施例中，所述图案化层的材料包括氧化铟类化合物，如：ITO、IZO等。
本申请实施例提供的蚀刻液组合物，通过氧化剂、损伤抑制剂、蚀刻调节剂、蚀刻辅助剂的加入，使蚀刻液组合物性质稳定的同时，提高了蚀刻液组合物的蚀刻性能，从而提高了蚀刻良率。
本申请实施例公开了一种蚀刻液组合物及显示面板，该蚀刻液组合物包括氧化剂、损伤抑制剂、蚀刻调节剂、蚀刻辅助剂，其中，在蚀刻液组合物中，氧化剂的质量分数为8％至25％，损伤抑制剂的质量分数为0.01％至1％，蚀刻调节剂的质量分数为0.1％至5％，蚀刻辅助剂的质量分数为0.005％至0.05％，本申请提供的蚀刻液组合物，通过氧化剂、损伤抑制剂、蚀刻调节剂、蚀刻辅助剂的加入，使蚀刻液组合物性质稳定的同时，提高了蚀刻液组合物的蚀刻性能，从而提高了蚀刻良率。
以上对本申请实施例所提供的一种蚀刻液组合物及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物包括氧化剂、损伤抑制剂、蚀刻调节剂、蚀刻辅助剂；
其中，在所述蚀刻液组合物中，所述氧化剂的质量分数为8％至25％，所述损伤抑制剂的质量分数为0.01％至1％，所述蚀刻调节剂的质量分数为0.1％至5％，所述蚀刻辅助剂的质量分数为0.005％至0.05％。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述氧化剂包括主氧化剂以及辅助氧化剂，所述主氧化剂选自硫酸，所述辅助氧化剂选自硝酸。
3.根据权利要求2所述的蚀刻液组合物，其特征在于，在所述蚀刻液组合物中，所述主氧化剂的质量分数为5％至15％，所述辅助氧化剂的质量分数为3％至10％。
4.根据权利要求3所述的蚀刻液组合物，其特征在于，在所述蚀刻液组合物中，所述主氧化剂的质量分数为7％至9％，所述辅助氧化剂的质量分数为4％至7％。
5.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述损伤抑制剂选自环状铵化合物、吡咯系化合物、咪唑系化合物、三唑系化合物、四唑系化合物、五唑系化合物、噁唑系化合物、异唑系化合物、噻唑系化合物、异噻唑系化合物中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻调节剂选自硝酸铵、乙酸铵、柠檬酸铵、硫酸铵、磷酸氢二铵、氯化铵中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻辅助剂选自氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢钾、氟化氢钠、氟化氢钾中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物还包括去离子水，所述去离子水的电阻率大于或等于18MΩ·cm。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括图案化层，且所述图案化层采用如权利要求1至8中任一项所述的蚀刻液组合物制得。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述图案化层的材料包括铟类氧化物。
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