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CN117355920A - 用于使用等离子体形成薄膜的接地返回 - Google Patents

用于使用等离子体形成薄膜的接地返回 Download PDF

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CN117355920A
CN117355920A CN202180097882.6A CN202180097882A CN117355920A CN 117355920 A CN117355920 A CN 117355920A CN 202180097882 A CN202180097882 A CN 202180097882A CN 117355920 A CN117355920 A CN 117355920A
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潘燕琦
杨晓玲
古田学
马克思·张
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Applied Materials Inc
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Abstract

提供一种处理套件，包括：基座，基座具有矩形主体，矩形主体包括周边，周边包括与第二长边相对的第一长边，以及与第二短边相对的第一短边，其中短边中的每个短边邻接第一长边和第二长边并延伸在第一长边和第二长边之间且与第一长边和第二长边在相应角部处界接；和多个接地装置，多个接地装置在矩形主体的相应角部之外耦接至矩形主体的周边，其中多个接地装置包含耦接至第一长边、第二长边、第一短边和第二短边中的每一个的四个或更多个侧部接地装置和在第一长边、第二长边、第一短边和第二短边中的每一个上的八个或更多个底部接地装置。

Description

用于使用等离子体形成薄膜的接地返回
技术领域
本文所描述的实施方式大体涉及使用等离子体处理大面积基板的方法和设备。更具体地，本文描述的实施方式涉及用于等离子体处理腔室的调变射频(RF)电流返回路径。
背景技术
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)通常用于在基板上沉积薄膜，例如半导体基板、太阳能电池板基板以及用于显示器制造的液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)基板。PECVD通常通过将前驱物气体引入真空腔室中来完成，真空腔室具有设置在基座或基板支撑件上的基板。前驱物气体通常被引导通过位于真空腔室顶部附近的气体分配板。通过从一个或多个耦接到腔室的RF源向腔室施加射频(RF)功率，将真空腔室中的前驱物气体激励(例如，激发)成为等离子体。激发的气体反应以在基板(或在其上形成的装置)的表面上形成材料薄膜。气体分配板通常连接到射频电源，而基座通常连接到腔室主体，以提供射频电流返回路径。
在OLED装置的制造中，PECVD处理通常用于在基板上形成的多个OLED装置上形成薄膜。薄膜用于封装和/或密封装置(称为薄膜封装(TFE))。在使用PECVD处理沉积在OLED装置上的这些薄膜中，通常需要均匀性。当整个基板区域的薄膜不均匀时，良率可能会降低。已经发现，非均匀性与等离子体密度均匀性有关，而等离子体密度均匀性受射频返回的影响。
因此，需要一种改进的用于大面积基板的射频返回方案。
发明内容
本揭示内容的实施方式大抵涉及用于等离子体处理基板的方法和设备。更特定而言，本文描述的实施方式提供了一种等离子体处理腔室，等离子体处理腔室具有一个或多个射频(RF)接地或返回装置，适于提供有利的RF返回路径。
在一个实施方式中，提供了一种处理套件。处理套件包含基座，基座具有由导电材料制成的矩形主体，矩形主体包括周边，周边包括与第二长边相对的第一长边，以及与第二短边相对的第一短边，其中短边中的每个短边邻接第一长边和第二长边并延伸在第一长边和第二长边之间且第一长边和第二长边在相应角部处界接。基座亦包含多个接地装置，多个接地装置在矩形主体的相应角部之外耦接至矩形主体的周边，其中多个接地装置包含耦接至第一长边、第二长边、第一短边和第二短边中的每一个的四个或更多个侧部接地装置和耦接至第一长边、第二长边、第一短边和第二短边中的每一个的八个或更多个底部接地装置。
在另一个实施方式中，提供了一种处理套件。处理套件包含基座，基座具有由导电材料制成的矩形主体，矩形主体包括周边，周边包括与第二长边相对的第一长边，以及与第二短边相对的第一短边，其中短边中的每个短边邻接第一长边和第二长边并延伸在第一长边和第二长边之间且与第一长边和第二长边在相应角部处界接。基座亦包含耦接至矩形主体的周边的支架和多个接地装置，多个接地装置在第一与第二长边中的每一个及第一与第二短边中的每一个的电气接地长度内耦接至支架，其中多个接地装置包含耦接至第一长边、第二长边、第一短边和第二短边中的每一个的四个或更多个侧部接地装置和在第一长边、第二长边、第一短边和第二短边中的每一个上的八个或更多个底部接地装置。
在另一个实施方式中，提供了一种等离子体处理系统。等离子体处理系统包含：腔室；第一电极，第一电极设置在腔室内，第一电极促进在腔室内产生等离子体并且可在腔室内相对于第二电极移动。第一电极包括矩形主体，矩形主体由导电材料制成，矩形主体包括周边，周边包括与第二长边相对的第一长边，以及与第二短边相对的第一短边，其中短边中的每个短边邻接第一长边和第二长边并延伸在第一长边和第二长边之间且与第一长边和第二长边在相应角部处界接。第一电极亦包含多个接地装置，多个接地装置在矩形主体的相应角部之外耦接至矩形主体的周边，其中多个接地装置包含耦接至第一长边、第二长边、第一短边和第二短边中的每一个的四个或更多个侧部接地装置和在第一长边、第二长边、第一短边和第二短边中的每一个上的八个或更多个底部接地装置。
附图说明
可参考多个实施方式以更特定地说明以上简要总结的本揭示内容，以更详细了解本揭示内容的上述特征，附图图示说明了其中一些实施方式。然而应注意到，附图仅图示说明本揭示内容的典型实施方式，且因此不应被视为限制本揭示内容的范围，因为所揭示内容可允许其他等效的实施方式。
图1A是等离子体处理系统的一个实施方式的示意性截面图。
图1B是图1A中所示的等离子体处理系统的另一个实施方式的示意性截面图。
图2是侧部接地装置的一个实施方式的等距视图。
图3是用于耦接接地装置的支架的一部分的等距后侧视图。
图4是腔室主体的示意性截面俯视图，示出了基座的俯视平面图。
图5A至5C是设置在基座周边上的支架上的接地装置的各种实施方式的示意性等距视图。
为了协助了解，已尽可能使用相同的附图标记标定图中共有的相同元件。可以设想，一个实施方式的元件和/或处理步骤可以有益地结合到其他实施方式中而无需额外的叙述。
具体实施方式
本揭示内容的实施方式总体上涉及用于使用等离子体处理基板和/或使用等离子体清洁部件的方法和设备。揭示了一种处理套件，处理套件包括基座，基座具有与其耦接的各种接地装置以实现射频(RF)返回路径。本文所述的实施方式涉及通过为电流提供改进的接地或返回路径，来增强等离子体形成和将材料沉积到基板上的方法。在以下描述中，将参考等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔室，但应理解，本文的实施方式也可在其他腔室中实施，包括物理气相沉积(PVD)腔室、蚀刻腔室、半导体处理腔室、太阳能电池处理腔室和有机发光显示器(OLED)处理腔室等等。可以使用的合适的腔室可从美国加利福尼亚州圣克拉拉的Applied Materials，Inc.的子公司AKT America，Inc.获得。应当理解，这里讨论的实施方式也可以在可从其他制造商处获得的腔室中实施。
本揭示内容可用于处理任何尺寸或形状的基板。然而，本揭示内容在具有约15,600cm2的平面表面积的基板中提供了特别的优势，并且包括具有约90,000cm2表面积(或更大)的平面表面积的基板。由于提供合适的接地路径的难度增加，因此基板表面积尺寸的增加对均匀处理提出了挑战。本文描述的实施方式提供了在处理较大基板尺寸期间对这些挑战的解决方案。
图1A是等离子体处理系统100的一个实施方式的示意性截面图。等离子体处理系统100被配置为使用等离子体处理大面积基板101，以在大面积基板101上形成结构和装置以用于制造液晶显示器(LCD)、平板显示器、有机发光二极管(OLED)装置、或用于太阳能电池阵列的光伏电池。基板101可以是金属薄片、塑胶薄片、有机材料薄片、硅薄片、玻璃薄片、石英薄片或聚合物薄片以及其他合适的材料。等离子体处理系统100可被配置为在大面积基板101上沉积多种材料，包括但不限于介电材料(例如SiO2、SiOxNy、其衍生物或它们的组合)、半导电材料(例如，Si和其掺杂剂)或阻挡材料(例如SiNx、SiOxNy或其衍生物)。由等离子体处理系统100形成或沉积到大面积基板上的介电材料和半导电材料的具体示例可以包括外延硅、多晶硅、非晶硅、微晶硅、硅锗、锗、二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、其掺杂剂(例如B、P或As)、其衍生物或其组合。等离子体处理系统100还被配置为接收诸如氩气、氢气、氮气、氦气或它们的组合的气体，以用作净化气体或载气(例如，Ar、H2、N2、He、其衍生物或其组合)。使用系统100在大面积基板101上沉积硅薄膜的一个示例可以通过使用硅烷作为氢载气中的处理气体来实现。
如图1A所示，等离子体处理系统100通常包括腔室主体102，腔室主体102包括底部117a和至少部分地限定处理空间111的侧壁117b。基座104设置在处理空间111中。基座104适于在处理期间将基板101支撑在顶表面上。基座104耦接到致动器138，致动器138适于至少垂直移动基座以促进基板101的转移和/或调整基板101和喷淋头组件103之间的距离D。一个或多个升降销110a-110d可以延伸穿过基座104。如图1B所示，升降销110a-110d适于在基座104被致动器138降低时接触腔室主体102的底部117a并支撑基板101，以便于转移基板101。在如图1A所示的处理位置中，升降销110a-110d适于与基座104的上表面齐平或略低于基座104的上表面，以允许基板101平放在基座104上。
基板101和/或基座104可具有大于约5平方米的表面积，例如约5.5平方米或更大。在一些实施方式中，基板101和/或基座104可包括约2200mm(在短侧)×约2500mm(在长侧)或更大的尺寸。在基板101上形成的结构可以是OLED装置、薄膜晶体管或p-n结，以形成用于光伏电池的二极管。
喷淋头组件103被配置为从处理气体源122向处理空间111供应处理气体。等离子体处理系统100还包括排气系统118，排气系统118被配置为向处理空间111施加负压。喷淋头组件103通常以实质平行的关系与基座104相对设置。
在一个实施方式中，喷淋头组件103包括气体分配板114和背板116。背板116可以用作阻挡板以使得能够在气体分配板114和背板116之间形成气体容积131。气体源122通过导管134连接到气体分配板114。在一个实施方式中，远程等离子体源107耦接到导管134，用于通过气体分配板114将活化气体的等离子体供应到处理空间111。来自远程等离子体源107的等离子体可以包括用于清洁设置在处理空间111中的腔室部件的活化气体。
气体分配板114、背板116和导管134通常由导电材料形成并且彼此电连通。腔室主体102也由导电材料形成。腔室主体102通常与喷淋头组件103电绝缘。在一个实施方式中，喷淋头组件103通过绝缘体135安装在腔室主体102上。
在一个实施方式中，基座104也是导电的，并且基座104和喷淋头组件103被配置为相对的电极，用于在处理和/或预处理或后处理过程期间在它们之间产生处理气体的等离子体108a。此外，基座104和喷淋头组件103可用于在清洁处理期间支持清洁气体的等离子体108b(图1B)。
射频(RF)电源105通常用于在处理之前、期间和之后在喷淋头组件103和基座104之间产生等离子体108a，并且还可以用于维持激励的物种或进一步激发从远程等离子体源107供应的清洁气体。在一个实施方式中，RF电源105通过阻抗匹配电路121的第一连接106a耦接到喷淋头组件103。阻抗匹配电路121的第二连接106b电连接到腔室主体102。
在一个实施方式中，等离子体处理系统100包括多个第一RF装置109a和多个第二RF装置109b。第一RF装置109a和第二RF装置109b中的每一个都耦接在基座104和腔室主体102的接地部件之间。在一个实施方式中，多个RF装置109a和109b被配置为在处理和/或腔室清洁程序期间控制用于返回RF电流的返回路径。
每个第一RF装置109a可以被称为侧部接地装置112。每个侧部接地装置112被配置为选择性地接触和/或提供基座104的侧面和腔室侧壁117b之间的接地路径。另外，每个第二RF装置109b可以被称为底部接地装置113。每个底部接地装置113被配置为在基座104和腔室底部117a之间提供返回路径。在一些实施方式中，侧部接地装置112和底部接地装置113中的每一个都耦接到电耦接到基座104的延伸构件119。延伸构件119可以是耦接到基座104周边的单独构件，或者是包括基座104的周边的结构。
每个侧部接地装置112包括可移动的导电构件120，导电构件120适于接触电耦接到侧壁117b的突出部分124。每个侧部接地装置112可以被选择性地启动以打开或关闭电流。在关闭位置(如图1A所示)，每个侧部接地装置112用于在基座104和腔室主体102的部件之间提供RF传导介质，用于RF返回路径。在打开位置(如图1B所示)，每个侧部接地装置112不电耦接到腔室部件(即，腔室主体102的与RF电源105电连通的部件)。在一个方面中，每个侧部接地装置112的打开/关闭特性可以通过基座104相对于喷淋头组件103的高度(即，相对于突出部分124的高度)来控制。
图1A中的箭头示意性地示出了基板处理期间RF电流路径的一个实施方式。RF电流通常从RF电源105的第一引线123a行进到阻抗匹配电路121的第一输出106a，然后沿着导管134的外表面行进到背板116的后表面，然后到气体分配板114的前表面。射频电流从气体分配板114的前表面经过等离子体108a到达基座104或基板101的顶表面，然后通过侧部接地装置112和/或底部接地装置113到达腔室主体102的内表面125。从内表面125，RF电流从阻抗匹配电路121返回到RF电源105的第二引线123b。
在一个实施方式中，处理期间RF电流的返回路径可以取决于基座104和喷淋头组件103之间的间距，该间距被描绘为距离D。该间距由基座104的高度控制。在一个实施方式中，距离D在处理期间在约200密耳(mil)至约2000密耳之间。在此间距(例如，基座104的高度)处，侧部接地装置112和底部接地装置113都可以保持电耦接到RF电源105。在此实施方式中，RF电流所采用的RF返回路径可以基于侧部接地装置112和底部接地装置113的电气特性和位置。电气特性包括侧部接地装置112和底部接地装置113的电阻、阻抗和/或电导。例如，由于侧部接地装置112更靠近并且对于返回到RF电源105的第二引线123b的RF电流具有较小的阻抗，所以RF电流主要流过侧部接地装置112，而很少或没有RF电流流动通过底部接地装置113。
图1B是图1A中所示的等离子体处理系统100的示意性截面图。在此图中，等离子体处理系统100被示出为没有基板以描绘腔室清洁程序，并且箭头被示出以示意性地描绘RF电流流动。在此实施方式中，激励的清洁气体从远程等离子体源107流到喷淋头组件103和处理空间111，以在处理空间111内供应等离子体108b。在腔室清洁期间，基座104被移位而远离喷淋头组件103，并且来自RF电源105的RF功率可以施加到处理空间111以维持或进一步激励来自远程等离子体源107的清洁气体。在一个实施方式中，在腔室清洁期间基座104相对于喷淋头组件103的间距或距离D大于在处理期间基座104相对于喷淋头组件103的间距或距离D。在一个实施方式中，在清洁过程中基座104和喷淋头组件103之间的距离D在约200密耳到约5000密耳之间，或更大。
在一个实施方式中，侧部接地装置112可以与基座104电气地或物理地断开，使得返回RF电流仅流过底部接地装置113。在一个实施方式中，基座104的高度引起了一种实质上防止RF电流通过侧部接地装置112的状况。在一个实施方式中，当基座104处于此较低位置时，侧部接地装置112与侧壁117b和基座104分离，从而在侧部接地装置112中产生RF开路状态。
图2是耦接到基座104的周边200的侧部接地装置112的一个实施方式的等距视图。侧部接地装置112显示为耦接到支架205(例如，图1A和1B中所示的延伸构件119)。基座104包括由诸如铝的导电材料制成的主体210。支架205包括电连接到主体210的导电材料，例如铝。在一个实施方式中，支架205被配置为耦接到基座104的杆。支架205包括在选定位置从基座104的周边200突出的延伸基部构件215。延伸的基部构件215在这些选定位置容纳和/或支撑侧部接地装置112。
侧部接地装置112包括图1A和1B中描述的可移动导电构件120。延伸的基部构件215包括适于接收第一轴222的开口220。第一轴222通过开口220可移动地设置，以提供基部构件215和第一轴222之间的相对运动。第一轴222耦接到第二轴224，第二轴224被接收在弹簧外形226内。套环228耦接到第二轴224以提供用于弹簧外形226的底座。在一个实施方式中，第一轴222可移动到图2中以230表示的行进距离内的任何位置。行进距离230对应于基座104可以在各种处理期间行进同时保持基座104和腔室主体102之间的电接触或接地电位的距离范围。
可移动导电构件120包括至少一个弹性部分，在此实施方式中显示为弹簧外形226以及弹簧外形232A和232B。弹簧外形226、232A和232B为可移动导电构件120提供弹性。弹簧外形232A和232B另外为电流提供导电路径。
在一些实施方式中，弹簧外形的形式可以是板簧、螺旋弹簧、压缩弹簧或其他柔性弹簧装置或弹簧形式。在一个实施方式中，弹簧外形232A和232B包括金属材料或金属合金，其可以另外涂覆、包裹或包覆有导电材料。金属和金属合金的示例包括镍、不锈钢、钛、材料、/>材料、/>合金，例如/>材料、铍铜或其他导电弹性材料。用于涂层、包裹或包层的导电材料的示例包括铝、阳极氧化铝或其他涂层、膜或片材。在一个实施方式中，弹簧外形232A和232B中的每一个都包括用铝材料包裹或覆盖的镍或钛合金片材。在另一个实施方式中，弹簧外形226包括Ni-Mo-Cr合金，例如/>材料或/>材料。Ni-Mo-Cr合金材料可以用铝或导电金属护套或涂层涂覆、包裹或包覆。在一个实施方式中，弹簧外形226包括/>400材料，而弹簧外形232A和232B包括用铝箔包裹的/>材料。
在一个实施方式中，弹簧外形232A和232B可以是连续的单片材料或具有两端234A、234B的单板簧。或者，弹簧外形232A和232B可以是两个单独的、不连续的片状材料片，或者是在接触垫236处的相应端部处耦接的两个板簧。在任一实施方式中，弹簧外形232A和232B电耦接到由导电材料制成的接触垫236。当侧部接地装置112处于闭合位置时(如图1A所示)，RF电流从主体210经支架205传导，在弹簧外形232A和/或232B上或通过弹簧外形232A和/或232B，再经由接触垫236传导至与突出部分124接触的腔室主体102。
套环228可以包括螺母或包括用于固定螺钉的螺纹部分，固定螺钉适于固定到第二轴224从而捕获弹簧外形226。第二轴224可以具有减小的尺寸，例如直径，以允许弹簧外形226装配在其上。在此实施方式中，第二轴224、弹簧外形226和套环228设置或容纳在管状构件238内。由于弹簧外形226、第二轴224和套环228由导电材料制成，因此由介电材料制成的管状构件238将其中的导电构件电绝缘。以这种方式，减少了电弧或电弧电位。
图3是支架205的一部分的等距后侧视图。所示出的支架205是从其将耦接到基座104的周边200的一侧观察(均在图2中示出)。沿支架205的长度以周期性间隔示出了多个延伸的基部构件215。两个或更多个侧部接地装置112被显示为耦接到支架205，其间具有空的基部构件300。还示出了直接耦接到支架205的多个底部接地装置113(即，第二RF装置109b)。
每个底部接地装置113可以是适于在基座104和腔室主体102的接地部件(均在图1A和1B中示出)之间提供RF导电介质的弹簧外形、带、线或缆线。在一个实施方式中，底部接地装置113被配置为由柔性导电材料制成或涂覆有柔性导电材料的带。底部接地装置113的材料可以是铝，或者包括与结合侧部接地装置112的弹簧外形描述的相同的材料组合中的一种或多种。
底部接地装置113中的每一个可以直接耦接到延伸的基部构件215和/或支架205的底表面305。在一个实施方式中，底部接地装置113的至少一部分耦接到相邻延伸基部构件215之间的支架205的凹陷区域312。虽然可移动导电构件120可以在相邻的延伸基部构件215之间交替，但底部接地装置113以选定的间距连续地耦接到支架205。在一个示例中，侧部接地装置112包括间距310，间距310为约21英寸至约25英寸，例如约22英寸至约24英寸，例如23.5英寸。相对的，底部接地装置113包括间距315，间距315为约9英寸至约12英寸，例如约10英寸至约11英寸。在此上下文中，术语“约”表示+/-0.1英寸。
每个底部接地装置113包括第一端320和第二端325。第一端320使用一个或多个紧固件(例如螺钉或螺栓)耦接到支架205，以便将第一端320固定到支架205。第二端325包括紧固件界面330，以便于将第二端325耦接到腔室底部117a的表面(如图1A和1B所示)。紧固件界面330可以是适于接收紧固件(例如螺栓或螺钉)的狭槽或细长孔，以便将第二端325紧固到腔室主体。
图4是腔室主体102的示意性截面俯视图，示出了基座104(其上具有基板101)的俯视平面图。图4还显示了腔室主体102的截面图(沿着基板101的平面)，以显示侧部接地装置112的定位的一个实施方式。
腔室主体102被显示为其中设置有基座104，侧部接地装置112设置在腔室主体102的内表面400和支架205之间的空间中。侧部接地装置112的接触垫236适于接触突出部分124(四个以虚线示出)，突出部分124电耦接到腔室主体102的内表面400以为施加的RF功率提供RF返回路径。尽管未示出，但底部接地装置113也耦接到基座104。
在一个实施方式中，侧部接地装置112和/或底部接地装置113的间距和集中度被配置为在RF返回路径中提供对称性，以促进等离子体均匀性和增强基板101上的沉积均匀性。在一个实施方式中，侧部接地装置112和/或底部接地装置113的间距和集中度适于为施加的RF功率提供对称外观，以应对腔室结构的变化，例如存在位于腔室主体102的一侧上的狭缝阀开口405。当腔室可能不是物理和/或电对称时，侧部接地装置112和/或底部接地装置113的间距或集中度允许所施加的RF功率在处理空间中对称地行进。
如图4所示，基座104包括周边200，周边200包括两个长边410和两个短边415。长边410彼此相对并且与短边415相邻，短边415也彼此相对。基座104在长边410和短边415的每一个上包括电气接地部分或长度420。电气接地长度420小于基座104的相应长边410和短边415的长度。侧部接地装置112和/或底部接地装置113中的每一个位于电气接地长度420内。周边200还包括角部425，每一个长边410和短边415在角部425处相交。在一些实施方式中，侧部接地装置112和/或底部接地装置113不位于角部425上。
如本文所述的侧部接地装置112和底部接地装置113的定位被广泛地测试，以确定等离子体系统的RF接地效率，等离子体系统例如是上面讨论的等离子体处理系统100。关注的因素包括基座104和系统的接地部分之间的电弧电位，其中电弧可能潜在地损坏系统和/或基板，以及形成在基板上的装置。因此，随意从等离子体系统部件上移除接地装置和/或重新定位等离子体系统部件上的接地装置并非显然，因为电弧会损坏这些部件。特定而言，从基座104的角部移除接地装置并非显然，因为这些区域很容易产生电弧。
图5A至5C是设置在基座104(为了清楚起见未示出)的周边200上的支架205上的接地装置的各种实施方式的示意性等距视图。在所示的每个实施方式中，侧部接地装置112和底部接地装置113不位于角部425处。
在图5A中，在基座104的长边410上有八个侧部接地装置112，在基座104的短边415上有六个侧部接地装置112。然而，基座104的长边410和短边415上都有八个底部接地装置113。在图5A的实施方式中，在角部425附近有两个空的基部构件300。
在图5B中，在基座104的长边410上有四个侧部接地装置112，在基座104的短边415上有四个侧部接地装置112。然而，基座104的长边410和短边415上都有八个底部接地装置113。在图5B的实施方式中，在靠近角部425的长边410上有两个空的基部构件300，而短边415包括靠近角部425的一个空的基部构件300。
在图5C中，在基座104的长边410上有六个侧部接地装置112，在基座104的短边415上有六个侧部接地装置112。然而，类似于其他实施方式，基座104的长边410和短边415上都有八个底部接地装置113。在图5C的实施方式中，类似于图5B，在靠近角部425的长边410上有两个空的基部构件300，而短边415包括靠近角部425的一个空的基部构件300。
图5A至5C中所示的接地装置之间的位置和/或间距不是排他性的。然而，本文所揭示的具有与其耦接的接地装置的基座104的实施方式在基板上提供更均匀的RF分布。对本文所述的基座104的实施方式的测试显示跨基板的膜均匀性增加。特定而言，与传统的基座接地方案相比，基板角部处的均匀性显著提高。本文所述的基座104的实施方式还改进了形成在基板上的膜的delta应力。例如，使用本文所述的基座104的实施方式，delta应力从136兆帕斯卡(MPa)降低到约5MPa(在250小时老化时)。本文所述的基座104的实施方式还改进了膜的防潮性能。膜在高温和高湿环境(例如，在85％相对湿度下约摄氏85度)中的应力稳定性是使在基板上形成的膜的防潮性能合格的关键因素。使用本文所述的基座104的实施方式，在这种高温/高湿环境中的测试显示delta应力(在1000小时老化之后)从144MPa降低到约13MPa。因此，使用本文所述的基座104，基板角部处的膜质量足以保护膜在高温和高湿环境中老化1000小时后免于氧化。
虽然前述内容关于本揭示内容的实施方式，但可设想本揭示内容的其他与进一步的实施方式而不脱离本揭示内容的基本范围，且本揭示内容的范围由下列权利要求确定。

Claims (20)

1.一种处理套件，包括：
基座，所述基座具有由导电材料制成的矩形主体，所述矩形主体包括周边，所述周边包括与第二长边相对的第一长边，以及与第二短边相对的第一短边，其中所述短边中的每个短边邻接所述第一长边和所述第二长边并延伸在所述第一长边和所述第二长边之间且与所述第一长边和所述第二长边在相应角部处界接；和
多个接地装置，所述多个接地装置在所述矩形主体的所述相应角部之外耦接至所述矩形主体的所述周边，其中所述多个接地装置包含耦接至所述第一长边、所述第二长边、所述第一短边和所述第二短边中的每一个的四个或更多个侧部接地装置和在所述第一长边、所述第二长边、所述第一短边和所述第二短边中的每一个上的八个或更多个底部接地装置。
2.如权利要求1所述的处理套件，其中所述多个接地装置中的每一个接地装置都耦接到支架，所述支架围绕所述矩形主体的所述周边设置。
3.如权利要求2所述的处理套件，其中所述支架包括多个基部构件，每个基部构件适于支撑所述侧部接地装置中的一个侧部接地装置。
4.如权利要求3所述的处理套件，其中所述长边中的每个长边和所述短边中的每个短边都包括至少一个空的基部构件。
5.如权利要求4所述的处理套件，其中所述长边中的每个长边都包括四个空的基部构件。
6.如权利要求4所述的处理套件，其中所述短边中的每个短边都包括两个空的基部构件。
7.如权利要求1所述的处理套件，其中所述底部接地装置耦接到支架，所述支架围绕所述矩形主体的所述周边设置。
8.如权利要求7所述的处理套件，其中所述支架包括多个基部构件，并且所述多个基部构件中的每个基部构件的至少一部分包括所述侧部接地装置中的一个侧部接地装置。
9.如权利要求8所述的处理套件，其中所述底部接地装置的一部分耦接至所述支架且相邻于所述基部构件中的一个基部构件，所述一个基部构件包括所述侧部接地装置中的所述一个侧部接地装置。
10.如权利要求8所述的处理套件，其中所述支架包括位于所述基部构件之间的凹陷区域，并且所述底部接地装置耦接到所述凹陷区域。
11.一种处理套件，包括：
基座，所述基座具有由导电材料制成的矩形主体，所述矩形主体包括周边，所述周边包括与第二长边相对的第一长边，以及与第二短边相对的第一短边，其中所述短边中的每个短边邻接所述第一长边和所述第二长边并延伸在所述第一长边和所述第二长边之间且与所述第一长边和所述第二长边在相应角部处界接；
支架，所述支架耦接至所述矩形主体的所述周边；和
多个接地装置，所述多个接地装置在所述第一长边与所述第二长边中的每一个及所述第一短边与所述第二短边中的每一个的电气接地长度内耦接至所述支架，其中所述多个接地装置包含耦接至所述第一长边、所述第二长边、所述第一短边和所述第二短边中的每一个的四个或更多个侧部接地装置和在所述第一长边、所述第二长边、所述第一短边和所述第二短边中的每一个上的八个或更多个底部接地装置。
12.如权利要求11所述的处理套件，其中所述支架包括多个基部构件，每个基部构件适于支撑所述侧部接地装置中的一个侧部接地装置。
13.如权利要求12所述的处理套件，其中所述长边中的每个长边和所述短边中的每个短边都包括至少一个空的基部构件。
14.如权利要求13所述的处理套件，其中所述长边中的每个长边都包括四个空的基部构件。
15.如权利要求13所述的处理套件，其中所述短边中的每个短边都包括两个空的基部构件。
16.如权利要求11所述的处理套件，其中所述底部接地装置中的每个底部接地装置包括第一端和第二端，所述第一端耦接至所述支架，所述第二端具有狭槽孔。
17.一种等离子体处理系统，所述等离子体处理系统包括：
腔室；
第一电极，所述第一电极设置在所述腔室内，所述第一电极促进在所述腔室内产生等离子体并且能在所述腔室内相对于第二电极移动，其中所述第一电极包括：
矩形主体，所述矩形主体由导电材料制成，所述矩形主体包括周边，所述周边包括与第二长边相对的第一长边，以及与第二短边相对的第一短边，其中所述短边中的每个短边邻接所述第一长边和所述第二长边并延伸在所述第一长边和所述第二长边之间且与所述第一长边和所述第二长边在相应角部处界接；和
多个接地装置，所述多个接地装置在所述矩形主体的所述相应角部之外耦接至所述矩形主体的所述周边，其中所述多个接地装置包含耦接至所述第一长边、所述第二长边、所述第一短边和所述第二短边中的每一个的四个或更多个侧部接地装置和在所述第一长边、所述第二长边、所述第一短边和所述第二短边中的每一个上的八个或更多个底部接地装置。
18.如权利要求17所述的等离子体处理系统，其中所述多个接地装置中的每一个接地装置都耦接到支架，所述支架围绕所述矩形主体的所述周边设置。
19.如权利要求18所述的等离子体处理系统，其中所述支架包括多个基部构件，每个基部构件适于支撑所述侧部接地装置中的一个侧部接地装置。
20.如权利要求19所述的等离子体处理系统，其中所述长边中的每个长边和所述短边中的每个短边都包括邻近所述角部的至少一个空的基部构件。
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